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La0.7Sr0.3MnO3單晶外延薄膜制備及其磁電阻特性

2013-04-29 00:44張欣羊新勝程翠華張勇呂莉張敏趙勇
關(guān)鍵詞:電阻值氬氣外延

張欣 羊新勝 程翠華 張勇 呂莉 張敏 趙勇

為制得性能良好的涂層導(dǎo)體用La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)緩沖層薄膜、研究LSMO薄膜的低磁場(chǎng)磁電阻效應(yīng),利用高分子輔助化學(xué)溶液沉積法,在LaAlO3(LAO)單晶基底上制備了一系列鈣鈦礦LSMO單晶外延薄膜.考慮氬氣和氧氣退火氣氛對(duì)LSMO成相的影響,研究了氬氣退火條件下樣品的織構(gòu)、形貌情況和氧氣退火條件下制得的樣品的輸運(yùn)性質(zhì)及磁電阻效應(yīng).研究結(jié)果表明:氬氣下采用高分子輔助的化學(xué)溶液沉積法有利于制備出低成本、高性能的涂層導(dǎo)體用單一LSMO緩沖層;氧氣下退火制得的薄膜c軸取向生長(zhǎng)良好,并且電阻溫度曲線出現(xiàn)絕緣體金屬相變,其磁電阻值在200~300 K范圍內(nèi)不隨溫度變化,在1 T磁場(chǎng)室溫下磁電阻值約為-26.0

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