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基于GaN器件大功率雙向DC/DC變換器的設(shè)計與仿真

2021-02-01 08:14劉曉悅白尚維陳瑞
電源技術(shù) 2021年1期
關(guān)鍵詞:全橋紋波電感

劉曉悅,白尚維,陳瑞

(華北理工大學(xué)電氣工程學(xué)院,河北 唐山 063210)

近年來,隨著能源危機的爆發(fā)和環(huán)境的不斷惡化,能源節(jié)約和清潔能源的高效利用引起了人們的廣泛關(guān)注,其中光能、風(fēng)能等可再生能源以及再生制動能量的回收利用成為人們研究的熱點問題。在分布式能源系統(tǒng)中高壓總線的電壓往往能夠達到240~450 V。但是國內(nèi)外研究關(guān)于5 kW以上的DC/DC變換器很少,因此,研究一種高功率雙向DC/DC變換器很有必要。

圖1為常見的DC/DC變換器應(yīng)用拓撲。雙向DC/DC變換器按照有無電氣隔離可以分為隔離型和非隔離型,在它們之中,隔離型DC/DC變換器是優(yōu)選的,因為它易于實現(xiàn)電氣隔離、高頻化、小型化。其中雙有源全橋(DAB)DC/DC變換器更是得到了廣泛關(guān)注[1]。全橋雙有源DC/DC變換器是由一個高頻變壓器兩側(cè)分別連接一個全橋電路組成,一側(cè)全橋電路充當(dāng)逆變器,另一側(cè)則充當(dāng)整流器,實現(xiàn)了低壓側(cè)和高壓側(cè)電氣上的隔離。控制雙有源全橋開關(guān)管之間的相移角,以實現(xiàn)零電壓開啟(ZVS)和零電流關(guān)閉(ZCS)。這嚴重影響了變換器的效率。文獻[2]在高壓側(cè)引入了一個LLC諧振電路來實現(xiàn)它。該電路可在整個負載范圍內(nèi)提供軟開關(guān),但以輸出功率為代價。文獻[3]為了使變換器正反雙向?qū)ΨQ工作在低壓側(cè)也引入了諧振電感,但是導(dǎo)致低壓側(cè)輸出電流波紋較大,影響變換器的效率。在參考文獻[4]中,高壓側(cè)已更改為倍壓整流電路。這提高了電壓增益,但是開關(guān)管難以實現(xiàn)軟開關(guān)。

圖1 常見的DC/DC變換器應(yīng)用拓撲

為了解決雙有源全橋變換器中存在的上述問題,變換器的輸出功率進一步提高,低壓側(cè)電流紋波更小。本文設(shè)計了一種基于GaN高頻率開關(guān)器件的大功率雙向DC/DC變換器,通過GaN器件的高頻化,進一步提高了變換器的輸出功率,利用變壓器的漏感與開關(guān)管寄生電容構(gòu)成諧振電路,可以在輕負載條件下實現(xiàn)軟開關(guān),減小了開關(guān)損耗。變換器采用更少的電容器,進一步減小了變換器的體積。與傳統(tǒng)的DAB相比將交流側(cè)的電感移到直流側(cè),減小了輸出電流波紋,降低了無功功率。因此,此變換器具有體積小、高功率輸出、損耗小、電流紋波小、無功功率小、效率高等優(yōu)勢,適合作為分布式能源系統(tǒng)、飛機船舶等大功率設(shè)備的電力電子變換器。

1 工作原理

1.1 拓撲結(jié)構(gòu)與分析

圖2顯示了基于本文提出的GaN器件的大功率雙向DC/DC變換器。兩側(cè)的直流電源通過高頻變壓器、兩個電感器和兩個全橋電路連接,其中S1、S4為低壓側(cè)的超前臂,S2、S3為滯后臂,這四個開關(guān)管的寄生電容Cinss與變壓器的漏感Lm構(gòu)成諧振電路,使低壓側(cè)開關(guān)管實現(xiàn)零電壓開通(ZVS)和零電流關(guān)斷(ZCS)。另一方面,輸入電感Lin可以與開關(guān)管的寄生電容和低壓開關(guān)管的零電壓導(dǎo)通(ZVS)形成諧振電路,為零電流關(guān)斷(ZCS)提供條件,有效地吸收回流電流從而降低電路中的無功功率,提高變換器的效率,減少電路的能量損耗[5]。Q1、Q4為高壓側(cè)的超前臂,Q2、Q3為高壓側(cè)的滯后臂,這四個開關(guān)管構(gòu)成的全橋電路在高壓側(cè)充當(dāng)整流的作用,其寄生電容與變壓器漏感構(gòu)成諧振電路,使高壓側(cè)開關(guān)管實現(xiàn)零電壓開通(ZVS)和零電流關(guān)斷(ZCS),輸出濾波電感減小了輸出電流紋波,提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

