米 彥 代璐健 劉 權(quán) 張 倩 唐均英
(1. 輸配電裝備及系統(tǒng)安全與新技術(shù)國家重點實驗室(重慶大學(xué)) 重慶 400030 2. 重慶醫(yī)科大學(xué)附屬第一醫(yī)院 重慶 400016)
納秒脈沖電場(nanosecond Pulsed Electric Fields, nsPEF)是一種在不使用有毒化療藥物的情況下實現(xiàn)腫瘤有效治療的新型物理療法[1]。由于其脈沖寬度窄,nsPEF可以誘導(dǎo)細(xì)胞產(chǎn)生內(nèi)電效應(yīng),發(fā)生程序性死亡,即凋亡,而且該方法在治療期間溫升較低,從而不存在熱安全性風(fēng)險[2]。但是,由于過窄的脈沖寬度,在nsPEF治療期間需要高電場強(qiáng)度才能有效殺死腫瘤細(xì)胞。但過高的電場強(qiáng)度可能會導(dǎo)致腫瘤組織表面意外放電[3],并發(fā)生局部灼傷,這給nsPEF治療帶來了一定的安全性問題。
近年來,金納米棒作為一種高電導(dǎo)率的納米材料已經(jīng)被發(fā)現(xiàn)具有增強(qiáng)脈沖電場生物電效應(yīng)的功 能[4-8],這為改善傳統(tǒng)nsPEF治療腫瘤的電氣安全性問題提供了新的可能性。許多學(xué)者首先研究了金納米棒在體內(nèi)的生物安全性問題,大量研究表明,安全濃度范圍內(nèi)的金納米棒在體內(nèi)沒有明顯的毒副作 用[9-10],并且在一定時間后能夠通過身體的新陳代謝排出體外[11-12]。在以上研究的基礎(chǔ)上,國內(nèi)外大量學(xué)者基于金納米棒的導(dǎo)電特性進(jìn)行了相關(guān)仿真與實驗研究。Huang Shuyan等研究證明,金納米粒子能夠使局部電場強(qiáng)度發(fā)生畸變,從而增大電場強(qiáng)度,但是由于納米粒子尺寸過小,導(dǎo)致加入金納米粒子對整體細(xì)胞溶液的電場分布影響不大[13]。通過有限元仿真,Qiu Hao等發(fā)現(xiàn)高電導(dǎo)率金納米粒子可以增強(qiáng)脈沖電場的作用,并明顯提高了細(xì)胞膜的跨膜電位和穿孔密度[4]。A. Rolong等也通過有限元仿真研究了導(dǎo)電納米粒子和微秒脈沖電場聯(lián)合對組織消融的影響。研究結(jié)果表明,導(dǎo)電納米粒子的加入能夠擴(kuò)大組織的消融面積,降低消融組織所需的最低閾值電場強(qiáng)度[5]。A. Ghorbel等通過實驗和仿真共同研究了導(dǎo)電納米粒子和非導(dǎo)電納米粒子對細(xì)胞電穿孔效應(yīng)的影響,結(jié)果表明,導(dǎo)電納米粒子比非導(dǎo)電納米粒子具有更強(qiáng)的增強(qiáng)效果。除此之外,當(dāng)納米粒子更多地聚集在細(xì)胞膜周圍時,增強(qiáng)效果更加明顯[6]。類似的一些實驗研究同樣也驗證了金納米粒子的確能夠明顯地增強(qiáng)電穿孔效應(yīng)[7-8],但是這些實驗和仿真研究更多的是集中于電轉(zhuǎn)染領(lǐng)域,鮮有關(guān)于金納米粒子與nsPEF聯(lián)合的研究。
