2O3摻雜量對(duì)0.06BiYbO3-0.94Pb(Zr0.48Ti0.52)O3三元系壓電陶瓷結(jié)構(gòu)和性能的影響"/>
王藝穎 王芳 左鑫 張明 李磊 許壯志 陳渝
摘 要:采用傳統(tǒng)的固相反應(yīng)法制備0.06BiYbO3-0.94 Pb(Zr0.48Ti0.52)O3-xwt.%La2O3(BY-PZT-xLa,x=0~0.6)三元系壓電陶瓷,并研究了La2O3摻雜量對(duì)BY-PZT-xLa壓電陶瓷微觀結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響.研究結(jié)果顯示,BY-PZT-xLa壓電陶瓷為純的四方鈣鈦礦結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)隨x的增加而減小,表明La2O3成功摻入BY-PZT壓電陶瓷的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)中,La3+取代A位的Pb2+抑制了陶瓷的晶粒增長(zhǎng);隨著x的增加,BY-PZT-xLa壓電陶瓷的介電損耗因子和居里溫度逐漸降低,但少量La2O3摻雜(x=0.1)可以大幅度提高體系的相對(duì)介電常數(shù),并降低介電常數(shù)的溫度系數(shù);采用修正的居里—外斯定律研究了BY-PZT-xLa壓電陶瓷在居里溫度以上的介電溫度行為,發(fā)現(xiàn)其存在較弱的彌散相變特征;過量的La2O3摻雜( x>0.1 )由于引入了過多的離子缺陷,釘扎鐵電疇的翻轉(zhuǎn),從而導(dǎo)致P-E曲線被束縛.在BY-PZT-xLa壓電陶瓷中,組分x=0.1兼具高居里溫度(388 ℃)和高壓電常數(shù)(320 pC/N),以及較高的熱退極化溫度(350 ℃),在高溫壓電器件中具有很大的應(yīng)用潛力.
關(guān)鍵詞:BY-PZT;La2O3摻雜;彌散相變;電滯回線;壓電性能;熱退極化
中圖分類號(hào):TQ174.75
文獻(xiàn)標(biāo)志碼:A
0 引 言
具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的鉛基鋯鈦酸鉛(Pb(Zr1-xTix)O3,PZT)壓電陶瓷,是鐵電體PbTiO3與反鐵電體PbZrO3連續(xù)固溶體.眾所周知,PZT壓電陶瓷在Zr與Ti摩爾比為52∶48左右時(shí),位于準(zhǔn)同型相界(MPB)附近的PZT中將呈現(xiàn)出一些優(yōu)異的電學(xué)性能,例如,高的壓電常數(shù)和大的耦合系數(shù)等[1-2].因此,PZT壓電陶瓷廣泛用于電子設(shè)備、移動(dòng)通信、生物、水聲換能器與航空航天等高新技術(shù)領(lǐng)域[3].但是,PZT壓電陶瓷的居里溫度(TC)一般在300 ℃左右,其安全工作溫度被限制在TC的1/2以下,并且介電常數(shù)溫度系數(shù)(TKε)漂移較大,這些缺點(diǎn)使得PZT壓電陶瓷無(wú)法滿足在特殊高溫環(huán)境中的應(yīng)用.
