王 超, 李向峰, 劉澤美, 趙 波*
(1. 華為技術(shù)有限公司, 廣東 深圳 518129; 2. 成都中電熊貓顯示科技有限公司, 四川 成都 610200;3. 太原理工大學(xué) 新材料界面科學(xué)與工程教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室, 山西 太原 030024)
白光有機(jī)發(fā)光二極管(White organic light emitting diodes,WOLED)是一種獨(dú)特的面光源,并且可以制備成柔性可彎曲器件,因此受到研究者的廣泛關(guān)注。WOLED通常由多基色光譜構(gòu)成,比如由藍(lán)光和黃光(橙紅光)的雙色互補(bǔ)色構(gòu)成,或者由藍(lán)光、綠光和紅光的三基色構(gòu)成,因此WOLED往往具有多個發(fā)光層。此外,OLED器件的發(fā)光層通常都是主客體摻雜結(jié)構(gòu),導(dǎo)致WOLED的器件結(jié)構(gòu)更為復(fù)雜。因此,發(fā)展非摻雜的、結(jié)構(gòu)簡單的WOLED具有重要意義。
采用超薄層的策略實(shí)現(xiàn)非摻雜結(jié)構(gòu)的OLED是一種被驗(yàn)證過的有效方法。研究人員不再將發(fā)光材料均勻地?fù)诫s在主體材料中形成完全的摻雜結(jié)構(gòu);而是在主體材料中的某一位置插入薄薄的一層發(fā)光材料,形成發(fā)光材料的超薄層。超薄層無需共蒸,但本質(zhì)上是摻雜劑分散在主體材料中,微觀上看等同于局部摻雜的等效結(jié)構(gòu)。這一層薄薄的發(fā)光材料可以被插在主體材料的不同位置,也可以在主體材料中插入多層,從而實(shí)現(xiàn)效率或者光譜等電致發(fā)光性能的調(diào)節(jié)[6-9]。因此,利用超薄層的策略實(shí)現(xiàn)非摻雜結(jié)構(gòu)的OLED是簡便有效的方法。近年來,由于三重態(tài)激子反向系間竄越的利用,激基復(fù)合物發(fā)光又受到研究人員的關(guān)注。激基復(fù)合物是一種分子間的電荷轉(zhuǎn)移發(fā)光,由位于給體最高占據(jù)分子軌道(Highest occupied molecular orbital,HOMO)能級上的空穴和位于受體最低未占據(jù)分子軌道(Lowest unoccupied molecular orbital,LUMO)能級上的電子之間的電荷轉(zhuǎn)移形成的電荷轉(zhuǎn)移激發(fā)態(tài),進(jìn)而輻射躍遷實(shí)現(xiàn)發(fā)光。形成的這種激基復(fù)合物電荷轉(zhuǎn)移激發(fā)態(tài)往往具有比較小的單重態(tài)-三重態(tài)能級間隙,三重態(tài)激子可以通過反向系間竄越回到單重態(tài)能級,進(jìn)而從單重態(tài)能級輻射躍遷實(shí)現(xiàn)發(fā)光[10-15]。這樣,就利用了本來非輻射躍遷的三重態(tài)激子,從而可以提高器件發(fā)光效率。因此,激基復(fù)合物是一種可以利用三重態(tài)激子反向系間竄越從而實(shí)現(xiàn)高效率發(fā)光的有效方法。前面提到,WOLED通常是主客體摻雜的多發(fā)光層結(jié)構(gòu),器件結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜;而基于激基復(fù)合物的WOLED,作為非摻雜的新型白光OLED技術(shù),具有自身的獨(dú)特研究價值。