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貴金屬釕粉制備技術(shù)及應(yīng)用研究進(jìn)展

2012-07-04 02:45張宏亮李繼亮李代穎
船電技術(shù) 2012年8期
關(guān)鍵詞:靶材集成電路純度

張宏亮 李繼亮 李代穎

(中國(guó)船舶重工集團(tuán)公司第七一二研究所, 武漢 430064)

0 引言

釕是鉑族金屬中性質(zhì)非常特殊的元素,具有熔點(diǎn)高、硬度大 、不易機(jī)械加工等特點(diǎn)。釕粉的制備是從20世紀(jì)40年代在歐洲開(kāi)始的。1959年意大利學(xué)者Rhys在其發(fā)表的一篇論文[1]中首次介紹了釕粉制備技術(shù)及釕粉性質(zhì)的基礎(chǔ)研究狀況,對(duì)釕粉制備技術(shù)的發(fā)展具有重要作用。經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展,釕粉末的生產(chǎn)與應(yīng)用都有了很大的進(jìn)展,至2005年釕粉末僅在電阻器方面的用量就達(dá)到了8噸[2]?,F(xiàn)在,釕粉末為適應(yīng)電子元器件(尤其是釕靶材)對(duì)釕粉末性能的高要求,生產(chǎn)方法在近10年內(nèi)有了較大改進(jìn)。本文將重點(diǎn)評(píng)述釕粉末的制備技術(shù)及應(yīng)用研究。

1 釕粉的主要應(yīng)用

雖然釕粉目前的應(yīng)用范圍與銀粉、金粉等其他貴金屬粉末相比沒(méi)那么廣泛,但其在集成電路、有機(jī)合成反應(yīng)及釕系厚膜電阻漿料等方面的特殊作用是不可替代的。釕粉在集成電路中主要用于形成濺射薄膜而作為電容器電極膜。而在釕系厚膜電阻漿料中導(dǎo)電相為RuO2、釕酸鹽等,釕粉末只是作為添加劑應(yīng)用于其中。因釕粉在催化許多有機(jī)合成反應(yīng)方面表現(xiàn)出來(lái)的高效選擇性及催化活性,對(duì)釕催化劑的研究是當(dāng)前催化領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。

當(dāng)前釕粉末的最大用途之一是生產(chǎn)釕靶材,并以釕靶材作為計(jì)算機(jī)硬盤(pán)記憶材料。另外,釕靶材作為電容器電極膜也大量應(yīng)用在集成電路產(chǎn)業(yè)中。貴金屬靶材產(chǎn)業(yè)是 Heraeus公司、昭榮、助友和貴研鉑業(yè)股份公司等國(guó)內(nèi)外公司正在大力發(fā)展的產(chǎn)業(yè)。集成電路用靶材在全球靶材市場(chǎng)占較大份額,釕靶材因用量大,附加值高而引起極大的重視。與其他產(chǎn)業(yè)相比,集成電路產(chǎn)業(yè)對(duì)于濺射靶及濺射薄膜的需求是最高乃至最苛刻的。為了集成電路的可靠性,制備出微粒少且濺射所淀積薄膜厚度均勻分布好的靶材是關(guān)鍵因素之一。濺射靶材的晶粒尺寸必須控制在 100 μm以下,甚至其結(jié)晶結(jié)構(gòu)的趨向性也必須受到控制。而在靶材的化學(xué)純度方面,對(duì)于0.35 μm線寬工藝,要求靶材的化學(xué)純度在4 N5 (99.995%)以上,0.25 μm線寬工藝,濺射靶材的化學(xué)純度則必須在5 N (99.999%),甚至6 N(99.9999%)以上??梢哉f(shuō),是釕靶材對(duì)釕粉苛刻的純度要求帶動(dòng)了制取高純釕粉末技術(shù)的研究熱潮,并導(dǎo)致了高純釕粉末生產(chǎn)技術(shù)的進(jìn)步。