在現(xiàn)有研究的指導(dǎo)下,高電導(dǎo)率且具有靶向結(jié)合功能的納米粒子是首選。葉酸(Folic Aicd, FA)受體廣泛地表達(dá)于各種腫瘤細(xì)胞表面[14]。在光熱療法的研究中,F(xiàn)A修飾后的金納米棒由于能夠靶向結(jié)合腫瘤細(xì)胞,因此,比未修飾的金納米棒具有更強(qiáng)的抗腫瘤功效[15]。Chen Zhongjian等開發(fā)了一種葉酸修飾的陽離子脂質(zhì)體,用于靶向A375黑色素瘤細(xì)胞來實現(xiàn)低氧誘導(dǎo)因子HIF-1α 傳遞[16]。葉酸修飾后的脂質(zhì)體由于能夠主動與A375細(xì)胞結(jié)合,具有更高的傳遞效率,從而實現(xiàn)更好的腫瘤抑制效果。因此,本文也選用葉酸這一常用的靶向配體來修飾金納米棒,從而實現(xiàn)金納米棒在細(xì)胞周圍的有效聚集,提高細(xì)胞的電穿孔效應(yīng)。
基于本課題組的前期研究[17-18],葉酸靶向金納米棒可以在較低的電場強(qiáng)度下實現(xiàn)更高的腫瘤殺傷效果。為了進(jìn)一步驗證并探討該方法的實驗效果,本文從實際情況出發(fā),討論了該方法的可行性。本文將高生物相容性的GNR-PEG表面進(jìn)行FA修飾(Folic Acid-polyethylene Glycol-gold Nanorods, GNR-PEG-FA),使其能夠有效地與A375黑色素瘤細(xì)胞結(jié)合[19-20],并通過暗場顯微鏡對細(xì)胞和金納米棒的結(jié)合進(jìn)行觀察。本文在確定其靶向結(jié)合作用后,通過使用calcein-AM試劑染色和熒光顯微鏡觀察,研究了不同脈沖參數(shù)(電壓、脈沖寬度和脈沖個數(shù))作用下對2D模擬組織消融面積的影響。通過將Comsol有限元仿真得到的電場強(qiáng)度分布圖與消融圖進(jìn)行擬合,從而直觀地展現(xiàn)實現(xiàn)腫瘤細(xì)胞有效殺傷的閾值電場強(qiáng)度大小。最后,本文分析和對比了不同脈沖參數(shù)下消融面積和閾值電場強(qiáng)度的變化規(guī)律,并分析了GNR-PEG-FA增強(qiáng)細(xì)胞電穿孔的機(jī)制,為nsPEF治療腫瘤提供一種新的思路和方法。
人黑色素瘤A375細(xì)胞系獲自第三軍醫(yī)大學(xué)基礎(chǔ)醫(yī)學(xué)研究院。細(xì)胞在含有10%的血清和1%抗生素的青霉素-鏈霉素的高糖DMEM(dulbecco's modified eagle medium)培養(yǎng)瓶中培養(yǎng),并在5%的CO2和37℃濕潤環(huán)境中孵育。
實驗前,將A375細(xì)胞從培養(yǎng)瓶中消化,以800r/min的速度離心5min,然后以1.5×106個細(xì)胞/mL的濃度接種到35mm培養(yǎng)皿中24h。當(dāng)細(xì)胞匯合度接近100%時,即形成了致密的2D體外細(xì)胞模擬組織,隨后將被用于nsPEF實驗。
GNR-PEG-FA購于西安瑞禧生物科技有限公司,通過TECNAI G2 F20 S-TWIN透射電鏡(FEI, USA)和Cary60紫外-可見光分光光度計(Agilent, USA)分別對GNR-PEG-FA進(jìn)行透射電鏡觀察和吸收光譜的測定。
暗場成像之前,將在24mm蓋玻片上預(yù)先孵育生長了24h的A375細(xì)胞從孵箱中取出,用磷酸緩沖液輕輕清洗蓋玻片表面兩次,然后將0.1mg/mL的GNR-PEG-FA溶液(基于本課題組的前期研究[21],0.1mg/ml是材料的安全濃度)加入到培養(yǎng)基中與細(xì)胞共同孵育15min。隨后,用磷酸緩沖液輕輕沖洗3次以去除未與細(xì)胞結(jié)合的金納米棒,之后使用多聚甲醛固定,甘油包被,并用另一個蓋玻片進(jìn)行密封。最后,通過配備有暗視場聚光鏡(U-DCW,1.2-1.4)的BX51光學(xué)顯微鏡(日本奧林巴斯,日本)觀察GNR-PEG-FA和A375黑素瘤細(xì)胞溶液。
