李曉丹,唐 瑩,劉小清,羅志清,唐 偉,馮佳成,劉小平,胡心雨
(1.重慶工商大學(xué) 環(huán)境與資源學(xué)院 催化與環(huán)境新材料重慶市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,重慶 400067;2.催化與環(huán)境新材料重慶市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,重慶 400067;3.清遠(yuǎn)市齊力合成革有限公司,廣東 清遠(yuǎn) 511540)
隨著電子設(shè)備等無線電的迅速發(fā)展,電磁輻射越來越嚴(yán)重,已成為繼大氣污染、水污染后的又一大嚴(yán)重污染[1-2]。使用磁屏蔽材料是一種有效并且簡便的方法。傳統(tǒng)的電磁屏蔽材料大多是使用金屬及其復(fù)合物,但其屏蔽作用主要來自于反射損耗[3],反射回來的高能量會對儀器本身造成一定的干擾,而且還存在質(zhì)量重、成本高等缺點(diǎn)。目前,能夠同時(shí)通過電導(dǎo)損耗和磁損耗屏蔽電磁波的材料[4],即同時(shí)具有高電導(dǎo)率和高磁導(dǎo)率雙重屬性的復(fù)合型雙性電磁屏蔽材料受到越來越多研究者的關(guān)注。Fe3O4屬于鐵氧體磁性材料的一種,具有非常好的磁性和導(dǎo)電性,同時(shí)因其八面體的位置上基本上是無序排列的,電子可在鐵的兩種氧化態(tài)間迅速發(fā)生轉(zhuǎn)移,是具有電導(dǎo)損耗和磁損耗的雙損耗介質(zhì)[5],但是它非常容易發(fā)生團(tuán)聚。石墨烯質(zhì)量輕,比表面積大,能夠?yàn)殡姶挪ǖ南奶峁┥⑸潼c(diǎn),同時(shí)電導(dǎo)率高,這些都非常有利于電磁波的消耗,同時(shí)以其負(fù)載Fe3O4,還可以解決Fe3O4的聚集問題。相比于石墨烯,還原氧化石墨烯(rGO)具有更多的含氧基團(tuán)[6-7],這有利于它與其他分子相結(jié)合。同時(shí),還原氧化石墨烯是氧化石墨烯經(jīng)過還原制備的[8],含氧基團(tuán)的部分去除使還原氧化石墨烯上形成的缺陷也能促進(jìn)電磁波的消耗[9]。因此,以rGO負(fù)載Fe3O4可制備得到兼具導(dǎo)電性和亞鐵磁性的納米粒子[10]。
同時(shí),隨著高分子材料的不斷開發(fā)和樹脂成型工藝的日益完善,工程樹脂制件以其價(jià)廉、質(zhì)輕、加工性好、生產(chǎn)效率高等獨(dú)特的優(yōu)勢在電子工業(yè)中倍受青睞。苯并噁嗪作為一種新興的酚類化合物,以其獨(dú)特的性能和克服傳統(tǒng)酚醛樹脂的諸多缺點(diǎn)而受到研究者的重視[11]。它具有質(zhì)量輕,易于加工,成本低,高耐熱性等優(yōu)點(diǎn)[12-14],廣泛應(yīng)用于航空航天、軍工用品等方面。但這些應(yīng)用領(lǐng)域?qū)﹄姶牌帘蔚囊笤絹碓礁摺1疚囊员讲f嗪樹脂為基體,將氧化石墨烯和六水三氯化鐵通過水熱反應(yīng)制備得到一種兼?zhèn)鋵?dǎo)電性和亞鐵磁性的rGO負(fù)載Fe3O4納米粒子,通過納米粒子與苯并噁嗪復(fù)合固化,制備得到了同時(shí)具有高電導(dǎo)率和高磁導(dǎo)率的雙性電磁屏蔽復(fù)合材料。
實(shí)驗(yàn)原料與試劑見表1。
表1 實(shí)驗(yàn)原料與試劑
1.2.1 雙酚A型苯并噁嗪的制備
將多聚甲醛和蒸餾水加入三口瓶中,用氫氧化鈉溶液調(diào)節(jié)pH值。升溫到80 ℃保溫,待多聚甲醛溶解至呈透明狀時(shí),將溫度下降至30 ℃以下。繼續(xù)升溫,當(dāng)溫度達(dá)到40 ℃時(shí)加入雙酚A、甲苯。升溫至50 ℃,開始滴加苯胺,滴加完畢后調(diào)節(jié)溫度至80 ℃反應(yīng)4 h。待溫度降至50 ℃,分離出下層黃色液體。堿液加熱水清洗,無水乙醇加熱水清洗,制備得到雙酚A型苯并噁嗪(BA-a)。反應(yīng)式見圖1。
