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34MnB5穩(wěn)定桿疲勞開(kāi)裂分析

2023-11-21 04:11:58章乃俊
中國(guó)冶金文摘 2023年6期
關(guān)鍵詞:氫致氫脆馬氏體

章乃俊

0 引言

穩(wěn)定桿是汽車(chē)獨(dú)立懸架系統(tǒng)的重要組成部分,用于保持車(chē)輛轉(zhuǎn)向時(shí)的平衡,防止車(chē)身發(fā)生過(guò)大的橫向傾斜,從而提升車(chē)輛駕駛時(shí)的穩(wěn)定性與安全性。隨著環(huán)境保護(hù)、節(jié)能減碳的壓力與日俱增,汽車(chē)輕量化成為了各個(gè)車(chē)企新的關(guān)注點(diǎn),而使用先進(jìn)高強(qiáng)鋼制造的空心穩(wěn)定桿可以在保證汽車(chē)安全的同時(shí)降低車(chē)身重量,與傳統(tǒng)的實(shí)心桿相比,可以減重約30%,因而得到廣泛的應(yīng)用。穩(wěn)定桿在工作中會(huì)不斷受到扭轉(zhuǎn)、剪切、擠壓應(yīng)力,因此其疲勞性能必須得到保證,零件出廠前必須通過(guò)疲勞測(cè)試。

通過(guò)高頻焊接34MnB5制作的空心穩(wěn)定桿具有成形性好、強(qiáng)度高、質(zhì)量輕等優(yōu)點(diǎn)。某單位以34MnB5為原料制造空心穩(wěn)定桿,在對(duì)其進(jìn)行疲勞試驗(yàn)時(shí)發(fā)生提前開(kāi)裂,需要對(duì)其進(jìn)行失效分析。本文通過(guò)體視顯微鏡、金相顯微鏡、掃描電鏡等設(shè)備對(duì)疲勞試驗(yàn)開(kāi)裂的34MnB5空心穩(wěn)定桿進(jìn)行觀察,對(duì)其斷口形貌、金相組織、晶粒取向、晶界等方面進(jìn)行了分析和探討,以探明其發(fā)生疲勞開(kāi)裂的原因。

1 試驗(yàn)方法

試驗(yàn)材料為34MnB5空心穩(wěn)定桿,管壁厚度為0.5 mm, 主要化學(xué)成分如表1所示。熱卷原料在分條后擠壓成形進(jìn)行焊接制管,之后拉拔并進(jìn)行退火處理,成形后進(jìn)行淬火并回火,冷校正后探傷,最后噴丸形成成品。成品在后續(xù)的疲勞試驗(yàn)中發(fā)生提前斷裂。

分析環(huán)節(jié)使用Leica M205A立體體視顯微鏡觀察樣品的斷口宏觀形貌(圖1),使用HITACHI SU-70掃描電鏡觀察樣品的斷口微觀形貌,試驗(yàn)條件為20 kV,30 μA。垂直軸向切割樣品斷口附近位置并制成鑲嵌樣,經(jīng)碳化硅砂紙打磨后在絨布上拋光,使用4%硝酸酒精侵蝕樣品,之后使用Zeiss Axio Imager M2m光學(xué)顯微鏡觀察樣品的金相組織。切割樣品的裂紋源處截面,制成鑲嵌樣,經(jīng)1 200目砂紙打磨后以硅乳膠懸浮液作為拋光液進(jìn)行自動(dòng)機(jī)械拋光得到EBSD觀察樣品,并使用HITACHI SU-70掃描電鏡進(jìn)行樣品裂紋源處截面的EBSD掃描與分析,觀察裂紋附近晶粒的微觀形態(tài)和晶界取向,試驗(yàn)條件為20 kV,30 μA。

2 結(jié)果與分析

2.1 樣品斷口處體視顯微形貌分析

使用無(wú)水乙醇對(duì)樣品的斷口進(jìn)行超聲清洗,之后通過(guò)立體體視顯微鏡觀察樣品的斷口形貌,結(jié)果如圖2所示??梢?jiàn)樣品斷口表面除少量銹蝕外沒(méi)有其他明顯異常物質(zhì),斷口上的疲勞放射紋路清晰可見(jiàn),其走勢(shì)呈發(fā)散型,流線有一個(gè)明顯的匯聚點(diǎn),此處即為裂紋源,其位于穩(wěn)定桿的外壁附近,如圖2(a)中箭頭所示。切割斷口徑向附近的截面并觀察裂紋源正下方對(duì)應(yīng)位置的金相組織,可見(jiàn)此處對(duì)應(yīng)焊縫位置,如圖2(b)箭頭所示。由此可見(jiàn)樣品的疲勞開(kāi)裂行為極有可能與焊接有關(guān)。