Xu等將磷光超薄層的藍(lán)光發(fā)光材料FIrpic (Iridium(Ⅲ)bis[(4,6-difluorophenyl)-pyridinato-N,C2′]picolinate)和橙光發(fā)光材料PO-01 ((Acetylacetonato)bis[2-(thieno[3,2-c]pyr-idin-4-yl)phenyl]Iridium(Ⅲ))分別插入TAPC/TPBi (di-[4-(N,N-ditolyl-amino)-phenyl]cyclohexan/1,3,5-tris(N-phenyl-benzimidazol-2-yl)benzene)界面型激基復(fù)合物的給受體中間,制備了疊層結(jié)構(gòu)的WOLED,其最大電流效率(Current efficiency,CE)和外量子效率(External quantum efficiency,EQE)分別為41.5 cd/A和18.59%[16]。Feng等將熒光發(fā)光超薄層TBRb(2,8-di(t-butyl)-5,11-di[4(t-butyl)phenyl]-6,12-di-phenylnaphthacene(tetra(t-butyl)rubrene))插入CDBP/PO-T2T(4,4′-bis(9-carbazolyl)-2,2′-dimethylbiphenyl/(1,3,5-triazine-2,4,6-triyl)tris(benzene-3,1-diyl)tris(diphenylphosphine oxide))界面型激基復(fù)合物的PO-T2T受體層,形成CDBP/PO-T2T/TBRb/PO-T2T結(jié)構(gòu),優(yōu)化后實(shí)現(xiàn)了最大CE為27.2 cd/A和EQE為11.2%的熒光WOLED[17]。Zhang等將紅光、綠光和藍(lán)光的磷光超薄層同時插入mCBP∶PO-T2T的混合型激基復(fù)合物主體,最終實(shí)現(xiàn)了最大CE、功率效率(Power efficiency,PE)和EQE分別為40 cd/A、50 lm/W和26.1%的WOLED[18]。然而,界面型激基復(fù)合物的效率往往比混合型的要低,這難以充分利用激基復(fù)合物的優(yōu)勢;而將超薄層插入混合型激基復(fù)合物中,則混合型激基復(fù)合物被多個超薄層隔開,增加了器件制備上的難度?;诖?,本文聚焦于混合型激基復(fù)合物,將發(fā)光材料以超薄層的形式置于激基復(fù)合物發(fā)光層兩側(cè),利用混合型激基復(fù)合物和超薄層的優(yōu)勢,簡化器件結(jié)構(gòu),制備了高效率非摻雜結(jié)構(gòu)的WOLED。
本工作將藍(lán)光激基復(fù)合物mCP∶PO-T2T和磷光超薄層結(jié)合起來,構(gòu)建了基于Ir(pq)2acac(~0.5 nm)/mCP∶PO-T2T/Ir(pq)2acac(~0.5 nm)結(jié)構(gòu)的雙色互補(bǔ)色和基于Ir(ppy)3(~0.5 nm)/mCP∶PO-T2T/Ir(pq)2acac(~0.5 nm)結(jié)構(gòu)的三基色非摻雜結(jié)構(gòu)WOLED。激基復(fù)合物選取具有高效率藍(lán)光發(fā)射的mCP(m-bis(N-carbazolyl)benzene)∶PO-T2T組合[19],將紅光發(fā)光磷光超薄層Ir(pq)2acac(Iridium(Ⅲ) bis(2-phenylquinoline) acetylacetonate)同時置于激基復(fù)合物發(fā)光層兩側(cè),形成雙色互補(bǔ)色的WOLED結(jié)構(gòu);而在激基復(fù)合物發(fā)光層兩側(cè)分別放置綠光磷光超薄層Ir(ppy)3(fac-tris(2-phenylpyridine)Iridium(Ⅲ))和紅光磷光超薄層Ir(pq)2acac,則形成三基色的WOLED。最終,實(shí)現(xiàn)了高效率的雙色互補(bǔ)色和三基色WOLED,同時探究了不同光色的磷光超薄層在激基復(fù)合物前后不同位置對器件性能的影響。所制備的雙色互補(bǔ)色WOLED,其最大CE、PE和EQE分別為46.1 cd/A、43.9 lm/W和22.2%;而基于三基色的WOLED實(shí)現(xiàn)的最大CE、PE和EQE分別為66.8 cd/A、63.5 lm/W和24.2%。
