呂 鏢,胡振峰,汪笑鶴,徐濱士
(1.東北大學(xué) 材料與冶金學(xué)院,沈陽(yáng) 110819;2.裝甲兵工程學(xué)院 再制造技術(shù)國(guó)防科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京 100072;3.裝甲兵工程學(xué)院 機(jī)械產(chǎn)品再制造國(guó)家工程研究中心,北京 100072)
電鍍鎳廣泛應(yīng)用于汽車、機(jī)械、儀表及日用工業(yè)品中,作為防護(hù)裝飾性鍍層、鍍銀或鍍金的擴(kuò)散阻擋層、鍍鉻的中間層等[1-2]。但傳統(tǒng)電鍍鎳在較大電流密度下,受陰極析氫、雜質(zhì)、尖端放電效應(yīng)等因素的影響,鍍層表面存在諸如針孔、麻點(diǎn)、積瘤等缺陷,并且上述缺陷會(huì)隨著沉積時(shí)間的延長(zhǎng)迅速擴(kuò)大,使鍍層表面質(zhì)量變壞,進(jìn)而影響鍍層的均勻性、性能及其生產(chǎn)效率,嚴(yán)重時(shí)會(huì)造成鍍層燒焦、起皮、脫落等缺陷[3-4]。
采用陰極移動(dòng)、陰極旋轉(zhuǎn)、壓縮空氣和超聲攪拌等方式可以改善液相傳質(zhì)過(guò)程[5],在一定程度上提高電沉積速度,但受陰極界面擴(kuò)散層厚度的影響,沉積速度提高程度極其有限。以電鍍鎳為例,為了消除析氫的不利影響,并得到光亮平整的鍍層,通常需要在鍍液中添加一定量的潤(rùn)濕劑(如十二烷基硫酸鈉)、光亮劑(如糖精)和整平劑(如香豆素)。潤(rùn)濕劑的添加雖會(huì)降低電極與溶液間的界面張力,有利于氫氣的溢出,但鍍液表面容易產(chǎn)生大量泡沫,既可能影響鍍層正常的電沉積,又能導(dǎo)致工件移出帶走鍍液的流失。鍍液中的添加劑一般會(huì)隨著電沉積的進(jìn)行而消耗,使鍍液成分發(fā)生變化,一方面使鍍液的維護(hù)變得困難,另一方面會(huì)導(dǎo)致鍍層中含有更多的有機(jī)夾雜物,從而影響金屬鍍層的純度,有時(shí)還會(huì)引起鍍層脆性的增大以及鍍層與金屬基體結(jié)合不良等缺陷[6-9]。
為了既能降低添加劑的不利影響,又能夠提高電沉積的速度和質(zhì)量,很多學(xué)者在不含添加劑的鍍液中進(jìn)行了外力摩擦強(qiáng)化電沉積實(shí)驗(yàn)研究。如梁志杰等[10]等開(kāi)發(fā)了摩擦電噴鍍技術(shù),使摩擦塊在一定的壓力作用下摩擦鍍層表面,不僅對(duì)鍍層進(jìn)行了機(jī)械活化作用,而且限制了部分晶粒在垂直方向上的過(guò)快增長(zhǎng),去除鍍層表面的浮層和粗晶粒層,改善了電沉積過(guò)程,因而鍍層組織更加致密,晶粒更加細(xì)化,鍍層性能得以提高,實(shí)現(xiàn)了鍍層的大厚度和快速電沉積相結(jié)合;寧朝輝等[11]和NING等[12]通過(guò)采用機(jī)械振動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)玻璃球運(yùn)動(dòng)撞擊陰極表面,以此來(lái)改善晶粒的生長(zhǎng)方式和鎳鍍層的組織結(jié)構(gòu);ZHU等[13]通過(guò)采用陶瓷微珠硬質(zhì)粒子磨擦工件表面,提高回轉(zhuǎn)體類零件電沉積鎳鍍層的光亮性和機(jī)械性能。
