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井下充電機性能與電磁兼容分析

2024-05-04 02:33周偉杰
中國標準化 2024年2期
關鍵詞:可控硅效率

周偉杰

關鍵詞:穩(wěn)流精度,效率,絕緣柵雙極型晶體管,可控硅,場效應晶體管

0 引言

隨著國家能源政策的不斷推進,煤炭行業(yè)也在不斷轉型升級。在煤礦井下,傳統(tǒng)的燃油設備逐漸被新能源設備所取代。目前,煤礦井下新能源主要包括電池、超級電容、太陽能、風能等。其中,電池是最為常見的新能源裝備,其能夠提供穩(wěn)定的電力支持,已經(jīng)廣泛應用于煤礦井下的采掘、通風、照明、運輸?shù)确矫?,煤礦井下充電機的性能和電磁兼容前景對于煤礦新能源的發(fā)展至關重要[1-2]。井下充電機的自身性能對負載的充電效率、充電速度以及安全性等方面都存在著巨大挑戰(zhàn),性能不好會對井下設備的充電和運行產(chǎn)生多種影響[3]。首先,充電效率低可能導致充電時間過長,浪費大量能源,并且影響井下設備的正常使用。其次,充電速度慢可能導致充電不足,影響井下設備的使用效率和工作效率[4-5]。此外,井下充電機性能不好可能存在電壓波動、電流波動等問題,會對井下設備的安全造成威脅,甚至可能導致設備損壞或者事故發(fā)生。同時,井下充電機性能不好也可能導致過度充電或者充電不足,從而加速井下設備的老化和壽命縮短[6]。最后,井下充電機性能不好需要更頻繁地進行維護和修理,增加了維護成本和維護難度,除以上外,電磁兼容性的好壞也直接影響了智能化采集和無人化操作的便捷,因此,為了保證井下設備的正常運行和安全,井下充電機的性能和電磁兼容性必須保證良好[7],否則會對井下設備產(chǎn)生嚴重的影響。

本文通過對常用類型充電機的性能包括穩(wěn)流精度、穩(wěn)壓精度、效率和電磁兼容性進行試驗對比,分析這些充電機在性能方面的優(yōu)缺點。

1 常用充電機工作類型介紹

煤礦井下充電機的整流電路可使用可控硅、絕緣柵雙極型晶體管和場效應晶體管等,這些開關管的整流方式原理基本相同如圖1所示,都可以采用全橋式整流電路或半橋式整流電路來實現(xiàn)整流,全橋和半橋各有優(yōu)缺點,具體使用哪種結構要根據(jù)具體的應用場景來選擇,全橋的優(yōu)點在于輸出功率大,可以驅動大功率負載,同時輸出電壓和電流都比較穩(wěn)定,全橋的成本較高,需要多個開關管。半橋的優(yōu)點在于簡單、成本低,只需要兩個開關管,適合小功率負載。但是,半橋的輸出電壓波形不夠平滑,可能會對負載產(chǎn)生一定的影響,可控硅(SCR)的導通電阻一般在1~10歐姆之間,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的導通電阻一般在幾個十分之一歐姆到幾個歐姆之間,而場效應晶體管(MOSFET)的導通電阻最低,一般在幾個毫歐以下,有些高性能的MOSFET甚至可以達到幾個十微歐的級別,可控硅SCR的控制電流較大,一般需要幾十毫安到幾百毫安不等;IGBT的控制電流較小,一般只需要幾毫安到幾十毫安不等;而MOSFET的控制電流更小,一般只需要幾微安到幾毫安不等,由于控制電流和導通電阻大小的差距,增加了功耗和熱損失,因此可控硅本身控制精度較差,更容易受到溫度、電壓等因素的影響;IGBT和MOSFET的控制精度較高,更容易實現(xiàn)精確控制。

2 比較分析

選取了煤礦井下三種常見全橋整流方式的充電機進行對比:可控硅(SCR)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和場效應晶體管(MOSFET)充電機,為方便研究這三種機型最原始狀態(tài)下的性能與電磁兼容,選取的三種充電機輸入輸出規(guī)格參數(shù)一致:輸入電壓為660VAC,輸出電壓200~400 VDC,輸出電流0~100A,且前后級未做電磁兼容方濾波措施,負載都是采用電子負載模擬了鋰電池特性,測試采用標準NB/T 33008.1~33008.2-2018《電動汽車充電設備檢驗試驗規(guī)范》,GB 4824-2019《工業(yè)、科學和醫(yī)療設備 射頻騷擾特性 限值和測量方法》。