圖1 雙酚A型苯并噁嗪的合成反應(yīng)式
1.2.2 Fe3O4/還原氧化石墨烯的制備
不同氨水用量納米粒子制備:分別稱取0.162g GO和3.24g FeCl3·6H2O(原料配比5%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))),將GO在乙二醇中超聲處理,再加入FeCl3·6H2O不斷攪拌。滴加定量氨水(1、3、5、7 和10 mL),加入聚乙烯吡咯烷酮(PVP),180 ℃反應(yīng)20 h。自然冷卻到室溫后用蒸餾水和乙醇將產(chǎn)品洗滌,60 ℃干燥。反應(yīng)式如下:
2Fe3++ HOCH2CH2OH+OH-=2Fe2++CH3CHO + 2H2O
(1)
2Fe3++2Fe2++8OH-= Fe3O4+4H2O
(2)
不同原料比納米粒子制備:將GO和FeCl3·6H2O按照不同配比(質(zhì)量分?jǐn)?shù))(5%、15%、30%)混合。將GO在乙二醇中超聲處理,再加入FeCl3·6H2O不斷攪拌。滴加3 mL氨水,加入PVP,180 ℃反應(yīng)20 h。自然冷卻到室溫后用蒸餾水和乙醇將產(chǎn)品洗滌,60 ℃干燥。
1.2.3 Fe3O4-rGO/BA-a共混體系和Fe3O4-rGO/PBA-a復(fù)合材料的制備
將不同含量(質(zhì)量分?jǐn)?shù))(0.5%、1%、1.5%、2%、2.5%)納米粒子與苯并噁嗪單體混合,加入N,N-二甲基甲酰胺(DMF)配成溶液,超聲分散3 h后放入真空烘箱125℃抽真空2 h,得到Fe3O4-rGO/BA-a共混體系,再在140,160,180和200 ℃下順序固化2 h,制得Fe3O4-rGO/PBA-a復(fù)合材料。
傅立葉紅外光譜測試(FT-IR):采用日本島津公司IR Prestige型傅里葉變換紅外光譜儀,KBr壓片制樣,掃描范圍4 000~400 cm-1,分辨率2 cm-1。
X射線衍射測試(XRD):采用日本島津公司XRD-6100X射線粉末衍射儀,波長1.54051 nm的Cu靶Kα射線源,掃描范圍5~80 °,掃描速度4 °/min。
示差掃描量熱(DSC):采用德國耐馳公司DSC 204 F1 Phoenix型差示掃描量熱儀,升溫速率10 ℃/min,掃描范圍40~300 ℃,N2流量50 mL/min。
掃描電鏡(SEM):采用日本日立公司SU1510型掃描電鏡,將樣品在液氮中脆斷,脆斷表面做鍍金處理。
電導(dǎo)率測試:使用RTS-8四探針測試儀,測量范圍10-5~105Ω·cm,樣品尺寸Ф10 mm×1 mm。
磁感應(yīng)強(qiáng)度測試:采用TD8650型特斯拉計(jì),量程30 mT,樣品尺寸Ф10 mm×1 mm。
電磁屏蔽效能測試:使用電磁屏蔽分析儀,頻率范圍0-2000 MHz,樣品尺寸Ф13 cm×1 mm。
熱穩(wěn)定性測試(TGA):采用德國耐馳公司449F3型熱失重分析儀,溫度范圍40~800 ℃,升溫速率10 ℃/min,N2氣氛。
對不同氨水用量制備的納米粒子進(jìn)行XRD測試。由圖2可知, 不同氨水用量制備的納米粒子都與1-1111 Fe3O4標(biāo)準(zhǔn)卡片相一致。其特征衍射峰位于18.3°、30.0°、35.5°、37.1°、43.0°、53.6°、57.2°和62.7°。分別對應(yīng)于Fe3O4的(111)、(220)、(311)、(222)、(400)、(422)、(511)和(440)晶面,說明氨水用量對鐵離子的價(jià)態(tài)沒有影響。經(jīng)過水熱反應(yīng)后,GO(001)晶面位于10.6°處的特征衍射峰基本消失,說明GO已被還原。同時(shí)隨著氨水用量的增加,F(xiàn)e3O4的半峰寬增大,說明晶粒的規(guī)整性受到影響。
圖2 GO和不同氨水用量納米粒子XRD譜圖
