何海洋
(上海美維電子有限公司,上海 201613)
某公司最新穿戴式產(chǎn)品主板PCB設(shè)計(jì)為六層任意層互聯(lián)的剛撓結(jié)合板,經(jīng)產(chǎn)品分析,激光孔焊環(huán)設(shè)計(jì)單邊僅60 μm,02/05層的激光孔偏位問(wèn)題為最大的潛在品質(zhì)風(fēng)險(xiǎn),而在樣品制作階段也的確如預(yù)期所料,出現(xiàn)偏位異常,與期望目標(biāo)差距很大(見(jiàn)表1)。為此需要制定相關(guān)措施控制該品質(zhì)風(fēng)險(xiǎn),以保證后續(xù)量產(chǎn)階段的產(chǎn)品品質(zhì)及準(zhǔn)時(shí)交貨率。
該項(xiàng)目的疊層設(shè)計(jì)如圖1。最大的品質(zhì)缺陷即為電測(cè)試短路問(wèn)題,通過(guò)破壞性切片分析確認(rèn)激光孔偏位導(dǎo)致(見(jiàn)圖2),此類(lèi)缺陷具有難以偵測(cè)和識(shí)別的特點(diǎn),故更應(yīng)集中資源進(jìn)行徹底分析改善。
我們簡(jiǎn)單化處理,直接從激光孔偏位的字面意義分解,只有以下三種情形可以導(dǎo)致偏位問(wèn)題發(fā)生(見(jiàn)圖3)。
進(jìn)一步將這三種情形進(jìn)行可能原因細(xì)分,小組內(nèi)部頭腦風(fēng)暴,可能性原因進(jìn)行魚(yú)骨圖分析(見(jiàn)圖4)。
對(duì)各項(xiàng)因素影響激光孔偏位程度分析(見(jiàn)表2)。從上述的因果交叉和帕累托圖分析,我們可以發(fā)現(xiàn)軟板PI層材料變形以及孔-盤(pán)錯(cuò)位的幾個(gè)因素是造成激光孔偏位的主要原因,將在后續(xù)論文中進(jìn)行詳細(xì)的系統(tǒng)分析和改善。在此之前,要做的是保證盤(pán)尺寸和激光孔尺寸在受控范圍內(nèi)。
表1 產(chǎn)品改善前激光孔偏位狀況
圖1 疊層設(shè)計(jì)
圖2 激光孔偏位(左:切片,右:表面)
圖3 激光孔偏位直觀分類(lèi)
根據(jù)原因分析結(jié)果,對(duì)主要的幾個(gè)原因進(jìn)行逐一確認(rèn)并改善,這里要明確的是,激光孔底盤(pán)尺寸,激光孔孔徑尺寸和撓性板PI層材料變形等三個(gè)變量相對(duì)獨(dú)立,變量之間沒(méi)有交叉影響。但是孔和盤(pán)之間錯(cuò)位的變量相對(duì)復(fù)雜,幾個(gè)影響因素之間有交叉影響,因此我們內(nèi)部安排DOE實(shí)驗(yàn)進(jìn)行系統(tǒng)分析。
3.1.1 現(xiàn)有能力確認(rèn)
客戶端的激光孔焊盤(pán)尺寸初始要求為(220±25)μm,使用三維測(cè)量?jī)x(已進(jìn)行量具特性化分析和校正)收集了近期的撓性板層焊盤(pán)尺寸數(shù)據(jù)并進(jìn)行能力分析,PPK非常低僅為-4.62,遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于我們的目標(biāo)值220 μm左右,需要從蝕刻補(bǔ)償?shù)雀鞣矫孢M(jìn)行改善。
3.1.2 改善措施
最有效的改善措施是增加焊盤(pán)尺寸的蝕刻補(bǔ)償,甚至針對(duì)此項(xiàng)目的每一個(gè)焊盤(pán)進(jìn)行逐一人工處理,在允許的范圍內(nèi)進(jìn)行移線刮銅預(yù)留,最大空間留給焊盤(pán)補(bǔ)償,同時(shí)現(xiàn)場(chǎng)確認(rèn)蝕刻藥水成分濃度分析,確保蝕刻因子在控制范圍內(nèi)。
圖4 激光孔偏位原因魚(yú)骨圖
表2 設(shè)備/制程能力因果交叉表
圖5 激光孔偏位柏拉圖
3.1.3 改善后過(guò)程能力再確認(rèn)
經(jīng)過(guò)有效補(bǔ)償加放后,焊盤(pán)尺寸明顯往上限平移,在220 μm中值及以上PPK穩(wěn)定在2.0以上,從箱線圖看出整個(gè)改善效果非常明顯(見(jiàn)圖6)。
客戶端的激光孔孔徑初始要求為(100±25) μm,激光鉆孔設(shè)備一般都是高精度設(shè)置的鐳射設(shè)備,本身的設(shè)備穩(wěn)定性基本可以保證。使用金相顯微鏡進(jìn)一步通過(guò)對(duì)現(xiàn)有樣品進(jìn)行切片分析,現(xiàn)有的激光孔孔徑可以滿足客戶要求,而且PPK達(dá)到1.92,說(shuō)明現(xiàn)有能力足夠,無(wú)需進(jìn)一步的分析改善(見(jiàn)圖7)。
