羅 婷,蘇冬萍,梁幫宏,李順濤,張勁松,陳云明,甘 泉,吳 璐,羅老永
(1.中國核動力研究設(shè)計院,成都 610213;2.四川省核設(shè)施退役及放射性廢物治理工程實驗室,成都 610213)
目前,微型機械電子系統(tǒng)技術(shù)廣泛應用于空間、深海、極地等特殊環(huán)境探索以及生物醫(yī)療中,由于其應用場景的特殊性,難以對電池經(jīng)常進行維護及更換,因此主要采用微型核電池供能[1-3]。鎳-63微型核電池是微型核電池研制中的重要攻關(guān)方向,其核心供能部件為鎳-63放射源[3-5]。鎳-63是長壽命核素,其發(fā)射的低能純β粒子能量適中,對半導體襯底無損害,因此鎳-63放射源具有使用壽命長、安全性能好、易于微型化和集成化等優(yōu)點[6-8]。
電沉積法是目前制備鎳-63放射源的重要方法之一[9-13]。Jim等[14]以硼酸作為緩蝕劑、糖精作為晶粒細化劑的鎳溶液進行電沉積,發(fā)現(xiàn)襯底基體對顆粒的形貌和殘余應力產(chǎn)生影響。胡睿等[15]研究了脈沖參數(shù)對鎳-63電鍍的影響,提出了一種正脈沖電鍍法制備模擬鎳源的方法,最終獲得了58Ni模擬源。李浩等[16]分析了換能器件表面直接加載鎳-63的加載量少、活性較低等問題,提出了一種利用氧化銦錫薄膜作為導電層材料,實現(xiàn)在透明封裝玻璃表面電鍍鎳-63源的方法。許書河等[17]采用直流穩(wěn)壓電源制備了網(wǎng)狀鎳-63低能β放射源。在常規(guī)電沉積工藝中,要求電沉積液中鎳離子濃度較高或需要大量的電沉積液,而微型核電池所用的鎳-63放射源要求表面發(fā)射率高、鍍層薄、襯底小,這就需要采用小體積、高比活度、低鎳濃度的鎳-63溶液制備高比活度的鎳-63放射源,常規(guī)電沉積工藝難以實現(xiàn)上述要求。
采用直流恒流電沉積法,對電沉積液組分及電沉積工藝參數(shù)進行研究,以期實現(xiàn)采用小體積、高比活度、低鎳濃度的鎳-63溶液制備高活度、小體積鎳-63放射源的目的,滿足微型核電池的應用及封裝需求。
DF-101S集熱式恒溫加熱磁力攪拌器:上海力辰邦西儀器科技有限公司;AG245電子天平:瑞士梅特勒-托利多公司,分度值0.01 mg;ELEMENT XR高分辨電感耦合等離子體質(zhì)譜儀:美國ThermoFisher 公司,動態(tài)線性范圍1012,最高分辨率20 000(半峰全寬);等離子體原子發(fā)射光譜儀:美國TJA公司生產(chǎn),波長范圍165~800 mm,中階梯光柵44.5 條/mm,線性范圍105;多絲正比計數(shù)器:中國核動力研究設(shè)計院;JI-C3掃描電鏡:成都航天烽火精密機電有限公司。
EDP 7000電沉積儀:法國SDEC公司,該儀器主要由陰極、陽極、電沉積瓶、控制面板、陽極升降器等組成,功率≤100 W,電流范圍0.01~0.5 A,其陰極(襯底)固定于電沉積瓶底部,陽極為鉑電極,鉑電極可旋轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速范圍10~600 r/min,同時通過旋鈕可控制其上下移動,以調(diào)節(jié)陰陽極之間距離。
乙醇(CH3CH2OH)、硫酸鎳(NiSO4·6H2O)、氯化鎳(NiCl2·6H2O)、硼酸(H3BO3)、十二烷基硫酸鈉(C12H25SO4Na)、氨基磺酸(NH2SO3H)、1-4丁炔二醇(C4H6O2)、濃硫酸(H2SO4)、氫氧化鈉(NaOH)、鹽酸(HCl):以上化學試劑均為分析純,成都科龍化工試劑廠產(chǎn)品。