Ru系催化劑在苯選擇加氫、氨合成反應(yīng)、苯胺加氫制環(huán)己胺與二環(huán)己胺及葡萄糖加氫合成山梨醇等化工生產(chǎn)中具有較強(qiáng)的催化活性及選擇性。但是以 Ru粉末直接作為催化劑效果并不顯著,如在氨合成反應(yīng)中,催化活性順序如下:Ru/CaO>Ru/MgO>Ru/BeO>RaneyRu>Ru/Al2O3>Ru>RuAC。現(xiàn)在釕系催化劑的研究焦點(diǎn)在于前驅(qū)體、載體種類(lèi)及制備方法等[3,4]。

放電等離子燒結(jié)(Spark Plasma Sintering,簡(jiǎn)稱(chēng) SPS)工藝是將金屬等粉末裝入石墨等材質(zhì)制成的模具內(nèi),利用上、下模沖及通電電極將特定燒結(jié)電源和壓制壓力施加于燒結(jié)粉末,經(jīng)放電活化、熱塑變形和冷卻完成制取高性能材料的一種新的粉末冶金燒結(jié)技術(shù)。新加波南洋理工大學(xué)的P. Angerer等[5]首次進(jìn)行了放電等離子燒結(jié)(SPS)圓柱形釕粉樣品的實(shí)驗(yàn)。與常規(guī)的熱高壓燒結(jié)(HP)釕粉相比,放電等離子燒結(jié)可以使材料的剩余應(yīng)力大大的減少,并認(rèn)為這種效應(yīng)與增強(qiáng)的微晶生長(zhǎng)有關(guān)。另外,釕粉作為添加劑添加在WC-Co合金中,可使得合金的硬度得到增強(qiáng)。

2 釕粉制備技術(shù)現(xiàn)狀

釕粉在室溫下易被空氣氧化成揮發(fā)性很強(qiáng)的四氧化釕,因此是采用氫氣熱還原釕化合物,并在氫氣或惰性氣體保護(hù)下冷卻至室溫的方法得金屬釕粉。釕化合物的組成形式、純度、結(jié)構(gòu)、干燥度及熱還原的溫度等對(duì)最終得到的釕粉的純度、粒度、分散程度等物理化學(xué)性能有著重要的影響。不同用途的釕粉有不同的指標(biāo)要求,金屬雜質(zhì)含量要合格,O、N、C等元素含量也有嚴(yán)格的要求,釕粉的顆粒度、振實(shí)密度等都有要求。如在集成電路中,釕粉中含有的Na和K雜質(zhì)可以從絕緣體中游離出來(lái),引起金屬氧化物半導(dǎo)體集成電路(MOS-LSL)表面質(zhì)量惡化;過(guò)渡金屬元素如 Fe、Ni、Cr、Cu會(huì)導(dǎo)致材料表面可焊性變差。

圖1 氫還原制取的典型釕粉末(SEM)[5]

日本在80年代初到90年代末使用,現(xiàn)在仍有相當(dāng)多的企業(yè)使用的生產(chǎn)釕粉工藝如下:用熔融的 KOH和硝酸鉀氧化和溶解釕金屬,使釕金屬轉(zhuǎn)變?yōu)榭扇艿尼扄}。用水提取釕鹽,加熱,加入Cl2氣體使釕離子變成RuO4。再用稀鹽酸和乙醇的混合液吸收RuO4,經(jīng)干燥,在通入氧氣的條件下高溫焙燒所得固體釕鹽,使釕鹽變成RuO2,最后高溫下氫還原 RuO2得到釕粉。盡管該工藝相對(duì)簡(jiǎn)單,可規(guī)模化制備釕粉,但是所生產(chǎn)出來(lái)的釕粉末雜質(zhì)含量如Na、K、Fe等偏高,不能滿足集成電路的要求。隨著集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,日本國(guó)內(nèi)一直積極研發(fā)制備高純釕粉的工藝,并取得了顯著的成就。

