答：1簡介

全拋釉瓷磚是通過在拋光仿古磚表面施一種特殊配方釉而制成的一種瓷磚。其坯體工藝類似于一般的釉面地磚，與拋光磚主要區(qū)別是它在施完底釉后印花，再施一層透明的面釉，燒制后把整個面釉拋去一部分，保留一部分面釉層、印花層、底釉，全拋釉瓷磚的主要目標是代替拋光磚。當前一般為透明面釉，施以全拋釉的全拋釉瓷磚集拋光磚與仿古磚優(yōu)點于一體，釉面如拋光磚般光滑亮潔，同時其釉面花色如仿古磚般圖案豐富，色彩厚重或絢麗。其釉料特點是透明不遮蓋底下的面釉和各道花釉，拋釉時只拋掉透明釉的薄薄一層，效果更是別具一格。

全拋釉采用多層特殊制造工藝，將全透析釉料下彩技術(shù)結(jié)合先進印刷工藝，令花紋俯在下層，表面光潔剔透，獨有釉料精拋工序，與拋光磚相比可減少90%的材料損耗，更加綠色環(huán)保；并且可取代稀缺昂貴的高檔石材，降低建筑裝飾成本，保護自然資源。

2 產(chǎn)品工藝介紹

目前市場上所出現(xiàn)的全拋釉料分為：全生料全拋釉；摻部分熔塊(30%～50%) 全拋釉料；高熔塊含量(>50%)全拋釉等幾大類。由于成本因素市場上主流全拋釉為全生料全拋釉和少量熔塊含量的全拋釉。

2.1 全拋釉的工藝流程

素坯→除塵→補水→淋底釉→淋面釉→印花或噴墨→淋拋釉→入窯燒成→出窯分檢→粗拋、精拋→烘干→打蠟→磨邊→分檢→包裝入庫。

全拋釉瓷磚生產(chǎn)工藝與鋯白亞光等傳統(tǒng)釉面瓷磚產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝相同，只不過增加了后續(xù)的拋光干燥打蠟等工序。所以瓷片全拋釉產(chǎn)品無需調(diào)整原坯體配方和燒成制度，使用相同坯體可與現(xiàn)有產(chǎn)品同窯生產(chǎn)。

2.2 釉線工藝參數(shù)

底釉、面釉、拋釉的比重為(1.82±0.02) kg/m3；流速為(35±5) s;施釉方式為淋釉；施釉量為(100±5) g。

2.3 拋光打蠟工序參數(shù)

1)拋釉機：2段32頭；

2)打蠟機：A液增光，B液防污；

3)拋頭目數(shù)配置：200目4個；300目6個；500目4個；800目6個；1000目3個；1500目3個；2000目3個；3 000目3個;

4)加工能力：6 000～7 000 m2/d。

2.4 干燥工序參數(shù)

①干燥窯一般為雙層或三層；②干燥窯長度：50 m左右；③干燥溫度：110 ℃；④熱源：素燒或釉燒窯余熱；⑤干燥周期:30～40 min。

2.5 燒成制度

燒成時間為60 min；測溫環(huán)溫度為1 096 ℃；窯長總共107節(jié)，其中1～17節(jié)為干燥窯。

若要生產(chǎn)出平整度好、外形尺寸規(guī)整的磚、熱穩(wěn)定性好、拋光后無針孔不吸污不藏污的產(chǎn)品是較為困難的。拋釉屬于全熔塊釉，這就要求其膨脹系數(shù)小以保證其熱穩(wěn)定性，而且透明度要高，才能較好地呈現(xiàn)釉層下的紋理，熔塊的高溫粘度大，才能保證燒成后釉層中氣泡尺寸，遠遠小于肉眼分辨尺寸釉層拋光后“沒有”氣泡，不藏污，這些需要對拋釉熔塊做特殊設計。若要保證好的磚形，還要對瓷片坯體組成底釉組成燒成制度等工藝參數(shù)進行控制。

問：拋光磚表面吸污的主要原因是什么？如何提高其性能？

答：瓷質(zhì)拋光磚具有氣孔率低、機械性能好、耐化學腐蝕、抗凍和耐磨等優(yōu)點，被廣泛地應用于家庭居室和公共場所的地面裝飾。拋光磚在鋪貼和使用過程中,水泥、填縫劑、油漆、墨水等污垢會沾附在磚面上，并且滲入磚體表面造成磚體表面吸污，影響清潔和美感。

1 拋光磚吸污的原因

1)瓷磚燒結(jié)只能消除其表面氣孔，在瓷坯內(nèi)仍殘余4%～5%的閉口氣孔。當瓷磚表面拋光后，這些閉口氣孔暴露于瓷磚表面，形成開口氣孔，使得拋光磚表面的耐污性下降。坯體中的氣體主要來自成形后組成磚坯顆粒之間的空隙，其次是來自組成坯體的原料在燒結(jié)過程的氧化還原反應所放出的氣體。這些氣體在坯體燒結(jié)過程中隨著顆粒的相互靠攏而逐漸逸出，但由于氣體逸出需要一定的時間，如果燒成曲線不合理，就會影響氣體逸出從而形成氣孔。此外，還有少量氣體在燒成過程中會被包裹在液相中而無法逸出，最終成為氣孔。

