丁學(xué)用 王石峰 王連勝 袁帥
(1.三亞學(xué)院理工學(xué)院, 三亞 572022;2.三亞學(xué)院海洋通信研究所, 三亞 572022)
毫米波波長1~10 mm,位于微波與遠(yuǎn)紅外波相交疊的波長范圍,與光波相比,毫米波在大氣中傳播時(shí),由于氣體分子諧振吸收所致的衰減小,受自然光和熱輻射源影響小[1-2]。布喇格結(jié)構(gòu)是布喇格諧振腔的重要組成部分,可被制作成反射器、濾波器和模式轉(zhuǎn)換器等器件,被廣泛應(yīng)用在回旋自諧振脈塞(cyclotron auto resonance maser, CARM)和工作于毫米波波段的自由電子激光(free-electron laser, FEL)中[1-12]。研究發(fā)現(xiàn),相比圓柱結(jié)構(gòu),同軸布喇格結(jié)構(gòu)更有利于高功率微波系統(tǒng),有利于進(jìn)行模式選擇,可以設(shè)計(jì)成較大尺寸,便于機(jī)械加工和功率容量提高[12]。如果在同軸布喇格結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,增加內(nèi)導(dǎo)體,構(gòu)建雙內(nèi)導(dǎo)體或三內(nèi)導(dǎo)體等多內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu),布喇格結(jié)構(gòu)的性能會(huì)得到進(jìn)一步的改善。本文基于多模耦合理論,對(duì)比英國斯特拉思克萊德大學(xué)(University of Strathclyde)研究團(tuán)隊(duì)對(duì)工作于35 GHz中心頻率的矩形波紋開槽同軸布喇格結(jié)構(gòu)進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)測(cè)試[11],對(duì)雙內(nèi)導(dǎo)體和三內(nèi)導(dǎo)體等多內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)在毫米波波段的電磁特性進(jìn)行研究,以期探索一種性能更好的新型布喇格結(jié)構(gòu)。
同軸布喇格結(jié)構(gòu)剖面如圖1所示,L是同軸布喇格結(jié)構(gòu)的長度,其結(jié)構(gòu)外半徑和內(nèi)半徑在縱向上呈現(xiàn)周期性變化,利用傅里葉級(jí)數(shù)展開式,其隨z變化的函數(shù)關(guān)系可近似表示為[13]:
圖1 同軸布喇格結(jié)構(gòu)剖面圖Fig.1 Longitudinal section profile of coaxial Bragg structure
式中:kout=2π/pout,kin=2π/pin,一般情況下kout=kin;a0,lout,?out,pout分別為外導(dǎo)體壁的平均半徑、開槽波紋深度、初始相位和波紋周期;b0,lin,?in,pin分別為內(nèi)導(dǎo)體壁的平均半徑、開槽波紋深度、初始相位和波紋周期。
假設(shè)同軸布喇格反射器中存在N種模式,根據(jù)同軸布喇格反射器多模耦合理論[12],其中第i模式(i=1,2,···,N)沿z正方向傳播的波(簡稱正傳波)和沿z負(fù)方向傳播的波(簡稱反傳波)由下述耦合方程決定:
一般情況下,選擇內(nèi)外導(dǎo)體相位差??=|?in-?out|=π,且內(nèi)外導(dǎo)體開槽波紋周期相同即pout=pin=pb時(shí),同軸布喇格頻率響應(yīng)特性效果最佳,有利于模式選擇和減弱競爭模式的激勵(lì)[12-16]。內(nèi)外導(dǎo)體相位差為180°時(shí)的雙內(nèi)導(dǎo)體和三內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)剖如圖2所示,其中d為雙內(nèi)導(dǎo)體截面或三內(nèi)導(dǎo)體截面各內(nèi)導(dǎo)體圓心到布喇格結(jié)構(gòu)截面軸心的距離。
圖2 雙內(nèi)導(dǎo)體和三內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)剖面圖Fig.2 Longitudinal section profile of three inner conductor Bragg structure
英國斯特拉思克萊德大學(xué)對(duì)同軸布喇格結(jié)構(gòu)電磁特性開展了實(shí)驗(yàn)研究[11],采用圖1所示的矩形波紋槽同軸波導(dǎo),其內(nèi)外導(dǎo)體半徑、波紋幅度、波紋周期、導(dǎo)體長度等參數(shù)選擇如表1所示。
表1 矩形波紋槽同軸波導(dǎo)結(jié)構(gòu)參數(shù)Tab.1 The parameters of rectangular corrugated groove coaxial Bragg structure