硬質(zhì)摩擦塊或非金屬顆粒的磨損不僅容易造成鍍層夾雜,而且在裝配、更換或清洗等方面多有不便。不同于上述硬質(zhì)材質(zhì)摩擦陰極的方法,本文作者提出一種柔性摩擦輔助電沉積技術(shù),即在電沉積過(guò)程中通過(guò)具有一定韌性和強(qiáng)度的柔性介質(zhì)間斷摩擦陰極表面,試圖起到驅(qū)氫、除雜和整平等效果,研究電流密度對(duì)柔性摩擦輔助電沉積鎳鍍層組織結(jié)構(gòu)和性能的影響,以期探索和揭示柔性介質(zhì)摩擦在鎳的電沉積過(guò)程中的作用規(guī)律,并提升傳統(tǒng)電沉積鎳的沉積速度、質(zhì)量和性能。
采用自行設(shè)計(jì)研制的平板類零部件柔性摩擦輔助電沉積裝置,該裝置由運(yùn)動(dòng)控制裝置、刷板、陽(yáng)極板和電沉積槽構(gòu)成。刷板、陽(yáng)極板固定安裝在電沉積槽一側(cè),鍍件安裝在運(yùn)動(dòng)控制裝置上且處于電沉積槽內(nèi),鍍件的被鍍面與陽(yáng)極板平行相對(duì),鍍件、陽(yáng)極板分別與直流電源的負(fù)極、正極連接,刷板上栽有的柔性介質(zhì)朝向鍍件的被鍍面,鍍件受運(yùn)動(dòng)控制裝置控制在槽內(nèi)作水平往復(fù)直線運(yùn)動(dòng),當(dāng)鍍件運(yùn)動(dòng)到柔性介質(zhì)前端時(shí),鍍件的被鍍面與柔性介質(zhì)之間作相對(duì)摩擦運(yùn)動(dòng)。柔性介質(zhì)采用不導(dǎo)電、廉價(jià)且彈性較好的PA材質(zhì),其排列方式如毛刷結(jié)構(gòu),但介質(zhì)與介質(zhì)根部之間相距一定距離,并控制所有柔性介質(zhì)與陰極平板鍍件的接觸過(guò)盈量在2 mm左右。圖1所示為柔性摩擦輔助電沉積裝置的示意圖。
基體為A3鋼,尺寸為50 mm×100 mm×2 mm,鍍覆面積為0.3 dm2,余面用絕緣材料密封。鎳板(99.9%)作為陽(yáng)極。采用HP6012B直流電源和改進(jìn)的Watts Ni鍍液,其鍍液組成為:硫酸鎳(NiSO4·6H2O)260~280 g/L,氯化鎳(NiCl2·6H2O)40~50 g/L,硼酸(H3BO3)40 g/L,不含任何添加劑。工藝條件:室溫,陰極移動(dòng)速度為12 m/min,運(yùn)動(dòng)距離為26 cm,電沉積時(shí)間為30 min。電沉積工藝流程為電化學(xué)除油→強(qiáng)活化→弱活化→電沉積鎳,每道工序之間用蒸餾水將鍍件沖洗干凈。
采用Philips Quanta200型掃描電子顯微鏡(SEM)觀察鎳鍍層的表面形貌;采用OLYMPUS LEXT OLS 4000 三維測(cè)量激光共焦顯微鏡非接觸測(cè)量鍍層的表面粗糙度,每個(gè)試樣測(cè)量3次取其平均值;采用貼濾紙法(10 g/L鐵氰化鉀和20 g/L氯化鈉)測(cè)試鍍層的孔隙率[14];采用D8 Advance型多晶X射線衍射儀(XRD)分析鍍層的擇優(yōu)取向。試驗(yàn)采用Cu靶(λ=0.154 06 nm),管電壓為40 kV,管電流為40 mA。晶面擇優(yōu)取向的程度用晶面(hkl)織構(gòu)系數(shù)TC(hkl)來(lái)表征[15]。
圖1 柔性摩擦輔助電沉積裝置示意圖Fig.1 Schematic diagram of flexible friction assisted electroplating apparatus