實驗系統(tǒng)的實驗波形和裝置示意圖分別如圖1和圖2所示。圖1中,nsPEF單獨(dú)作用及和GNR- PEG-FA曲線均為電流曲線。納秒脈沖發(fā)生器的輸出連接到兩個直徑為1mm的銅針電極,電極中心之間的距離為3mm。在nsPEF處理之前,將具有A375黑色素瘤2D模擬組織的不同培養(yǎng)皿分為單獨(dú)nsPEF組(不含GNR-PEG-FA)和GNR-PEG-FA組(含GNR-PEG-FA)兩組。在實驗過程中,將針狀電極插入到培養(yǎng)皿中,并施加相應(yīng)的納秒脈沖進(jìn)行處理。
本研究使用了自制的模塊化高壓納秒脈沖發(fā)生 器[21]。納秒脈沖電場參數(shù)見表1。表中,U為脈沖電壓,τ為脈沖寬度,N為脈沖個數(shù),每個參數(shù)均 設(shè)有5個水平值,當(dāng)變化其中一個脈沖參數(shù)時,另外兩個脈沖參數(shù)均固定為中間值,脈沖重復(fù)頻率均為1Hz。例如,當(dāng)變化不同脈沖電壓時,脈沖個數(shù)固定為100個,脈沖寬度固定為300ns,其余參數(shù)設(shè)置以此類推。
綜上所述,打孔注藥防治黃斑星天牛不但防治效果好,不污染環(huán)境,不殺傷天敵,且用藥量少,成本低,在通常情況下建議使用氧化樂果,既節(jié)約又有效,可大面積推廣使用,對受害嚴(yán)重的也可以進(jìn)行3次注藥防治。
圖1 實驗波形 Fig.1 Experimental waveforms
圖2 實驗裝置示意圖 Fig.2 Schematic of experimental setup
在GNR-PEG-FA聯(lián)合nsPEF處理完A375細(xì)胞后,從培養(yǎng)皿中吸出培養(yǎng)基,并將1mL新鮮培養(yǎng)基添加到培養(yǎng)皿中,然后放置在37℃的孵箱下孵育3h。 3h后,除去培養(yǎng)皿中的培養(yǎng)基,并用PBS(phosphate buffer saline)輕輕洗滌細(xì)胞3次。隨后,將1mL于避光環(huán)境下配制而成的鈣黃綠素溶液PBS與鈣黃綠素-AM的體積稀釋比為250∶1(Dojindo, 日本)添加到培養(yǎng)皿中,于孵箱中繼續(xù)培養(yǎng)30min。30min后,吸出培養(yǎng)皿中的鈣黃綠素溶液,將細(xì)胞用PBS輕輕洗滌兩次,然后加入1mL制備的PI(propidium iodide)溶液(PBS與PI的稀釋比為100∶1)(Dojindo, 日本),放入孵箱中孵育5min。5min后,將培養(yǎng)皿用PBS輕輕洗滌一次,然后再加入1mL新鮮培養(yǎng)基,最后在避光條件下用熒光顯微鏡(DMi8,Leica,德國)觀察細(xì)胞。Leica LAS AF Lite軟件將Calcein-AM和PI染色的最終成像結(jié)果合并。
表1 納秒脈沖電場參數(shù) Tab.1 Parameters of nsPEF
COMSOL Multiphysics 5.4a是一種基于有限元分析法進(jìn)行多物理場仿真模擬的常用軟件。本文使用該軟件進(jìn)行仿真,并用于分析電極周圍的電場強(qiáng)度分布。電場分布的仿真模型和空間分布的結(jié)果分別如圖3和圖4所示。如圖3所示,模型的求解域是直徑為35mm的圓形區(qū)域(對應(yīng)于實驗中使用的培養(yǎng)皿),中間為兩個中心間距為3mm、直徑為1mm的圓形針電極(對應(yīng)于實際實驗中使用的電極針)。 含與不含GNR-PEG-FA細(xì)胞溶液的電導(dǎo)率通過計算后分別設(shè)定為1S/m和1.047S/m,電極材料選用軟件中預(yù)設(shè)的銅材料。