鎳-63溶液為中國核動力研究設(shè)計院自制。鎳靶件為化學純度>99.9%的天然鎳金屬絲,靶件在高通量工程試驗堆內(nèi)輻照逾30 a,累計熱群中子(E<0.625 eV)注量為2×1022(cm-2·s)-1。鎳靶件分離提純得鎳-63溶液:Ni2+濃度約為1 g/L,總活度為9.47×109Bq,比活度7.9×1011Bq/L,鎳-63核純度大于99.9%。
銅襯底:紫銅材質(zhì),厚度0.8 mm,直徑20 mm;不銹鋼襯底:304不銹鋼材質(zhì),厚度0.8 mm,直徑20 mm。
紫銅襯底預處理:將紫銅襯底在無水乙醇中浸泡5 min,采用去離子水沖洗干凈,烘干。不銹鋼襯底預處理:將不銹鋼襯底在無水乙醇中浸泡5 min,采用去離子水沖洗干凈,烘干。烘干后的不銹鋼襯底在電流100 mA條件下預電沉積5 min,預電沉積液中NiSO4、HCl濃度分別為300 g/L、200 g/L。預電沉積結(jié)束后采用去離子水清洗襯底、烘干。
取適量鎳-63溶液,分別加入適量硼酸、表面活性劑、硫酸,配制得到Ni2+、硼酸、硫酸濃度分別為1、30、0.5 g/L的電沉積液,最后采用濃硫酸或濃氫氧化鈉溶液調(diào)節(jié)其pH。
將襯底固定于電沉積瓶底部,加入3 mL電沉積液,調(diào)節(jié)鉑電極與陰極(襯底)保持1 cm間距,鉑電極轉(zhuǎn)速為50 r/min,設(shè)定適當陰極電流后進行電沉積,電沉積結(jié)束后回收電沉積液。
采用去離子水沖洗鎳鍍片,烘干,采用掃描電鏡(SEM-EDS)在鍍層隨機選取多個點測量其均勻性。將鍍片裝于塑封袋中,從0.85 m的高臺跌落,再采用鑷子夾住脫脂棉蘸取無水乙醇反復擦拭鍍層,根據(jù)測量實驗前、后鍍片的質(zhì)量變化及表面是否產(chǎn)生劃痕,判斷鍍層的牢固性。
以電沉積前、后電沉積液中Ni2+的質(zhì)譜分析結(jié)果為依據(jù),采用公式(1)計算電沉積率:
(1)
式中:η為Ni2+在陰極的沉積率,%;m0、mt分別為電沉積前、后電沉積液中的Ni2+質(zhì)量,mg。
通過電感耦合等離子體質(zhì)譜法(ICP-MS)和電感耦合等離子體發(fā)射光譜法(ICP-AES)聯(lián)合分析法[18]測量、計算得到電沉積前電沉積液中鎳-63的活度,再乘以電沉積率即可得到電鍍源片的活度。ICP-MS和ICP-AES聯(lián)合分析法即分別采用ICP-MS測量鎳同位素豐度、ICP-AES測量鎳元素質(zhì)量濃度,根據(jù)公式(2)、公式(3)計算得到電沉積液中鎳-63的質(zhì)量濃度:
(2)
(3)
式中:C3、CNi分別為樣品中63Ni 質(zhì)量濃度和鎳質(zhì)量濃度,g/L;i=0、1、2、3、4;N8、N0、N1、N2、N3、N4分別為樣品中58Ni、60Ni、61Ni、62Ni、63Ni、64Ni 的同位素豐度;M8、M0、M1、M2、M3、M4分別為樣品中58Ni、60Ni、61Ni、62Ni、63Ni、64Ni的相對原子質(zhì)量;M為樣品中鎳的相對原子質(zhì)量。
根據(jù)公式(4)計算電沉積液中鎳-63的活度:
A=2.08×1012C3V
(4)
式中:A為鎳-63放射性活度,Bq;V為電沉積液體積,L;2.08×1012表示鎳-63的比活度,Bq/g。
