白雪園 劉顯波 陳龍慶 王正上 楊勇飛 鄭洲

摘要：本文利用等離子體化學(xué)氣相沉積PECVD（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition）技術(shù)制備了銅基-石墨烯復(fù)合薄膜，通過X射線衍射及Raman光譜證實(shí)了低溫合成的可行性. 同時(shí)，逐步研究壓強(qiáng)、功率、氣流量、基底溫度等關(guān)鍵參數(shù)對(duì)沉積速率的影響，實(shí)現(xiàn)了對(duì)薄膜材料厚度和生長(zhǎng)過程的準(zhǔn)確控制. 進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn)，H ?2 與CH ?4 的氣體比例嚴(yán)重影響了等離子體與基底表面的相互作用，并導(dǎo)致了材料表面微觀結(jié)構(gòu)和粗糙度的協(xié)同改變. 通過工藝參數(shù)和氣體配比的優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了對(duì)薄膜表面結(jié)構(gòu)的有效調(diào)節(jié). 當(dāng)H ?2 /CH ?4 為1∶12時(shí)，薄膜的粗糙度最低，電子與聲子的散射源被充分抑制，電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率分別達(dá)到8.3×10 ?6 ?S/cm與158 W/m·K，表明該材料具有良好的導(dǎo)電性及優(yōu)秀的散熱效果. 本文系統(tǒng)優(yōu)化PECVD生產(chǎn)過程中的各項(xiàng)關(guān)鍵工藝參數(shù)，并詳細(xì)分析了氣體配比、表面結(jié)構(gòu)、粗糙度及薄膜宏觀物性之間的關(guān)聯(lián)，為銅基-石墨烯復(fù)合薄膜的工業(yè)化生產(chǎn)和商業(yè)化應(yīng)用提供了理論支撐和實(shí)驗(yàn)依據(jù).

關(guān)鍵詞：PECVD； 銅膜； 石墨烯； 電導(dǎo)率

中圖分類號(hào)： ?O484.1??文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A??DOI：10.19907/j.0490-6756.2023.055002

收稿日期： ?2023-06-25

基金項(xiàng)目： ?化工材料研究所學(xué)科基金（2021SJYBXM0217）

作者簡(jiǎn)介： ??白雪園（1990-）， 男， 河南南陽人， 博士研究生， 研究方向?yàn)楸∧げ牧?

通訊作者： ?鄭洲.E-mail： zhengzhou@caep.cn

Synergistic tuning of microstructure， electrical， and thermal properties of ?Cu-graphene films as-grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition

BAI Xue-Yuan ?1，2 ， LIU Xian-Bo ?1 ， CHEN Long-Qing ?3 ， ?WANG Zheng-Shang ?1，4 ， YANG Yong-Fei ?1，4 ， ZHENG Zhou ?1

（1. Institute of Chemical Materials， China Academy of Engineering Physics， Mianyang 621900， China;

2. Public Safety Laboratory， Sichuan Police College， Luzhou 646000， China;

3. Key Laboratory of Radiation Physics and Technology of Ministry of Education， Institute of ?Nuclear Science and Technology， Sichuan University， Chengdu 610064， China;

4. Sichuan Research Center of New Materials， Chengdu 610000， China）

In this work， Cu-graphene composite films were prepared by the plasma-enhanced chemical vapor deposition （PECVD）. The feasibility of the low-temperature synthesis was confirmed through X-ray diffraction and Raman spectroscopies. Simultaneously， influences of such key parameters as the pressure， power， gas flow rate， and substrate temperature on the deposition rate were systematically investigated， and precise controls of the film thickness and growth process were achieved. Moreover， the gas ratio of H ?2 ?to CH ?4 ?was demonstrated to seriously influence the interaction between the plasma and the substrate surface， resulting in a synergistic change of the material surface microstructure and roughness. The surface structures of the thin films were modulated effectively by optimizing the technical parameters and gas composition. The roughness of the film prepared at the H ?2 /CH ?4 ?ratio of 1∶12 is the lowest， and the electrical and thermal conductivities are 8.3×10 ?6 ?S/cm and 158 W/m·K， respectively， meaning significant suppression of electronic and phononic scattering. This indicates that this material has properties of outstanding conductivity and heat dissipation. In this paper， the key technical parameters in PECVD were methodically optimized and the relationships among the gas composition， surface structure， roughness， and macroscopic properties of the thin films were analyzed， which offer theoretical supports and experimental evidence for industrial production and commercial application of Cu-graphene composite thin films.