本文所有的OLED器件都制作在方塊電阻為10 Ω的氧化銦錫(Indium tin oxide,ITO)玻璃基板上,ITO玻璃基板先依次用丙酮、去離子水、丙酮各超聲15 min處理,然后放入干燥箱在50 ℃下烘烤4 h備用。在器件開始制備之前,ITO玻璃基板先用紫外臭氧處理15 min,然后將其裝入真空腔體進(jìn)行抽真空,直至~4×10-4Pa的真空狀態(tài)。在真空條件下,按OLED器件結(jié)構(gòu)依次熱沉積每一層,最后的鋁陰極通過掩膜板沉積,同時限定器件的有效發(fā)光面積為3 mm×3 mm。紫外-可見吸收光譜通過日立U-3900掃描分光光度計(jì)記錄得到,而光致發(fā)光(Photoluminescence,PL)光譜則由FluoroMax-4熒光光譜儀(HORIBA Jobin Yvon)測得。電致發(fā)光(Electroluminescence,EL)光譜通過和電腦連接的PR-655光譜掃描儀測試。電流-電壓-亮度特性曲線通過Keithley 2400電源結(jié)合BM-7A亮度色度計(jì)測試獲得。電流效率、功率效率和EQE通過電流密度-電壓-亮度曲線和電致發(fā)光光譜數(shù)據(jù)計(jì)算得出。所有的有機(jī)材料購買回來后直接使用,沒有進(jìn)一步提純。器件制備完成后沒有封裝保護(hù),所有的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)在大氣室溫環(huán)境下直接測試得到。
無論是雙色互補(bǔ)色還是三基色構(gòu)筑WOLED,藍(lán)光都必不可少。因此,在設(shè)計(jì)非摻雜WOLED結(jié)構(gòu)之前,先進(jìn)行藍(lán)光發(fā)光的選擇和分析。這里,選擇將給體mCP和受體PO-T2T按1∶1的比例混合形成的激基復(fù)合物作為構(gòu)建WOLED的藍(lán)光部分。為了驗(yàn)證該組合激基復(fù)合物的形成,首先表征了給受體單體以及混合薄膜的吸收光譜及PL光譜,如圖1(a)所示?;旌媳∧さ奈展庾V表現(xiàn)為給體mCP和受體PO-T2T吸收光譜的單純疊加,并未有新的吸收峰出現(xiàn);而在PL光譜中,混合薄膜則呈現(xiàn)出一個相對于mCP和PO-T2T單體發(fā)光明顯紅移的獨(dú)立發(fā)射峰。因此,吸收光譜和PL光譜測試證明了mCP和PO-T2T之間激基復(fù)合物的形成。此外,根據(jù)其他文獻(xiàn)和本課題組之前的報(bào)道,mCP∶PO-T2T激基復(fù)合物表現(xiàn)出快速的和延遲的兩個壽命成分,具有TADF特性,暗示了其高發(fā)光效率[20-21]。而在我們之前的工作中,所制備的mCP∶PO-T2T激基復(fù)合物器件,其發(fā)光峰位于473 nm,實(shí)現(xiàn)的最大CE、PE和EQE分別為11.1 cd/A、8.5 lm/W和6.0%[22]。
圖1 吸收光譜及PL光譜。(a)mCP、PO-T2T和mCP∶PO-T2T的吸收光譜和PL光譜;(b)Ir(pq)2acac和Ir(ppy)3的吸收光譜及mCP∶PO-T2T的PL光譜。
基于高能藍(lán)光激基復(fù)合物mCP∶PO-T2T,磷光超薄層選擇發(fā)紅光的Ir(pq)2acac和發(fā)綠光的Ir(ppy)3來構(gòu)筑雙色互補(bǔ)色和三基色的非摻雜結(jié)構(gòu)WOLED。磷光發(fā)光材料的吸收譜和藍(lán)光激基復(fù)合物的PL光譜如圖1(b)所示??梢钥闯?,兩者存在一定程度的交疊,驗(yàn)證了從激基復(fù)合物到磷光發(fā)光材料有效的能量傳遞[23]。