穩(wěn)流精度:在660 VAC供電電壓時可控硅充電機最大穩(wěn)流精度2.1%,絕緣柵雙極型晶體管充電機最大穩(wěn)流精度0.6%,場效應晶體管充電機最大穩(wěn)流精度0.5%;在759 VAC供電電壓時可控硅充電機最大穩(wěn)流精度1.4%,絕緣柵雙極型晶體管最大穩(wěn)流精度0.9%,場效應晶體管充電機最大穩(wěn)流精度0.6%;561 VAC供電電壓時,可控硅充電機最大穩(wěn)流精度-3.5%,絕緣柵雙極型晶體管充電機最大穩(wěn)流精度-1.9%,場效應晶體管充電機最大穩(wěn)流精度-0.6%。數(shù)據(jù)表明可控硅整流充電機的穩(wěn)流精度最低,絕緣柵雙極型晶體管整流的充電機稍好,場效應晶體管整流充電機最好。各類電池電源對穩(wěn)流精度的要求是不一樣的,其中,鋰離子電池電源對穩(wěn)流精度的要求最高,良好的穩(wěn)流精度能夠確保充電電流恒定且準確,提高充電效率、充電速度,延長電池壽命,并增強電池的安全性。穩(wěn)定的充電電流可以避免過高或過低的電流對電池造成損害,減少電池內(nèi)部應力和熱量,從而降低電池故障和安全事故的風險。

穩(wěn)壓精度:在6 6 0 VAC供電電壓時絕緣柵雙極型晶體管充電機最大穩(wěn)壓精度-0.22%,場效應晶體管充電機最大穩(wěn)壓精度-0.15%;在759 VAC供電電壓時絕緣柵雙極型晶體管充電機最大穩(wěn)壓精度0.37%,場效應晶體管充電機最大穩(wěn)壓精度0.30%;561 VAC供電電壓時,可控硅充電機最大穩(wěn)壓精度0.25%,絕緣柵雙極型晶體管充電機最大穩(wěn)壓精度-1.9%,場效應晶體管充電機最大穩(wěn)壓精度0.15%。絕緣柵雙極型晶體管和場效應晶體管整流充電機在穩(wěn)壓精度上幾乎一致,后者略優(yōu)于前者。

效率:在最大輸出電流下,可控硅充電機最低工作效率89.6%,絕緣柵雙極型晶體管充電機最低工作效率91.6%,場效應晶體管充電機最低工作效率94.5%。

電磁兼容發(fā)射:將充電機連接至4Ω電子負載,設定最大額定工作狀態(tài),分別測量0.15 kH Z~30MHz的傳導發(fā)射和30~1000MHz的輻射發(fā)射如圖2所示。

試驗結果可以發(fā)現(xiàn):不管是傳導發(fā)射還是輻射發(fā)射可控硅的噪聲干擾都是最大的,特別是在傳導低頻150~500 kHz之間與輻射低頻30 ~100MHz之間,期間的最大值幾乎和標準限值齊平,已經(jīng)沒有任何空間,絕緣柵雙極型晶體管的電磁噪聲相對可控硅較小,整體都在標準限值的下方,最小裕量超過10 dB,而場效應晶體管是三種方式里干擾最小的。

3 結語

充電機性能:選取的三種充電機類型中,IGBT和MOSFET性能都相對出色,這兩種充電機都適用于各種類型的電池,包括鋰離子電池、鉛酸電池等;而SCR充電機的性能最低,不太適合鋰離子電池,更適用于對充電性能要求不高的大容量、低頻率鉛酸電池。

充電機電磁兼容:未做濾波處理的SCR充電機電磁兼容性較差,容易對外界造成較高電磁干擾;IGBT充電機的電磁兼容性稍微好,在標準要求限值內(nèi),MOSFET充電機電磁兼容性最好,不會產(chǎn)生過多的電磁干擾。充電機無人化和智能采集都需要具備良好的電磁兼容性。在無人化和智能采集的應用場景中,充電機會與其他電子設備或系統(tǒng)進行通信和數(shù)據(jù)交換,因此需要保證充電機的噪聲發(fā)射符合要求,以避免對周圍傳感器和系統(tǒng)之間通訊造成電磁干擾,如果選擇了基礎噪聲較高的充電機類型,必須要針對開關管這種功率元件進行濾波或屏蔽處理,才能有效降低電磁干擾。

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