半導(dǎo)體功率器件（即電力電子器件）是電力電子技術(shù)的三大核心基礎(chǔ)之一，被比作電力電子裝置的“CPU”。現(xiàn)有功率器件多采用Si基或SOI基，但是受限于自身材料特性的影響，在節(jié)能與轉(zhuǎn)換效率方面越來(lái)越顯示出他們的局限性。為解決上述問題，半導(dǎo)體功率器件除了繼續(xù)對(duì)傳統(tǒng)器件進(jìn)行新理論和新結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新研究外，也正在遵循“一代材料、一代器件、一代裝置、一代應(yīng)用”的發(fā)展趨勢(shì)，從傳統(tǒng)的Si基和SOI基向?qū)捊麕О雽?dǎo)體SiC和GaN基進(jìn)行擴(kuò)展和延伸。SiC材料具有寬帶隙、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和漂移速度等突出優(yōu)點(diǎn)，極大地提高了電力電子器件的功率處理能力，能滿足下一代電力電子裝備對(duì)更大功率、更小體積和重量以及在更惡劣條件下工作的要求，正逐步應(yīng)用于混合動(dòng)力/電動(dòng)汽車、光伏發(fā)電、列車牽引設(shè)備、高壓直流輸電設(shè)備以及艦艇、航空航天等功率電子系統(tǒng)領(lǐng)域。與傳統(tǒng)Si基功率器件相比，目前已商用化的SiC電力電子器件可將裝置功耗降低一半，從而減少甚至取消冷卻系統(tǒng)，顯著降低電力轉(zhuǎn)換器的重量和體積，因此也被譽(yù)為帶動(dòng)新能源革命的“綠色能源”器件。

大功率SiC電力電子器件已成為當(dāng)前國(guó)際上功率器件領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)和重要發(fā)展方向之一，具有極其重要的民用和軍用價(jià)值，是各國(guó)競(jìng)相搶占的能源戰(zhàn)略制高點(diǎn)。在《中華人民共和國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》中明確提出積極發(fā)展第三代半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)業(yè)，從而為我國(guó)“碳達(dá)峰，碳中和”戰(zhàn)略的實(shí)現(xiàn)提供重要的支撐。因此，我們推出了“碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù)”專題，圍繞碳化硅功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、制造技術(shù)、可靠性、系統(tǒng)應(yīng)用等方面，全面梳理和總結(jié)了器件發(fā)展現(xiàn)狀、超高壓器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、可靠性評(píng)估、柵極驅(qū)動(dòng)電路/電機(jī)驅(qū)動(dòng)、輻照效應(yīng)、高溫封裝技術(shù)等關(guān)鍵技術(shù)的最新研究進(jìn)展和成果，討論了碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展所面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)，并展望了該技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。該專題包含10篇特邀論文，將于2022年第2～6期陸續(xù)刊出。

最后，衷心感謝為本次“碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù)”專題供稿和審稿的專家們的辛勤付出，相信在大家的共同努力下，此專題能有助于推動(dòng)我國(guó)碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展進(jìn)程。