首先,構(gòu)建了基于雙色互補(bǔ)色的非摻雜結(jié)構(gòu)WOLED,所設(shè)計(jì)的器件結(jié)構(gòu)為:ITO/MoO3(3 nm)/NPB(20 nm)/mCP(10 nm)/Ir(pq)2acac(~0.5 nm)/mCP∶PO-T2T(20 nm)/Ir(pq)2acac(~0.5 nm)/PO-T2T(40 nm)/LiF(0.8 nm)/Al(100 nm),該WOLED定義為W1。其中,mCP∶PO-T2T為激基復(fù)合物發(fā)光層,實(shí)現(xiàn)藍(lán)光發(fā)射;而激基復(fù)合物兩側(cè)的Ir(pq)2acac為磷光超薄層,實(shí)現(xiàn)紅光發(fā)射。利用激基復(fù)合物層和磷光超薄層的同時發(fā)光構(gòu)筑白光。NPB(N,N′-bis-(1-naphthl)-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine)/mCP和PO-T2T層分別為空穴和電子傳輸層,而ITO/MoO3和LiF/Al分別為器件的復(fù)合陽極和復(fù)合陰極。圖2給出了所用有機(jī)材料的分子結(jié)構(gòu)式和器件的能級結(jié)構(gòu)圖。
圖2 本文所用有機(jī)材料的分子結(jié)構(gòu)式和器件的能級結(jié)構(gòu)圖
圖3展示了器件的電致發(fā)光性能,包括電流密度-電壓-亮度曲線、效率曲線和發(fā)光光譜等。W1器件實(shí)現(xiàn)了一個比較低的啟亮電壓(2.9 V)和高發(fā)光亮度(17 000 cd/m2)。效率方面,其最大CE、PE和EQE分別為46.1 cd/A、43.9 lm/W和22.2%,即使在1 000 cd/m2的亮度下,效率依舊維持在38.5 cd/A、29.6 lm/W和18.5%。低啟亮電壓和高效率預(yù)示著器件實(shí)現(xiàn)了高效的電荷注入、傳輸和復(fù)合。如圖2中器件能級圖所示,由于空穴傳輸層和給體材料均為mCP,而電子傳輸層和受體材料均為PO-T2T,則空穴和電子可實(shí)現(xiàn)從傳輸層到激基復(fù)合物發(fā)光層無勢壘的電荷注入。另外,激基復(fù)合物發(fā)光層由mCP和PO-T2T按1∶1比例混合,具有電荷傳輸?shù)碾p極性特征,可實(shí)現(xiàn)電荷平衡高效的傳輸和復(fù)合。而22.2%的EQE也從側(cè)面表明器件中產(chǎn)生的所有激子幾乎都得到了有效的利用,實(shí)現(xiàn)了激子的輻射躍遷發(fā)光。
圖3(b)中插圖為器件在不同電壓下的發(fā)光光譜。可以看到,該白光光譜由位于~480 nm處的藍(lán)光激基復(fù)合物發(fā)光和位于~590 nm處的磷光超薄層發(fā)光構(gòu)成,雖然色坐標(biāo)在不同電壓下略有偏移,但整體位于(0.51,0.38)附近;而相關(guān)色溫(Correlated color temperature,CCT)在2 000 K左右,屬于暖白光發(fā)射。由此,成功構(gòu)建了基于激基復(fù)合物和磷光超薄層的高效率雙色互補(bǔ)色發(fā)光的WOLED。為了進(jìn)一步探究激基復(fù)合物和磷光超薄層構(gòu)成的非摻雜結(jié)構(gòu)WOLED,接下來制備基于三基色發(fā)光的WOLED。
圖3 雙色互補(bǔ)色WOLED電致發(fā)光性能(W1)。(a)電流密度-電壓-亮度曲線;(b)CE、PE和EQE曲線,插圖為不同電壓下的EL光譜。
在前文雙色互補(bǔ)色非摻雜結(jié)構(gòu)WOLED的基礎(chǔ)上,又進(jìn)一步制備了基于激基復(fù)合物和磷光超薄層構(gòu)成的三基色非摻雜結(jié)構(gòu)WOLED,以深入探究激基復(fù)合物和磷光超薄層相結(jié)合的應(yīng)用。三基色WOLED的結(jié)構(gòu)和W1類似,將兩個Ir(pq)2acac超薄層的其中一個換成發(fā)射綠光的Ir(ppy)3超薄層。
首先,將激基復(fù)合物發(fā)光層和電子傳輸層PO-T2T之間的Ir(pq)2acac超薄層換成Ir(ppy)3超薄層,器件結(jié)構(gòu)如下:ITO/MoO3(3 nm)/NPB(20 nm)/mCP(10 nm)/Ir(pq)2acac(~0.5 nm)/mCP∶PO-T2T(20 nm)/Ir(ppy)3(~0.5 nm)/PO-T2T(40 nm)/LiF(0.8 nm)/Al(100 nm),該WOLED定義為W2-1。器件電流密度、亮度和效率等電致發(fā)光性能如圖4所示。W2-1同樣實(shí)現(xiàn)了低啟亮電壓和高發(fā)光亮度,而最大CE、PE和EQE分別為42.6 cd/A、40.5 lm/W和18.3%,在1 000 cd/m2下,相應(yīng)的效率分別為32.4 cd/A、23.6 lm/W和14%。
