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高電荷態(tài)Ar17+離子在表面以下過(guò)程中發(fā)射X射線(xiàn)分支比及各分支能量的研究*

2010-09-08 06:06:00鄒賢容邵劍雄陳熙萌崔瑩
物理學(xué)報(bào) 2010年9期
關(guān)鍵詞:金屬表面電荷分支

鄒賢容 邵劍雄 陳熙萌崔瑩

(蘭州大學(xué)核科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,蘭州730000)

(2009年9月10日收到;2009年12月3日收到修改稿)

高電荷態(tài)Ar17+離子在表面以下過(guò)程中發(fā)射X射線(xiàn)分支比及各分支能量的研究*

鄒賢容 邵劍雄 陳熙萌?崔瑩

(蘭州大學(xué)核科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,蘭州730000)

(2009年9月10日收到;2009年12月3日收到修改稿)

對(duì)低速高電荷態(tài)Ar17+離子在與不同金屬靶相互作用過(guò)程中放出的Ar離子K殼X射線(xiàn)的Kβ/Kα分支比及各分支K線(xiàn)平均能量進(jìn)行了理論研究.在文獻(xiàn)[28,29]的基礎(chǔ)上,通過(guò)對(duì)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的分析,得到了0.3—0.8玻爾速度之間的Ar17+離子與Be,Al,Ni,Mo,Au等金屬相互作用過(guò)程中入射離子發(fā)出的X射線(xiàn)分支比及各分支平均能量.理論上,基于導(dǎo)帶電子俘獲模型和級(jí)聯(lián)躍遷模型,建立耦合方程組,以解釋實(shí)驗(yàn)主要結(jié)果,理論結(jié)果與實(shí)驗(yàn)符合較好.在此基礎(chǔ)上討論了低速高電荷態(tài)Ar17+離子在金屬表面以下的空心原子形成及退激發(fā)過(guò)程中發(fā)射K殼X射線(xiàn)的物理圖像.

高電荷態(tài),X射線(xiàn),級(jí)聯(lián)退激發(fā),射線(xiàn)分支比

PACC:3450D,3220R,3270J

1. 引言

低速高電荷態(tài)離子(slow highly charged ions,SHCI)與固體表面相互作用的研究是目前國(guó)際上原子分子領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一[1—4],SHCI可以產(chǎn)生很強(qiáng)的庫(kù)侖勢(shì)場(chǎng),例如U91+1s態(tài)的庫(kù)侖場(chǎng)強(qiáng)比氫原子1s態(tài)的庫(kù)侖場(chǎng)強(qiáng)高6個(gè)量級(jí),為2×1016V/cm,這是目前任何外場(chǎng)無(wú)法達(dá)到的.因此,一般認(rèn)為,在處理低速高電荷態(tài)離子與表面相互作用問(wèn)題時(shí),勢(shì)能影響遠(yuǎn)大于動(dòng)能.基本上,所有的問(wèn)題都是在準(zhǔn)靜態(tài)強(qiáng)擾動(dòng)的框架內(nèi)在進(jìn)行討論.

高電荷態(tài)離子與固體表面相互作用的基本過(guò)程大致可分為四個(gè)階段:鏡像加速過(guò)程、空心原子形成過(guò)程、空心原子衰變過(guò)程和勢(shì)能沉積過(guò)程.目前,國(guó)際上在這一領(lǐng)域的工作已經(jīng)開(kāi)展得很廣泛了,實(shí)驗(yàn)研究主要集中在以下幾個(gè)方面:離子在固體中電荷平衡時(shí)間[5—8]、離子能量損失與電荷態(tài)的關(guān)系[9—15]、作用過(guò)程中各種相關(guān)電子的發(fā)射[16—21]、作用過(guò)程中X射線(xiàn)及可見(jiàn)光的發(fā)射[22—33]以及表面原子的濺射和材料表面改性等[34—36].以上研究獲得了很多關(guān)于表面以上高里德伯態(tài)空心原子形成和退激發(fā)以及離子在表面以下勢(shì)能沉積的物理信息.