采用多絲正比計數(shù)器以遮擋法測量鎳-63放射源片的表面發(fā)射率。采用厚度為2 mm的銅板將鎳-63放射源片完全覆蓋,分別在銅板不同位置開直徑為0.86 mm的圓孔,測量圓孔范圍內(nèi)β粒子的表面發(fā)射率,計算平均值,再根據(jù)圓孔與放射源片的面積得到鎳-63放射源的表面發(fā)射率。
配制Ni2+濃度、硼酸濃度、硫酸濃度分別為1、30、0.5 g/L的電沉積液,采用紫銅作為襯底,取3 mL電沉積液加入電沉積瓶中,調(diào)節(jié)電沉積液為不同pH,在陰極電流為40 mA時電沉積40 min。
電沉積液不同pH時電沉積率及鍍片結(jié)果分別示于圖1、圖2。由圖1、圖2結(jié)果可知,當pH≤2.5時,鍍層分布不均,松散易脫落,且電沉積率小于10%;當pH在3.5~4.5之間時,鍍層緊密、具有金屬光澤,電沉積率可達71%以上;當pH≥4.5時,鎳鍍層出現(xiàn)大量針孔狀氣孔,且鍍層發(fā)黑的現(xiàn)象明顯加劇。因此,pH控制在3.5~4.5為最佳。
圖1 電沉積液不同pH時的電沉積率
圖2 電沉積液不同pH時的鍍片圖
配制Ni2+濃度、硼酸濃度、硫酸濃度、表面活性劑濃度分別為1、30、0.5、0.1 g/L的電沉積液,采用紫銅作為襯底,取3 mL電沉積液加入電沉積瓶中,調(diào)節(jié)電沉積液pH為4,在陰極電流為40 mA時電沉積40 min。結(jié)果表明,添加不同表面活性劑對電沉積率無明顯影響,但添加氨基磺酸的鍍層更具金屬光澤。氨基磺酸可能具有抗雜質(zhì)能力,消除了低電流密度區(qū)因少量雜質(zhì)引起的鍍層發(fā)暗現(xiàn)象。同時,添加不同表面活性劑會使鎳有不同的成核成長過程,從圖3可以看出,相較于十二烷基苯磺酸鈉、1-4丁炔二醇,添加氨基磺酸可以得到分布更均勻、排列更緊密的鎳鍍層顆粒。因此,后續(xù)實驗均添加氨基磺酸作為表面活性劑,且根據(jù)實驗驗證,其濃度為0.1~0.2 g/L時鍍層質(zhì)量最佳。
配制Ni2+濃度、硼酸濃度、硫酸濃度、氨基磺酸濃度分別為1、30、0.5、0.1 g/L的電沉積液,分別采用紫銅、304不銹鋼作為襯底,取3 mL電沉積液加入電沉積瓶中,調(diào)節(jié)電沉積液pH為4,在陰極電流為40 mA時電沉積40 min。結(jié)果表明,不銹鋼作為襯底電沉積率為62.1%,紫銅作為襯底電沉積率為71.6%,比不銹鋼襯底約高10%,且紫銅襯底上的鎳鍍層更平整、緊致(圖4)??赡苁且驗殂~和鎳均是面心立方晶格,晶格常數(shù)分別為3.61 ?和3.52 ?,兩者之前的錯配度為-2.5%,差異非常小,更利于鎳層的附著。
圖4 不同襯底Ni鍍片圖
配制Ni2+濃度、硼酸濃度、硫酸濃度、氨基磺酸濃度分別為1、30、0.5、0.1 g/L的電沉積液,采用紫銅作為襯底,取3 mL電沉積液加入電沉積瓶中,調(diào)節(jié)電沉積液pH為4,在不同陰極電流條件下電沉積40 min。表1為不同陰極電流條件下的電沉積情況,結(jié)果表明,電流為10 mA時,電沉積率極低,隨著電流增大,電沉積率增加;電流為50 mA時,鎳鍍層均勻、致密,且與襯底結(jié)合緊密,不易脫落;電流大于50 mA時,鎳鍍層呈暗黑色且極易破碎、脫落。因此,電流為50 mA,即電流密度為25 mA/cm2時,鎳電沉積效果最好。
表1 不同陰極電流時電沉積的結(jié)果