本文采用CST軟件模擬矩形開槽同軸布喇格反射器,仿真結(jié)果與實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)果的一致性已得到實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證[14]。對(duì)毫米波雙內(nèi)導(dǎo)體和三內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)電磁特性進(jìn)行仿真研究中,假設(shè)多內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)內(nèi)外導(dǎo)體材料均為理想材料,根據(jù)表1參數(shù),同軸布喇格結(jié)構(gòu)內(nèi)外導(dǎo)體初始相位差??=|?in-?out|=π,雙內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)內(nèi)導(dǎo)體半徑均為2 mm,當(dāng)外壁平均半徑不變的情況下,可保證雙內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)與同軸布喇格結(jié)構(gòu)傳輸空間周長大小不變。
設(shè)雙內(nèi)導(dǎo)體截面圓心到同軸布喇格結(jié)構(gòu)截面圓心的距離分別為d1和d2,圖3為同軸和雙內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)(d1=d2=2 mm)反射率隨頻率變化的響應(yīng)特性圖。可以看出:同軸布喇格結(jié)構(gòu)工作模式正向波攜帶的電磁能量幾乎全部轉(zhuǎn)換到其自身及競爭模式的反向波上;雙內(nèi)導(dǎo)體距離同軸布喇格截面圓心較近時(shí),雙內(nèi)導(dǎo)體與同軸布喇格結(jié)構(gòu)頻率響應(yīng)特性幾乎相同,但雙內(nèi)導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在帶通范圍內(nèi)反射率沒有起伏,趨于穩(wěn)定且近似達(dá)到最大值1,工作模式和競爭模式電磁能量沒有出現(xiàn)此消彼長的關(guān)系,說明雙內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)有效抑制了競爭模式的影響。
圖3 同軸與雙內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)反射率頻率響應(yīng)特性圖Fig.3 Frequency response characteristics of reflectivity varying with frequency of coaxial and double inner conductor Bragg structure
圖4為同軸與雙內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)端口電場分布云圖??梢钥闯觯和S布喇格結(jié)構(gòu)在接近內(nèi)導(dǎo)體壁上電場分布最強(qiáng),越遠(yuǎn)離軸心電場強(qiáng)度越弱,且呈逐漸減弱趨勢(shì);而對(duì)于雙內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu),電場主要分布在雙內(nèi)導(dǎo)體外壁處,同樣,越遠(yuǎn)離軸心電場強(qiáng)度越弱,且逐漸減弱,導(dǎo)體外壁處幾乎無電場分布。
圖4 同軸與雙內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)端口電場分布云圖Fig.4 Cloud chart of electric field distribution at port of coaxial and double inner conductor Bragg structure
圖5(a)為雙內(nèi)導(dǎo)體結(jié)構(gòu)軸心之間的距離保持不變,相對(duì)同軸截面圓心對(duì)稱(d1=d2=2 mm)和非對(duì)稱(d1=1 mm,d2=3 mm;d1=0,d2=4 mm)時(shí)反射率隨頻率變化響應(yīng)特性圖??梢钥闯?,當(dāng)雙內(nèi)導(dǎo)體結(jié)構(gòu)關(guān)于同軸截面圓心非對(duì)稱時(shí),隨著雙內(nèi)導(dǎo)體非對(duì)稱性從d1=1 mm,d2=3 mm增加到d1=0,d2=4 mm的過程中,其反射率在36.5 GHz附近開始下降,且當(dāng)非對(duì)稱性最強(qiáng)時(shí)(d1=0,d2=4 mm)下降到0.79,表明此時(shí)競爭模式能量增大且其影響增強(qiáng)。
圖5 雙內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)不同情況下的反射率頻率響應(yīng)特性圖Fig.5 Frequency response characteristic diagram of reflectivity varying with frequency when the double inner conductor Bragg srtucture in different conditions