PECVD; Copper film; Graphene; Electrical conductivity

1 引 言

銅膜具有質(zhì)量輕、成本低、電學(xué)性質(zhì)與熱學(xué)性質(zhì)優(yōu)異等特點(diǎn)，被廣泛用于薄膜晶體管、柔性電池、爆炸箔等領(lǐng)域 ?［1， 2］ . 隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，銅膜表面電流密度成倍增長(zhǎng)，由電遷移導(dǎo)致的薄膜扭曲變形現(xiàn)象日益涌現(xiàn)，成為了業(yè)界必須面對(duì)的難題 ?［3］ . 近年來，在器件中引入二維石墨烯材料以抑制電遷移的研究日益受到關(guān)注. Li團(tuán)隊(duì) ?［4］ 在銅電極表面原位生長(zhǎng)了石墨烯薄膜，抑制了銅表面缺陷對(duì)電子輸運(yùn)的影響，從而大幅改善器件的電遷移現(xiàn)象. Son等 ?［5］ 利用石墨烯與銅膜材料形成復(fù)合薄膜，通過載流子調(diào)控顯著降低了電流密度，提高了電子器件的可靠性. 需要注意的是，銅基-石墨烯復(fù)合薄膜的平整度、缺陷、厚度等因素都會(huì)顯著影響材料的宏觀物性 ?［6］ . 因此探索一種合成高品質(zhì)復(fù)合薄膜的方法對(duì)于實(shí)驗(yàn)研究與工業(yè)生產(chǎn)具有十分重要的意義.

目前，學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界已經(jīng)開發(fā)了諸多制備銅基-石墨烯復(fù)合薄膜的方法. 其中，催化法是較為常見的一種，即利用催化劑生長(zhǎng)石墨烯后再轉(zhuǎn)移到銅膜上形成復(fù)合薄膜 ?［7］ . 但近期的研究表明，轉(zhuǎn)移過程可能導(dǎo)致石墨烯損傷或在疊層間引入污染物質(zhì)，對(duì)復(fù)合薄膜的熱學(xué)和電學(xué)穩(wěn)定性造成不利影響 ?［8-10］ . 此外，雙層薄膜的結(jié)合也可能引發(fā)石墨烯晶格缺陷，降低材料的電導(dǎo)率 ?［11］ . 由此，基于銅膜直接生長(zhǎng)石墨烯的化學(xué)氣相沉積法（Chemical Vapor Deposition，CVD）就日益受到重視. Wang等 ?［12］ 在1050 ℃下分別通入H ?2 、CH ?4 和Ar 氣體，成功在銅基底上生長(zhǎng)了石墨烯薄膜. Soganci團(tuán)隊(duì) ?［13］ 利用CVD技術(shù)在高溫下生長(zhǎng)了單層石墨烯，并通過控制納米銅顆粒的尺寸分布優(yōu)化了薄膜的電流響應(yīng)，使其具備了用于無酶葡萄糖傳感器領(lǐng)域的潛力. 然而，為了保證碳源的充分反應(yīng)，在CVD法生長(zhǎng)石墨烯的過程中必須長(zhǎng)期保持高溫狀態(tài)，這無疑提高了工藝難度和生產(chǎn)成本，更加劇了爐內(nèi)揮發(fā)物質(zhì)污染薄膜的風(fēng)險(xiǎn) ?［14］ . 更重要的是，高溫同樣限制了高分子材料鍍層或基底的引入，進(jìn)而大幅縮小了復(fù)合薄膜材料在柔性電池和爆炸箔等方向的應(yīng)用范圍 ?［15］ . 因此，亟需開發(fā)一種低溫環(huán)境下無需轉(zhuǎn)移的銅基-石墨烯復(fù)合薄膜制備技術(shù).