式中:I(hkl)和I0(hkl)分別為電沉積試樣和標(biāo)準(zhǔn)Ni粉末的(hkl)晶面的X射線衍射強(qiáng)度;n為衍射峰個(gè)數(shù),n=4。
采用X-350A型X射線應(yīng)力衍射儀測(cè)試鍍層殘余應(yīng)力的大小。測(cè)量方法為側(cè)傾固定Ψ法,Ψ角依次取為0、25、35和45°,衍射晶面為(220)晶面,應(yīng)力常數(shù)-710 MPa/(°),2θ掃描起始角 139°,終止角 128°。
采用HVS-1000數(shù)顯顯微硬度計(jì)測(cè)定鍍層的顯微硬度,載荷1 N,加載時(shí)間15 s。每個(gè)試樣測(cè)量6個(gè)數(shù)據(jù),取其平均值作為最終結(jié)果。
2.1.1 對(duì)鍍層形貌的影響
圖2所示為電流密度對(duì)柔性摩擦輔助電沉積鎳鍍層表面形貌的影響。由圖2可見(jiàn),不同電流密度下柔性摩擦輔助電沉積鎳鍍層的表面形態(tài)、顆粒的大小及分布并不完全相同,但表面均不同程度的存在拋平現(xiàn)象,且這種作用程度隨著電流密度的增大而逐漸減弱。在1~4 A/dm2的電流密度范圍內(nèi),鍍層表面由平整區(qū)域和凹陷部分組成(見(jiàn)圖2(a)和(b)),在1 A/dm2的電流密度下,鍍層平整部分難以區(qū)分晶粒大小,凹陷部分由針狀物構(gòu)成;而在4 A/dm2的電流密度下,平整部分的球形顆粒很細(xì)小,凹陷部分或未摩擦部位的顆粒尺寸卻很粗大。在7~13 A/dm2的電流密度范圍內(nèi),與相同條件下電鍍鎳相同的是鍍層表面由大小不一的球形顆粒構(gòu)成,但不同的是球形顆粒的頂端被拋平(圖2(c)~(e)),這種頂端被整平作用隨電流密度的增加整體呈現(xiàn)降低的趨勢(shì)。當(dāng)電流密度在10 A/dm2時(shí),鍍層表面的平整度和粗糙度均很低;當(dāng)電流密度在13 A/dm2時(shí),鍍層表面粗糙度開(kāi)始增加,同時(shí)鍍層的球形顆粒尺寸大小、分布也變的很不均勻。
傳統(tǒng)電沉積理論認(rèn)為[16-17],鍍層在形成過(guò)程中,要經(jīng)歷液相傳質(zhì)、表面轉(zhuǎn)化、電子轉(zhuǎn)移以及電結(jié)晶等步驟。其中,在電結(jié)晶步驟,新生的吸附態(tài)金屬原子沿電極表面擴(kuò)散到生長(zhǎng)點(diǎn)進(jìn)入金屬晶格生長(zhǎng),或與其它新生原子集聚而形成晶核并長(zhǎng)大,從而形成晶體。在較低電流密度(1~4 A/dm2)下,鍍層的形成主要受表面擴(kuò)散控制[18]。此時(shí),陰極反應(yīng)過(guò)電位相對(duì)較低,晶體的形核速率和生長(zhǎng)速率均較低,金屬離子于平臺(tái)或其它等地放電后形成的吸附原子沿電極表面向扭折、坎坷等生長(zhǎng)點(diǎn)或生長(zhǎng)線的擴(kuò)散路徑相對(duì)較長(zhǎng),其擴(kuò)散速率較低,因而,鍍層沉積速率很慢。而柔性介質(zhì)的摩擦具有清除陰極表面吸附雜質(zhì)和增加陰極微觀缺陷作用,相當(dāng)于增加了表面活性點(diǎn),縮短了吸附原子向生長(zhǎng)點(diǎn)的擴(kuò)散途徑,因而其擴(kuò)散速率相對(duì)增加,導(dǎo)致低凹部位晶體生長(zhǎng)速度加快。