項(xiàng)飛羽,令狐榮鋒,呂 兵
(1.貴州師范大學(xué) 物理與電子科學(xué)學(xué)院,貴州 貴陽 550001;2.貴州工程應(yīng)用技術(shù)學(xué)院,貴州 畢節(jié) 551700)
分子勢(shì)能函數(shù)和分子光譜性質(zhì)是原子與分子物理學(xué)中一個(gè)重要的研究方向,它不僅是原子分子物理學(xué)和材料科學(xué)的重要基礎(chǔ)[1],而且是研究反應(yīng)動(dòng)力學(xué)的關(guān)鍵[2-4]。鈹作為一種新興材料日益被重視,是原子能、火箭、導(dǎo)彈、航空、宇宙航行以及冶金工業(yè)中不可缺少的寶貴材料。隨著計(jì)算機(jī)科學(xué)和量子化學(xué)計(jì)算的進(jìn)步,鈹?shù)幕衔镆鹆巳藗兊膹V泛關(guān)注。而BeS具有良好的熱傳導(dǎo)性,高熔點(diǎn)和強(qiáng)韌性[10],是人們比較感興趣的陶瓷制品和熒光材料,目前,BeS在高壓下的相變和有關(guān)物理性質(zhì)已引起科學(xué)工作者的廣泛關(guān)注[5,6]。
本文利用原子分子反應(yīng)靜力學(xué)的原理[1,7],推導(dǎo)出了BeS分子基態(tài)X1Σ+,第一簡(jiǎn)并激發(fā)態(tài)A1Π和第二激發(fā)態(tài)B1Σ+的離解極限,利用SAC/SAC-CI方法結(jié)合D95++,6-311++G,6-311++G**,CC-PVDZ這4個(gè)基組[11-12],分別對(duì)BeS分子的X1Σ+,A1Π和B1Σ+態(tài)進(jìn)行幾何優(yōu)化,從中優(yōu)選出6-311++G**基組,用SAC方法對(duì)基態(tài),SAC-CI方法對(duì)激發(fā)態(tài)進(jìn)行單點(diǎn)能掃描,且擬合出Murrell-Sorbie函數(shù),并計(jì)算出各階力常數(shù)和光譜常數(shù)[13-17],用SAC-CI方法理論計(jì)算的結(jié)果與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)[8]非常吻合。
BeS分子為線性雙原子分子,屬C∞V群。要獲得其基態(tài)X1Σ+,第一簡(jiǎn)并激發(fā)態(tài)A1Π和第二激發(fā)態(tài)B1Σ+的正確勢(shì)能函數(shù),必須確定其合理的離解極限[9]。 Be原子的基態(tài)為1Sg,S原子的基態(tài)為3Pg;Be原子的激發(fā)態(tài)為3Pu,S原子的激發(fā)態(tài)為1Dg,它們都屬于SO(3)群。根據(jù)wigner-witmer規(guī)則和群的直積約化理論可以得到:
Be+S→BeS
1Sg+3Pg3Σ-,3Π
(1)
1Sg+1Dg1Σ+,1Π,1Δ
(2)
3Pu+3Pg1,3,5Σ+,21,3,5Σ-,21,3,5Π,1,3,5Δ
(3)
3Pu+1Dg23Σ+,3Σ-,33Π,23Δ+2φ
(4)
可以看出,只有過程(2)和(3)才含有我們需要的1Σ+和1Π態(tài),根據(jù)微觀過程可逆性原理。即若正過程發(fā)生,則逆過程也可以發(fā)生,所以X1Σ+態(tài)的離解極限可能:
BeS(X1Σ+)→Be(1Sg)+S(1Dg)
(5)
BeS(X1Σ+)→Be(3Pu)+S(3Pg)
(6)
A1Π態(tài)的離解極限可能有:
BeS(A1Π)→Be(1Sg)+ S(1Dg)
(7)
BeS(A1Π)→Be(3Pu)+S(3Pg)
(8)
B1Σ+態(tài)的離解極限可能有:
BeS(B1Σ+)→Be(1Sg)+S(1Dg)
(9)
BeS(B1Σ+)→Be(3Pu)+S(3Pg)
(10)
又由表1所列的Be原子和S原子的光譜數(shù)據(jù)可以知道,對(duì)于X1Σ+態(tài),通道(5)的能量最小,對(duì)于A1Π態(tài),是通道(7)的能量最小,當(dāng)X1Σ+態(tài)占據(jù)通道(5)時(shí),B1Σ+態(tài)只能通過通道(10)離解才合理,所以根據(jù)能量最小優(yōu)先原則,X1Σ+態(tài)、A1Π態(tài)、B1Σ+態(tài)的合理離解極限為:
BeS(X1Σ+)→Be(1Sg)+S(1Dg)
(11)
BeS(A1Π)→Be(1Sg)+ S(1Dg)
(12)
BeS(B1Σ+)→Be(3Pu)+ S (3Pg)
(13)
表1 Be原子和S原子的光譜數(shù)據(jù)Tab.1 Spectrum data of Be and S atoms