圖3 空間電場分布仿真的網(wǎng)格模型 Fig.3 Meshing model of simulation of space electric field strength
圖4 電場強(qiáng)度分布結(jié)果 Fig.4 Distribution of electric field strength
采用OriginPro軟件對數(shù)據(jù)進(jìn)行繪圖和統(tǒng)計學(xué)分析,數(shù)據(jù)結(jié)果均用x(均值)±s(標(biāo)準(zhǔn)差)表示,利用單因素方差分析方法評估實驗數(shù)據(jù)的顯著性差異,其中,*p<0.05和**p<0.01分別表示實驗數(shù)據(jù)之間具有顯著性差異和極顯著性差異。本文采用單因素方差分析方法比較處理組之間實驗結(jié)果的不同。
GNR-PEG-FA的表征與A375細(xì)胞的暗場成像如圖5所示。如圖5a所示,本文所使用的GNR- PEG-FA外徑約為15nm,長度約為60nm,縱橫比約為4。金納米棒作為一種金屬納米材料,由于獨(dú)特的棒狀結(jié)構(gòu)以及具有的局部表面等離子體共振的特性,使得其在暗場成像中具有很大的優(yōu)勢[22-23]。金納米棒的局部表面等離子體共振分為橫向表面等離子體共振(Transverse Surface Plasmon Resonance, TSPR)和縱向表面等離子體共振(Longitudinal Surface Plasmon Resonance, LSPR)兩種模式,反映在GNR-PEG-FA紫外-可見光吸收光譜上是兩個吸收峰。其中,強(qiáng)度較小的吸收峰(520nm)對應(yīng)TSPR,強(qiáng)度較大的吸收峰(830nm)對應(yīng)LSPR。在暗場顯微鏡中,一束傾斜入射的狹窄的白光射向金納米棒,由于白光的波長覆蓋了可見光波長的范圍,因此,當(dāng)金納米棒發(fā)生表面等離子體共振對應(yīng)的波長如果在可見光范圍內(nèi),則會被白光激發(fā)產(chǎn)生局部等離子體共振,從而發(fā)生光的強(qiáng)烈的散射或吸收。從紫外可見吸收光譜(見圖5b)可以看出,最強(qiáng)LSPR吸收峰最強(qiáng)的位置位于波長為830nm處,已經(jīng)超出了可見光波長(380~780nm)的范圍,因此,無法通過暗場顯微鏡觀察到GNR-PEG-FA最強(qiáng)烈的散射光。但是,在LSPR峰的上升沿前部有一段處于可見光的紅光范圍內(nèi),而且該范圍內(nèi)的強(qiáng)度與TSPR峰(520nm,綠光)的強(qiáng)度十分接近,因此,在暗場顯微觀察中將會收集到強(qiáng)度接近的紅光和綠光。通常來說,紅光與綠光混合進(jìn)入人眼時,眼睛會將其識別為黃色,這解釋了圖5c中金納米棒顯示為黃色的原因。
圖5 GNR-PEG-FA的表征與A375細(xì)胞的暗場成像 Fig.5 Characterization of GNR-PEG-FA and dark field imaging of A375 cells
由于葉酸受體是A375細(xì)胞的一種良好的靶向識別物[24-26],因此本文也選用了葉酸作為金納米棒的靶向修飾物。圖5c的暗場成像結(jié)果表明,大量的GNR-PEG-FA聚集在A375細(xì)胞周圍,進(jìn)一步證明了GNR-PEG-FA與A375細(xì)胞確實存在靶向結(jié)合的效果。除此之外,由于葉酸受體介導(dǎo)的內(nèi)吞作用[25-27],一部分GNR-PEG-FA也進(jìn)入到了細(xì)胞內(nèi)部,而不是僅僅分布在細(xì)胞膜周圍??傊?,無論是金納米棒位于細(xì)胞膜表面還是細(xì)胞內(nèi)部,均為增強(qiáng)nsPEF對A375細(xì)胞電穿孔效應(yīng)提供了幫助。
