北京北方科訊電子技術有限公司

全球領先的非易失性鐵電隨機存取存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應商RamtronInternational Corporation的兩款具有高速讀／寫性能、更低工作電壓和可選器件功能的新型串口非易失性F-RAM產(chǎn)品，分別是帶有兩線制接口(I²C)的FM24V02和帶有串行外設接口(SPI)的FM2SV02。兩款256kb器件是Ramtron公司v系列F-RAM產(chǎn)品的最新型號，工作電壓范圍為2.0v至3.6V，采用行業(yè)標準8腳SOIC封裝，具有快速訪問、無延遲(NoDelay)寫入、幾乎無限的讀／寫次數(shù)及低功耗等特點，是工業(yè)控制、表計、醫(yī)療電子、軍事、游戲、計算機及其它應用領域的256kb串口閃存和串口EEPROM存儲器的兼容替代產(chǎn)品。

Ramtron市場推廣經(jīng)理MikePeters稱：“這兩款256kb v系列串口器件，具有相比上一代產(chǎn)品更低的工作電壓和更高性能，可用于替代FM24L256和FM25L256B等舊型號器件。我們不斷擴展v系列產(chǎn)品線，履行Ramtron對環(huán)境的承諾，提供功效更高的非易失性存儲器產(chǎn)品，同時免除對電池的依賴。”

關于FM24V02和FM25V02

FM24V02能以最高3.4 MHz的12C總線速度執(zhí)行寫入操作，并支持100kHz和400 kHz的傳統(tǒng)總線頻率。此器件無寫入延遲，而且無需進行數(shù)據(jù)輪詢即可開始下一個總線周期。此外，F(xiàn)M24V02提供高達100萬億(1E14)的讀／寫次數(shù)，相比EEPROM高出幾個數(shù)量級。FM24V02在執(zhí)行寫操作時不需要為寫入電路提供內(nèi)部升高的電源電壓，因而功耗也遠較EEPROM低。FM24V02工作模式耗電低于150μA(通常在100kHz下)，待機模式下則為90μA，而睡眠模式耗電更低至5μA。

FM25V02在40MHz SPI時鐘頻率下運作的耗電量僅為3mA，待機模式下為90μA，睡眠模式下則為5μA。FM25V02的典型運作功耗只有38μA／MHz，較此類的串口閃存或EEPROM產(chǎn)品耗電降低了一個數(shù)量級。

兩款串口器件FM 24VO2和FM25V02均具有標準的只讀器件ID，可讓主機確定制造商、存儲容量和產(chǎn)品版本信息。它們還提供可選的獨特只讀序列號，方便確定帶有全球獨有ID的主機電路板或系統(tǒng)。最后，F(xiàn)M24V02和FM25V02能確保在-40℃至+85℃的溫度范圍工作，較適合工業(yè)應用。

關于V系列F-RAM

Ramtron的V系列F-RAM產(chǎn)品采用由Ramtron和德州儀器共同開發(fā)的先進130nm CMOS生產(chǎn)工藝制造，包括多種容量的IC、SPI和字節(jié)寬度的并口存儲器。其先進的制造工藝能夠提高器件性能，并增加功能集。除了FM24V02和FM2SV02之外，v系列F-RAM包括以下型號：

·FM 24V1O(1Mb串口I²cF-RAM)；

·FM25V10(1Mb串口SPIF-RAM)；·FM 24V0 5(512kb串口I²CF-RAM)；

·FM2 5V05(512kb串口SPIF-RAM)；

·FM28V100(1Mb井口F-RAM)。