作為描述高電荷態(tài)離子在金屬表面一下空心原子形成及衰變過(guò)程的一個(gè)重要研究手段,測(cè)量離子在表面以下發(fā)射X射線(xiàn)譜是十分必要的,因?yàn)閄射線(xiàn)譜中各伴線(xiàn)的分支比以及平均能量是與離子在表面以下電荷中和與退激發(fā)過(guò)程密切相關(guān)的.所以在本工作中,對(duì)低速高電荷態(tài)Ar17+離子在與不同金屬靶相互作用過(guò)程中放出的Ar離子K殼X射線(xiàn)進(jìn)行了理論研究.在前期實(shí)驗(yàn)工作的基礎(chǔ)上,我們得到0.3—0.8之間的Ar17+離子與Be,Al,Ni,Mo,Au等金屬表面相互作用過(guò)程中入射離子發(fā)出的X射線(xiàn)譜;對(duì)兩個(gè)關(guān)鍵物理量進(jìn)行了分析,即Kβ/Kα分支比和各分支的射線(xiàn)平均能量,發(fā)現(xiàn)這兩個(gè)量基本上和靶的種類(lèi)、離子速度無(wú)關(guān).同時(shí),在導(dǎo)帶電子俘獲模型和級(jí)聯(lián)躍遷模型的基礎(chǔ)上,進(jìn)行理論計(jì)算,從理論上得到Kβ/Kα分支比和各分支的射線(xiàn)平均能量的信息,理論計(jì)算結(jié)果和實(shí)驗(yàn)結(jié)果很好地符合.我們初步認(rèn)為Ar17+離子K線(xiàn)的發(fā)射的物理圖像是在離子進(jìn)入表面時(shí),大量金屬導(dǎo)帶電子被俘獲到離子外殼層,形成表面以下的空心原子.隨著離子的運(yùn)動(dòng),空心原子將會(huì)衰變退激發(fā),外殼電子將集體通過(guò)級(jí)聯(lián)退激發(fā)的形式至內(nèi)殼,伴隨有內(nèi)殼層X(jué)射線(xiàn)發(fā)射.各伴線(xiàn)分支比和平均能量與空心原子形成過(guò)程及集體退激過(guò)程直接相關(guān).

2. 理論模型

本文所引用的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)來(lái)自文獻(xiàn)[28,29],具體的實(shí)驗(yàn)步驟和方法可以參考文獻(xiàn)[28—30].本文在文獻(xiàn)[28,29]的基礎(chǔ)上,對(duì)其實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析擬合,提取有關(guān)物理信息,同時(shí)加以理論解釋.

本工作對(duì)文獻(xiàn)[28,29]中的數(shù)據(jù)進(jìn)行四峰擬合,理由如下:Briand[37]小組從實(shí)驗(yàn)上測(cè)量了340 keVAr17+離子轟擊Ag靶的Ar離子X(jué)射線(xiàn)譜,并指出Ar17+的K殼X射線(xiàn)是由Kα,Kβ,Kγ,Kη各支殼層的伴線(xiàn)構(gòu)成,所以應(yīng)當(dāng)采取四高斯峰擬和,合理的提取各伴線(xiàn)信息.

圖1 實(shí)驗(yàn)譜圖的四峰擬合譜

從圖1中可以看出,擬合曲線(xiàn)很好的與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)符合起來(lái).把所有的實(shí)驗(yàn)譜圖進(jìn)行上述的擬和后,可以得到下面的結(jié)果(圖2—圖4).

Ar17+離子在表面以上俘獲靶電子的臨界距離大約為30a.u.,對(duì)于45°入射的情況,離子在表面以上飛行的時(shí)間為10-15s;遠(yuǎn)小于高里德伯態(tài)Ar離子外殼電子退激發(fā)的特征時(shí)間[25].所以在本實(shí)驗(yàn)中,離子在表面以上俘獲的大量電子沒(méi)有足夠時(shí)間退激發(fā)到內(nèi)殼層,這些電子將在離子進(jìn)入表面時(shí)被再次剝離[25].只有在表面以下發(fā)生的電荷平衡過(guò)程中俘獲的電子對(duì)K殼X射線(xiàn)有重要影響.