2.2 樣品斷口微觀形貌及成分分析

在確定了斷口的裂紋源后,進(jìn)一步使用掃描電鏡觀察樣品斷口的微觀形貌并進(jìn)行成分分析,結(jié)果如圖3所示。可見(jiàn)樣品裂紋源處的斷口形貌較為特殊,呈沿晶開(kāi)裂形貌和準(zhǔn)解理形貌的混合,且沿晶斷口的冰糖狀晶粒表面并不平滑,而是布滿了孔狀的細(xì)小韌窩,這是氫致開(kāi)裂的典型特征。氫壓理論認(rèn)為,氫原子的濃度達(dá)到過(guò)飽和時(shí),會(huì)在晶界、位錯(cuò)、夾雜物或其他缺陷等高應(yīng)力區(qū)形核析出氫氣,并在形核處引發(fā)塑性變形,因此形成的斷口沿晶界擴(kuò)展,但晶面上會(huì)布滿微小韌窩,或發(fā)育不完整的韌性撕裂棱“雞爪紋”。斷口的擴(kuò)展區(qū)形貌則主要為準(zhǔn)解理斷裂形貌,能譜結(jié)果顯示斷口的裂紋源區(qū)及擴(kuò)展區(qū)均未檢測(cè)到明顯異常成分。

2.3 樣品截面金相組織

垂直軸向切割樣品的斷口附近截面并制備成鑲嵌樣,使用金相顯微鏡觀察其截面金相組織,結(jié)果如圖4所示。

由結(jié)果可知,樣品的基體金相組織主要為馬氏體,而焊縫處的組織也以馬氏體為主,沒(méi)有在焊縫處觀察到超標(biāo)夾雜物、二次氧化顆粒或其他明顯異常物質(zhì)。大量研究表明,高強(qiáng)鋼的氫脆敏感性隨著材料強(qiáng)度級(jí)別的提高而提高,而馬氏體鋼的強(qiáng)度水平非常高,因而公認(rèn)有著極高的氫脆敏感性。

馬氏體高強(qiáng)鋼在淬火后需采用適當(dāng)溫度回火,回火過(guò)程中析出的ε碳化物可以改善鋼的韌性,以達(dá)到強(qiáng)度與韌性的平衡,但ε碳化物也會(huì)和殘余奧氏體轉(zhuǎn)變形成Fe3C從而降低鋼的耐延遲斷裂性能。此外,馬氏體的氫脆敏感性還和回火溫度有關(guān),當(dāng)回火溫度較低時(shí),析出的碳化物彌散分布于原奧氏體晶界表面,會(huì)與氫一起造成晶界的脆化;而當(dāng)回火溫度較高時(shí),晶界碳化物球化團(tuán)聚,同時(shí)晶內(nèi)析出大量滲碳體顆粒,這些碳化物是良好的氫陷阱,可以捕捉氫從而降低界面的可擴(kuò)散氫濃度,使晶界的氫含量達(dá)不到裂紋形核的臨界值。因此需謹(jǐn)慎設(shè)置該樣品的回火溫度,避免回火溫度過(guò)低。

另一方面,細(xì)化晶粒能降低高強(qiáng)鋼的氫脆敏感性。晶粒細(xì)化可以使材料變形時(shí)參與的形變晶粒更多,從而降低應(yīng)力集中;此外,晶粒細(xì)化還使晶界面積增多,從而稀釋單位體積中晶界的氫濃度。值得注意的是,樣品裂紋源下方的焊縫部分區(qū)域正好存在粗大的板條狀馬氏體,此處應(yīng)為焊接熱影響區(qū)的粗晶區(qū),推測(cè)在焊接時(shí)兩端母材的擠壓位移不夠,沒(méi)有把焊接組織完全擠壓出零件外壁去除,使熱影響區(qū)的粗晶區(qū)殘留在了零件內(nèi)。該區(qū)域的粗大晶粒容易在形變時(shí)產(chǎn)生應(yīng)力集中,同時(shí)還使得氫的擴(kuò)散路徑變短,極有可能進(jìn)一步提高該焊縫位置的氫脆敏感性。

2.4 氫致裂紋周?chē)⒂^結(jié)構(gòu)分析

材料自身的微觀組織結(jié)構(gòu)和晶界形態(tài)會(huì)顯著影響其氫脆敏感性,為了提出針對(duì)性的產(chǎn)品工藝優(yōu)化意見(jiàn),需要進(jìn)一步對(duì)樣品的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析。使用EBSD觀察樣品斷口附近截面及沿晶氫致裂紋兩側(cè)的微觀形貌,取樣位置為樣品裂紋源處的斷口截面。

圖5為裂紋源沿晶斷口處的截面IPF晶粒取向分布圖,可見(jiàn)其晶粒取向的分布存在一定的特征,靠近斷面處的晶粒以{111}和{001}為主要取向,而遠(yuǎn)離斷口的晶粒則以{101}為主要取向。有研究認(rèn)為,材料的氫脆敏感性與晶粒的取向有關(guān),其中{001}取向的晶粒更容易發(fā)生氫致開(kāi)裂。由圖5可知,焊縫的裂紋源位置存在大量{001}取向的晶粒,可能使得此處存在較大的氫致開(kāi)裂傾向。

