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Ce:YAG熒光玻璃的制備與光學(xué)性能*

2017-01-16 03:24賀龍飛張志清何晨光陳志濤陳志武范廣涵
材料研究與應(yīng)用 2016年4期
關(guān)鍵詞:熒光粉白光能級

賀龍飛,趙 維,張 康,張志清,何晨光,陳志濤,陳志武,范廣涵

1. 廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院,廣東 廣州 510650;2.華南師范大學(xué),光電子材料與技術(shù)研究所,廣東 廣州 510631

Ce:YAG熒光玻璃的制備與光學(xué)性能*

賀龍飛1,趙 維1,張 康1,張志清1,何晨光1,陳志濤1,陳志武2,范廣涵2

1. 廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院,廣東 廣州 510650;2.華南師范大學(xué),光電子材料與技術(shù)研究所,廣東 廣州 510631

用Na2O-Li2O-Al2O3-B2O3-SiO2硼硅酸鹽體系的低熔點玻璃作為基質(zhì)玻璃,采用兩步熔融法制備了Ce:YAG熒光玻璃.利用SEM,EDS和熒光光譜儀對樣品進(jìn)行了顯微結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能分析.實驗結(jié)果表明:樣品由玻璃基質(zhì)和Ce:YAG晶粒組成,晶粒均勻地分散在硼硅酸鹽玻璃基質(zhì)中;樣品在340和460 nm處有兩個激發(fā)峰,發(fā)射光譜在533 nm處有一寬峰,屬于Ce3+的5d→4f特征躍遷發(fā)射.Ce:YAG熒光玻璃是一種可用于白光LED的新型熒光材料.

YAG;熒光玻璃;白光LED

白光LED作為二十一世紀(jì)的新型固態(tài)光源,有體積小、節(jié)能環(huán)保、響應(yīng)速度快及使用壽命長等優(yōu)點,已得到廣泛地應(yīng)用.目前,白光LED主要是采用熒光粉與環(huán)氧樹脂或硅膠以一定的比例混合涂覆在藍(lán)光LED芯片上實現(xiàn)的.

由于白光LED封裝材料在使用過程中存在芯片功耗、熒光粉光轉(zhuǎn)換過程中能量損失而導(dǎo)致熒光轉(zhuǎn)換效率降低[1]、傳統(tǒng)封裝材料在高溫和短波光長期照射下透過率會有所下降而產(chǎn)生的老化現(xiàn)象[2]及在大電流驅(qū)動下白光LED色坐標(biāo)發(fā)生偏移使器件使用壽命縮短[3]等問題,因此采用耐高溫的基質(zhì)材料將熒光粉包覆起來,用于保護(hù)其熒光性能顯得非常有必要.與環(huán)氧樹脂材料相比,熒光玻璃[4-6]和熒光陶瓷[7-8]等新型無機(jī)塊狀熒光材料具有穩(wěn)定性高、熱導(dǎo)率高、耐熱性良好及抗紫外性能和壽命長等特點,是解決上述問題的一類有效材料.目前,制備熒光玻璃的主要方法是熔融淬冷法[9],類似傳統(tǒng)的玻璃高溫熔融法,制備過程中溫度高達(dá)1500~1600 ℃且需要較長時間的熔融和熱處理,熒光粉在玻璃熔融過程中易分解,從而導(dǎo)致熒光轉(zhuǎn)換效率大幅度地降低.近幾年,研究人員開始采用低熔點玻璃與熒光粉混合燒結(jié)熒光玻璃的方法[10-11]使得燒結(jié)溫度大大地降低,并且熒光粉轉(zhuǎn)換效率也得到提高.Chun-Chin Tsai等人[12]在1300 ℃溫度下制備了Ce:YAG熒光粉摻雜的SiO2-Na2O-Al2O3-Li2O低熔點熒光玻璃,但這種低熔點玻璃存在成本高、能耗大等問題,制備過程中溫度相對還是很高,依然會使熒光粉的發(fā)光性能降低.

本文中采用高低溫兩步熔融法,先采用熔融法制備低熔點玻璃粉,再將商用Ce:YAG熒光粉和低熔點玻璃粉末二次熔融,由于低熔點玻璃粉具有很大的比表面能,低熔點玻璃粉作為基質(zhì),在更低溫度下就能和熒光粉熔融均化,最后經(jīng)澆鑄成型獲得熒光玻璃.高低溫兩步熔融法能夠有效地將熒光粉的性能保存下來,具有更大的優(yōu)勢.

1 實驗部分

首先根據(jù)基質(zhì)玻璃組成成分進(jìn)行配料,將原料H3BO3,SiO2,Al2O3,Na2CO3和Li2CO3按比例均勻混合,置于電阻爐中熔制,熔制溫度為1250 ℃,保溫1 h,再將得到的玻璃液倒入冷水中進(jìn)行水淬,得到透明的玻璃基質(zhì).然后將玻璃基質(zhì)搗碎、球磨,過-0.074 mm篩得到基質(zhì)玻璃粉末,再將基質(zhì)玻璃粉末與熒光粉按不同比例均勻混合,分別在800~900 ℃下二次熔融,保溫30 min后澆鑄成型,再在450 ℃下退火,最后隨爐冷卻,得到Ce:YAG熒光玻璃.