本文分別選用D95++,6-311++G,6-311++G**,CC-PVDZ等4個(gè)基組,分別對(duì)BeS分子的X1Σ+態(tài)、A1Π態(tài)、B1Σ+態(tài)分別進(jìn)行幾何優(yōu)化,表2列出了本文部分較好的計(jì)算結(jié)果,Re和Te分別為平衡位置的核間距和絕熱激發(fā)能,對(duì)于Re和Te表中也列出了文獻(xiàn)報(bào)導(dǎo)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。由表2可以看出6-311++G**基組計(jì)算得到的平衡核間距Re和Te與實(shí)驗(yàn)值符合很好。因此,本文后面對(duì)BeS分子的基態(tài)和激發(fā)態(tài)的單點(diǎn)能掃描都使用6-311++G**基組進(jìn)行計(jì)算。
表2 BeS分子的X1Σ+,A1Π和B1Σ+態(tài)的優(yōu)化計(jì)算結(jié)果Tab.2 Optimization calculation of three electronic states X1Σ+, A1Π and B1Σ+ of BeS molecules
根據(jù)圖1,可以得到:
(14)
圖1 基態(tài)與激發(fā)態(tài)勢(shì)能曲線圖Fig.1 Curve of ground state and excitation
(15)
表3 BeS分子的X1Σ+,A1Π和B1Σ+態(tài)的 Murrell-sorbie 勢(shì)能函數(shù)Tab.3 Murrell-sorbie potential energy function of three electronic states X1Σ+, A1Π and B1Σ+ of BeS molecules
圖2給出了BeS分子的基態(tài)X1Σ+,第一簡(jiǎn)并激發(fā)態(tài)A1Π和第二激發(fā)態(tài)B1Σ+的勢(shì)能曲線。其中,線為擬合得到的Murrell-Sorbie函數(shù)勢(shì)能曲線,圓圈為單點(diǎn)能掃描的結(jié)果。由圖2可以看出,本文掃描計(jì)算得到的基態(tài)X1Σ+,第一簡(jiǎn)并激發(fā)態(tài)A1Π和第二激發(fā)態(tài)B1Σ+態(tài)離解能,與擬合得到的結(jié)果一致,其它位置的點(diǎn)、線間也吻合得很好。這說明擬合出的Murrell-Sorbie函數(shù)確實(shí)能正確表達(dá)BeS分子的基態(tài)X1Σ+,第一簡(jiǎn)并激發(fā)態(tài)A1Π及第二激發(fā)態(tài)B1Σ+的勢(shì)能函數(shù)。
圖2 BeS基態(tài)和低激發(fā)態(tài)的勢(shì)能曲線Fig.2 Potential energy curves of BeS ground state and low excited state
根據(jù)力常數(shù)與光譜常數(shù)的關(guān)系,可計(jì)算出BeS基態(tài)和激發(fā)態(tài)的光譜常數(shù)ωe、ωeχe、Be、αe。計(jì)算結(jié)果列于表4。由表4可以看出,利用標(biāo)準(zhǔn)的Murrell-Sorbie函數(shù)擬合BeS分子基態(tài),第一簡(jiǎn)并激發(fā)態(tài)和第二激發(fā)態(tài)得到的參數(shù)計(jì)算所得光譜常數(shù)與實(shí)驗(yàn)結(jié)果吻合很好。
表4 BeS分子X1Σ+,A1Π和B1Σ+態(tài)光譜常數(shù)Tab.4 Spectrum data of three electronic states X1Σ+, A1Π and B1Σ+ of BeS molecules
本文利用SAC/SAC-CI方法結(jié)合D95++,6-311++G,6-311++G**,CC-PVDZ這4個(gè)基組,分別對(duì)BeS分子的X1Σ+,A1Π和B1Σ+態(tài)進(jìn)行幾何優(yōu)化,從中優(yōu)選出6-311++G**基組,用SAC方法對(duì)基態(tài),SAC-CI方法對(duì)激發(fā)態(tài)進(jìn)行單點(diǎn)能掃描,且擬合出Murrell-Sorbie函數(shù),計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)光譜數(shù)據(jù)比較吻合。這表明,用SAC-CI方法理論計(jì)算的結(jié)果,并用Murrell-sorbie來顯示,能正確的描述BeS分子的基態(tài),第一簡(jiǎn)并激發(fā)態(tài)和第二激發(fā)態(tài)的勢(shì)能函數(shù)與光譜性質(zhì)。
貴州師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)2022年1期