然而,在正常的電沉積過(guò)程中,不管電流密度大小,鍍層的生長(zhǎng)通常以局部突出部位的尖端放電生長(zhǎng)為主?;罨蟮幕w表面具有一定的粗糙度,存在微觀凹坑和凸起,局部突出部位(凸起)因電流密度較大而生長(zhǎng)過(guò)快。在摩擦輔助電沉積過(guò)程中,運(yùn)動(dòng)的柔性介質(zhì)一方面會(huì)優(yōu)先與尖端部位摩擦接觸,從而部分覆蓋或屏蔽突出部位,并抑制垂直于基體表面凸起部位晶體的生長(zhǎng),對(duì)凸起鍍層起到很強(qiáng)的整平作用,同時(shí)也會(huì)迫使電力線在陰極表面重新分布,使低凹區(qū)域的局部電流密度增大,從而加速其低凹部位晶體生長(zhǎng)(見(jiàn)圖2(a)和(b));另一方面,通過(guò)摩擦攪動(dòng)未放電的金屬離子向低凹部位遷移擴(kuò)散,增加低凹處放電離子濃度,或者通過(guò)摩擦加快尖端放電的吸附原子向低凹缺陷的生長(zhǎng)點(diǎn)或生長(zhǎng)線的表面擴(kuò)散速度,使晶體并入晶格生長(zhǎng)的速度加快,因而使摩擦部位的鍍層表面平整,未摩擦到的低凹鍍層部位結(jié)晶粗大。在較高電流密度(7~10 A/dm2)下,陰極反應(yīng)過(guò)電位相對(duì)較高,金屬離子傾向于多處放電、形核。此外,柔性介質(zhì)的摩擦作用能壓縮金屬離子匱乏層(擴(kuò)散層),從而有效降低濃差極化,加快金屬離子的液相遷移,因而,鍍層的形成受電荷轉(zhuǎn)移控制。由于電流密度增加,晶體的形核和生長(zhǎng)速度均加快,柔性介質(zhì)摩擦抑制尖端放電作用相對(duì)減弱,導(dǎo)致其整平能力下降,但柔性介質(zhì)一方面通過(guò)摩擦覆蓋陰極表面而增加局部電流密度,從而增加形核率,一方面通過(guò)阻礙未摩擦部位產(chǎn)生的吸附原子向摩擦部位的生長(zhǎng)點(diǎn)表面擴(kuò)散,使結(jié)晶過(guò)電位增加,因而鍍層的顆粒大小較細(xì)、但分布不均,底部表現(xiàn)為電鍍顆粒的主體特征,而頂部表現(xiàn)為被整平的特征。在高電流密度(13 A/dm2)下,陰極析氫速度加快,鍍液濃差極化增加,柔性介質(zhì)的摩擦和攪拌強(qiáng)度作用進(jìn)一步減弱,因而鍍層整平效果繼續(xù)降低,但在鍍層表面卻未發(fā)現(xiàn)針孔、麻點(diǎn)等缺陷,這表明柔性介質(zhì)摩擦還可以起到阻止氫氣和吸附雜質(zhì)在陰極表面長(zhǎng)期滯留,避免形成凹坑、針孔、麻點(diǎn)等鍍層缺陷。
圖2 電流密度對(duì)柔性摩擦輔助電沉積鎳鍍層表面形貌的影響Fig.2 Effect of current density on surface morphologies of flexible friction assisted Ni electroplating: (a) 1 A/dm2; (b) 4 A/dm2;(c) 7 A/dm2; (d) 10 A/dm2; (e) 13 A/dm2