配制Ni2+濃度、硼酸濃度、硫酸濃度、氨基磺酸濃度分別為1、30、0.5、0.1 g/L的電沉積液,采用紫銅作為襯底,取3 mL電沉積液加入電沉積瓶中,調(diào)節(jié)電沉積液pH為4,在陰極電流為50 mA時分別電沉積20、40、60、70、80 min。結(jié)果表明,隨著電沉積時間增加,電沉積率不斷升高,分別為45.2%、76.7%、95.9%、96.3%、96.6%。但電沉積時間超過60 min時,電沉積率隨時間的延長增長較少,且鍍層明顯變黑、出現(xiàn)針孔狀霧點,如圖5所示,這可能是后期電沉積液中Ni2+過低導致。因此,最佳電沉積時間為60 min。
圖5 不同電沉積時間鍍片圖
將電沉積60 min后的溶液回收,加熱蒸干,依次加入1.5 mg硫酸、0.3 mg 氨基磺酸、90 mg硼酸,以及2.88 mL的1 g/L Ni2+溶液,攪拌使其完全溶解,調(diào)節(jié)pH為4,電沉積60 min。電沉積液復用的電沉積率結(jié)果列于表2。由表2結(jié)果可見,經(jīng)4次復用后,電沉積率仍可達95.9%。
表2 電沉積液復用結(jié)果
第一次復用及第四次復用電沉積液所得鍍片圖示于圖6。由圖6可知,第四次復用電沉積液所得鍍層仍較平整、光亮。因此,理論上電沉積液可一直進行循環(huán)復用,不斷提高原料利用率。
圖6 電沉積液復用鍍片圖
前期采用小體積、低濃度的Ni2+電沉積液制備鎳鍍片,建立的電沉積工藝條件列于表3。
表3 電沉積工藝條件
采用以上電沉積工藝進行鎳-63放射源制備,并對電沉積液進行多次復用,通過控制電沉積時間,最終制備得到不同比活度的鎳-63放射源。其鍍層厚度為0.3~1.6 μm,處于功率密度最佳利用厚度范圍[16],避免了自吸收效應造成的輻射源浪費。鎳放射源的表面發(fā)射率及活度列于表4,該源片可滿足不同功率的微型核電池要求,目前已應用于微型核電池的研制工作中。7片放射源的活度之和為9.07×109Bq,即鎳-63放射源總活度為9.07×109Bq,所使用的鎳-63溶液總活度為9.47×109Bq,即鎳-63原料的總利用率為95.8%。
表4 鎳-63放射源情況
3.8.1牢固性檢測 將鍍片裝于塑封袋中,從0.85 m的高臺跌落,再用鑷子夾住脫脂棉蘸取無水乙醇反復擦拭鍍層,進行鍍層牢固性檢驗。一片質(zhì)量為1.441 5 g電沉積完好的鍍片重復以上操作,10次與20次跌落后鍍片質(zhì)量分別為1.441 5 g、1.441 4 g,經(jīng)過以上檢驗,鍍片的質(zhì)量無明顯變化,且鍍層表面無明顯劃痕,說明鎳鍍層與襯底結(jié)合緊密,不易脫落,牢固性良好。
3.8.2均勻性檢測 從電沉積所得的鎳鍍片中隨機選取3片進行SEM-EDS表征,其中一片鎳鍍片的SEM圖及三處不同位置的EDS圖示于圖7。由圖7可知,鎳鍍層表面整體較為平整且表面粗糙度較好,同時鎳的分布較均勻、致密,具有良好的導電性。
圖7 Ni鍍層的SEM圖與EDS圖
采用高比活度、低鎳濃度、小體積的鎳-63原料溶液在pH為3.5~4.5、氨基磺酸濃度為0.1 g/L,采用紫銅作為襯底電沉積1 h,電沉積率最高可達96%。同時,實現(xiàn)了電沉積液的循環(huán)利用,使鎳-63原料整體利用率達到95.8%,顯著降低了鎳-63源片制備成本。
通過控制電沉積時間,制備得到不同活度的小體積鎳-63放射源,鍍層厚度為0.3~1.6 μm,處于功率密度最佳利用厚度范圍,避免了輻射源的浪費及成本的增加。其表面發(fā)射率最高可達2.40×107s-1·(2πSr)-1,活度最高可達1.89×109Bq,滿足微型核電池的應用要求。