新型壓電材料xBiScO3-(1-x)PbTiO3(BS-PT)陶瓷具有與PZT陶瓷相似的壓電性能,甚至具有比PZT陶瓷更好的高溫性能,表現(xiàn)為在MPB(x=0.64)下有良好的壓電性能(d33=460 pC/N)、高TC(TC=450 ℃)和優(yōu)異的平面機(jī)電耦合系數(shù)(kp=0.56)[4-5],BS-PT壓電材料體系是一種極具應(yīng)用潛力的高溫壓電材料.一些研究人員試圖用類似的陽(yáng)離子或陽(yáng)離子混合物取代昂貴的Sc元素,如( Mn1/2Zr1/2 ) 3+、In3+、Ga3+與Fe3+等[6-7].但是上述壓電材料存在介電和壓電性能的溫度穩(wěn)定性較差,需經(jīng)過元素?fù)诫s來(lái)滿足應(yīng)用于高穩(wěn)定性壓電器件的要求[8].因此,研究人員嘗試用鐿酸鉍(BiYbO3)取代鈧酸鉍(BiScO3),用TC較低但溫度穩(wěn)定性更好的Pb (ZrxTi1 -x)O3取代PbTiO3.為了獲得溫度穩(wěn)定性更好的壓電材料,對(duì)一種新的三元壓電體系(BiYbO3-Pb(ZrxTi1-x)O3(BY-PZT)進(jìn)行重構(gòu).最初,楊樂等[9]制備了(1-x)(0.1BiYbO3-0.9PbTiO3)-xPbZrO3壓電陶瓷,當(dāng)x=0.45時(shí),壓電陶瓷具有最佳的電學(xué)性能(壓電系數(shù)d33=223 pC/N,TC=390 ℃);隨后,Shi等[10]研究了關(guān)于摻雜摩爾質(zhì)量為0.4% Fe2O3的四方相BiYbO3-Pb(Zr0.476Ti0.524)O3壓電陶瓷的電學(xué)性能,發(fā)現(xiàn)其在x=0.4時(shí),TC達(dá)到390 ℃,而d33僅達(dá)到175 pC/N.上述均使用傳統(tǒng)的氧化物固相反應(yīng)法制備壓電陶瓷,改進(jìn)的簡(jiǎn)單檸檬酸鹽溶膠—凝膠法被Cai等[11]使用來(lái)制備(1-x)(0.1BiYbO3-0.9PbTiO3)-xPbZrO3壓電陶瓷,同樣獲得優(yōu)異的電學(xué)性能(TC=393 ℃,d33=325 pC/N).大量研究表明,對(duì)于大多數(shù)壓電陶瓷材料體系,通過離子摻雜改性,提高材料壓電性能的同時(shí)也會(huì)引起TC的降低,這2項(xiàng)指標(biāo)很難同時(shí)提高[12-13].其中,La2O3作為摻雜劑在各種壓電體系中發(fā)揮著積極作用,使壓電陶瓷獲得優(yōu)越的電學(xué)性能[14].同時(shí),現(xiàn)有文獻(xiàn)對(duì)BY-PZT壓電材料體系的溫度穩(wěn)定性研究較少,尤其是研究不同含量的La2O3摻雜BY-PZT壓電陶瓷的研究鮮有報(bào)道.本研究采用傳統(tǒng)的氧化物固相反應(yīng)法制備不同La2O3摻雜量的BY-PZT三元系壓電陶瓷,并基于La3+對(duì)A位Pb2+的施主取代機(jī)制,系統(tǒng)研究了La2O3摻雜量對(duì)BY-PZT壓電陶瓷的相結(jié)構(gòu)、微觀結(jié)構(gòu),以及介電、鐵電和壓電性能的影響.
1 材料與方法
1.1 儀 器
DX-2700B型X射線衍射儀(XRD)(丹東浩元儀器有限公司),Quanta FEG 250型掃描電子顯微鏡(SEM)(美國(guó)FEI公司),TH-2829A 型阻抗儀(LCR)(常州同惠電子股份有限公司),TF-2000E型鐵電測(cè)試儀(德國(guó)aix ACCT公司),ZJ-6AN型準(zhǔn)靜態(tài)d33/d31測(cè)量?jī)x(中國(guó)科學(xué)院聲學(xué)研究所).
1.2 材 料
氧化鉍(Bi2O3)(純度為99%)、氧化鑭(La2O3)(純度為99.95%)、四氧化三鉛(Pb3O4)(純度為99%)、氧化鋯(ZrO2)(純度為99%)、氧化鈦(TiO2)(純度為99%)、無(wú)水乙醇、氧化鋯球、聚乙烯醇(PVA),均購(gòu)自成都市科隆化學(xué)品有限公司;氧化鐿(Yb2O3)(純度為99.95%),購(gòu)自上海阿拉丁生化科技股份有限公司;高溫銀漿(PC-Ag-8100)(純度為75%),購(gòu)自貴研鉑業(yè)股份有限公司.
