孫啟壯,付沙沙,董美婷,劉淑賢,黃朝表
(浙江師范大學化學與生命科學學院,浙江金華 321004)
量子點(QDs)又稱半導體納米晶體,由于其具有可調諧的發(fā)射光譜、吸收光譜連續(xù)可調、光化學穩(wěn)定性好、量子產率高等一系列優(yōu)異的光學性能而受到廣泛的關注[1-2].在半導體量子點中,由于CdSe和CdTe等單晶量子點的表面存在大量的缺陷和不飽和懸鍵,所以量子產率較低[3].目前,使用了各種有機和無機材料對納米粒子的表面進行改性,以消除或減少納米粒子的表面態(tài)密度,從而改善其光學特性.而核殼型量子點,相較于單核量子點,具有更高的量子產率及更好的光化學穩(wěn)定性等特點,從而成為量子點化學合成中的研究重點.在核殼結構中,殼材料的導帶或價帶位于核材料的帶隙內,此類結構的核殼納米晶在光的發(fā)射過程中,復合的電子和空穴分別來自于核和殼材料,這2種材料帶隙的交叉可以使發(fā)射波長明顯地向長波方向移動[4].目前,采用有機金屬路線合成了如 CdTe/CdSe[5],CdTe/ZnSe[6],CdSe/CdTe/ZnTe[7],ZnTe/CdSe[8]和 CdS/ZnSe[9]等核殼型量子點.通過改變此類量子點的核的尺寸和殼的厚度,可以很簡便地使其發(fā)射波長從可見光區(qū)調到近紅外光區(qū).然而,通過單純改變單晶量子點的尺寸達到這樣的波長范圍是比較困難的.作為生物探針,盡管這些在有機相合成的Ⅱ型核殼量子點具有良好的發(fā)光特性,但是此類量子點具有疏水性,因而限制了其在生物示蹤方面的應用.通常需要將此類量子點轉移到水相中,但在進行相轉移的過程中常常伴隨著量子點熒光量子產率的降低,影響其進一步的應用[10].因此,直接合成具有水溶性、高熒光量子產率的Ⅱ型核殼納米晶對量子點的生物應用研究具有重要的意義.
水相合成單晶ZnTe量子點一直是量子點合成的難點,很少有突破.本實驗選擇以巰基丙酸(MPA)為穩(wěn)定劑,以CdSe量子點作核,ZnCl2和Te為殼前驅,首次創(chuàng)建了在水相中方便、快速合成CdSe/ZnTeⅡ型核殼半導體量子點的新方法.實驗發(fā)現(xiàn):包覆ZnTe殼之后,量子點的光量子效率和化學穩(wěn)定性有顯著提高,且隨著反應溫度、時間、pH及ZnTe殼層厚度的改變,核殼量子點的光學性質也發(fā)生明顯的改變.在最優(yōu)化的合成條件下,合成的水溶性的CdSe/ZnTeⅡ型核殼半導體量子點具有較寬的發(fā)射波長范圍和高熒光的光學特性,其熒光發(fā)射光譜在500~573 nm內連續(xù)可調,最大熒光量子產率可達到6.8%.若在這種水溶性CdSe/ZnTeⅡ型核殼結構的量子點的表面連接生物相容的基團,則該量子點有望在生物成像、檢測方面有廣泛的應用前景.
酸度計(PHS-3C,上海雷磁儀器廠);超聲波清洗儀;循環(huán)水真空泵(SHB-Ⅲ,鄭州長城科工貿有限公司);熒光分光光度計(LS45,Perkin Elmer);紫外可見分光光度計(Lambda 950,Perkin Elmer);X射線粉末衍射儀(PW 3040/60,Philips).
CdSe(自制);NaOH溶液(1 mol/L);HCl溶液(1 mol/L);無水乙醇(C2H5OH,分析純);碲粉(Te,99%,分析純,國藥集團);巰基丙酸(MPA,99%,Alfa-Aesar);硼氫化鈉(NaBH4,96%,阿拉丁試劑);氯化鋅(ZnCl2,98%,分析純,天津福晨化學試劑廠).本實驗所使用的蒸餾水為除過氧的二次水.
準確稱量0.010 2 g(0.08 mmol)碲粉和0.030 g NaBH4(0.8 mmol),依次加入預先通 N2除氧的25 mL雙頸瓶中,密封,并用N2保護,注入4 mL預先通N2除氧的二次水,在40℃的條件下磁力攪拌,約30 min后,黑色碲粉全部消失,溶液清澈透明,即為制備的NaHTe溶液.
稱取自制的CdSe粉末0.2 g分散于100 mL水中,超聲分散.取10 mL CdSe溶液置于50 mL的三頸瓶中,并依次加入一定量的ZnCl2、巰基丙酸和去離子水,用1 mol/L NaOH溶液調節(jié)pH至10.0,通N230 min,密封,并用N2保護,注入NaHTe溶液2 mL,加熱至90℃,回流4 h后冷卻至室溫,得到淡黃色透明溶液.
按體積比(V(QDs溶液)∶V(乙醇))為1∶4混合量子點與無水乙醇,離心沉降CdSe/ZnTe量子點,并用乙醇清洗3次后真空干燥、研磨成粉,冷藏保存.用熒光光譜、紫外-可見吸收光譜和X-射線衍射(XRD)對該CdSe/ZnTeⅡ型核殼量子點的光譜性質和結構進行表征.