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）是近年來一種新興的薄膜制備工藝，已經(jīng)成功應(yīng)用于生產(chǎn)氮化硅和碳化硅等薄膜材料 ?［16］ . 不同于傳統(tǒng)CVD工藝需要高溫來促進(jìn)氣體分子之間的反應(yīng)，PECVD主要利用射頻分解工作氣體從而形成等離子體，在等離子體作用下各類氣體的電子、離子和活性基團(tuán)等進(jìn)行反應(yīng)，并沉積在基底表面形成薄膜 ?［17］ . 這種方式顯著降低了腔室溫度，提高了反應(yīng)速率，從而有效提升了薄膜材料的電學(xué)、熱學(xué)與力學(xué)性質(zhì). 可以看出，采用PECVD法制備銅基-石墨烯復(fù)合薄膜將有望解決傳統(tǒng)工藝中轉(zhuǎn)移、高溫等問題. Lu等 ?［18］ 采用PECVD技術(shù)成功在柔性銅電極上蒸鍍了石墨烯材料，腔室溫度始終控制在 100 ℃ 附近. 盡管現(xiàn)有研究初步證實(shí)了PECVD低溫生長(zhǎng)石墨烯的可行性，但對(duì)于銅基-石墨烯復(fù)合薄膜的具體合成工藝仍缺乏有效探索，尤其是工藝參數(shù)、薄膜微結(jié)構(gòu)等，對(duì)材料性能如電學(xué)性能和熱學(xué)性能的影響研究更是少有關(guān)注.

針對(duì)上述現(xiàn)象，本文擬采用PECVD法，以銅靶為原料，Ar氣為等離子體，利用H ?2 與CH ?4 為反應(yīng)氣源探索銅基-石墨烯復(fù)合薄膜合成工藝. 在保持其他實(shí)驗(yàn)參數(shù)不變的情況下，詳細(xì)分析壓強(qiáng)、功率、氣流量和基底溫度對(duì)薄膜沉積速率的影響. 在優(yōu)化其他工藝參數(shù)的基礎(chǔ)上，重點(diǎn)研究H ?2 與CH ?4 的比例對(duì)薄膜表面微結(jié)構(gòu)和粗糙度的作用機(jī)制，進(jìn)而探究基于PECVD法合成復(fù)合薄膜過程中電學(xué)性質(zhì)與熱學(xué)性質(zhì)的調(diào)控機(jī)制，為后續(xù)低溫制備高品質(zhì)銅基-石墨烯復(fù)合薄膜及其在電子器件中的應(yīng)用提高理論參考和實(shí)驗(yàn)支撐.

2 制備與表征

2.1 銅基-石墨烯復(fù)合薄膜的制備

本實(shí)驗(yàn)采用PECVD-300型等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備（沈陽金研），其搭配Ar、N ?2 、H ?2 和CH ?4 等特氣系統(tǒng)，最大鍍膜直徑300 mm. 上掀蓋配備圓形進(jìn)氣勻氣盤，同時(shí)搭配耦合電極引入射頻電源. 電極和基片之間的距離可以通過控制系統(tǒng)設(shè)置基片上下位移實(shí)現(xiàn)連續(xù)調(diào)節(jié). 襯底內(nèi)置加熱器模塊，溫度為外加熱方式，采用數(shù)顯溫控儀控溫. 實(shí)驗(yàn)時(shí)，將p型單晶拋光硅片置于丙酮和乙醇溶液中超聲清洗15 min，用N ?2 氣吹干后再轉(zhuǎn)移到腔室內(nèi). 機(jī)械泵和羅茨泵首先將腔室真空抽至1×10 ?-3 ?Torr，分子泵隨之進(jìn)一步抽真空使系統(tǒng)更適合鍍膜. 以2 inch（50.8 mm）銅靶作為靶材，以Ar氣作為工作氣體. 調(diào)節(jié)功率啟輝，利用Ar氣等離子體轟擊基底材料去除表面污垢和附著物. 設(shè)置基底溫度，控制Ar氣流量，調(diào)節(jié)H ?2 與CH ?4 比例分別為1∶2、1∶4、1∶8、1∶12，利用等離子轟擊銅靶進(jìn)行鍍膜，沉積時(shí)間10 min. PEVD設(shè)備基本結(jié)構(gòu)及沉積鍍膜過程如示意圖1所示.