圖2 基于GaN器件的大功率DC/DC變換器拓撲

1.2 工作模式分析

取決于功率傳輸?shù)姆较颍儞Q器可以具有兩種工作模式,升壓模式和降壓模式。下面將詳細分析這兩種操作模式。

1.2.1 升壓模式

在這種模式下,輸入側(cè)為低電壓VL,輸出側(cè)為高電壓VH,功率從低壓側(cè)流向高壓側(cè)。一次側(cè)低壓電橋執(zhí)行逆變器操作,二次側(cè)高壓電橋執(zhí)行整流操作以達到穩(wěn)定的輸出電壓。放電模式下的各種開關(guān)瞬間如圖3所示。圖3中的波形描繪了晶體管 S1到 Q4的柵極電壓(用VS1和VQ4表示)、VL和VH橋上的電壓、輸入電感的電流Iin、一次側(cè)和二次側(cè)流過開關(guān)管的電流IS1和IQ4以及輸出電流IO。圖4是升壓模式下各個階段的等效電路圖。

圖3 升壓模式下脈沖以及主要波形圖

圖4 升壓模式下各個階段的等效電路圖

(1)模式1(t0-t1)

一次側(cè)開關(guān)管 S1、S4導(dǎo)通,IS1、IS4增加直到t1時刻達峰值,一次側(cè)電壓VL通過S1、S4和高頻變壓器原邊線圈為電感Lin充電,IL增加直到t1時刻達峰值。高壓側(cè)開關(guān)管Q2、Q3導(dǎo)通,因此二次側(cè)電壓被鉗位到-VH。

(2)模式2(t1-t2)

初級側(cè)開關(guān)管S1、S4繼續(xù)導(dǎo)通,與高頻變壓器原邊繞組構(gòu)成環(huán)路,初級側(cè)電流經(jīng)過變壓器耦合到次級側(cè),此時次級開關(guān)管 Q2、Q3零電流關(guān)斷(ZCS)和 Q1、Q4零電壓開通(ZVS),與次級電壓VO構(gòu)成完整環(huán)路,從而鉗位了變壓器次級側(cè)電壓到VH。此時電感Lin中流過的電流持續(xù)減小,并且其儲存的能量在兩側(cè)的電容中流動。

(3)模式3(t2-t3)

一次側(cè)開關(guān)管 S1、S4零電流關(guān)斷,S2、S3零電壓開通,因此,一次側(cè)電壓Vin被反向鉗位到-VL,與高頻變壓器原邊繞組構(gòu)成回路。初級電流通過高頻變壓器耦合到次級側(cè),次級開關(guān)管Q1、Q4保持開通狀態(tài),并與次級電壓VO形成完整環(huán)路。此時,電感Lin電流不斷增大,儲能增加,同時由電容向負載R供電。這就完成了循環(huán)的半個周期,在t3時刻循環(huán)被重復(fù)。

變換器工作的一個重要特點是,由于二極管在所有晶體管的導(dǎo)通瞬間具有零電流,因此消除了由二極管反向恢復(fù)引起的損耗。

1.2.2 降壓模式

因為本拓撲采用對稱設(shè)計,其反向降壓模式與升壓模式原理相同,變換器中電壓電流波形與升壓模式相似,本節(jié)不再贅述。

最大功率傳輸是在90°移相時實現(xiàn)的,其中占空比d=0.5。由于所有器件都在ZVS條件下工作,在很大的負載范圍內(nèi)都能獲得高效率。該電路可以實現(xiàn)升壓或降壓。升壓和降壓的轉(zhuǎn)換取決于相移。

2 主電路參數(shù)設(shè)計

2.1 GaN器件分析

近年來,氮化鎵(GaN)器件已成為商用器件,具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和在高溫度下的工作能力。GaN器件具有的這些優(yōu)良器件特性,對DC/DC電源應(yīng)用有著重要的影響。與Si器件相比,基于GaN器件的DC/DC變換器是通過降低器件功率損耗、放寬熱設(shè)計和通過在更高頻率下工作以減小無源元件來提高變換器的功率效率和功率密度的。

