專利名稱：一種LED 芯片制備方法

專利申請(qǐng)?zhí)枺?020106087396

公布號(hào)：CN111710761A

申請(qǐng)日：2020.06.29 公開(kāi)日：2020.09.25

申請(qǐng)人：湘能華磊光電股份有限公司

本發(fā)明提供了一種LED 芯片制備方法。包括：在襯底上生長(zhǎng)完整LED 結(jié)構(gòu)外延片；在第二半導(dǎo)體層上制備電流擴(kuò)展層，通過(guò)光刻工藝和腐蝕工藝制備電流擴(kuò)展層圖形；依次刻蝕電流擴(kuò)展層、第二半導(dǎo)體層、多量子阱層和第一半導(dǎo)體層；采用腐蝕工藝對(duì)電流擴(kuò)展層邊緣進(jìn)行腐蝕，使第二半導(dǎo)體層邊緣超出電流擴(kuò)展層邊緣；沉積絕緣層；通過(guò)光刻工藝制備電極圖形，并通過(guò)腐蝕工藝制備電極孔；制備P 電極和N 電極，制備出完整LED 芯片。本發(fā)明先進(jìn)行電流擴(kuò)展層的制備，然后通過(guò)光刻工藝和腐蝕工藝制備電流擴(kuò)展層圖形，再對(duì)器件進(jìn)行刻蝕，可避免在刻蝕后再制備電流擴(kuò)展層時(shí)導(dǎo)致第二半導(dǎo)體層和多量子阱層的側(cè)面、第一半導(dǎo)體層的上表面有電流擴(kuò)展層材料殘留而引起漏電。