與硬質(zhì)材質(zhì)的摩擦不同,柔性介質(zhì)與鍍層的摩擦所產(chǎn)生的切應(yīng)力不足以磨削鍍層表面,因而鍍層的整平另有機(jī)制。近期,日本學(xué)者WATANABE[4]研究認(rèn)為,離子放電過(guò)程中釋放大量的熱被人們疏忽,鍍層并非只是一種金屬材料,而是一種超冷固體。即從金屬離子到金屬鍍層這個(gè)過(guò)程中包含一個(gè)液態(tài)金屬的快速凝固過(guò)程。由此推斷,柔性介質(zhì)摩擦不僅可以通過(guò)影響金屬離子放電而整平鍍層(電化學(xué)整平),還可以通過(guò)摩擦尖端部位高溫吸附鎳原子而抑制晶體垂直生長(zhǎng),使吸附鎳原子表面擴(kuò)散到低凹部位生長(zhǎng),因而起到整平鍍層的作用(物理整平)。高電流密度下放電離子數(shù)目雖多,金屬離子傾向于多處放電、形核,高溫吸附原子數(shù)量雖相應(yīng)增加,但鍍層的生長(zhǎng)速度過(guò)快,因此,柔性介質(zhì)的摩擦作用相對(duì)減弱。
無(wú)論是基于傳統(tǒng)電沉積理論,還是基于電沉積凝固理論,柔性介質(zhì)的摩擦確實(shí)影響了電沉積過(guò)程,并通過(guò)電化學(xué)整平和物理整平作用來(lái)實(shí)現(xiàn)鍍層的平整。但由于采用柔性的介質(zhì)并不致密,并且陰極移動(dòng)距離較長(zhǎng),導(dǎo)致正常電鍍時(shí)間所占比例較大,摩擦輔助電沉積時(shí)間較短,因而整平效果有限,并隨著電流密度的增加而降低。通過(guò)縮短電鍍時(shí)間所占的比例,增加柔性材質(zhì)致密度和摩擦?xí)r間所占比例,可進(jìn)一步改善鍍層組織。
圖3所示為電流密度在10 A/dm2下制備的柔性摩擦輔助電沉積鎳鍍層的截面形貌。由圖3可見(jiàn),基體/鍍層結(jié)合緊密,鍍層致密、無(wú)夾雜、裂紋等缺陷。由于柔性介質(zhì)的摩擦具有攪拌、撕裂油膜及氧化膜、清除固體雜質(zhì)等作用,因而,柔性介質(zhì)的摩擦有利于得到與基體結(jié)合良好的鍍層。
圖3 柔性摩擦輔助電沉積鎳鍍層的截面形貌Fig.3 Cross section morphology of flexible friction assisted Ni electroplating
圖4所示為電流密度對(duì)柔性摩擦輔助電沉積鎳鍍層表面粗糙度的影響。由圖4可見(jiàn),隨著電流密度的增大,鍍層的表面粗糙度先降低后增加,10 A/dm2時(shí)達(dá)到最小值Ra=0.48 μm,這種變化與表面形貌的觀察結(jié)果相一致(圖2(a)~(e))。在低電流密度下,盡管柔性摩擦的整平作用效果顯著,但由于采用的柔性介質(zhì)并不致密,因此,這種整平作用對(duì)鍍層的突出部位影響較大,對(duì)凹陷部分影響較弱。此外,低電流密度下陰極反應(yīng)的過(guò)電位較低,晶體的形核率也較低,鍍層的晶粒尺寸較大,晶粒較大的鍍層表面一般以傾斜的結(jié)晶平面為界,表面上的臺(tái)階相當(dāng)高,同時(shí)晶粒邊界形成深谷[18],從而鍍層的表面粗糙度較高。隨著電流密度的增大,柔性摩擦的整平作用雖減弱,但電化學(xué)極化增大,陰極反應(yīng)過(guò)電位增高,晶核臨界半徑尺寸變小,晶體的形核率增加,使晶體的形核速度大于生長(zhǎng)速度,因而鍍層晶粒尺寸變得細(xì)小和致密,這種作用在電流密度為10 A/dm2達(dá)到最大,此時(shí)鍍層的表面粗糙度最低;當(dāng)電流密度達(dá)到13 A/dm2,柔性摩擦的整平作用繼續(xù)減弱,陰極析氫變得更加嚴(yán)重,陰極/溶液界面處鎳離子的反應(yīng)消耗加快,鍍液中的離子供應(yīng)不充足,因此,鍍層的表面粗糙度又開(kāi)始增高。