圖6 不同脈沖電壓下nsPEF聯(lián)合或者不聯(lián)合GNR-PEG-FA對消融面積的影響 (比例尺=0.5μm,*p<0.05,**p<0.01) Fig.6 Ablation area under different applied voltages after nsPEF treatment with or without GNR-PEG-FA (scale bar=0.5μm, *p<0.05, **p<0.01)
在nsPEF處理后3h,通過熒光顯微鏡觀察消融區(qū)域。如圖6~圖8所示,分別為不同脈沖電壓、 脈沖寬度和脈沖個數(shù)作用下的消融結(jié)果,其中,活細(xì)胞將會被鈣黃綠素染色,在熒光顯微鏡下呈現(xiàn)綠色,而圖中黑色的部分代表此處的腫瘤細(xì)胞已經(jīng)被消融,即消融區(qū)域(電極劃痕部分沒有被計算入消融面積中)。如圖6所示為不同脈沖電壓對消融面積的影響,隨著脈沖電壓的上升,消融面積呈現(xiàn)出明顯的上升趨勢。當(dāng)nsPEF單獨(dú)作用時,消融面積從1 000V時的0.387mm2增加到2 000V時的7.704mm2,而GNR-PEG-FA組的消融面積從約0.677mm2增加到8.627mm2。相同脈沖電壓作用下,含有納米粒子的實驗組與僅有脈沖電壓作用的實驗組相比,消融面積增幅比例范圍為12%~75%。在所有的實驗電壓下,GNR-PEG-FA組的消融面積均比nsPEF單獨(dú)作用組的消融面積大,且具有顯著性差異(*p<0.05或**p<0.01),顯著性差異指實驗組之間消融面積的統(tǒng)計分析。
圖7 不同脈沖寬度下nsPEF聯(lián)合或者不聯(lián)合GNR-PEG-FA對消融面積的影響 (比例尺=0.5μm,*p<0.05,**p<0.01) Fig.7 Ablation area under different pulse widths after nsPEF treatment with or without GNR-PEG-FA (scale bar =0.5μm, *p<0.05, **p<0.01)
圖8 不同脈沖個數(shù)下nsPEF聯(lián)合或者不聯(lián)合GNR-PEG-FA對消融面積的影響 (比例尺=0.5μm,*p<0.05,**p<0.01) Fig.8 Ablation area under different pulse numbers after nsPEF treatment with or without GNR-PEG-FA (scale bar =0.5μm, *p<0.05, **p<0.01)
類似地,當(dāng)改變脈沖寬度(見圖7)或脈沖個 數(shù)(見圖8)時,也呈現(xiàn)出這樣的規(guī)律,在脈沖寬度為100ns或脈沖數(shù)為15的情況下,在nsPEF單獨(dú)作用組和GNR-PEG-FA組中均未觀察到明顯的消融區(qū)域(黑色區(qū)域是被電極刮除)。當(dāng)脈沖寬度增加到300ns和500ns時,GNR-PEG-FA組的消融面積上升到了300ns時的5.477mm2和500ns時的10.066mm2,明顯高于nsPEFs單獨(dú)作用組300ns時的3.751mm2和500ns時的7.159mm2(消融面積增幅比例達(dá)到31.6%~88.2%)。當(dāng)脈沖個數(shù)增加到100和260時,GNR-PEG-FA的消融面積上升到了100時的5.477mm2和260時的8.237mm2,明顯高于nsPEFs單獨(dú)作用組100時的3.751mm2和260時的7.074mm2(消融面積增幅比例達(dá)到45.8%~62.6%)。 由此可見,GNR-PEG-FA的加入能夠有效提高nsPEF消融腫瘤的效果。