用荷蘭飛利浦QUANTA 400型環(huán)境掃描電子顯微鏡對部分試樣的微觀形貌和組分進(jìn)行分析,加速電壓為30 kV;用日本Hitachi公司的F4500型熒光分光光度計測試樣品的激發(fā)光譜和發(fā)射光譜.

2 結(jié)果與討論

2.1 Ce:YAG熒光玻璃的顯微分析

圖1為采用高低溫兩步熔融法得到Ce:YAG不同含量的熒光玻璃表面的背散射電子像,放大倍數(shù)為1600倍.從圖1可見,樣品呈現(xiàn)出兩種不同顏色,用能譜儀對白色晶粒做了EDS分析,結(jié)果顯示白色晶粒中O,Al和Y的含量較高,Ce的含量較低,其元素的原子百分比(Y+Ce)∶Al∶O=2.4∶5∶13.2,可以判斷BSE圖中白色顆粒為Ce:YAG顆粒.當(dāng)Ce:YAG質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%時,熒光玻璃表面的Ce:YAG顆粒十分稀少,可能與YAG相部分分解有關(guān);當(dāng)質(zhì)量百分?jǐn)?shù)達(dá)到20%時,白色顆粒明顯變多,這跟Ce:YAG摻入量變多有直接關(guān)系.

圖2為Ce:YAG含量為20%時熒光玻璃表面放大10000倍的SEM圖.從圖2可見:樣品中未發(fā)現(xiàn)明顯的縫隙和裂紋,也未發(fā)現(xiàn)有明顯的雜物和氣孔存在;Ce:YAG顆粒形貌呈近球形,粒徑大小十分均勻,平均尺寸約0.5 μm,并且相對均勻地分散在玻璃基質(zhì)中,只是局部小面積范圍出現(xiàn)輕微聚集現(xiàn)象.Ce:YAG在透明陶瓷中的均勻分布有望解決白光LED封裝的色溫偏差、光譜空間分布不均及藍(lán)圈和黃斑等問題,從而使白光LED具有更好的光品質(zhì)和穩(wěn)定性.封裝成白光LED時,樣品的玻璃基體主要是用于透過LED芯片發(fā)射的藍(lán)光,而Ce:YAG晶粒主要是將照射過來的藍(lán)光轉(zhuǎn)變成黃光,再與未被轉(zhuǎn)換的藍(lán)光配成白光.

圖2 Ce:YAG熒光玻璃表面的BSE圖Fig.2 Scanning electron microscopy of Ce:YAG glass phosphor

2.2 Ce:YAG熒光玻璃的光學(xué)性能

圖3為在燒結(jié)溫度為900 ℃和保溫30 min條件下制得的Ce:YAG不同含量的熒光玻璃樣品的照片.從圖3可見,其中圖3(a)和圖3(b)的試樣沒有經(jīng)過拋光處理,但還是可見熒光陶瓷下面的字跡,且隨著YAG:Ce摻雜量增加,樣品變得越來越黃,這說明樣品在保證有良好的熒光性能的條件下還具有良好的透光性.圖3(c)為經(jīng)二次熔融后直接澆鑄成型并退火后的熒光玻璃,試樣中未發(fā)現(xiàn)氣孔和裂紋,表明應(yīng)力釋放比較完全,這有利于后續(xù)封裝白光LED.

圖3 不同Ce:YAG含量熒光玻璃樣品的數(shù)碼照片(a) w(Ce:YAG)=15%;(b) w(Ce:YAG)=20%;(C) w(Ce:YAG)=25%Fig.3 Appearance of Ce:YAG glass phosphors

圖4為Ce3+離子在YAG中的能級結(jié)構(gòu)示意圖.Ce3+在4f軌道只有一個電子,YAG晶體中Ce3+取代具有D2對稱性的Y3+格位,受晶場的作用Ce3+的4f能級由于自旋耦合而劈裂為兩個光譜支項2F7/2和2F5/2[13-14],其中2F5/2為基譜項,二者能級差為2200 cm-1,鄰近的高能級為5d能級,其能態(tài)被劈裂為5個子能級,最低5d子能級距基態(tài)約為22000 cm-1[15].

圖4 Ce3+離子在 YAG 中的能級結(jié)構(gòu)圖Fig.4 Energy level diagrams of Ce3+ ions in YAG

圖5為Ce:YAG不同含量熒光玻璃樣品的激發(fā)光譜,其中激發(fā)光譜波長為533 nm,測試范圍為300~520 nm.從圖5可見,樣品分別在340和460 nm處存在寬激發(fā)峰.這兩個較寬激發(fā)峰是由于電荷從Ce3+的4f基態(tài)到5d激發(fā)態(tài)的躍遷引起的.340和460 nm的激發(fā)峰分別對應(yīng)于2F5/2至5d激發(fā)態(tài)的最低和第二低的能級躍遷[16-17].