圖4 電流密度對(duì)柔性摩擦輔助電沉積鎳鍍層表面粗糙度的影響Fig.4 Effect of current density on surface roughness of flexible friction assisted Ni electroplating
2.1.2 對(duì)鍍層結(jié)構(gòu)的影響
圖5所示為不同電流密度下鎳鍍層的XRD譜及其織構(gòu)系數(shù)(TC)。由圖5(a)可判斷出,電沉積鎳鍍層具有面心立方結(jié)構(gòu)。隨著電流密度的增加,鍍層(111)晶面的衍射強(qiáng)度逐漸降低,而(200)晶面的衍射強(qiáng)度逐漸增加并趨于穩(wěn)定;此外,在82.3°左右出現(xiàn)的衍射峰隨電流密度的增大其衍射強(qiáng)度逐漸降低,直至消失。圖5(b)可以解釋這種衍射強(qiáng)度的變化,當(dāng)電流密度較小、鍍層較薄時(shí),82.3°左右出現(xiàn)的是基體鐵的衍射峰,隨著鍍層的加厚,鐵峰的衍射強(qiáng)度逐漸變?nèi)?,直至消失;隨著電流密度的增加,鍍層的擇優(yōu)取向發(fā)生了改變,從以低電流密度下的(111)晶面擇優(yōu)取向?yàn)橹飨蛞?200)晶面為主轉(zhuǎn)變過(guò)渡,最后出現(xiàn)(200)和(220)雙擇優(yōu)取向,但擇優(yōu)取向程度不大。這表明電流密度對(duì)柔性摩擦輔助的晶體生長(zhǎng)取向具有重要的影響,鍍層擇優(yōu)取向發(fā)生的變化與陰極氫的吸附以及各個(gè)晶面生長(zhǎng)速度的差異有關(guān)。由于各個(gè)晶面的表面能不同,對(duì)氫原子的吸附能力不同,自由生長(zhǎng)條件下,高電流密度下容易出現(xiàn)(220)晶面高擇優(yōu)取向,而柔性摩擦?xí)?qū)趕高能晶面氫原子的吸附,降低其對(duì)鎳并入金屬晶格生長(zhǎng)的阻礙程度,因而,在高電流密度下,鍍層(200)和(220)晶面的擇優(yōu)取向并不高。
圖5 不同電流密度下柔性摩擦輔助電沉積鎳鍍層的XRD譜及其織構(gòu)系數(shù)Fig.5 XRD patterns (a) and texture coefficient (b) of flexible friction assisted Ni electroplating at different densities
2.2.1 對(duì)孔隙率的影響
圖6所示為電流密度對(duì)柔性摩擦輔助電沉積鎳鍍層孔隙率的影響。由圖6可見(jiàn),隨著電流密度的增加,鎳鍍層的孔隙率先降低后增大,在電流密度為10 A/dm2時(shí),鍍層的孔隙率達(dá)到最小,為0.08 cm-2。一般情況下,鎳鍍層在大氣等環(huán)境中具有很強(qiáng)的鈍化能力,對(duì)基體鋼鐵材料具有較好的防護(hù)-裝飾作用,但作為陰極性鍍層,其防腐等性能與鍍層組織的致密程度密切相關(guān)。而鍍層的孔隙率在一定程度上恰恰反應(yīng)了鍍層組織的致密程度,并且主要受電流密度、溫度等沉積條件以及鍍層厚度、滲氫量等因素的影響。