王 麗,常文利,孫子琪,張子萌
(蘭州交通大學(xué)數(shù)理學(xué)院,甘肅蘭州 730070)
由于能源消耗的增加和嚴(yán)重的環(huán)境問(wèn)題,探索可持續(xù)的、生態(tài)健康的能源資源具有重要意義.熱電材料(TE)可以實(shí)現(xiàn)熱能和電能的轉(zhuǎn)換[1],這一獨(dú)特的特點(diǎn)使得熱電材料有望應(yīng)對(duì)全球能源危機(jī)的[2].熱電材料的性能由無(wú)量綱品質(zhì)因子ZT來(lái)評(píng)價(jià),其定義[3]為:
其中S為塞貝克系數(shù),σ為電導(dǎo)率,κ為電子熱導(dǎo)率κl的和晶格熱導(dǎo)率κe之和,T為溫度[4,5],S2σ為功率因子[6,7].
一般來(lái)說(shuō),較高的功率因子和較低的熱導(dǎo)率可以獲得較高的ZT值[8,9].過(guò)去的幾十年發(fā)現(xiàn)了一系列高效的熱電材料[10],ZT>1的熱電材料有Bi2Te3、Si1-xGex、PbTe等[11].然而,ZT=1的熱電材料在實(shí)際應(yīng)用中卡諾效率約為10%,這與傳統(tǒng)機(jī)械制冷的卡諾效率30%有很大差距[12].雖然研究人員已尋求多種方法以提高熱電材料的性能,但由于熱電因子之間的耦合,提高熱電材料的ZT值仍然面臨許多挑戰(zhàn).
納米結(jié)構(gòu)是提高ZT的有效途徑之一[13,14].1993年,Hicks和Dresselhaus預(yù)計(jì)低維材料中載流子的量子束縛效應(yīng)可以顯著提高功率因子[14],Zhao[15]等人也發(fā)現(xiàn)二維SnSe在923 K時(shí)ZT值高達(dá)2.62,進(jìn)一步證明低維材料是潛在的熱電材料[16].MXenes是一種新型的二維材料,由于其獨(dú)特的性質(zhì),在儲(chǔ)能轉(zhuǎn)換、環(huán)境催化、分離膜、醫(yī)學(xué)、光學(xué)和電子等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用得到了深入的研究[17].MXenes是通過(guò)從MAX相中刻蝕A元素形成的.MAX相具有層狀結(jié)構(gòu),其化學(xué)式為Mn+1AXn(n=1,2,3),其中M為早期過(guò)渡金屬,A為主族元素,X為C或N元素[18,19].蝕刻過(guò)程中,A原子通常被O、F或OH等官能團(tuán)取代,形成功能化的MXenes,化學(xué)式為Mn+1XnT2(n=1,2,3)[20].對(duì)MXenes材料熱電性能的研究主要集中在具有半導(dǎo)體性能的MXenes上,如Sc2CT2(T=O、F、OH)[21]和M2CO2(M=Ti,Zr,Hf)[22],表面功能化可以將MXenes由金屬性轉(zhuǎn)化為半導(dǎo)體性質(zhì)[23],研究表明表面功能化的Y2C具有半導(dǎo)體性質(zhì)[24],但表面功能化對(duì)Y2N的影響尚不明確,因此本文主要研究表面功能化對(duì)Y2N的電子結(jié)構(gòu)和熱電性質(zhì)的影響.
本文所有計(jì)算都基于第一性原理進(jìn)行.首先用VASP軟件包[25,26]對(duì)Y2NT2(T=O,F,OH)進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化,交換相關(guān)泛函用廣義梯度近似(GGA)+(PBE)[27],截?cái)嗄転?00 eV,原子力和能量的收斂標(biāo)準(zhǔn)分別為0.005 eV/?和10-6eV,并用14×14×1的布里淵區(qū)網(wǎng)格.結(jié)構(gòu)優(yōu)化后,用WIEN2k,一個(gè)全電勢(shì)線性化的增廣平面波方法[28]計(jì)算Y2NT2(T=O,F,OH)的能帶結(jié)構(gòu).核心電子態(tài)與價(jià)態(tài)之間的距離為-6.0 Ry,平面波截?cái)酁镽MT×Kmax=7,為了保證電子輸運(yùn)特性的收斂性,采用了更密集的k點(diǎn)網(wǎng)格15×15×1.電子輸運(yùn)性質(zhì)的計(jì)算采用的是基于半經(jīng)驗(yàn)玻爾茲曼理論的BoltzTraP2軟件包[29],因?yàn)樵摾碚撘殉晒︻A(yù)測(cè)多種熱電材料的熱電性質(zhì).