進(jìn)一步對不同氨水用量納米粒子進(jìn)行了FT-IR表征。從圖3可以看出,GO反應(yīng)前存在3 410 cm-1處-OH的伸縮振動峰,1 711處-C=O cm-1的伸縮振動峰,1 630 cm-1處—C=C的伸縮振動峰,1 402 cm-1處-OH的彎曲振動峰,1 220 cm-1處環(huán)氧基-C-O-C的伸縮振動峰,1051 cm-1處烷氧基-C-O的伸縮振動峰。水熱反應(yīng)后,相較于GO,不同氨水用量納米粒子位于577 cm-1對應(yīng)于Fe3O4的Fe-O伸縮振動峰,表明合成Fe3O4。位于1711處—C=O cm-1的伸縮振動峰[15],1 402 cm-1處—OH的彎曲振動峰,1 220 cm-1處環(huán)氧基-C-O-C的伸縮振動峰[15],1 051 cm-1處烷氧基—C—O的伸縮振動峰[15]都明顯減小,同時(shí),位于1 630 cm-1處—C=C的伸縮振動峰向低波方向發(fā)生了偏移,表明GO被部分還原。因此,F(xiàn)e3O4/rGO合成成功,F(xiàn)T-IR結(jié)果與XRD結(jié)果一致。但氨水用量為1 mL時(shí),F(xiàn)e-O特征峰不明顯,因?yàn)樯傻腇e3O4較少,并且含氧官能團(tuán)比較明顯,說明GO還原程度不高。
圖3 GO和不同氨水用量納米粒子FT-IR譜圖
不同氨水用量納米粒子的電導(dǎo)率如表2所示。初始納米粒子的電導(dǎo)率隨氨水用量的增加而增大,這是因?yàn)橛杉t外結(jié)果分析知,氨水用量為1 mL時(shí),rGO還原程度低于3 mL,并且生成的Fe3O4較少。但隨著氨水用量的增加,F(xiàn)e3O4晶粒XRD衍射峰的半峰寬增大,規(guī)整性下降,晶界及缺陷增多,納米粒子的電導(dǎo)率反而減小。
表2 不同氨水用量納米粒子的電導(dǎo)率
不同氨水用量納米粒子的磁感應(yīng)強(qiáng)度如表3所示。隨著氨水用量的增多,有利于Fe3O4的生成,納米粒子的磁感應(yīng)強(qiáng)度增大。但是當(dāng)氨水用量大于3 mL后,F(xiàn)e3O4晶粒的規(guī)整性減小,磁性下降[16],因此納米粒子的磁感應(yīng)強(qiáng)度減小,磁導(dǎo)率降低。
表3 不同氨水用量納米粒子的磁感應(yīng)強(qiáng)度
由上述測試結(jié)果可知,當(dāng)氨水用量為3 mL時(shí),納米粒子具有最佳的電導(dǎo)性和磁導(dǎo)性。因此,固定氨水用量3 mL,對不同原料配比制得的納米粒子的微觀形貌進(jìn)行表征(如圖4)。當(dāng)原料配比為5%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))時(shí),F(xiàn)e3O4顆粒均勻地負(fù)載于rGO上且能達(dá)到全覆蓋。這是因?yàn)樵谪?fù)載過程中,rGO被用作固定鐵離子及其生長成Fe3O4納米粒子的柔性基材,起到了限制作用,以防止Fe3O4納米粒子團(tuán)聚。隨著配比增大,rGO表面裸露面積越多,負(fù)載效率下降。當(dāng)配比達(dá)到30%(質(zhì)量分?jǐn)?shù)),未在rGO片層上觀察到Fe3O4,說明Fe3O4此時(shí)已不能負(fù)載于rGO表面而是傾向于團(tuán)聚。因此,當(dāng)原料配比為5%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))時(shí),F(xiàn)e3O4在rGO上的負(fù)載效率最高。
圖4 不同原料配比納米粒子的SEM圖