圖4 三基色WOLED電致發(fā)光性能(W2-1)。(a)電流密度-電壓-亮度曲線;(b)CE、PE和EQE曲線,插圖為不同電壓下的EL光譜。
白光器件W2-1的EL 光譜如圖4(b)所示,可以看到,實(shí)現(xiàn)了紅、綠、藍(lán)三色發(fā)光,分別是紅光和綠光的磷光超薄層發(fā)光以及中間藍(lán)光激基復(fù)合物的發(fā)光。并且,紅光的發(fā)光強(qiáng)度最大,占據(jù)主要發(fā)射峰,并隨著電壓升高,綠光和藍(lán)光的發(fā)光強(qiáng)度相對于紅光在逐漸減弱,同時也引起了色坐標(biāo)的較大變化。這是由于紅光磷光超薄層的發(fā)光主要來源于中間更高能量藍(lán)光激基復(fù)合物層的Dexter能量傳遞。隨著電荷注入的增加,可傳遞的激基復(fù)合物激發(fā)態(tài)電荷數(shù)增加,紅光變強(qiáng),從而導(dǎo)致綠光和藍(lán)光相對發(fā)光強(qiáng)度減弱。由于中間激基復(fù)合物發(fā)光層的厚度有20 nm,而且形成了高能量的藍(lán)光激子,因此很難發(fā)生綠光到紅光的能量傳遞。最終,在6 V的電壓下,W2-1實(shí)現(xiàn)了色坐標(biāo)位于(0.43,0.41)、CCT為3 239 K、顯色指數(shù)(Color Rendering Index,CRI)為79的暖白光發(fā)射。
接下來,基于雙色互補(bǔ)色W1的白光器件結(jié)構(gòu),將激基復(fù)合物發(fā)光層和空穴傳輸層mCP之間的Ir(pq)2acac超薄層換成綠光Ir(ppy)3超薄層,所得器件結(jié)構(gòu)如下:ITO/MoO3(3 nm)/NPB (20 nm)/mCP(10 nm)/Ir(ppy)3(~0.5 nm)/mCP∶PO-T2T(20 nm)/Ir(pq)2acac(~0.5 nm)/PO-T2T(40 nm)/LiF(0.8 nm)/Al(100 nm),該WOLED定義為W2-2。器件電致發(fā)光性能如圖5所示。令人驚喜的是,除了低啟亮電壓和高發(fā)光亮度,W2-2實(shí)現(xiàn)了更高的效率,其最大CE、PE和EQE分別達(dá)到了66.8 cd/A、63.5 lm/W和24.2%,而在1 000 cd/m2下,相應(yīng)效率依然保持在47.9 cd/A、33.6 lm/W和17.3%。
圖5 三基色WOLED電致發(fā)光性能(W2-2)。(a)電流密度-電壓-亮度曲線;(b)CE、PE和EQE曲線,插圖為不同電壓下的EL光譜。
進(jìn)一步對其EL光譜的測試可以看到,藍(lán)光和綠光的相對發(fā)光強(qiáng)度隨電壓的升高幾乎不變,而紅光的相對發(fā)光強(qiáng)度隨電壓的升高增加,如圖5(b)插圖所示。相比于W2-1的EL光譜,該光譜的主發(fā)射峰變成了綠光和紅光,并且藍(lán)光激基復(fù)合物的相對發(fā)光強(qiáng)度明顯降低,綠光和紅光的相對發(fā)光強(qiáng)度變得更大。藍(lán)光相對發(fā)光強(qiáng)度的降低則表明在激基復(fù)合物層產(chǎn)生的高能藍(lán)光激子被更多地傳遞到了綠光和紅光,從而實(shí)現(xiàn)了更高強(qiáng)度的綠光和紅光發(fā)射。而磷光材料更高的發(fā)光效率使以綠光和紅光為主發(fā)射峰的W2-2實(shí)現(xiàn)了器件效率極大的提升。紅光發(fā)射峰相對強(qiáng)度隨電壓的升高而增強(qiáng)同樣是由于隨著電荷注入的增加,可傳遞的激基復(fù)合物激發(fā)態(tài)電荷數(shù)增加,導(dǎo)致紅光變強(qiáng)。表1總結(jié)了本文中所有WOLED的性能參數(shù)以及已報(bào)道的部分激基復(fù)合物與磷光超薄層結(jié)合的WOLED。