MXenes中官能團(tuán)能夠穩(wěn)定存在的位置有兩種,如圖1中模型一的A位置和模型二中的B.首先,建立如圖1所示Y2NT2(T=O,F,OH)的結(jié)構(gòu),沿c方向建立20?的真空層,產(chǎn)生單層結(jié)構(gòu),并對(duì)其結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化,發(fā)現(xiàn)O和OH官能團(tuán)位于模型一中的A位置時(shí)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,F(xiàn)官能團(tuán)位于模型二中的B位置時(shí)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定.Y2NT2(T=O,F,OH)獲得基態(tài)平衡時(shí)的晶格參數(shù)如表1所示,從表1可以看,Y2NO2中的Y-N鍵較Y2NF2中的Y-N鍵長(zhǎng),Y2NO2中的N-T鍵較Y2N(OH)2中的N-T鍵短,這是由于當(dāng)官能團(tuán)靠近N原子和Y原子時(shí),電荷重新分配造成的,同時(shí)這種差異也反映在Y2NO2中的∠TYT鍵角較大上.
圖1 Y2NT2(T=O,F,OH)的俯視圖和側(cè)視圖
表1 Y2NT2(T=O,F,OH)的平衡晶格參數(shù)、晶格常數(shù)(?)、鍵長(zhǎng)(?)、鍵角和帶隙(eV)
在穩(wěn)定基態(tài)結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,本文計(jì)算了Y2NT2(T=O,F,OH)的能帶結(jié)構(gòu)(如圖2所示).從圖2可以看出,Y2NO2和Y2N(OH)2的能帶結(jié)構(gòu)相似,因?yàn)樗鼈兎€(wěn)定的基態(tài)結(jié)構(gòu)相似,并且都顯示出半導(dǎo)體帶隙.Y2NO2形成2.4 eV的直接帶隙,價(jià)帶頂和導(dǎo)帶底都在Γ點(diǎn);Y2N(OH)2形成1.9 eV的間接帶隙,價(jià)帶頂在Γ點(diǎn),導(dǎo)帶底在M點(diǎn);Y2NF2的能帶中,有能帶貫穿了費(fèi)米能,從而顯示出金屬性質(zhì).研究表明,適當(dāng)?shù)陌雽?dǎo)體帶隙有利于材料的熱電性能.此外,由于Y2NO2和Y2N(OH)2的價(jià)帶和導(dǎo)帶之間表現(xiàn)出不對(duì)稱性,因此p型和n型載流子(電子和空穴)的有效質(zhì)量不同.對(duì)于這三種化合物,Y原子的d電子、C原子的p電子和T原子的s電子形成了價(jià)帶和導(dǎo)帶,其中C原子的p電子對(duì)價(jià)帶的貢獻(xiàn)最大,Y原子的d 電子對(duì)導(dǎo)帶的貢獻(xiàn)最大.
圖2 Y2NT2(T=O,F,OH)的能帶結(jié)構(gòu)
弛豫時(shí)間是指有外部影響時(shí)材料中電子與聲子或者雜質(zhì)發(fā)生碰撞和散射后達(dá)到熱力學(xué)平衡狀態(tài)所需要的時(shí)間,它受各種散射機(jī)制的影響,并與電子與聲子以及電子間的相互作用有關(guān)[30].半經(jīng)典的玻爾茲曼輸運(yùn)理論計(jì)算材料的輸運(yùn)性質(zhì)時(shí),沒(méi)有考慮弛豫時(shí)間,不能精確求解電導(dǎo)率和電子熱導(dǎo)率.為了精確求解電導(dǎo)率和電子熱導(dǎo)率,本文用形變勢(shì)(DP)理論[31]計(jì)算電子弛豫時(shí)間τ,即:
其中,?為約化Plank常數(shù),kB為Boltzmann常數(shù),Cβ為彈性常數(shù),Eβ為形變勢(shì)常數(shù),m★為有效質(zhì)量.本文以0.5為步長(zhǎng),在a和b方向同時(shí)施加從-2%到2%的應(yīng)變計(jì)算彈性常數(shù)和形變勢(shì)常數(shù),所得參數(shù)如表2所示.由表2可知,對(duì)于Y2NO2,p型載流子的弛豫時(shí)間大于n型載流子的弛豫時(shí)間,主要是因?yàn)閜型載流子的有效質(zhì)量大于n型載流子的有效質(zhì)量,而Y2N(OH)2的p型載流子的弛豫時(shí)間小于n型載流子的弛豫時(shí)間,主要是因?yàn)閜型載流子的形變勢(shì)常數(shù)小于n型載流子的形變勢(shì)常數(shù).