1.3 制備工藝
采用傳統(tǒng)的氧化物固相反應(yīng)法,分2步制備配方為[0.06BiYbO3-0.94Pb (Zr0.48Ti0.52)O3]-xwt.%La2O3(BY-PZT-xLa,x=0、0.1、0.3、0.4和0.6)的壓電陶瓷.首先,按照化學(xué)計(jì)量比稱取La3O3、Bi2O3、Yb2O3、Pb3O4、ZrO2和TiO2;將這些原料在尼龍球磨罐中混合球磨6 h,酒精作為溶劑,氧化鋯球作為研磨介質(zhì);干燥后的粉料750 ℃預(yù)燒,保溫4 h;預(yù)燒后的粉體,在相同的球磨條件下進(jìn)行12 h,粉料烘干后用PVA作為粘結(jié)劑造粒;在10 MPa的單軸壓力下,將粉料壓制成直徑為10 mm,厚度為1.2 mm的圓片;進(jìn)行排膠后,將圓片1 100 ℃燒結(jié),保溫2 h以獲得致密的陶瓷;為實(shí)現(xiàn)電測(cè)量,陶瓷拋光后在2個(gè)表面絲網(wǎng)印刷銀電極,在700 ℃下燒結(jié)10 min,最后施加 3 kV/mm直流電場(chǎng),將陶瓷在高溫(150 ℃)硅油浴中,進(jìn)行極化,并保壓30 min.
1.4 樣品表征
粉末樣品通過XRD在Cu靶和Kα輻射源下以掃描步長(zhǎng)0.02°采集樣品的晶體結(jié)構(gòu).在SEM上觀察樣品的表面微觀形貌.通過附在SEM上的能譜儀(EDS)對(duì)x=0.1的成分進(jìn)行了元素分析.在100 Hz~1 MHz的頻率范圍內(nèi),通過與可編程爐連接的LCR測(cè)量檢測(cè)樣品的相對(duì)介電常數(shù)(εr)和介電損耗因子(tan δ)隨溫度的變化關(guān)系(室溫~500 ℃).使用鐵電測(cè)試儀測(cè)量樣品在1 Hz下的電滯回線和應(yīng)變曲線.樣品的d33由準(zhǔn)靜態(tài)d33/d31測(cè)量.將樣品置于高溫爐中,在不同溫度下進(jìn)行老化4 h,等待自然冷卻至室溫,并測(cè)量其d33,以此來(lái)考察樣品的熱穩(wěn)定性.
2 結(jié)果與分析
2.1 相結(jié)構(gòu)
圖1(A)為BY-PZT-xLa壓電陶瓷粉末的XRD譜.根據(jù)JCPDS卡片(PDF#33-0784)中的標(biāo)準(zhǔn)衍射峰對(duì)應(yīng)圖1(A)中的衍射峰,揭示其具有四方相的鈣鈦礦結(jié)構(gòu).為了進(jìn)一步研究陶瓷的相演變,在2θ范圍內(nèi)42°~46°的XRD譜進(jìn)行分峰擬合,如圖1(B)所示.通過對(duì)衍射峰分裂特征的分析,可以確定La2O3摻雜并沒有引起各樣品中四方相的變化.(002)與(200)衍射峰伴隨著La2O3含量的增加向右邊移動(dòng),顯示出不同的四方畸變(c/a).