為了深入綜合闡述本文中激基復(fù)合物和磷光超薄層相結(jié)合的雙色互補(bǔ)色W1和三基色W2中的能量傳遞和發(fā)光過程,我們進(jìn)一步給出了如圖6所示的能量傳遞和發(fā)光過程示意圖。在所設(shè)計(jì)的激基復(fù)合物和磷光超薄層相結(jié)合的非摻雜結(jié)構(gòu)WOLED中,白光的獲得是由于中間藍(lán)光熒光激基復(fù)合物和兩側(cè)的紅/綠光磷光超薄層的共同發(fā)光,而激子復(fù)合區(qū)域位于整個激基復(fù)合物mCP∶PO-T2T發(fā)光層。磷光超薄層的發(fā)光來源于中間高能藍(lán)光激基復(fù)合物層的能量傳遞,同時由于紅光磷光的吸收光譜和該激基復(fù)合物的光致發(fā)光光譜具有更大程度的交疊,致使更多的能量傳遞到了紅光,導(dǎo)致白光光譜中紅光相對強(qiáng)度隨電壓的升高而增強(qiáng)。同時,由于mCP∶PO-T2T激基復(fù)合物具有三重態(tài)激子的反向系間竄越特性,使得形成的激基復(fù)合物三重態(tài)激子或者直接通過Dexter能量傳遞到達(dá)磷光超薄層輻射躍遷發(fā)光;或者先進(jìn)行反向系間竄越,進(jìn)而通過F?rster能量傳遞到達(dá)磷光超薄層輻射躍遷發(fā)光,從而實(shí)現(xiàn)對三重態(tài)激子充分的收集和利用[22,29],最終實(shí)現(xiàn)WOLED的高電致發(fā)光效率。由于雙色互補(bǔ)色WOLED中,激基復(fù)合物兩側(cè)都是Ir(pq)2acac的超薄層,即使出現(xiàn)了不平衡的能量傳遞,依然能實(shí)現(xiàn)比較穩(wěn)定的白光發(fā)射光譜。但是,三基色的WOLED則由于激子不平衡的復(fù)合,以及多重的能量傳遞過程,導(dǎo)致白光光譜隨電壓升高發(fā)生變化。因此,在WOLED中,平衡的電荷注入、傳輸和復(fù)合能實(shí)現(xiàn)平衡的多色發(fā)光,從而穩(wěn)定白光光譜。另一方面,寬的激子復(fù)合區(qū)域能避免激子復(fù)合區(qū)域隨電荷的注入而移動,可穩(wěn)定多色發(fā)光,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的白光光譜。
圖6 激基復(fù)合物和磷光超薄層相結(jié)合的WOLED中能量傳遞和發(fā)光過程示意圖
表1 本文中所有WOLED及已報(bào)道的部分激基復(fù)合物與磷光超薄層結(jié)合的WOLED性能總結(jié)
本文將藍(lán)光激基復(fù)合物mCP∶PO-T2T和磷光超薄層結(jié)合起來制備了非摻雜結(jié)構(gòu)的WOLED。通過在藍(lán)光發(fā)射的mCP∶PO-T2T激基復(fù)合物兩側(cè)同時設(shè)置Ir(pq)2acac超薄層或者一側(cè)Ir(ppy)3超薄層、另一側(cè)Ir(pq)2acac超薄層,分別實(shí)現(xiàn)了基于雙色互補(bǔ)色和三基色的高效率WOLED。所得互補(bǔ)色WOLED的最大CE、PE和EQE分別為46.1 cd/A、43.9 lm/W和22.2%,而三基色的WOLED實(shí)現(xiàn)的最大CE、PE和EQE分別為66.8 cd/A、63.5 lm/W和24.2%。分析研究表明,高效率的實(shí)現(xiàn)歸因于藍(lán)光激基復(fù)合物向相鄰兩側(cè)綠光和紅光磷光超薄層的有效能量傳遞??梢?,將激基復(fù)合物和磷光超薄層結(jié)合起來制備非摻雜結(jié)構(gòu)的WOLED是一種行之有效的方法,相信該方法在未來WOLED的推廣應(yīng)用中將起到一定的促進(jìn)作用。
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