圖1中從左到右分別為包覆ZnTe殼之后回流不同時間得到的核殼型量子點CdSe/ZnTe的熒光光譜圖,反應溫度為90℃,前驅體的物質的量比n(CdSe)∶n(Te)∶n(Zn)∶n(MPA)=5∶1∶3∶4,pH 值為10.0.由圖1可見,隨著回流時間的延長,CdSe/ZnTeⅡ型核殼量子點的熒光發(fā)射峰發(fā)生明顯的紅移,從510 nm紅移至573 nm.這可能是由于ZnTe殼層逐漸變厚引起的.同時發(fā)現(xiàn),隨著回流時間的延長,CdSe/ZnTe量子點的熒光發(fā)射峰半峰寬在逐漸增大,這表明量子點的粒徑分布變得越來越不均勻.這是由于不同的量子點殼層的生長是不均勻的,因溶液中量子點的刻蝕和生長共存,大粒徑量子點生長快,小粒徑量子點生長慢[11].圖2為在不同回流時間下所得CdSe/ZnTe量子點的紫外吸收光譜圖.從圖2同樣可以看到,隨著回流時間的增加,CdSe/ZnTe量子點的吸收峰位置有明顯的紅移現(xiàn)象發(fā)生.這和熒光發(fā)射峰的紅移是一致的.
圖1 不同回流時間對應CdSe/ZnTe量子點的熒光光譜
圖2 不同回流時間對應CdSe/ZnTe量子點的紫外吸收光譜
圖3為不同反應溫度下得到的CdSe/ZnTe量子點的熒光光譜圖,反應時間為4 h,對應組分的物質的量比為n(CdSe)∶n(Te)∶n(Zn)∶n(MPA)=5 ∶1 ∶3 ∶4,溶液的 pH 值為10.0.由圖3 可以看出:隨著反應溫度的升高,制備的CdSe/ZnTe量子點的熒光發(fā)射峰位置由501 nm移至576 nm處,表明隨著溫度的升高,CdSe/ZnTe核殼量子點的生長速度加快、晶型變好、熒光量子產率增大;但是,當溫度超過100℃時,明顯發(fā)現(xiàn)CdSe/ZnTe量子點的熒光發(fā)射峰的半峰寬增大,說明量子點的粒徑分布不均勻,而且熒光量子產率降低[12].所以,本實驗合成中選擇回流溫度為90℃.
圖3 不同反應溫度對應CdSe/ZnTe量子點的熒光光譜
圖4 不同pH制備CdSe/ZnTe量子點的熒光光譜
圖4為保持其他條件不變,通過改變pH制備的CdSe/ZnTe量子點的熒光光譜圖.從圖4可以看出,隨著pH值的增大,CdSe/ZnTe量子點的熒光發(fā)射峰明顯紅移(507~575 nm).同時可以看到:當 pH=10.0時,CdSe/ZnTe量子點的熒光量子產率最大;當pH>10時,隨著pH值的增大,不但CdSe/ZnTe量子點的熒光量子產率降低,而且其熒光發(fā)射峰的半峰寬增大,說明pH>10的強堿性環(huán)境不適合ZnTe殼層的形成[13].
圖5 不同殼層厚度CdSe/ZnTe量子點的熒光光譜
在保持CdSe的量不變的前提下,改變Te,ZnCl2和MPA的物質的量之比,考察了殼層厚度的改變對CdSe/ZnTe量子點光學特性的影響.圖5為保持反應溫度為90℃,pH=10.0,回流時間為4 h,改變Te,ZnCl2和MPA的物質的量之比時制備的CdSe/ZnTe量子點的熒光光譜圖.從圖5可以看出:隨著殼層厚度的增加,CdSe/ZnTe量子點的熒光發(fā)射峰位置紅移明顯;并且當n(CdSe)∶n(Te)∶n(ZnCl2)∶n(MPA)=5∶1∶3∶4時,其熒光量子產率最大.所以,在后續(xù)實驗中選擇CdSe,Te,ZnCl2和MPA的物質的量之比為5 ∶1 ∶3∶4.
圖6 CdSe/ZnTe量子點的X-射線衍射譜
圖6是 n(CdSe)∶n(Te)∶n(Zn)∶n(MPA)=5 ∶1 ∶3 ∶4,合成溫度為90 ℃,pH 值為10.0時制備的CdSe/ZnTe量子點的XRD譜圖.圖6中3個明顯的衍射峰出現(xiàn)在 2θ為27.5°,43.5°和51.2°,分別對應著 CdSe/ZnTe 閃鋅礦結構的(111)、(220)和(311)晶面,表明制備的CdSe/ZnTe量子點為立方閃鋅礦結構.圖6中沒有雜質峰出現(xiàn),說明產物純度較高.根據(jù)Debye-Scherrer為平均粒徑;λ為X光源波長,即0.154 1 nm;β為衍射峰半高寬;θ為半衍射角),計算出CdSe/ZnTe量子點的粒徑約為3.2 nm.
本實驗以巰基丙酸(MPA)為穩(wěn)定劑在水相中制備了核殼結構的CdSe/ZnTe量子點,通過改變回流時間、反應溫度、pH大小及殼層厚度,制備了一系列的具有不同熒光發(fā)射位置及發(fā)射強度的CdSe/ZnTe量子點.與其他有機合成方法相比,本實驗具備操作簡單、實驗條件溫和易于控制、所用的試劑低毒環(huán)保等優(yōu)點,可以在普通實驗室中大量制備,為量子點在光電子技術、生物示蹤標記、成像等領域的應用提供了便利.
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