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聚噻吩衍生物的合成及光電性質(zhì)研究

2013-10-27 02:27:52烏海燕劉福德
天津工業(yè)大學學報 2013年2期
關鍵詞:光致發(fā)光噻吩共軛

烏海燕,劉福德,王 娟,周 勇

(天津理工大學化學化工學院,天津 300384)

聚噻吩衍生物是一類重要的共軛高分子材料,其合成方法可分為金屬催化偶聯(lián)法[1]、電化學氧化法[2]及FeCl3氧化法[3],其中FeCl3氧化法簡便易行.近年來,聚噻吩衍生物在光伏電池、電致發(fā)光材料、電磁屏蔽材料、導電涂料、傳感器等諸多領域都得到了廣泛的研究和應用[4-6],其光電性質(zhì)對選擇其應用領域具有重要參考意義,例如Scharber[7]繪制了本體異質(zhì)節(jié)光伏電池光電轉換效率與給體材料帶隙Eg及LUMO軌道能量ELUMO的關系圖,表明帶隙Eg及ELUMO的良好匹配是影響光電轉換效率的重要因素.本文采用以無水Fe-Cl3為氧化劑的化學氧化聚合法[7]制備了3種聚噻吩衍生物,并對其光電性質(zhì)進行研究.

1 實驗部分

1.1 實驗藥品及儀器

實驗藥品包括:3-甲基噻吩、3-己基噻吩,北京麟恩科技有限公司產(chǎn)品;四丁基高氯酸銨TBAP,國藥集團化學試劑有限公司產(chǎn)品;噻吩、氯仿、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、水合肼、無水三氯化鐵均為化學純試劑,天津江天統(tǒng)一科技有限公司產(chǎn)品.

實驗儀器包括:UV-3310型紫外可見分光光度計,日本日立公司產(chǎn)品;F-4500型熒光分光光度光譜儀,天津蘭立科電子有限公司產(chǎn)品;FL3-212-TCSPC熒光分光光度計,法國Jobin Yvon公司產(chǎn)品.

1.2 3種聚噻吩衍生物的合成方法

聚3-己基噻吩的合成:氮氣保護下,向干燥四口瓶中加無水三氯化鐵7 g和經(jīng)干燥處理的氯仿15 mL,攪拌10 min后冰浴降溫,0~5℃下滴加1.68 g 3-己基噻吩與10 mL氯仿的混合液,滴畢冰浴下反應6 h后,于室溫下繼續(xù)反應24 h.抽濾,水洗濾餅至濾液無色,干燥得到墨綠色片狀固體1.56 g,收率94.2%.采用類似方法合成得到:聚3-甲基噻吩黑色粉末,收率75%;3-甲基噻吩與噻吩共聚物褐色粉末,收率78%.

1.3 性能測試與表征

(1)紫外可見吸收光譜分析:根據(jù)3種聚合物在不同溶劑中的溶解性好壞,在室溫下將樣品溶解于DMF中進行測試,光區(qū)測量范圍在280~700 nm之間.

(2)熒光光譜分析:同濃度下將3種聚合物的DMF溶液置于石英皿當中,以聚合物最大紫外-可見吸收波長為激發(fā)波長對聚合物進行光激發(fā),得到相應的熒光發(fā)射譜圖.

(3)光致發(fā)光光譜分析:采用FL3-212-TCSPC型熒光分光光度計對3種固體聚合物光致發(fā)光性能進行檢測.首先對材料進行激發(fā)譜圖的掃描,從中選取最強激發(fā)峰作為固定激發(fā)波長,在400~750 nm之間對材料進行熒光發(fā)射圖譜的檢測,從而得到聚合物的光致發(fā)光圖譜.

(4)循環(huán)伏安曲線測定:采用三電極體系(玻碳電極為工作電極,Ag/AgCl電極為參比電極,鉑片為對電極)測定3種聚合物的循環(huán)伏安曲線.電解質(zhì)溶液為0.1 mol/L的四丁基高氯酸銨(TBAP)氯仿溶液,二茂鐵為內(nèi)標.

2 結果與討論

2.1 聚合物光譜分析

2.1.1 紫外-可見吸收光譜分析

以DMF為溶劑測定3種聚合物的紫外-可見吸收光譜,如圖1所示.