圖2 Ar17+離子Kα線(xiàn)平均能量(點(diǎn)是實(shí)驗(yàn)值[28,29],直線(xiàn)是理論結(jié)果)

圖3 Ar17+離子Kβ線(xiàn)平均能量(點(diǎn)是實(shí)驗(yàn)值[28,29],直線(xiàn)是理論結(jié)果)

圖4 Ar17+離子的Kβ/Kα分支比(點(diǎn)是實(shí)驗(yàn)值[28,29],直線(xiàn)是理論結(jié)果)

Huang[12]和Winecki[38]在研究高電荷態(tài)離子掠射金屬表面的出射電荷態(tài)分布時(shí)指出,當(dāng)高電荷態(tài)離子離子撞擊到金屬表面原子層時(shí),將通過(guò)共振的方式俘獲大量金屬導(dǎo)帶電子到Ar離子的M殼層.同時(shí),根據(jù)Burgdrfer[39]關(guān)于屏蔽距離和軌道半徑匹配的的理論研究.也可以估算出金屬導(dǎo)帶電子將被俘獲到Ar17+離子M和N殼層,形成表面以下中空原子.同時(shí)由于電子云屏蔽的作用,這些離子外殼能級(jí)的能量將會(huì)提升至約10 eV,基本和導(dǎo)帶電子能級(jí)相當(dāng).同時(shí)由于Auger退激過(guò)程的躍遷速率ΓMNN≈10ΓLNN≈50·ΓKNN[12],所以從N→M的退激發(fā)速率將遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于其向L,K殼退激發(fā)的速率.所以在很好的近似下,我們認(rèn)為大量導(dǎo)帶電子俘獲到離子N殼然后迅速占滿(mǎn)了M殼.所以基于上述討論,在本工作的理論計(jì)算中,我們初步認(rèn)為高電荷態(tài)Ar離子接觸到金屬表面原子層時(shí)將迅速共振俘獲大量導(dǎo)帶電子至其M殼層,形成表面以下中空原子.有理由相信這樣的近似與實(shí)際過(guò)程差異將會(huì)很小.

我們將建立Ar離子K,L,M殼之間的電子布居數(shù)隨時(shí)間演化的耦合微分方程組,通過(guò)計(jì)算在離子運(yùn)動(dòng)過(guò)程中各種躍遷速率隨著時(shí)間的演化和積累效應(yīng),我們將得到低速Ar17+離子在金屬表面以下發(fā)出的K殼層X(jué)射線(xiàn)的分支比和各分支射線(xiàn)平均能量等重要信息,這些信息將反映SHCI在表面以下電荷俘獲和演化的動(dòng)力學(xué)機(jī)理.本工作中有關(guān)M,L,K殼之間電子布居數(shù)隨時(shí)間演化的耦合微分方程組如下:

其中,各種躍遷速率可以根據(jù)原子組態(tài)計(jì)算得到

以上方程組計(jì)算的初始條件為nM=8,nL=0,nK= 1,對(duì)應(yīng)與Ar17+離子與金屬表面原子層碰撞時(shí)導(dǎo)帶電子快速俘獲至M殼層的情況.