以氨水用量3 mL,,原料配比5%制得的納米粒子,并得到將納米粒子含量為1%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))的Fe3O4-rGO/BA-a共混體系。在不同固化溫度下對共混體系進(jìn)行了FT-IR測試,如圖5所示。3 430 cm-1處的峰與rGO表面殘留的-OH和-COOH有關(guān),942 cm-1處為噁嗪環(huán)的特征峰,529和476cm-1處為Fe3O4的Fe-O的特征峰[17-20]。隨著固化溫度的增加,942 cm-1處苯并噁嗪的噁嗪環(huán)特征峰消失,同時(shí)1 645 cm-1處苯并噁嗪固化中間體希夫堿亞胺正離子C=N+逐漸增大,說明苯并噁嗪發(fā)生了開環(huán)反應(yīng)。而位于1 234 和1 034 cm-1處屬于苯并噁嗪中Ar-O-C的非對稱伸縮振動峰和對稱伸縮振動峰,以及3 430 cm-1處羥基的峰減弱,表明在固化過程中苯并噁嗪開環(huán)可能與rGO中殘留的羥基和羧基發(fā)生反應(yīng)。而529和476 cm-1處的峰未發(fā)生變化,說明Fe3O4不參與反應(yīng)。
圖5 1 wt% Fe3O4-rGO/BA-a共混體系固化的FT-IR譜圖
隨后,將不同納米粒子含量的Fe3O4-rGO/BA-a共混體系進(jìn)行DSC分析。圖6可以看出,隨著納米粒子的增加,共混體系的起始反應(yīng)溫度和反應(yīng)放熱峰值溫度均降低。這說明納米粒子對苯并噁嗪的固化有催化作用,主要是因?yàn)閞GO中殘留的羧基和羥基對噁嗪環(huán)的開環(huán)具有催化作用,并與苯并噁嗪發(fā)生交聯(lián)反應(yīng),從而降低了共混體系的固化溫度,同時(shí)提高了復(fù)合交聯(lián)密度,改善了復(fù)合材料的加工性能。
圖6 不同納米粒子含量Fe3O4-rGO/BA-a共混體系的DSC曲線
通過SEM表征了不同納米粒子含量復(fù)合材料的斷面形貌。由圖7可以看出,納米粒子外有樹脂包裹,這是因?yàn)閞GO中的羥基和羧基能與苯并噁嗪反應(yīng),提高了兩者的相容性。隨著納米粒子含量的增大,納米粒子均能在基體中均勻分布。
圖7 不同納米粒子含量Fe3O4-rGO/PBA-a復(fù)合材料的SEM圖
不同納米粒子含量復(fù)合材料的電導(dǎo)率如表4所示。不難發(fā)現(xiàn),當(dāng)納米粒子質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.5%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))時(shí),復(fù)合材料的電導(dǎo)率僅為0.26 S/m,這是因?yàn)榧{米粒子太少,石墨片層幾乎不能搭接形成導(dǎo)電通路。當(dāng)納米粒子含量逐漸增大,石墨片層開始搭接,導(dǎo)電通路趨于完善,復(fù)合材料的電導(dǎo)率增長迅速。當(dāng)納米粒子含量為2%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))時(shí),石墨片層間已形成完整的導(dǎo)電通路,復(fù)合材料的電導(dǎo)率達(dá)到1.26 S/m。隨后,納米粒子含量的增大對電導(dǎo)率的影響不大。
表4 不同納米粒子含量Fe3O4-rGO/PBA-a復(fù)合材料的電導(dǎo)率
不同含量Fe3O4-rGO/PBA-a復(fù)合材料的磁感應(yīng)強(qiáng)度如表5所示。可以看出,隨著納米粒子的增加,復(fù)合材料磁感強(qiáng)度增大。這是由于復(fù)合材料的磁感應(yīng)強(qiáng)度主要受磁性Fe3O4影響。因此,納米粒子含量越大,復(fù)合材料中的Fe3O4越多,磁感應(yīng)強(qiáng)度越高,磁導(dǎo)率增大。
表5 不同納米粒子含量Fe3O4-rGO/PBA-復(fù)合材料的磁感應(yīng)強(qiáng)度