圖5(b)為雙內(nèi)導(dǎo)體關(guān)于同軸軸線非對(duì)稱且距離軸心分別為d=2 mm,4 mm,5 mm,6 mm時(shí)反射率頻率響應(yīng)特性圖??梢钥闯?,隨著非對(duì)稱雙內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)兩個(gè)導(dǎo)體之間距離的增大(即非對(duì)稱性增強(qiáng)),反射率隨頻率變化的頻率響應(yīng)特性曲線中帶寬變寬,且工作模式在帶通范圍內(nèi)36.5 GHz附近的反射率逐漸變小,競爭模式的影響逐漸增強(qiáng)。當(dāng)d=6 mm時(shí),其中一個(gè)導(dǎo)體已移到布喇格結(jié)構(gòu)外邊緣,此時(shí),反射率頻率響應(yīng)特性曲線幾乎變成一個(gè)帶通特性,沒有濾波功能。
圖6為雙內(nèi)導(dǎo)體對(duì)稱(d=d1=d2=3 mm)和非對(duì)稱結(jié)構(gòu)(d1=0 mm,d2=6 mm)模式端口電場分布云圖??梢钥闯觯簩?duì)稱性雙內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)電場分布也對(duì)稱,且雙內(nèi)導(dǎo)體間傳輸空間電場強(qiáng)度分布最強(qiáng);非對(duì)稱性雙內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)在雙內(nèi)導(dǎo)體間電場強(qiáng)度分布依然最強(qiáng),但場強(qiáng)能量更多集中在偏離同軸圓心的內(nèi)導(dǎo)體附近。綜上所述,在選擇雙內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)時(shí),為減少競爭模式的影響,最好選擇關(guān)于同軸布喇格結(jié)構(gòu)截面圓心對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。
圖6 雙內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)對(duì)稱和非對(duì)稱結(jié)構(gòu)模式端口電場分布云圖Fig.6 Electric field distribution nephogram of symmetrical and asymmetrical structure mode ports of double inner conductor Bragg structure
圖7為雙內(nèi)導(dǎo)體關(guān)于同軸軸線對(duì)稱且距離軸心距離分別為d=3 mm,d=4 mm,d=5 mm和d=6 mm時(shí)反射率頻率響應(yīng)特性圖??梢悦黠@得出:雙內(nèi)導(dǎo)體與同軸軸心距離較近時(shí)(d=3 mm),頻率響應(yīng)帶寬較寬;隨著雙內(nèi)導(dǎo)體與同軸軸心距離增大(d>4 mm),反射率隨頻率變化的頻率響應(yīng)特性曲線帶寬變寬,但與同軸軸心距離越大,反射率減少,競爭模式影響增強(qiáng);隨著雙內(nèi)導(dǎo)體與軸心距離進(jìn)一步增大,帶寬變寬趨勢(shì)明顯。雙內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)這種特性有利于其作為反射器,更好地構(gòu)成布喇格諧振腔。
圖7 雙內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)關(guān)于同軸軸線對(duì)稱且距離軸心不同距離時(shí)反射率頻率響應(yīng)特性圖Fig.7 Frequency response characteristic diagram of reflectivity varying with frequency when the double inner conductor Bragg structure is symmetrical about the coaxial axis and different distance from the axis
同樣,對(duì)于毫米波三內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu),為保證傳輸空間周長大小與英國斯特拉思克萊德大學(xué)研究的同軸布喇格結(jié)構(gòu)一致,選擇三內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)半徑均為4/3 mm。根據(jù)雙內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)電磁特性的研究,毫米波三內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)選擇對(duì)稱性結(jié)構(gòu),即其中一個(gè)內(nèi)導(dǎo)體位于同軸線上,另外兩個(gè)內(nèi)導(dǎo)體截面圓心關(guān)于同軸截面圓心對(duì)稱。圖8為三內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)在內(nèi)導(dǎo)體截面圓心與同軸截面圓心不同距離時(shí)模式端口電場分布云圖??梢悦黠@看出:當(dāng)內(nèi)導(dǎo)體距離同軸圓心較近時(shí),電場強(qiáng)度主要分布在內(nèi)導(dǎo)體之間的區(qū)域,且電場強(qiáng)度較強(qiáng);隨著內(nèi)導(dǎo)體與同軸軸心距離的增大,電場強(qiáng)度雖仍主要分布在內(nèi)導(dǎo)體之間區(qū)域,但卻集中分布在中心內(nèi)導(dǎo)體附近,并向外呈現(xiàn)逐漸減弱趨勢(shì)。