2.5 壓電性能
當(dāng)作為高溫壓電傳感器的敏感元件時(shí),極化后的壓電陶瓷其熱退極化行為決定了其壓電效應(yīng)的上限溫度.圖10為BY-PZT-xLa壓電陶瓷的熱退極化行為.首先,在室溫(熱退極化前)下,x=0.1樣品的d33高達(dá)320 pC/N,遠(yuǎn)高于未摻雜樣品的壓電性能(x=0時(shí),d33=238 pC/N);其次,對(duì)于x=0.1的樣品,其d33在300 ℃退火4 h后仍保持在298 pC / N,表現(xiàn)出優(yōu)異的熱穩(wěn)定性.在200 ℃以下,樣品的d33可以保持穩(wěn)定,這表明BY-PZT-xLa壓電陶瓷可能存在極少部分熱不穩(wěn)定的非180°疇壁被調(diào)回.在200~325 ℃之間,除純樣品外,其他樣品的d33隨退火溫度的升高略有下降,表明摻雜引起的晶格畸變使其不穩(wěn)定.隨著退火溫度的升高,從325~400 ℃所有樣品的d33迅速降低,對(duì)于任何正常的鐵電體,當(dāng)退火溫度接近其TC時(shí),本征偶極子是隨機(jī)的,導(dǎo)致其壓電性能迅速惡化,該溫度區(qū)間的中心可作為退極化溫度Td.由圖可知,BY-PZT-xLa壓電陶瓷退極化溫度Td為350 ℃.值得注意的是,在TC以上退火后,BY-PZT-xLa壓電陶瓷中的d33值仍然可以測(cè)量到,這可能是由于疇結(jié)構(gòu)或剩余凈極化的一些不可逆變化.最后,由于少量La2O3摻雜對(duì)BY-PZT壓電陶瓷實(shí)現(xiàn)了軟摻雜作用,制備的x=0.1樣品實(shí)現(xiàn)高TC(388 ℃)和高d33(320 pC/N).該材料不僅具有良好的熱穩(wěn)定性,而且可以作為工作在300 ℃以上高溫壓電傳感器的優(yōu)異敏感元件.
3 結(jié) 論
本文研究了不同La2O3摻雜量對(duì)BY-PZT 三元系壓電陶瓷微觀結(jié)構(gòu)、介電性能、壓電性能和鐵電性能的影響,主要得到以下結(jié)論:
1)所有樣品均呈純四方相鈣鈦礦結(jié)構(gòu),La2O3摻雜后導(dǎo)致晶粒細(xì)化.
2)La2O3摻雜雖然使得BY-PZT-xLa壓電陶瓷的TC有所降低,但少量La2O3(x=0.1)摻雜可以大幅度提高體系的εr,并降低TKε.
3)BY-PZT-xLa壓電陶瓷的鐵電—順電相變行為存在一定的彌散相變特征.
4)過量的La2O3摻雜(x>0.1)會(huì)引入過多的缺陷,從而抑制鐵電疇的翻轉(zhuǎn),導(dǎo)致P-E曲線被束縛.
5)組分x=0.1的TC為388 ℃,室溫d33值為320 pC/N時(shí),在300 ℃退火4 h后d33仍保持在298 pC/N,表現(xiàn)出優(yōu)異的熱穩(wěn)定性.
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(責(zé)任編輯:伍利華)
Abstract:
In this paper,0.06BiYbO3-0.94Pb(Zr0.48Ti0.52)O3-xwt.%La2O3(BY-PZT-xLa) ternary piezoceramics were prepared by the traditional solid-state reaction method.The doping level effects of La2O3 on the microstructures and electrical properties of the BY-PZT-xLa piezoceramics were investigated.BY-PZT-xLa piezoceramics presented the pure tetragonal perovskite structure,and the decrease in lattice parameters with increase in x demonstrated the successive corporation of La2O3 into the perovskite structure of BY-PZT piezoceramics.The substitution of La3+ for Pb2+ at A-site also depressed the gain growth of ceramics.With increasing x,both loss factor and Curie temperature (TC) of the BY-PZT-xLa piezoceramics decreased,a small amount of La2O3 dopants(x=0.1) was found to greatly increase the dielectric constant of the system as well as to decrease the temperature coefficient of dielectric constant.The modified Curie-Weiss law was used to study the dielectric behavior of BY-PZT-xLa piezoceramics above TC,a weakened diffusion phase transition was identified in the compositions.But excessive La2O3 doping (x> 0.1) the reversal of ferroelectric domains due to the introduction of excessive ion defects caused in a pinned P-E loop.Among the BY-PZT-xLa piezoceramics,the composition with x=0.1 exhibited both a high Curie temperature (388 ℃),a large piezoelectric constant (320 pC/N),and a good thermal stability (350 ℃),which had great application potential in the high-temperature piezoelectric devices.
Key words:
BY-PZT;La2O3-doped;diffusion phase transition;ferroelectric hysteresis loop;piezoelectric properties;thermal depoling behavior.