具有高電導(dǎo)率的金納米棒具有獨(dú)特的棒狀結(jié)構(gòu)。當(dāng)將金納米棒置于均勻電場中時,由于“避雷針效應(yīng)”[27],可以增強(qiáng)金納米棒尖端局部的電場強(qiáng)度,其增強(qiáng)作用可以描述為
式中,Etip、E0分別為尖端電場強(qiáng)度和外加均勻電場強(qiáng)度;L和D分別為金納米棒的長度和外徑;α為常數(shù)。
由于細(xì)胞膜在受到電場作用時,可將其假設(shè)為一個阻容模型,因此,當(dāng)對細(xì)胞施加電場時,會導(dǎo)致其跨膜電壓增加。當(dāng)跨膜電壓增加到臨界閾 值[28-30]時,細(xì)胞膜兩端會由于無法繼續(xù)承受更高的電壓,發(fā)生穿孔,即電穿孔。而可以引起電穿孔的電場強(qiáng)度描述[31]為
式中,?Δ為發(fā)生電穿孔所需的跨膜電壓閾值,通常為1V;d為球型細(xì)胞的直徑;θ為細(xì)胞膜某一位置與細(xì)胞中心法向方向與該位置受到電場E的方向之間的夾角。
式(2)表明,影響細(xì)胞膜某一點上跨膜電位的主要因素是電場強(qiáng)度的大小。由于避雷針效應(yīng)(見式(1)),GNR-PEG-FA可以局部地增強(qiáng)細(xì)胞周圍的電場強(qiáng)度,從而增強(qiáng)nsPEF對細(xì)胞的電穿孔作用。但是,由于金納米棒尺寸較小,其電場增強(qiáng)的范圍有限,所以為了更有效地利用金納米棒的避雷針效應(yīng),本研究用FA修飾了金納米棒以靶向A375黑色素瘤細(xì)胞,以使更多的金納米棒聚集在細(xì)胞周圍,細(xì)胞承受的電場增強(qiáng)效果也越強(qiáng),電穿孔效應(yīng)也越明顯,nsPEF的消融效果也得到增強(qiáng)。類似地,避雷針效應(yīng)還用于其他一些增強(qiáng)的電穿孔應(yīng)用中[32-35],顯示出與本研究相似的結(jié)果。
電場強(qiáng)度的分布在圖4中示出,離電極越遠(yuǎn),電場強(qiáng)度越小。由于難以確定脈沖處理過程中金納米棒的分布和數(shù)量,因此,如果想要通過仿真完全模擬存在GNR-PEG-FA時的空間電場分布是非常不準(zhǔn)確的。因此,本文以未加入GNR-PEG-FA時的空間電場分布為基準(zhǔn),以此來判定加入或不加入GNR-PEG-FA時各個脈沖參數(shù)下對應(yīng)的閾值電場強(qiáng)度,這樣也更方便后續(xù)治療方法的確定。圖6b~圖8b均給出了將消融區(qū)域與電場合并的模擬結(jié)果。圖9給出了在不同脈沖參數(shù)下的電場強(qiáng)度閾值的差異(顯著性差異指兩實驗組之間電場強(qiáng)度閾值的統(tǒng)計分析)。
當(dāng)施加的脈沖電壓為變量時,在任一脈沖電壓下,各組的閾值電場強(qiáng)度分別保持不變,而GNR- PEG-FA組的4.5kV/cm比nsPEF單獨(dú)作用組的5.5kV/cm降低了約18.2%。