圖8 三內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)距離軸心不同距離時(shí)端口電場分布云圖Fig.8 Electric field distribution nephogram of three internal conductor Bragg structure ports with different axial distance modes
圖9為三內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)與軸心不同距離時(shí)反射率頻率響應(yīng)特性圖。可以看出:與雙內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)電磁特性不同,隨著內(nèi)導(dǎo)體與同軸軸心距離的增加,反射率隨頻率變化的頻率響應(yīng)特性曲線帶寬變窄;當(dāng)內(nèi)導(dǎo)體與同軸軸心距離較遠(yuǎn)時(shí),帶寬變化較??;隨著內(nèi)導(dǎo)體與同軸軸心距離變小,帶寬變寬趨勢(shì)明顯,反射率的值趨于穩(wěn)定,可抑制競爭模式影響。因此,當(dāng)內(nèi)導(dǎo)體與同軸圓心距離較近時(shí),三內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)可用作濾波器,有更好的濾波作用;當(dāng)內(nèi)導(dǎo)體與同軸圓心距離較遠(yuǎn)時(shí),三內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)可用作反射器,有更好的反射作用。
圖9 三內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)距離軸心不同距離時(shí)反射率頻率響應(yīng)特性圖Fig.9 Frequency response characteristic diagram of reflectivity varying with frequency at different distances from the axis with symmetric three-conductor Bragg structure
本文基于同軸布喇格結(jié)構(gòu)多模耦合理論,利用三維電磁仿真軟件CST進(jìn)行建模仿真,對(duì)毫米波雙內(nèi)導(dǎo)體和三內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)電磁特性分別進(jìn)行比較研究,并對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,得出以下結(jié)論:
1)多內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)相比同軸布喇格結(jié)構(gòu)電磁特性進(jìn)一步優(yōu)化,對(duì)稱性多內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)要比非對(duì)稱性布喇格結(jié)構(gòu)能更好地抑制競爭模式的影響;
2)對(duì)于雙內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu),隨著雙內(nèi)導(dǎo)體與同軸軸心距離的增大,頻率響應(yīng)帶寬變寬,且當(dāng)內(nèi)導(dǎo)體與同軸軸心距離較遠(yuǎn)時(shí),帶寬變寬趨勢(shì)明顯,而反射率的值變??;
3)對(duì)于三內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu),隨著內(nèi)導(dǎo)體與同軸軸心距離的增大,頻率響應(yīng)帶寬變窄,且當(dāng)內(nèi)導(dǎo)體與同軸軸心距離較近時(shí),帶寬變寬趨勢(shì)明顯,反射率的值趨于穩(wěn)定。
因此,可根據(jù)實(shí)際需要恰當(dāng)選擇毫米波多內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu),拓寬其作為反射器或者濾波器的性能。這些特性可以使多內(nèi)導(dǎo)體布喇格結(jié)構(gòu)在模式選擇性以及模式的純度上得到優(yōu)化,從而保證工作模式的穩(wěn)定起振。