2.2 測(cè)試與表征

利用PECVD分別制備石墨烯薄膜和銅薄膜后，采用X射線衍射XRD分析材料的物相信息（DX-2700，丹東浩元）. 激光共聚焦Raman光譜儀（HR Evolution，德國(guó)Horiba）用以表征石墨烯的特征峰位，通過峰位強(qiáng)度計(jì)算缺陷密度. 利用掃描電鏡SEM （VEGA 3 SBH，捷克Tescan）觀察復(fù)合薄膜的表面基本形貌特征. 薄膜的微觀結(jié)構(gòu)、糙度等信息均由原子力顯微鏡AFM （Dimension edge，德國(guó)布魯克）獲得. 采用四探針法（RTS-8，廣州四探針科技）測(cè)試薄膜材料的電導(dǎo)率. 利用激光導(dǎo)熱儀（LFA457，德國(guó)耐馳）測(cè)試薄膜的熱擴(kuò)散系數(shù)，并通過薄膜的比熱和密度計(jì)算出對(duì)應(yīng)條件下的熱導(dǎo)率.

3 結(jié)果和討論

3.1 銅基-石墨烯復(fù)合薄膜的表征

XRD是獲取材料物相信息的重要手段 ?［19， 20］ ，但對(duì)于銅基-石墨烯復(fù)合薄膜而言，石墨烯層生長(zhǎng)在銅層之上，在測(cè)試過程中必然會(huì)產(chǎn)出相互影響. 鑒于此，我們基于PECVD法分別制備了石墨烯薄膜和銅薄膜進(jìn)行表征測(cè)試. 由圖2a的XRD圖譜可見，石墨烯薄膜在26.5°附近出現(xiàn)特征峰，屬于石墨烯的標(biāo)準(zhǔn)峰位 ?［21］ . 此外，銅薄膜的特征峰位置顯現(xiàn)在43.5°附近，對(duì)應(yīng)了銅膜材料的（111）晶面，證實(shí)了銅膜制備的成功 ?［5］ .

在證明PECVD法制備銅基-石墨烯復(fù)合薄膜的合理性后，我們進(jìn)一步測(cè)試了該材料的Raman光譜. 從圖2b可以看出石墨烯的三個(gè)特征峰位，D峰、G峰以及2D峰. 其中，G峰的相對(duì)強(qiáng)度顯著高于D峰，表明非晶碳的出現(xiàn) ?［18］ . 因此，我們進(jìn)一步采用公式分析石墨烯膜層的缺陷情況 ?［22］ .

n ?D（cm ??-2 ）=（7.3±2.2）× 10 ?9E 4 ?L ??I ?D ?I ?G ????（1）

其中， n ??D 為每平方厘米石墨烯所含缺陷個(gè)數(shù); ?E ??L 為激光強(qiáng)度; ?I ??D 與 I ??G 則分別為石墨烯D峰與G峰的強(qiáng)度. 結(jié)果表明，石墨烯缺陷密度約為1.4×10 ?11 ～2.7×10 ?11 ，與其他工藝較為接近，證實(shí)了PECVD法合成石墨烯的優(yōu)勢(shì) ?［23］ .

圖2c和2d展示了銅基-石墨烯復(fù)合薄膜的表面微觀形貌結(jié)構(gòu). 從圖2c中可以清楚看出，沉積生長(zhǎng)的石墨烯層層堆疊，并形成褶皺. 圖2d則顯示，在銅膜晶界處，石墨烯容易出現(xiàn)斷裂和不均勻分布. 這是因?yàn)槭┰诔练e生長(zhǎng)過程中，銅膜晶界與活性基團(tuán)親附性不足，導(dǎo)致石墨烯生長(zhǎng)不完全.