永井燈文等[6,7]利用氯化銨直接沉淀Ru(Ⅲ),生成( NH4)3RuCl6,煅燒氫還原( NH4)3RuCl6得到99.99%的高純釕粉。這樣制得的釕粉比較細(xì),但操作復(fù)雜,而且( NH4)3RuCl6水溶性很大,沉淀不完全,釕的收率不高。Yuichiro等[8]采用市場(chǎng)上可購(gòu)買(mǎi)到的較粗糙的釕粉(雜質(zhì)金屬含量較多)為原料,在使用次氯酸溶解粗釕粉時(shí)通入含O3的氣體,使絕大部分粗釕粉轉(zhuǎn)變?yōu)镽uO4。再用鹽酸吸收RuO4,干燥得到RuOCl3晶體,經(jīng)煅燒,熱還原得到純度高達(dá) 99.999%的釕粉,符合濺射靶材的要求。其熱還原溫度為300℃~1200℃,可通過(guò)調(diào)節(jié)熱還原溫度得到粒徑不同的釕粉。2009年,Hisano等[9]使用電化學(xué)的方法,對(duì) 3N(99.9%)級(jí)的釕粉再加工得到4N(99.99%)級(jí)的釕粉。其工藝如下:將2kg3N級(jí)的釕粉放置在陽(yáng)極框上,使用隔膜固定釕粉。以石墨作陰極,硝酸作電解液。在電流為 5A的條件下電解精制 20小時(shí),隨后將釕粉從陽(yáng)極框移出、洗滌、干燥,得到 4N級(jí)的釕粉。該工藝首次使用電解精制的方法提純釕粉,效果優(yōu)異,工藝控制容易。

目前國(guó)內(nèi)一般采用H2SO4+ NaClO3兩次氧化蒸餾釕,吸收液濃縮結(jié)晶得到 RuCl3,煅燒氫還原 RuCl3晶體生產(chǎn)釕粉,生產(chǎn)出的釕粉純度為99.90%及99.95%。國(guó)內(nèi)相關(guān)科研單位進(jìn)行了科研攻關(guān),力圖提高釕粉產(chǎn)品的純度。2010年,貴研所的韓守禮等[10],采用 ( NH4)2RuCl6經(jīng)過(guò)煅燒氫還原得到釕粉。其產(chǎn)出的釕粉顏色、粒度、振實(shí)密度均達(dá)到靶用釕粉的要求。用此工藝已經(jīng)生產(chǎn)了30 kg 的靶用釕粉,釕的回收率為94%。

3 結(jié)束語(yǔ)

隨著技術(shù)的進(jìn)步,金屬釕粉末的應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)展,市場(chǎng)需求量逐漸增加,呈現(xiàn)出產(chǎn)品向高純、超細(xì)方向發(fā)展,生產(chǎn)工藝向大批量、可靠性、簡(jiǎn)便化發(fā)展的趨勢(shì)。集成電路對(duì)釕粉的要求尤其嚴(yán)格,因?yàn)闆](méi)有優(yōu)良的釕粉末就沒(méi)有優(yōu)良的釕靶材,同時(shí)也就無(wú)法產(chǎn)生高質(zhì)量的電容器電極膜。目前國(guó)內(nèi)高純釕粉(如光譜純級(jí))的產(chǎn)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)跟不上需求,大都依靠進(jìn)口價(jià)格高昂的國(guó)外產(chǎn)品。伴隨著貴金屬靶材產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展,對(duì)高純釕粉的需求必將加大。因此,對(duì)批量化生產(chǎn)高純釕粉方法的研究,必須引起國(guó)內(nèi)相關(guān)科技工作者的足夠重視。另外,增強(qiáng)對(duì)釕粉應(yīng)用的研究及釕粉回收技術(shù)的研究同樣意義重大。

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[10]韓守禮, 賀小塘, 吳喜龍等. 用釕廢料制備三氯化釕及靶材用釕粉的工藝[J]. 貴金屬, 2011, 32(1):68-71.

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