當(dāng)電流密度為1~4 A/dm2時(shí),柔性摩擦輔助電沉積鎳鍍層存在微觀平整區(qū)和凹陷結(jié)晶粗大區(qū)(見(jiàn)圖2(a)和(b)),其組織均勻性較差,同時(shí)鍍層的厚度相對(duì)較薄,因而鍍層的孔隙率較高;隨著電流密度的增加,陰極過(guò)電位增加,臨界形核半徑減小,晶體的形核率和生長(zhǎng)速率增加,但形核率增加大于生長(zhǎng)速率增加,因而鍍層結(jié)晶變得均勻和細(xì)小(見(jiàn)圖2(c)和(d)),同時(shí),鍍層的厚度也隨之增加,因而孔隙率逐漸降低,并在電流密度為10 A/dm2時(shí)降至最低;當(dāng)電流密度為13 A/dm2,尖端誘導(dǎo)放電效應(yīng)增強(qiáng),局部晶體生長(zhǎng)速度過(guò)快,柔性介質(zhì)的摩擦整平作用極大減弱,鍍層表面微觀起伏較大(見(jiàn)圖2(e)),鍍層厚度均勻性又開(kāi)始降低。同時(shí),由于柔性介質(zhì)只有在與陰極表面相對(duì)運(yùn)動(dòng)摩擦?xí)r才會(huì)極大的壓縮離子匱乏層(擴(kuò)散層),此時(shí)攪拌作用很強(qiáng),其余正常的電鍍時(shí)間內(nèi),攪拌作用強(qiáng)度有限,受電沉積過(guò)程中液相傳質(zhì)擴(kuò)散速度步驟的限制,陰極析氫嚴(yán)重,鍍液濃差極化加劇,導(dǎo)致陰極表面吸附大量的氫原子和氫氣泡,大大增加鍍層的滲氫量和鍍層中的孔隙,因而使鍍層表現(xiàn)出很高的孔隙率。
2.2.2 對(duì)殘余應(yīng)力的影響
圖6 電流密度對(duì)柔性摩擦輔助電沉積鎳鍍層孔隙率的影響Fig.6 Effect of current density on porosities of flexible friction assisted Ni electroplating
圖7所示為電流密度對(duì)柔性摩擦輔助電沉積鎳鍍層殘余應(yīng)力的影響。由圖7可見(jiàn),不管電流密度大小,在不含添加劑的Watts Ni鍍液中得到的鎳鍍層均表現(xiàn)為拉應(yīng)力;隨著電流密度的增加,鍍層的拉應(yīng)力先急劇后緩慢降低,最后逐漸增加,在電流密度為10 A/dm2時(shí)達(dá)到最小。鍍層應(yīng)力過(guò)高易引起鍍層翹曲、開(kāi)裂,影響其性能和應(yīng)用,因此,控制鍍層的殘余應(yīng)力就顯得至關(guān)重要。當(dāng)電流密度為1 A/dm2時(shí),由于鍍層較薄,最初鍍層沿基體外延生長(zhǎng),使其適應(yīng)基體金屬晶格,但基體A3鋼為體心立方結(jié)構(gòu),鎳鍍層為面心立方結(jié)構(gòu),基體金屬與鍍層晶格不匹配,因而鍍層具有很高的拉應(yīng)力;隨著電流密度的增大,鍍層厚度增加,柔性介質(zhì)摩擦輔助作用減弱,鍍層的晶格畸變程度變輕,同時(shí)鍍層的組織均勻性增加,因而,拉應(yīng)力逐漸降低,當(dāng)電流密度增加到10 A/dm2時(shí),鍍層的組織均勻性最好,晶格畸變程度較小,鍍層拉應(yīng)力最低,為150 MPa左右;當(dāng)電流密度為13 A/dm2時(shí),盡管柔性摩擦作用繼續(xù)減弱,但陰極析氫較為劇烈,鍍層內(nèi)的滲氫機(jī)會(huì)和滲氫量增加,從而引起鍍層的晶格膨脹,使鍍層的晶格畸變加劇,因而使鍍層的拉應(yīng)力又稍有增加,達(dá)到180 MPa左右。