3.2 ?銅基-石墨烯復(fù)合薄膜工藝參數(shù)優(yōu)化及沉積速率研究

在銅基-石墨烯復(fù)合薄膜的沉積過程中，PECVD設(shè)備參數(shù)如壓強(qiáng)、氣流量、基底溫度等對(duì)成膜質(zhì)量至關(guān)重要，因此如何優(yōu)化實(shí)驗(yàn)參數(shù)成為了我們面臨的重要難題. 反應(yīng)過程中，Ar氣形成等離子體并轟擊H ?2 與CH ?4 產(chǎn)生活性基團(tuán)，而活性基團(tuán)的運(yùn)動(dòng)進(jìn)一步?jīng)Q定了石墨烯中C=C鍵的含量 ?［22］ . 為了有效分析成膜過程，我們引入活性基團(tuán)平均自由程 λ 公式 ?［24］ .

λ= k ?B T ?2 πpσ 2 ??（2）

其中， k ??B 為玻爾茲曼常數(shù); p 為系統(tǒng)壓強(qiáng); T 為溫度; σ 為分子直徑. 從式（2）可以明顯看出，由于薄膜沉積過程中氣體已經(jīng)確定，分子直徑不會(huì)變化，因此對(duì)平均自由程影響最大的參數(shù)為系統(tǒng)壓強(qiáng). 考慮到恒定溫度下，活性基團(tuán)平均自由程 λ 與壓強(qiáng) p 成反比，即系統(tǒng)壓強(qiáng)減小時(shí)活性基團(tuán)平均自由程增大，導(dǎo)致Ar氣誘發(fā)的等離子體間碰撞概率降低，進(jìn)一步影響了H ?2 與CH ?4 產(chǎn)生活性基團(tuán)的概率和C=C鍵的含量. 上述理論與我們的實(shí)驗(yàn)結(jié)果極為符合. 據(jù)此，我們描述了薄膜沉積速率與壓強(qiáng)之間的關(guān)系，如圖3a所示. 可以看出，薄膜沉積速率隨壓強(qiáng)升高而增大，表明系統(tǒng)壓強(qiáng)提高的情況下提高了活性基團(tuán)能量和C=C鍵含量.

此外，壓強(qiáng)升高還能引發(fā)分子間碰撞次數(shù)的增加，進(jìn)而提高二次電子發(fā)射的概率. 湯森德放電理論對(duì)此有明確的解釋 ?［25］ .

j 0= 4σ 0μ ?i V 2 ?n ?d 3 ?n ??1+γ ??（3）

其中， j ??0 表示電流密度; ?σ ??0 表示真空介電常數(shù); ?μ ??i 表示離子遷移率; ?V ??n 表示陰極位降; ?d ??n 表示陰極位降區(qū)厚度; ?γ 表示第三電離系數(shù). 依據(jù)式（3）可以明顯看出，二次電子發(fā)射的提升可以有效增大電離系數(shù) γ 并降低陰極位降區(qū)厚度 d ??n ，從而導(dǎo)致電流密度 j ??0 的升高. 由此可知，隨著壓強(qiáng)進(jìn)一步增加，電流密度 j ??0 得到顯著提升，進(jìn)而提高了薄膜的沉積速率，如圖3a所示. 然而，當(dāng)系統(tǒng)壓強(qiáng)大于 40 Pa 后等離子體間的碰撞概率不再變化，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡狀態(tài). 活性基團(tuán)能量隨之降低，導(dǎo)致薄膜不再產(chǎn)生沉積行為，因此沉積速率明顯降低.

圖3b分別展示了薄膜沉積速率隨功率的變化關(guān)系. 可以看出，沉積速率隨功率的提高而增加. 由式（3）可知，功率增加意味著陰極位降和電流密度的提高，即有效增強(qiáng)了腔室內(nèi)等離子體轟擊靶材并沉積鍍膜的能力. 需要注意的是，功率達(dá)到 80 W 后，增長(zhǎng)速率顯著放緩，側(cè)面證實(shí)沉積速率不能無限提高. 此外，過高的功率雖有助于薄膜的快速沉積，但長(zhǎng)期使用可能損傷射頻電源. 與之相比，沉積速率隨氣流量的變化則展示出先上升后下降的趨勢(shì)，如圖3c所示. 這種變化與等離子中H ?2 與CH ?4 的濃度密不可分. 當(dāng)氣體流量增加時(shí)，H ?2 與CH ?4 的濃度隨著提高，因而降低了活性基團(tuán)的平均自由程λ，使得碰撞概率有效增加，由此提升了沉積速率. 而氣流量達(dá)到一定程度后，活性基團(tuán)的碰撞概率達(dá)到峰值，因此沉積速率不再隨氣流量而提升.