圖6為Ce:YAG不同含量熒光玻璃樣品的發(fā)射光譜.由于目前市場上GaN基藍(lán)光LED芯片的發(fā)射波長都在460 nm左右,所以測試發(fā)射光譜選用的波長為460 nm,測試范圍為500~700nm.從圖6可見,樣品發(fā)射光譜為可見光區(qū)內(nèi)的寬譜,范圍在500~600 nm之間,最強(qiáng)發(fā)射峰位于533 nm處,顏色為黃色,屬于Ce3+的5d→4f特征躍遷發(fā)射,該發(fā)光峰具有雙重帶特征,分別對應(yīng)于Ce3+離子5d最低能量激發(fā)態(tài)向基態(tài)4f1的兩個子能級2F7/2和2F5/2的躍遷[18].由于最強(qiáng)激發(fā)峰和發(fā)射峰都與最低5d態(tài)能級相關(guān),而激發(fā)態(tài)5d電子的徑向波函數(shù)可以很好地擴(kuò)展到5s25p6閉殼層之外,導(dǎo)致能級受外場的影響較大,得到激發(fā)和發(fā)射光譜均表現(xiàn)為寬峰.

圖6 不同Ce:YAG含量熒光玻璃樣品的發(fā)射光譜Fig.6 The emission spectra of Ce:YAG glass phosphors under 460nm excitation

由樣品的激發(fā)光譜和發(fā)射光譜均可以看出,Ce:YAG不同含量并沒有改變其峰值和峰形,但相對強(qiáng)度隨Ce:YAG的含量增加而增強(qiáng).當(dāng)w(Ce:YAG)=25%時,其強(qiáng)度最高,這是因為在Ce:YAG晶粒中,Ce3+為激活中心,隨著玻璃樣品中的Ce:YAG含量的增加,發(fā)光中心逐漸增加,發(fā)光強(qiáng)度增加.這種熒光玻璃在發(fā)光性能方面非常匹配目前藍(lán)光LED芯片,可有效地被波長420~500 nm的藍(lán)光激發(fā),發(fā)射533 nm左右黃光寬峰.樣品的玻璃基體主要是用于透過LED芯片發(fā)射的藍(lán)光,Ce:YAG晶粒主要是將照射過來的藍(lán)光轉(zhuǎn)變成黃光,使透過的藍(lán)光再與黃光配成白光.

3 結(jié) 論

采用高低溫兩步熔融法并結(jié)合退火工藝得到了Ce:YAG熒光玻璃,Ce:YAG晶粒相對均勻地分散在玻璃基質(zhì)中.樣品在近紫外340 nm和藍(lán)光區(qū)460 nm處有兩個寬激發(fā)峰,且發(fā)射光譜范圍在500~600 nm之間,最強(qiáng)發(fā)射峰位于533 nm處,屬于Ce3+的5d→4f特征躍遷發(fā)射.該種材料有望與藍(lán)光LED芯片匹配制備出高光品質(zhì)和高穩(wěn)定性的白光LED.

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Preparation and optical properties of Ce:YAG glass phosphors

HE Longfei1,ZHAO Wei1,ZHANG Kang1,ZHANG Zhiqing1,HE Chenguang1,CHEN Zhitao1,CHEN Zhiwu2,F(xiàn)AN Guanghan2

1.GuangdongInstituteofSemiconductorIndustrialTechnology,Guangzhou510650,China;2.InstituteofOpto-electronicMaterialsandTechnology,SouthChinaNormalUniversity,Guangzhou510631,China

The Ce:YAG glass phosphor based on Na2O-Li2O-Al2O3-B2O3-SiO2borosilicate glass was prepared by two-step melting methods,and it were characterized by scanning electron microscope (SEM), energy dispersive spectrometer (EDS) and fluorescence spectrometer, respectively. The results show that the Ce:YAG glass phosphor is composed of glass and Ce:YAG,and the Ce:YAG phase dispersed well in the matrix of glass. The excitation spectra had a weak band at 340nm and a strong band at 460 nm.The broad emission peaks at about 533 nm is attributed to 5d→4f transition of Ce3+ions. All results show that Ce:YAG glass phosphors may be a promising fluorescent material for white LED applications.

YAG;glass phosphor;white LED

2016-08-23

國家自然科學(xué)基金(11304048);廣東省創(chuàng)新團(tuán)隊(2013C067);廣東省自然科學(xué)基金(2015A030310023);廣東省特支計劃(2014TQ01C707);廣東省科技廳(2015B010132005,2015B010112002)

賀龍飛(1988-),男,湖南衡陽人,工程師,碩士.

1673-9981(2016)04-241-05

TQ171

A

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