伴隨著離子在金屬表面以下的穿行,電子布居數(shù)隨時(shí)發(fā)生變化.同時(shí)對(duì)于任意時(shí)刻的布居數(shù)而言,發(fā)出X射線(xiàn)的概率與其密切相關(guān),基本正比于布居數(shù).所以,對(duì)整個(gè)飛行時(shí)間積分,就可以得到在離子在表面以下的過(guò)程中,發(fā)出的Kα,Kβ X射線(xiàn)總數(shù)目是

Bhalla[46]的研究表明,不同電子布居狀態(tài)對(duì)應(yīng)的Kα,KβX射線(xiàn)能量將由于電子組態(tài)之間的相互作用不同而有所差異.在很好的近似下,對(duì)應(yīng)于不同的K,L,M殼層電子布居狀態(tài)下發(fā)射的X射線(xiàn)能量有[12,46]

所以在整個(gè)過(guò)程中,我們觀測(cè)到的Kα,Kβ伴線(xiàn)的平均能量應(yīng)當(dāng)為

3. 比較與討論

為了更清晰的從圖像上理解Ar17+離子在金屬表面以下空心原子形成和級(jí)聯(lián)退激發(fā)過(guò)程.我們?cè)趫D5中給出Ar離子內(nèi)殼層電子布居數(shù)nM,nL,nK隨著時(shí)間演化的情況.圖中縱坐標(biāo)是各個(gè)殼層電子布居數(shù),橫坐標(biāo)是從時(shí)間,時(shí)間零點(diǎn)是離子撞擊到表面原子層的瞬間.

從圖5中可以看出,當(dāng)Ar17+離子進(jìn)入金屬表面以下時(shí),其M殼層被金屬導(dǎo)帶電子迅速屏蔽并填充,形成空心原子.隨著離子在金屬中的穿行,L殼層和K殼層將會(huì)通過(guò)Auger過(guò)程和輻射退激的形式被逐步填充.伴隨著這種退激發(fā)過(guò)程,離子各殼層電子布居數(shù)隨著時(shí)間演化.根據(jù)(2)和(3)式,可以預(yù)見(jiàn)離子在表面以下穿行的過(guò)程中每一時(shí)刻所發(fā)射的X射線(xiàn)的能量也會(huì)隨著時(shí)間變化.離子發(fā)射X射線(xiàn)能量隨著時(shí)間的演化在圖6中給出.

圖5 Ar17+離子在金屬表面以下各殼層電子布居數(shù)隨著時(shí)間的演化

圖6 Ar17+離子在金屬表面以下所發(fā)射的Kα與Kβ X射線(xiàn)能量隨著時(shí)間的演化

從圖6中可以看出,當(dāng)離子剛進(jìn)入金屬表面時(shí),由于其L殼層還未被填充,缺少電子間的屏蔽使得離子各能級(jí)間的能量差增加,所以此時(shí)發(fā)射X射線(xiàn)能量最大,對(duì)于Kβ和Kα分別為大約3580和3100 eV.隨著電子從M殼集體退激發(fā)至L和K殼,內(nèi)殼各能級(jí)間電子相互作用和屏蔽增強(qiáng),X射線(xiàn)能量將有所下降.直至L和K殼基本填滿(mǎn)時(shí),X射線(xiàn)能量對(duì)于Kβ和Kα分別為大約3190和2950 eV,該值和X射線(xiàn)表[47]中K殼單電離的Ar+離子X(jué)射線(xiàn)能量值一致.總體來(lái)說(shuō),由于在表面以下穿行過(guò)程中,離子各殼層電子之間的相互作用和屏蔽是逐步建立的,所以高電荷態(tài)Ar17+離子發(fā)射的X射線(xiàn)的平均值將要大于K殼單電離Ar+離子的值.對(duì)于Ar17+離子,各支殼層X(jué)射線(xiàn)平均能量有

可以看出,理論值與實(shí)驗(yàn)結(jié)果符合得較好.通過(guò)以上的討論我們得到,在本實(shí)驗(yàn)中觀測(cè)到的各支殼層X(jué)射線(xiàn)能量值直接的對(duì)應(yīng)著高電荷態(tài)Ar17+離子在表面以下的中空原子形成和退激發(fā)過(guò)程的,這和低電荷態(tài)的值有很大差異.