傳統(tǒng)CVD法生長(zhǎng)石墨烯薄膜通常需要1000 ℃ 以上的高溫，極易導(dǎo)致基底材料受熱變形 ?［18］ . 相較而言，PECVD可以實(shí)現(xiàn)石墨烯薄膜的低溫沉積. 圖3d為薄膜沉積速率與溫度的關(guān)系. 在 200 ℃ 以下時(shí)，沉積速率隨溫度增加. 這是因?yàn)楫?dāng)基底溫度升高時(shí)，活性位點(diǎn)增加，更有利于與活性基團(tuán)之間的相互作用從而促進(jìn)沉積. 由式（2）可知，隨著溫度繼續(xù)升高，活性基團(tuán)平均自由程λ不斷擴(kuò)大，基團(tuán)之間的相互碰撞概率反而降低. 因此，溫度過高時(shí)，薄膜的沉積速率不再增加. 盡管如此，仍能看出基于PECVD法制備銅基-石墨烯復(fù)合薄膜所需的溫度遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)CVD工藝，充分展示了PECVD低溫生長(zhǎng)薄膜材料的優(yōu)勢(shì).

3.3 ?銅基-石墨烯復(fù)合薄膜的表面形貌與粗糙度分析

前文討論了壓強(qiáng)、功率等工藝參數(shù)對(duì)復(fù)合薄膜沉積速率的影響，并進(jìn)行了參數(shù)優(yōu)化. 但需要注意的是，在PECVD制備工藝中還有一組參數(shù)同樣值得重視，即H ?2 /CH ?4 比例. 相關(guān)研究已經(jīng)證實(shí)，氣體比例嚴(yán)重影響了薄膜的表面形貌和粗糙度 ?［3， 18］ ，從而決定了薄膜材料的熱學(xué)與電學(xué)性能. 因此我們也需要分析其對(duì)銅基-石墨烯復(fù)合薄膜的影響.

為準(zhǔn)確分析不同氣體比例對(duì)于薄膜材料的影響，我們采用控制變量法進(jìn)行相關(guān)研究. 在前文各類參數(shù)均得到優(yōu)化的條件下，我們調(diào)節(jié)了不同的H ?2 與CH ?4 比例進(jìn)行了復(fù)合薄膜的沉積實(shí)驗(yàn). ?圖4展示了不同H ?2 /CH ?4 氣體比例下（H ?2 /CH ?4 ?= 1∶2、 ???1∶4 、1∶8、1∶12）銅基-石墨烯復(fù)合薄膜的表面形貌結(jié)構(gòu)，測(cè)試范圍為2 μm × 2 μm. 從中可以明顯看出，薄膜表面結(jié)構(gòu)密實(shí)，無明顯缺陷或雜質(zhì). 值得注意的是，四組樣品的粗糙度 R ??q 分別為7.45、4.52、1.49和1.36 nm，即粗糙度隨著H ?2 /CH ?4 比例增大而減小. 顯然，薄膜表面結(jié)構(gòu)與等離子相互作用密切相關(guān)，為此可以考慮引入懸浮電位??［26］ .

φ=- k ?B T ?e ?2 e ??1+ ln ??m ?i ?2πm ?e ?????（4）

其中， k ??B 為玻爾茲曼常數(shù); ?T ??e 為電子溫度; e為電子電荷; ?m ??i 為離子質(zhì)量; ?m ??e 為電子質(zhì)量. 當(dāng)H ?2 /CH ?4 比例增大時(shí)，離子質(zhì)量 m ??i 也隨之提升. 在溫度的不變情況下， m ??i 與 m ??e 的比值增大，由此懸浮電位得到提升. 進(jìn)一步可以推知，CH ?4 氣體比例增大時(shí)，與基底反應(yīng)的離子能量e增大，促進(jìn)了等離子體與基底表面的相互作用，從而使得薄膜粗糙度降低，表面更為平整. 需要注意的是，H ?2 比例不能過低，否則會(huì)促使非晶碳的形成 ?［22］ . 因此，當(dāng)H ?2 /CH ?4 比例為1∶12時(shí)，PECVD所生產(chǎn)的銅基-石墨烯復(fù)合薄膜表面最為平整，石墨烯品質(zhì)最優(yōu).