進(jìn)一步放大視場(chǎng),通過(guò)EBSD觀察并分析斷口起裂源位置的兩處氫致裂紋,結(jié)果分別如圖6和圖7所示。

圖6(a)與圖7(a)是兩處氫致裂紋所在區(qū)域的局域取向差圖,可以反映裂紋周?chē)鷧^(qū)域的應(yīng)變情況。可見(jiàn)高應(yīng)變區(qū)主要分布在斷口附近、氫致裂紋周?chē)熬Ы绺浇?。斷口和氫致裂紋周?chē)嬖谛巫?,說(shuō)明此處的開(kāi)裂源于塑性滑移,LAUREYS等的研究認(rèn)為氫會(huì)促進(jìn)位錯(cuò)面發(fā)生滑移,使得細(xì)微孔隙沿滑移面聚合形成微裂紋,從而導(dǎo)致局部塑性變形。形變的晶粒具有更高能量,會(huì)進(jìn)一步誘導(dǎo)氫聚集,使裂紋尖端發(fā)生塑性滑移,最終導(dǎo)致裂紋擴(kuò)展。

圖6(b)與圖7(b)是兩處氫致裂紋所在區(qū)域的晶粒取向與晶界分布圖,取向差角2°<θ<15°定義為小角度晶界,以綠色線條表示,取向差角θ>15°的晶界為大角度晶界,以黑色線條表示。可見(jiàn),氫致裂紋主要沿著大角度晶界擴(kuò)展,并在小角度晶界附近停止延伸。使用Channel 5軟件測(cè)量裂紋附近的晶界取向差,圖6中裂紋兩側(cè)的取向差角為44.39°、40.94°、50.62°,裂紋末端的取向差角為10.53°、13.51°;圖7中裂紋兩側(cè)的取向差角為51.87°、54.24°、42.60°,裂紋末端的取向差角為4.98°。大角度晶界的晶界能比小角度晶界及重位點(diǎn)陣CSL的晶界高得多,其晶界更不穩(wěn)定,容易被激發(fā),所以大角度晶界可以容納更多氫,成為氫擴(kuò)散的路徑。而小角度晶界的能量較低,可作為可逆氫陷阱捕捉氫原子使其均勻分布,從而阻止在應(yīng)力集中時(shí)發(fā)生氫聚集而產(chǎn)生開(kāi)裂,因此小角度晶界具有更高的氫致裂紋抗性。

圖6(c)與圖7(c)是兩處氫致裂紋所在區(qū)域的重位點(diǎn)陣CSL晶界分布圖。重位點(diǎn)陣簡(jiǎn)單說(shuō)是指相鄰晶?;ハ啻┻^(guò)晶界,使得雙方的部分原子出現(xiàn)規(guī)律性的重合,其原子排列畸變不大,晶界能也較低。CSL晶界分布圖顯示,兩處氫致裂紋周?chē)伞?占主導(dǎo)地位,MOHTADI-BONAB等認(rèn)為∑3晶界具有相對(duì)較高的晶界能,容易成為氫擴(kuò)散的路徑,導(dǎo)致材料的氫脆敏感性升高。另有∑11、∑13b、∑33c等,這些CSL晶界的晶界能較低,或許能夠阻礙氫致裂紋的擴(kuò)展。

3 結(jié)論

(1) 樣品的裂紋源位于焊縫位置,裂紋源的斷口呈沿晶開(kāi)裂形貌+準(zhǔn)解理形貌,且晶粒表面布滿細(xì)小韌窩,說(shuō)明樣品的疲勞斷裂是由焊縫處氫致開(kāi)裂導(dǎo)致的。

(2) 樣品的母材及焊縫組織均為馬氏體,馬氏體有著極高的氫脆敏感性,同時(shí)在裂紋源處還觀察到了較為粗大的馬氏體板條,推測(cè)焊接時(shí)未將焊接組織完全擠壓出零件外壁去除,使熱影響區(qū)的粗晶區(qū)殘留在了零件內(nèi),這進(jìn)一步降低了材料的抗氫脆能力。

(3) 沿晶斷口、氫致裂紋周邊存在明顯高應(yīng)變區(qū),說(shuō)明開(kāi)裂源于塑性滑移。推測(cè)是氫促進(jìn)位錯(cuò)面發(fā)生滑移,使細(xì)微孔隙沿滑移面聚合形成微裂紋,從而導(dǎo)致局部塑性變形,形變晶粒具有更高能量,會(huì)進(jìn)一步誘導(dǎo)氫聚集,使裂紋尖端發(fā)生塑性滑移,最終誘發(fā)裂紋形成。

(4) 氫致裂紋大多沿著大角度晶界擴(kuò)展,并在小角度晶界附近停止延伸。大角度晶界及部分高能CSL晶界容易被激發(fā),成為氫擴(kuò)散的路徑;而小角度晶界及低能CSL晶界則可作為可逆氫陷阱捕捉氫原子使其均勻分布,阻止應(yīng)力集中時(shí)發(fā)生氫聚集,因此增加組織中的低能晶界可以有效抑制氫致開(kāi)裂。

本文摘自《寶鋼技術(shù)》2023年第4期

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