在本理論工作中,我們得到的Kβ/Kα分支比為0.216.在實(shí)驗(yàn)上我們觀測(cè)到對(duì)于不同靶和不同能量的離子入射,Kβ/Kα分支比在0.18—0.22之間,可以說(shuō)理論與實(shí)驗(yàn)符合得較好.為了更好的理解高電荷態(tài)Ar17+離子分支比,我們?cè)趫D7中給出了躍遷速率ΓKα和ΓKβ隨著時(shí)間演化的情況.從圖7中可以看出,ΓKβ開(kāi)始基本不隨時(shí)間變化,但很快將隨著時(shí)間下降.ΓKα隨著時(shí)間上升達(dá)到最大值之后迅速隨著時(shí)間下降.這兩點(diǎn)是和M殼空心原子的形成和退激發(fā)密切相關(guān)的.在離子進(jìn)入金屬表面時(shí),離子M殼層被迅速填充,布居數(shù)基本維持在8,所以ΓKβ就只取決于K殼空穴的數(shù)目,由于K殼被緩慢填充,所以ΓKβ也將隨著時(shí)間下降.ΓKα則取決于L殼層電子數(shù)量和K殼空穴數(shù)量的乘積.前者隨著M殼的退激發(fā)漸漸增加,后者則隨著時(shí)間減少,兩者之間的競(jìng)爭(zhēng)就造成ΓKα?xí)幸蛔畲笾?

圖7 Ar17+離子在金屬表面以下Kα與Kβ的躍遷速率隨著時(shí)間的演化

通過(guò)圖7,我們也可以估算出Ar17+離子X(jué)射線(xiàn)Kβ/Kα分支比的值.可以看出ΓKβ的最大值在2× 10-4,ΓKα的最大值在10-3,由于各分支X射線(xiàn)數(shù)量就是躍遷速率曲線(xiàn)下的面積,所以可以大致估算出分支比就約等于0.2.同樣,這樣的分支比直接對(duì)應(yīng)與Ar17+離子在表面以下空心原子形成退激過(guò)程.圖8給出了K殼層單電離的Ar+離子ΓKβ和ΓKα隨著時(shí)間演化的曲線(xiàn).通過(guò)對(duì)圖7和8的比較,可以發(fā)現(xiàn)高電荷態(tài)離子在金屬表面一下退激發(fā)過(guò)程中發(fā)射X射線(xiàn)的過(guò)程和低電荷態(tài)下有很大不同.在圖8中,我們同樣可以估算出低電荷態(tài)Ar+離子的Kβ/Kα分支比約為0.08.在我們的理論計(jì)算中,此分支比等于0.07,與X射線(xiàn)能量表中Ar+離子的實(shí)驗(yàn)值[47]一致.

圖8 K殼層單電離Ar+離子在金屬表面以下Kα與Kβ躍遷速率隨著時(shí)間的演化

為了直觀的描述低速Ar17+離子在金屬表面以下發(fā)射K殼X射線(xiàn)的能量分布,在圖9中給出了在理論上模擬的Ar17+離子發(fā)射X射線(xiàn)的原始譜圖,該譜只考慮由于物理過(guò)程導(dǎo)致的離子發(fā)射不同能量X射線(xiàn)的分布,并未考慮電子學(xué)展寬和探測(cè)器分辨的影響.從圖中可以看出,Kα射線(xiàn)的平均能量在3020 eV,由于電子組態(tài)相互作用不同造成的物理展寬在30 eV左右;Kβ射線(xiàn)的平均能量在3400 eV,物理展寬約為80 eV.由于本工作中理論對(duì)實(shí)驗(yàn)描述較好,我們有理由相信對(duì)Ar17+離子在金屬表面以下發(fā)射K殼X射線(xiàn)譜的模擬也應(yīng)當(dāng)和實(shí)際的物理過(guò)程比較接近;即基于導(dǎo)帶電子俘獲和級(jí)聯(lián)退激發(fā)模型的模擬結(jié)果對(duì)重現(xiàn)Ar17+離子在表面以下發(fā)射X射線(xiàn)的原始譜圖是有較大幫助的.