表2 Y2NO2和Y2N(OH)2在300 K時(shí)的彈性常數(shù)Cβ、形變勢(shì)常數(shù)Eβ、態(tài)密度有效質(zhì)量m*、弛豫時(shí)間τ
材料的塞貝克系數(shù)S與載流子(空穴和電子)的有效質(zhì)量有關(guān),有效質(zhì)量越大,塞貝克系數(shù)S越大[32],表2中的載流子(空穴和電子)有效質(zhì)量是根據(jù)Y2NO2和Y2N(OH)2的能帶計(jì)算出的p型和n型載流子的有效質(zhì)量,從表2中可以看出,Y2NO2和Y2N(OH)2的p型載流子的有效質(zhì)量比n型載流子的有效質(zhì)量大,也就是說(shuō)空穴的有效質(zhì)量比電子的有效質(zhì)量大,因此在同一溫度下Y2NO2和Y2N(OH)2的p型載流子的塞貝克系數(shù)S大于n型載流子的塞貝克系數(shù)S.且從圖3可以看出,塞貝克系數(shù)隨載流子濃度升高而降低,隨溫度升高而升高,這與Pisarenko關(guān)系[33]相符.
圖3 Y2NO2和Y2N(OH)2的塞貝克系數(shù)作為載流子濃度函數(shù)
根據(jù)玻爾茲曼輸運(yùn)理論,材料的電導(dǎo)率與費(fèi)米能級(jí)附近能帶的色散程度呈正相關(guān),色散程度越大,電導(dǎo)率越大.從圖2可以明顯看出,對(duì)于Y2NO2價(jià)帶的色散程度大于導(dǎo)帶的色散程度,所以理論上Y2NO2中p型載流子的電導(dǎo)率大于n型載流子的電導(dǎo)率,Y2N(OH)2導(dǎo)帶的色散程度大于價(jià)帶的色散程度,所以理論上Y2N(OH)2中n型載流子的電導(dǎo)率大于p型載流子的電導(dǎo)率.圖4為用玻爾茲曼輸運(yùn)計(jì)算的Y2NO2和Y2N(OH)2的p型和n型載流子的電導(dǎo)率,與理論預(yù)測(cè)相符,且對(duì)于Y2NO2和Y2N(OH)2的p型和n型載流子的電導(dǎo)率隨載流子的變化出現(xiàn)指數(shù)增長(zhǎng),溫度越低,這種增長(zhǎng)越快.
圖4 Y2NO2和Y2N(OH)2的電導(dǎo)率作為載流子濃度的函數(shù)
圖5為Y2NO2和Y2N(OH)2的電子熱導(dǎo)率在不同溫度下隨載流子的變化趨勢(shì),其電子熱導(dǎo)率的變化趨勢(shì)與電導(dǎo)率的變化趨勢(shì)相似,可用Wiedeman-Franz[33]定理解釋,即電子熱導(dǎo)率隨溫度降低,因?yàn)闇囟壬卟牧蟽?nèi)部載流子散射增強(qiáng),導(dǎo)致電子熱導(dǎo)率降低.載流子濃度越高,電子熱導(dǎo)率越大,當(dāng)載流子濃度大于1012cm-2時(shí),電子熱導(dǎo)率迅速增加,特別是n型的Y2NO2,所以載流子濃度不超過(guò)1012cm-2時(shí)有望獲得熱電性能更好的Y2NO2和Y2N(OH)2.
圖5 Y2NO2和Y2N(OH)2的電子熱導(dǎo)率作為載流子濃度的函數(shù)
功率因子是綜合反映材料電輸運(yùn)性質(zhì)的參數(shù),受溫度和載流子濃度的共同影響.從圖6為Y2NO2和Y2N(OH)2的功率因子可以看出,對(duì)于Y2NO2,p型載流子的功率因子大于n型載流子的功率因子,而Y2N(OH)2的則 相 反.Y2NO2和Y2N(OH)2的n型 載流子的功率因子隨著載流子濃度先增大再減小,而Y2NO2和Y2N(OH)2的p型載流子的最大功率因子并沒(méi)有出現(xiàn)在給定載流子濃度范圍(1010-1013cm-2)內(nèi),因此初步推測(cè)Y2NO2和Y2N(OH)2的p型載流子的最大ZT值不在給定的載流子濃度范圍內(nèi)(1010cm-2~1013cm-2),但具體地還要看熱導(dǎo)率.