當(dāng)脈沖個數(shù)為變量時,nsPEF單獨(dú)作用組的平均電場強(qiáng)度閾值從100時的5.5kV/cm降低到了260時的4.5kV/cm,而GNR-PEG-FA組的平均電場強(qiáng)度閾值從100時的4.5kV/cm降低到260時的3.5kV/cm。 與nsPEF單獨(dú)作用組相比,GNR-PEG-FA組閾值電場強(qiáng)度的降低幅度為100時的18.2%和260時的22.2%。
圖9 不同脈沖參數(shù)下的電場強(qiáng)度閾值 (*p<0.05, **p<0.01) Fig.9 Electric field threshold under different pause parameter (*p<0.05, **p<0.01)
當(dāng)脈沖寬度為變量時,nsPEF單獨(dú)作用組的平均電場強(qiáng)度閾值從300ns時的5.5kV/cm降低到500ns時的4kV/cm,而GNR-PEG-FA組的平均電場強(qiáng)度閾值從300ns時的4.5kV/cm降低到500ns時的3kV/cm。與nsPEF單獨(dú)作用組相比,GNR-PEG-FA組閾值電場強(qiáng)度的降低幅度為300ns時的18.2%和500ns時的25%。
總之,脈沖電壓的變化不會影響最終閾值電場強(qiáng)度的變化,但是由于脈沖電壓的提高,使得閾值電場強(qiáng)度的分布范圍擴(kuò)大了,從而實現(xiàn)了消融面積的增加。當(dāng)脈沖寬度和脈沖個數(shù)增加時,閾值電場強(qiáng)度呈現(xiàn)出明顯的降低趨勢。K. H. Schoenbach等研究了不同電場強(qiáng)度、脈沖個數(shù)和脈沖寬度下納秒脈沖電場對細(xì)胞膜通透性的影響定律,文中將可觀察到的生物電效應(yīng)強(qiáng)度與脈沖參數(shù)之間的關(guān)系描 述[36]為
式中,S為可觀察到的生物電效應(yīng)的強(qiáng)度;E為電場強(qiáng)度;τ為脈沖寬度;N為脈沖數(shù)。
假定實現(xiàn)A375腫瘤細(xì)胞消融的強(qiáng)度S是恒定的。如式(3)所示,當(dāng)τ或N增加時,只需要較低的電場強(qiáng)度E就可以達(dá)到相同的S。這意味著在研究中,消融A375細(xì)胞的視野閾值降低了。然而,較高的施加電壓只能擴(kuò)大電場強(qiáng)度閾值的空間分布面積,這會增加消融面積,但不能影響電場強(qiáng)度閾值,所以導(dǎo)致電場強(qiáng)度閾值在不同電壓下應(yīng)相同,這與本文的實驗結(jié)果也十分吻合。這項研究的結(jié)果可以為未來的體內(nèi)研究或臨床應(yīng)用提供參考。通過合理選擇納秒脈沖參數(shù),并聯(lián)合GNR-PEG-FA,可以有效地降低閾值電場強(qiáng)度,為黑素瘤治療提供一種更加安全有效的物理療法。
本文首先通過暗場顯微鏡證明了葉酸修飾的金納米棒可以有效結(jié)合A375黑色素瘤細(xì)胞。在確定了靶向效果的前提下,首次研究了GNR-PEG-FA聯(lián)合nsPEF對A375黑色素瘤2D體外模擬組織消融情況的影響。實驗發(fā)現(xiàn),當(dāng)脈沖參數(shù)強(qiáng)度(電壓、脈沖數(shù)和寬度)增加時,細(xì)胞的消融面積呈現(xiàn)明顯的上升趨勢。但是,閾值電場強(qiáng)度不受脈沖電壓變化的影響,而與脈沖寬度和脈沖個數(shù)呈負(fù)相關(guān)。更重要的是,與單獨(dú)使用nsPEF相比,添加GNR-PEG- FA可以顯著增加消融面積并有效降低電場強(qiáng)度閾值。因此,在合適的脈沖參數(shù)指導(dǎo)下,nsPEF聯(lián)合GNR-PEG-FA有望成為一種安全有效的物理治療 方法。