由圖1可以看出,3-甲基噻吩與噻吩共聚物(聚合物A)在315、363 nm處有吸收峰,分別歸屬于噻吩環(huán)的π→π*電子躍遷以及整個聚合物中共軛鏈的π→π*電子躍遷.聚3-甲基噻吩(聚合物B)和聚3-己基噻吩(聚合物C)分別在379 nm和435 nm處有吸收峰,歸屬于聚合物中共軛鏈的π→π*電子躍遷.對比3種聚合物的紫外-可見吸收光譜可知,聚3-己基噻吩λmax高于其他2個聚合物的λmax.其原因可能是由于噻吩環(huán)3-位長鏈烷基的引入,在提高聚合物溶解性的同時使得聚合物分子質(zhì)量增大,共軛鏈增長,λmax增大[8].

2.1.2 帶隙分析

帶隙又稱為禁帶寬度,帶隙Eg與波長λg之間的關系為λg(nm)=1240/Eoptg(eV),λg取聚合物紫外-可見吸收峰的起始點.聚合物A的DMF溶液的λg為431 nm,計算得光學帶隙Eg為2.87 eV.聚合物B的DMF溶液的λg為525 nm,計算得光學帶隙Eg為2.36 eV.聚合物C的DMF溶液的λg為542 nm,光學帶隙Eg為2.28 eV.3種聚合物的帶隙大小順序為:C<B<A.聚合物C的帶隙低于聚合物A 0.59 eV,低于聚合物B 0.08 eV,具有較低的光學帶隙.由此可知,噻吩環(huán)上3位烷基取代碳鏈的引入和增長使得聚合物的光學帶隙降低.

2.1.3 熒光光譜分析

同濃度下對3種聚合物的DMF溶液進行熒光光譜的測定,結果如圖2所示.

由圖2可知,當激發(fā)波長為360 nm時,聚合物A在470~580 nm之間出現(xiàn)較寬熒光發(fā)射,強度較小,熒光發(fā)射波長最大為518 nm.當激發(fā)波長為377 nm激發(fā)時,聚合物B在450~620 nm之間出現(xiàn)較寬較強熒光發(fā)射,熒光發(fā)射波長最大為512 nm.當激發(fā)波長為435 nm時,聚合物C在500~650 nm之間出現(xiàn)較寬且很強的熒光發(fā)射,熒光發(fā)射波長最大為562 nm.其中聚3-己基噻吩的熒光性均高于其他2種聚合物,進一步表明隨著3位長鏈烷基的引入,有效提高了聚合物共軛鏈的長度,提高了聚合物的熒光強度,熒光發(fā)射波長增大.

2.1.4 光致發(fā)光光譜

3種聚合物固體的光致發(fā)光光譜如圖3所示.

由圖3可以看出,激發(fā)波長為416 nm時,聚合物A熒光發(fā)射峰為493 nm;激發(fā)波長為377 nm時,聚合物B熒光發(fā)射峰為490 nm;激發(fā)波長為435 nm時,聚合物C熒光發(fā)射峰為505 nm.說明3種聚噻吩化合物都有較強的熒光特性,且熒光發(fā)射范圍相差不大,都在490~500 nm之間出現(xiàn)最強熒光發(fā)射峰.

2.2 聚合物電化學分析

3種聚合物的循環(huán)伏安曲線如圖4所示.

聚合物電離能Ip和電子親合能Ea是由聚合物的起始氧化還原電位確定的.聚合物氧化峰的起始電位對應于HOMO軌道能級,還原峰的起始電位對應于LUMO軌道能級,兩者分別對應電離能Ip和電子親合能Ea[9].經(jīng)二茂鐵標定后的軌道能量計算式如式(1)及式(2)所示[10].

表1 3種聚合物的電化學性質(zhì)Tab.1 Electrochemical properties of three polymers

由表1可見,3種聚合物A、B、C的電化學帶隙分別為2.31、2.14和1.91 eV,均略低于相應的光學帶隙,大小次序與光學帶隙大小次序一致.

3 結論

通過化學氧化法合成得到3種聚噻吩衍生物:3-甲基噻吩與噻吩共聚物、聚3-甲基噻吩、聚3-己基噻吩,并測定了3種聚合物的紫外-可見吸收光譜、熒光光譜、光致發(fā)光光譜以及循環(huán)伏安曲線,進一步計算得到聚合物光學帶隙、電化學帶隙、HOMO軌道和LUMO軌道能量及聚合物電離能Ip和電子親合能Ea.聚3-己基噻吩相較其它2種聚合物具有更大的λmax及更低的帶隙,表明噻吩環(huán)3位引入長鏈取代烷基有利于提高聚合物共軛鏈長度,從而提高λmax及降低帶隙.

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