圖6 Y2NO2和Y2N(OH)2的功率因子作為載流子濃度的函數(shù)
對(duì)于晶格熱導(dǎo)率,最常用的方法是求解玻爾茲曼輸運(yùn)方程(BTE),它涉及到聲子頻率、群速度、諧波和非諧波原子間力常數(shù)(IFCs)的計(jì)算[34,35].為了考慮三個(gè)聲子散射過(guò)程,需要用它來(lái)計(jì)算三階非諧(IFCs).Deinze等[36]利用密度泛函微擾理論(DFPT)獲得了三階IFCs來(lái)研究聲子的線寬.該方法已成功地用于求解BTE和預(yù)測(cè)材料[37-39]的晶格熱導(dǎo)率,但是這種方法需要計(jì)算多個(gè)超胞的電子結(jié)構(gòu),每個(gè)超胞都有不同的原子位移,需要大量的計(jì)算資源,因此近年又有多種低成本的計(jì)算晶格熱導(dǎo)率的方法報(bào)道,其中,Slack模型[40,41]是有效的方法之一.本文采用Slack模型,利用德拜溫度和格林艾森常數(shù)求解Y2NO2和Y2N(OH)2的晶格熱導(dǎo)率,Slack方程為:
其中:V是單位原胞的體積,ma為平均原子質(zhì)量,γ是格林愛森常數(shù);Θa是聲學(xué)德拜溫度[42],與德拜溫度不同,Θa忽略了晶體中光學(xué)聲子對(duì)晶格熱導(dǎo)率大貢獻(xiàn),只考慮了聲學(xué)聲子,可以從德拜溫度ΘD計(jì)算:
其中n為原胞中的原子個(gè)數(shù).
不同溫度下的晶格熱導(dǎo)率為[43]:
從上述公式可以看出,計(jì)算晶格熱導(dǎo)率的關(guān)鍵在于格林艾森常數(shù)γ和聲學(xué)模型德拜溫度Θa.GIBBS準(zhǔn)調(diào)諧德拜模型是僅依賴于能量作為單元體積函數(shù)的第一性原理計(jì)算[43],在計(jì)算上更容易處理.本文利用GIBBS準(zhǔn)諧波德拜模型計(jì)算了格林艾森常數(shù)和聲學(xué)德拜溫度[43].表3列出了Y2NO2和Y2N(OH)2在室溫下的晶格熱導(dǎo)率、格林艾森常數(shù)和德拜溫度.將這些參數(shù)代入公式(5),計(jì)算出晶格熱導(dǎo)率κl隨溫度的變化(如圖7所示).從圖7可以看出,Y2NO2和Y2N(OH)2的晶格熱導(dǎo)率隨溫度的升高而降低,說(shuō)明隨溫度升高,聲子對(duì)熱導(dǎo)率的貢獻(xiàn)降低,而且Y2NO2的降低速度大于Y2N(OH)2的.
表3 Y2NO2和Y2N(OH)2原胞中的原子數(shù)n、平均原子質(zhì)量ma、原胞體積V、德拜溫度ΘD、聲學(xué)德拜溫度Θa、Grüneisen參數(shù)和晶格熱導(dǎo)率κl
圖7 Y2NO2和Y2N(OH)2的晶格熱導(dǎo)率作為溫度的函數(shù)
圖8 是將塞貝克系數(shù)S、電導(dǎo)率σ和熱導(dǎo)率κ代入ZT公式得到的不同溫度下ZT隨載流子濃度的
變化情況.從圖8可知,ZT值隨溫度升高,Y2NO2和Y2N(OH)2在900 K時(shí)ZT均達(dá)到最大值.隨著載流子濃度增大,ZT值先增大后減小,其中p型Y2NO2在載流子濃度為9.05×1011cm-2時(shí)達(dá)到最大值0.90,Y2N(OH)2的p型和n型載流子的最大ZT值分別為0.91和0.92.
圖8 Y2NO2和Y2N(OH)2的ZT值作為載流子濃度的函數(shù)
通過(guò)考慮電子和聲子的輸運(yùn),本文研究了二維Y2NO2和Y2N(OH)2的熱電性質(zhì),用第一性原理方法分析它們的電子結(jié)構(gòu),求解了電子的玻爾茲曼輸運(yùn)方程.對(duì)于聲子的輸運(yùn),使用考慮了高溫極限的Slack模型計(jì)算聲子對(duì)熱導(dǎo)率的貢獻(xiàn).Y2NF2為在模型二中可能穩(wěn)定存在的金屬,Y2NO2和Y2N(OH)2為在模型一中可能穩(wěn)定存在的半導(dǎo)體,分別形成2.4 eV的直接帶隙和1.9 eV間接帶隙.通過(guò)能帶結(jié)構(gòu)計(jì)算了p型和n型載流子的有效質(zhì)量,從而驗(yàn)證了塞貝克系數(shù)的差異.通過(guò)對(duì)電子熱導(dǎo)率的分析得出,對(duì)于Y2NO2和Y2N(OH)2的載流子濃度小于1012cm-2時(shí)有利于它們的熱電性能;通過(guò)對(duì)電子導(dǎo)熱率和晶格導(dǎo)熱率的研究,發(fā)現(xiàn)電子對(duì)導(dǎo)熱率的貢獻(xiàn)占了主要部分.Y2NO2和Y2N(OH)2在900 K時(shí)有最大ZT值,尤其是p型Y2NO2,當(dāng)載流子濃度為9.05×1011cm-2時(shí)達(dá)到最大值0.90.這表明它是一種潛在的中溫?zé)犭姴牧?