GaN器件的狀態(tài)電阻與Si器件相當(dāng),但寄生電容、柵電荷和反向恢復(fù)電荷要比Si器件低得多。結(jié)果表明,用GaN器件代替Si器件可以在器件導(dǎo)通損耗基本不變的情況下,顯著降低開關(guān)損耗和擴大軟開關(guān)工作范圍[6]。

2.2 變換器關(guān)鍵參數(shù)設(shè)計

3 仿真和實驗驗證

3.1 仿真驗證

使用MATLAB軟件進行了詳細的仿真,以驗證第2節(jié)中設(shè)計的基于GaN的大功率DC/DC變換器的性能。本節(jié)介紹使用MATLAB軟件的仿真結(jié)果。仿真結(jié)果適用于10 kW DAB變換器。圖5顯示了變換器的Simulink模型。

圖中,Vin為輸入電壓,Lin為輸入電感,S1~S4為一次側(cè)GaN器件,T為高頻變壓器,Q1~Q4為二次側(cè)GaN器件,LO為輸出電感,R為負載。本仿真模型針對輕載下進行建模仿真,負載僅有3 W。其中仿真模型主要參數(shù)如表1所示。

圖5 基于GaN的大功率DC/DC變換器Simulink仿真模型

表1 仿真模型主要參數(shù)

MATLAB仿真顯示了變換器升壓模式的主脈沖和主波形,如圖6所示。這基本上與理論分析的波形相一致。

圖7顯示了四個開關(guān)管的仿真結(jié)果。從該圖可以看出,變換器的每個開關(guān)管在輕載時都可以實現(xiàn)零電壓接通(ZVS)和零電流關(guān)斷(ZCS),減少了開關(guān)損耗。

在圖8中,Io-1和Uo-1是傳統(tǒng)雙向DC/DC變換器處于穩(wěn)定狀態(tài)時的輸出電流和電壓,而Io-2和Uo-2是優(yōu)化后處于穩(wěn)態(tài)時的輸出電流和電壓。傳統(tǒng)的電流紋波約為1 A。優(yōu)化后,電流紋波減小到0.01 A。可以看到,經(jīng)過優(yōu)化,可以有效降低DC/DC輸出電流和電壓紋波,并可以實現(xiàn)輸出功率為10 kW的穩(wěn)定輸出。

3.2 實驗驗證

為了驗證本文描述的拓撲的準(zhǔn)確性,我們設(shè)計了具有50 kHz功率傳輸?shù)?0 kW實驗原型。具體參數(shù):d=0.5,VH=300 V,VL=60 V,變壓器匝數(shù)比n=0.2∶1,耦合電感L=61 μH,負載R=3 Ω。測量結(jié)果如圖9~11所示。圖9顯示了全橋產(chǎn)生的電壓和變壓器電流。圖10顯示了高壓側(cè)GaN的電流和電壓波形,以及電感電流和輸出電壓波形。

圖11顯示了低壓側(cè)GaN的電流和電壓波形以及輸出電流波形。低壓側(cè)GaN電壓,電流和變壓器電壓中出現(xiàn)的振蕩是由于在器件開關(guān)瞬變期間電感器和緩沖電容器之間發(fā)生諧振。在10 kW時,變換器的效率為93%。預(yù)期的穩(wěn)態(tài)值是IP=64.3 A,IO=35.6 A,IL1=27 A,IRM=30 A,測量結(jié)果是IP=60 A,IO=34 A,IL1=31 A,IRM=29 A。實驗結(jié)果、模擬結(jié)果和數(shù)學(xué)分析之間有很好的一致性。

4 結(jié)論

圖6 升壓模式下脈沖以及主要波形圖

圖7 軟開關(guān)仿真波形圖分析

圖8 與傳統(tǒng)的DC/DC相比輸出電流輸出電壓波形圖

本文介紹了基于GaN器件的大功率雙向DC-DC變換器并對其性能進行了驗證。它具有體積小、高功率輸出、損耗小,電流紋波小,無功功率小,效率高等優(yōu)勢。10kW DC/DC變換器獲得的仿真和實驗結(jié)果驗證了以其作為分布式能源系統(tǒng)、飛機船舶等大功率設(shè)備的電力電子變換器具有良好的性能。

圖9 全橋產(chǎn)生的電壓和變壓器電流

圖10 高壓側(cè)GaN的電流、電壓波形,電感電流和輸出電壓波形

圖11 低壓側(cè)GaN的電流和電壓波形以及輸出電流波形

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