為了更直接的比較模擬和實(shí)驗(yàn)的結(jié)果,我們?cè)谟?jì)及了探測(cè)器分辨和電子學(xué)展寬(120 eV)的影響下,基于原始發(fā)射譜模擬結(jié)果圖9,就得到了對(duì)實(shí)際觀測(cè)X射線(xiàn)譜的模擬譜圖10.通過(guò)對(duì)比模擬譜圖10和文獻(xiàn)[28,29]中的實(shí)驗(yàn)觀測(cè)譜圖,我們發(fā)現(xiàn)模擬譜基本給出了實(shí)驗(yàn)譜的特征,即各伴線(xiàn)的展寬、峰高和平均能量,理論實(shí)驗(yàn)符合較好.通過(guò)圖9和圖10,我們?cè)谝欢ǔ潭壬侠斫饬薃r17+離子X(jué)射線(xiàn)實(shí)驗(yàn)觀測(cè)譜的形成和所對(duì)應(yīng)的物理機(jī)理,即表面以下空心原子退激發(fā)所發(fā)射的原始X射線(xiàn)譜被探測(cè)器和電子學(xué)展寬的結(jié)果.

圖9 Ar17+離子在金屬表面以下X射線(xiàn)發(fā)射譜的模擬

圖10 Ar17+離子在金屬表面以下X射線(xiàn)觀測(cè)譜的模擬

4. 總結(jié)

本工作對(duì)低速高電荷態(tài)Ar17+離子在與不同金屬靶相互作用過(guò)程中放出的Ar離子K殼X射線(xiàn)進(jìn)行了研究.基于導(dǎo)帶電子俘獲模型和級(jí)聯(lián)躍遷模型,從理論上得到Kβ/Kα分支比和各分支射線(xiàn)平均能量,理論計(jì)算結(jié)果和實(shí)驗(yàn)結(jié)果很好的符合.我們初步認(rèn)為Ar17+離子KX射線(xiàn)的發(fā)射的物理圖像是:當(dāng)Ar17+離子撞擊到金屬表面時(shí),大量金屬導(dǎo)帶電子將對(duì)離子產(chǎn)生屏蔽,并且通過(guò)能級(jí)匹配,以很快的速率俘獲到離子的M殼層.這大量的M殼電子將通過(guò)輻射與非輻射躍遷的方式一級(jí)一級(jí)的向內(nèi)殼集體退激發(fā)至L,K殼,伴隨著電子的級(jí)聯(lián)退激離子會(huì)發(fā)出Kα和Kβ X射線(xiàn),所以X射線(xiàn)譜的信息就對(duì)應(yīng)著特定的俘獲和退激發(fā)過(guò)程.射線(xiàn)分支比和平均能量也是特定的,反映了低速高電荷態(tài)Ar17+離子在金屬表面以下空心原子形成與退激發(fā)過(guò)程.

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PACC:3450D,3220R,3270J

*Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.10804039 and 10574132).

?Corresponding author.E-mail:chenxm@lzu.edu.cn

Kβ/Kα ratios and energies of the K-shell X ray of Ar17+ion in the interaction with metals*

Zou Xian-Rong Shao Jian-Xiong Chen Xi-Meng?Cui Ying
(School of Nuclear Science and Technology,Lanzhou University,Lanzhou730000,China)
(Received 10 September 2009;revised manuscript received 3 December 2009)

The K X-rays emitted from the incident slow highly charged Ar17+ions are investigated in the interaction with various metal target such as Be,Al,Ni,Mo and Au.The Kβ/Kα ratios and the mean energies of the emitted X-rays are extracted and analyzed from our previous experimental results[28,29].It is found that the ratios and the energies are almost independent of the ion velocity and the target element.Meanwhile,a model based on the conductive-electron capture and the cascading de-excitation model is proposed to interpret the experiment.Excellent agreement is found between the theoretical results and the experimental data.

highly charged ion,X-ray,cascading de-excitation,Kβ/Kα ratio

book=598,ebook=598

*國(guó)家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):10804039,10574132)資助的課題.

?通訊聯(lián)系人.E-mail:chenxm@lzu.edu.cn

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