從圖8可以看出,在0-2000 MHz頻率范圍內(nèi),復(fù)合材料電磁屏蔽效能呈下降趨勢,但在低頻(30 MHz)時(shí),顯示出較高的電磁屏蔽效能。隨著納米粒子的增加,復(fù)合材料電磁屏蔽效能增大,當(dāng)納米粒子含量為2.5%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))時(shí),復(fù)合材料最高電磁屏蔽效能值為24 dB。這是因?yàn)榧{米粒子的增多使得rGO之間能夠搭接形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),通過電導(dǎo)損耗屏蔽電磁波。其次,rGO是通過水熱法還原制備而成,部分含氧基團(tuán)的去除也給其帶來了一些結(jié)構(gòu)缺陷,這有助于提高復(fù)合材料對電磁波的吸收,同時(shí)rGO表面的缺陷和殘余氧化基團(tuán)在電磁場變化的情況下易產(chǎn)生極化和弛豫,從而衰減電磁波。
圖8 不同納米粒子含量Fe3O4-rGO/PBA-a復(fù)合材料的電磁屏蔽效能
另一方面,納米粒子的增多使得Fe3O4增多,F(xiàn)e3O4本身具有良好的磁性,能通過吸收損耗電磁波。其次,F(xiàn)e3O4納米粒子與石墨烯之間的多界面可能會增強(qiáng)界面極化,兩者之間的不同電勢會導(dǎo)致兩端電荷積聚,從而增強(qiáng)空間電荷極化,而超微小的Fe3O4納米粒子具有非飽和鍵,可以作為偶極,從而增強(qiáng)偶極極化,造成電磁波的衰減。
rGO對電磁波具有高的電導(dǎo)損耗。然而,單一的rGO由于其高電導(dǎo)率和低磁導(dǎo)率而不能達(dá)到理想的微波吸收性能,這將導(dǎo)致電磁阻抗匹配的降低。因此,F(xiàn)e3O4顆粒負(fù)載于rGO上提高了納米粒子的磁導(dǎo)率,改善了阻抗匹配特性,減少表面反射并有利于吸收,增強(qiáng)了rGO和Fe3O4的協(xié)同作用,使得Fe3O4-rGO/PBA-a復(fù)合材料在低頻段獲得了更好的吸波性能。
從TGA測試結(jié)果(圖9和表6)可知,隨著納米粒子的增加,復(fù)合材料Td5、Td10、殘?zhí)柯示兴岣?,這說明納米粒子的加入能夠增強(qiáng)復(fù)合材料熱穩(wěn)定性,這是由于納米粒子中rGO與BA-a的交聯(lián)反應(yīng)有助于復(fù)合材料交聯(lián)密度的提高。同時(shí),F(xiàn)e3O4和rGO在高溫下均具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,因此殘?zhí)柯孰S納米粒子的增多而增大。
圖9 不同納米粒子含量Fe3O4-rGO/PBA-a復(fù)合材料的TGA曲線
表6 不同納米粒子含量Fe3O4-rGO/PBA-a復(fù)合材料的TGA結(jié)果
制備了一種兼?zhèn)潆妼?dǎo)性和亞鐵磁性的rGO負(fù)載Fe3O4納米粒子,并通過與苯并噁嗪共混固化,得到了同時(shí)具有高電導(dǎo)率和高磁導(dǎo)率的雙性電磁屏蔽復(fù)合材料。研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)氨水用量為3 mL時(shí),納米粒子具有最佳的電導(dǎo)性和磁導(dǎo)性;且當(dāng)GO和FeCl3·6H2O配比為5%時(shí),納米粒子中rGO對Fe3O4具有最高的負(fù)載效率。納米粒子可催化BA-a的固化,并與其發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)。隨著納米粒子的增加,rGO在基體中首尾相連,逐漸形成完整的導(dǎo)電通路,電導(dǎo)率不斷增大。同時(shí),復(fù)合材料的磁導(dǎo)率也隨納米粒子的增加而增大,并改善了阻抗匹配特性,減少表面反射并有利于吸收。在低頻下,復(fù)合材料表現(xiàn)出較高的磁屏蔽效能,微集料加入量為2.5%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))時(shí)復(fù)合材料的電磁屏蔽效能最高達(dá)到24 dB。且復(fù)合材料具有較高的熱穩(wěn)定性。