2)由于坯體中石英顆粒和玻璃相的熱膨脹系數(shù)相差很大，所以當坯體中粗顆粒石英含量過多或燒成中冷卻制度不合理時，冷卻時玻璃相就會受到較大的張應力而引起微裂紋，產(chǎn)品經(jīng)過粗磨、細磨和拋光生產(chǎn)工序時，磚坯內(nèi)的微裂紋會發(fā)生不同程度的擴展。這也是影響拋光磚耐污性的一個重要的原因。

3)晶粒在拋光過程中剝落，留下孔洞，而形成吸污面。

4)部分廠家為降低成本，產(chǎn)品燒成時溫度過低，保溫時間過短，配料不合理，雖然表面已燒結(jié)，但燒結(jié)程度不夠。在拋光過程中，表面玻化較完全的部分被拋去，使得拋光表面玻化程度不夠、開口氣孔率較高。

2 提高拋光磚耐污性能的方法

2.1 提高燒結(jié)程度

采取合理的燒成制度,適當延長氧化分解階段的時間，使坯體中的有機物得到充分的氧化分解，以便順利排出反應所產(chǎn)生的氣體。提高燒成溫度，延長燒成周期，使坯體充分進行晶型轉(zhuǎn)變，可促進玻璃相石的生成，使產(chǎn)品燒結(jié)良好，但成本較高。采用合理的冷卻制度，減慢在573 ℃左右的降溫速度，以避免石英顆粒在573 ℃晶型轉(zhuǎn)變時，石英與玻璃相膨脹系數(shù)差異過大產(chǎn)生較大應力，而產(chǎn)生微裂紋。在不影響生產(chǎn)的情況下，可以增加鉀長石、鈉長石及石英的含量，適量減少粘土類的原料含量，調(diào)整配方中的鋁硅比，以利于高溫時玻璃相生成，從而提高瓷磚的瓷化程度，降低氣孔率，提高產(chǎn)品的耐污性。

2.2 降低殘留氣泡的含量

在坯體配方中盡量用燒失量小的原料。可以使用部分熟料和燒失量少的快燒料(燒高嶺土、燒滑石、燒鋰輝石、燒石英、透輝石、硅灰石、葉臘石、透閃石、鋰輝石、硅線石等原料)，以加快反應和減少揮發(fā)組分排出，減少氣相殘留。要保證成形粉料的顆粒級配，應調(diào)整好壓機的沖壓次數(shù)和壓力大小，使坯中的氣體在成形過程中盡量逸出，降低坯體中的空隙率，使坯體均勻致密，提高坯體的致密化，降低氣孔率。

2.3 降低殘留石英的含量

通常石英會在1 200～1 300 ℃轉(zhuǎn)化為方石英，可以適當延長陶瓷拋光磚在1 200 ℃以上的燒成時間，使已有石英轉(zhuǎn)化為方石英，從而降低殘余石英的含量，但是這會增加成本，減少窯爐壽命?？梢詼p少石英原料的使用量，以降低拋光磚中殘留石英的含量。瓷坯中SiO2晶相的急劇減少，能顯著提高耐污性能，但也會使耐磨度、強度等性能降低，使坯體的變形增大。也可以通過延長石英的球磨時間，降低石英粒徑;通過調(diào)整球石的大中小比例，以提高球磨效率，減少漿料中粗顆粒石英的含量，從而使石英在燒成過程中充分反應，降低殘留的石英含量。

2.4 改善拋光過程

對拋光過程進行力學分析，優(yōu)化拋光工藝，以消除對耐污性能影響較大的晶粒剝落缺陷的產(chǎn)生。完善拋光生產(chǎn)工藝時，適當調(diào)整磨頭與拋光磚之間的相互作用力(精拋磨頭主軸的橫向和縱向作用力、磨頭隨主軸的振動情況)、磨削速度、磨削時間、磨削量等因素，以控制磚體內(nèi)微裂紋擴展。

2.5 使用拋光磚防污劑

為了提高拋光磚的耐污性能，許多陶瓷生產(chǎn)廠家在拋光磚出廠前都使用防污劑對拋光磚表面進行處理。目前，市場上常用的拋光磚防污劑主要有：

1)以蠟為主體的防污劑，由于蠟只能在表面涂覆，且與基材的附著力不好，因此很快就失去了防污效果。

2)以含氫硅油為主體的乳液型或溶劑型的防污劑，其原理是含氫硅油與基材在催化劑作用下反應，生成一層防水防污膜。

3)拋光磚表面鍍膜，如常用的超潔亮技術(shù)。

4)以有機硅樹脂為活性組份的溶劑型防污劑。

5)組合型納米防污劑，由A液、B液共同組成，組合使用。