圖7 電流密度對(duì)柔性摩擦輔助電沉積鎳鍍層殘余應(yīng)力的影響Fig.7 Effect of current density on residual stress of flexible friction assisted Ni electroplating
2.2.3 對(duì)硬度的影響
圖8所示為電流密度對(duì)柔性摩擦輔助電沉積鎳鍍層硬度的影響。由圖8可見(jiàn),鎳鍍層的硬度隨著電流密度的增加先增加后降低,當(dāng)電流密度為10 A/dm2時(shí),鍍層硬度達(dá)到最大值385 HV。晶體材料的顯微硬度不僅受鍍層的晶粒尺寸、殘余應(yīng)力以及可動(dòng)位錯(cuò)密度的影響,也與材料的致密度、純度等因素有關(guān)。通常而言,晶粒尺寸增大和孔隙率增高會(huì)使鍍層硬度降低,而鍍層中滲氫量和殘余拉應(yīng)力增加會(huì)使鍍層硬度增加。當(dāng)電流密度小于10 A/dm2時(shí),隨著電流密度的增加,鍍層的結(jié)晶逐步細(xì)化,孔隙率逐漸降低,鍍層的均勻性增加,因而鍍層的硬度增加。當(dāng)電流密度為10 A/dm2時(shí),柔性介質(zhì)摩擦具有顯著的去濃差極化效果,雖然陰極氫氣析出量與滲入量對(duì)鍍層硬度貢獻(xiàn)較少,但陰極過(guò)電位較大,鍍層的晶粒尺寸均勻細(xì)小、組織致密,因而鍍層的硬度最高。當(dāng)電流密度為13 A/dm2時(shí),鍍層拉應(yīng)力雖略有增大,但此時(shí)鍍層結(jié)晶較為粗大,孔隙率較高,鍍層的均勻性相對(duì)較差,最終導(dǎo)致鎳鍍層硬度的下降。
圖8 電流密度對(duì)柔性摩擦輔助電沉積鎳鍍層硬度的影響Fig.8 Effect of current density on microhardness of flexible friction assisted Ni electroplating
1) 電流密度對(duì)柔性摩擦輔助電沉積鎳鍍層的顯微組織具有重要影響。在1~4 A/dm2的電流密度下,金屬離子放電點(diǎn)數(shù)量少,晶體生長(zhǎng)速率慢,柔性介質(zhì)的摩擦整平作用強(qiáng),鎳鍍層表面由致密的平整部分和粗大的凹陷部分構(gòu)成,但鍍層的表面粗糙度較高;在7~10 A/dm2的電流密度下,金屬離子放電點(diǎn)數(shù)量多,晶體生長(zhǎng)速率快,柔性介質(zhì)的摩擦整平作用減弱,鎳鍍層表面由大小不一且頂部拋平的球形顆粒組成,但表面粗糙度較低;當(dāng)電流密度為13 A/dm2時(shí),柔性介質(zhì)的摩擦整平作用進(jìn)一步降低,尖端誘導(dǎo)放電效應(yīng)增強(qiáng),使得鎳鍍層的表面起伏增大。
2) 電流密度對(duì)柔性摩擦輔助電沉積鎳鍍層的織構(gòu)具有重要影響。隨著電流密度的增加,柔性摩擦輔助電沉積鎳鍍層的擇優(yōu)取向發(fā)生了以(111)向(200)晶面為主的過(guò)渡轉(zhuǎn)變。在電流密度為13 A/dm2時(shí),鍍層呈現(xiàn)(200)和(220)晶面的雙擇優(yōu)取向,但擇優(yōu)取向程度不高。
3) 電流密度為10 A/dm2時(shí),柔性摩擦輔助電沉積鎳鍍層具有最低的孔隙率,最小的拉應(yīng)力和最高的硬度。
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