3.4 ?銅基-石墨烯復(fù)合薄膜的電學(xué)性能與熱學(xué)性能分析

在完成PECVD工藝參數(shù)優(yōu)化以后，從應(yīng)用角度考慮，我們還需進(jìn)一步分析銅基-石墨烯復(fù)合薄膜的電學(xué)性質(zhì)與熱學(xué)性質(zhì). 材料的電導(dǎo)率與熱導(dǎo)率由電子、聲子的輸運(yùn)行為所決定，而薄膜的表面結(jié)構(gòu)嚴(yán)重影響電子、聲子散射機(jī)制 ?［27］ . 考慮到H ?2 /CH ?4 比例調(diào)控了銅基-石墨烯復(fù)合薄膜的表面微結(jié)構(gòu)，因此我們重點(diǎn)分析不同氣體比例下薄膜的電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率情況.

圖5展示了銅基-石墨烯復(fù)合薄膜電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率隨H ?2 /CH ?4 比例的變化關(guān)系. 當(dāng)H ?2 /CH ?4 ?= ?1∶2 時(shí)，薄膜較為粗糙，表面結(jié)構(gòu)起伏不定，導(dǎo)致電子和聲子的散射機(jī)制過多，電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率較低. 此種情況下的薄膜材料極易出現(xiàn)電遷移現(xiàn)象，且由于熱導(dǎo)率低，熱量難以散失，不利于材料的長(zhǎng)期使用. 隨著氣體中CH ?4 含量逐步增大，等離子體與基底作用程度加劇，致使薄膜表面更為平整. 由此，電子和聲子的散射源逐漸減少，電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率則隨之增加. 隨著CH ?4 比例進(jìn)一步增加，薄膜表面愈發(fā)趨于平整，電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率的增長(zhǎng)趨勢(shì)則逐漸放緩. 此時(shí)，銅基-石墨烯復(fù)合薄膜的電導(dǎo)率約為 8.3× 10 ?6 ?S/cm，熱導(dǎo)率約為158 W/m·K，與傳統(tǒng)工藝制備的薄膜性能非常接近 ?［28］ ，充分展示了基于PECVD制備銅基-石墨烯復(fù)合薄膜的潛力和優(yōu)勢(shì).

4 結(jié) 論

在銅膜表面低溫生長(zhǎng)石墨烯材料一直是高性能電子器件領(lǐng)域備受關(guān)注的問題，本文采用PECVD法制備了銅基-石墨烯復(fù)合薄膜. 薄膜沉積過程中，基底溫度維持在100～200 ℃附近，遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)CVD法所需條件. 此外，我們系統(tǒng)探索了壓強(qiáng)、功率、氣流量、基底溫度等實(shí)驗(yàn)參數(shù)對(duì)薄膜沉積速率的影響，從而優(yōu)化了制備工藝. 通過引入離子能量e發(fā)現(xiàn)，H ?2 /CH ?4 比例增大可以有效促進(jìn)等離子體與基底表面的相互作用，從而降低薄膜表面粗糙度. 結(jié)果表明，H ?2 /CH ?4 比例達(dá)到1∶12以后，薄膜表面基本平整，粗糙度 R ??q 降至1.36 nm. 更為重要的是，薄膜的粗糙度同樣影響的材料的電學(xué)與熱學(xué)性質(zhì). 通過優(yōu)化H ?2 /CH ?4 比例使薄膜表面結(jié)構(gòu)平整，電聲子散射源大幅減少后，材料的電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率分別為8.3×10 ?6 ?S/cm及158 ?W/m·K ，達(dá)到傳統(tǒng)工藝標(biāo)準(zhǔn)，證實(shí)了PECVD具有取代CVD法，實(shí)現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)銅基-石墨烯復(fù)合薄膜的潛力.

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