為了避免激光孔偏位問(wèn)題,嚴(yán)格管控?fù)闲园寰埘啺穂1]基材層的變形量是最直接的措施之一,但受制于材料的特性以及壓合制程的影響,一般的基材層變形量普遍在萬(wàn)分之五左右,很難滿足苛刻的PCB制程需求。因此,在加強(qiáng)來(lái)料漲縮監(jiān)控之外,還需要從拼版設(shè)計(jì)上入手,盡量保持基材層的整體剛性和支撐性。
圖6 底盤(pán)尺寸改善后能力分析及箱線圖對(duì)比
圖7 激光孔孔徑現(xiàn)有能力分析
為了更好理解掌握激光孔和底盤(pán)之間的錯(cuò)位狀況,介紹一種量測(cè)孔和盤(pán)之間錯(cuò)位程度的全新理念,量測(cè)兩者之間的中心間距數(shù)據(jù)進(jìn)行可量化分析。理想的狀態(tài)下,兩者的孔間距為0;極限的狀態(tài)下,兩者的孔間距為60 μm(初始孔徑為100 μm,底盤(pán)尺寸為220 μm)(見(jiàn)圖8)。
圖8 孔-盤(pán)錯(cuò)位極限
通過(guò)水平研磨金相切片的方法,顯微鏡量測(cè)出兩者之間的中心間距,孔和盤(pán)的中心間距為11.19 μm(見(jiàn)圖9)。
圖9 孔-盤(pán)間距平磨切片
內(nèi)部安排DOE實(shí)驗(yàn)[2],找出影響激光孔和底盤(pán)之間錯(cuò)位的顯著因子,使用相應(yīng)優(yōu)化器工具找出最優(yōu)的參數(shù)搭配組合,最后進(jìn)行放量性測(cè)試,確認(rèn)該參數(shù)的改善效果。
3.4.1 實(shí)驗(yàn)安排
(1)模擬測(cè)試板流程完全按照改任意層互聯(lián)項(xiàng)目執(zhí)行;(2)安排約30片板進(jìn)行模擬實(shí)驗(yàn);(3)在第一次壓合后安排水平研磨切片,收集確認(rèn)孔和盤(pán)的錯(cuò)位程度;(4)最終安排電測(cè)試確認(rèn)實(shí)際效果。
3.4.2 變量選擇和實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)
(1)變量分析:選取了拼版設(shè)計(jì),壓合參數(shù)和壓機(jī)類(lèi)型作為自變量,而孔和盤(pán)之間的中心間距即錯(cuò)位程度作為相應(yīng)變量。
(2)定量分析:將其它因素視為定量,整個(gè)實(shí)驗(yàn)基于以下展開(kāi)。①改善后底盤(pán)尺寸控制;②激光孔孔徑中值控制;③軟板聚酰亞胺基材變形得到有效控制。
(3)DOE實(shí)驗(yàn)。
3.4.3 數(shù)據(jù)分析方法
(1)用方差分析(ANOVA)的方法確定影響孔-盤(pán)偏位的顯著主效應(yīng)和交互作用;(2)用殘差分析的方法確定DOE試驗(yàn)?zāi)P驮O(shè)計(jì)和孔-盤(pán)偏位數(shù)據(jù)的擬合程度; (3)用主效應(yīng)圖和交互效應(yīng)圖來(lái)定性的分析試驗(yàn)因子對(duì)孔-盤(pán)偏位的影響;(4)用響應(yīng)優(yōu)化器來(lái)確定最優(yōu)參數(shù)組合,并定量的預(yù)測(cè)響應(yīng)結(jié)果;(5)用控制圖和能力分析的方法驗(yàn)證最優(yōu)參數(shù)組合的實(shí)際輸出結(jié)果的能力可行性。
3.4.4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析討論
(1)孔-盤(pán)間距的效應(yīng)和系數(shù)的估計(jì)(已編碼單位)(見(jiàn)圖11)。
①R-Sq = 96.65% ≥80%,說(shuō)明本次試驗(yàn)選擇的因子和水平有效,可以有效識(shí)別出影響孔-盤(pán)偏位的主效應(yīng)因子或交互作用。
表3 孔-盤(pán)錯(cuò)位DOE實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)表
圖10 拼版設(shè)計(jì)
表4 孔-盤(pán)錯(cuò)位DOE實(shí)驗(yàn)結(jié)果列表
②主要因子非常顯著,而各個(gè)因子之間的交叉作用不明顯。
(2)孔-盤(pán)間距的數(shù)據(jù)方差分析(已編碼單位)
①?gòu)囊陨戏讲罘治隹梢钥闯?,彎曲P值0.510>0.05,失擬P值0.058>0.05,說(shuō)明無(wú)彎曲和失擬現(xiàn)象;
②從以上方差分析可以看出,只有主效應(yīng)的P-value=0.000<0.05,說(shuō)明無(wú)交互作用。
(3)主效應(yīng)圖分析。
主效應(yīng)圖說(shuō)明拼版是主效應(yīng),B拼版明顯優(yōu)于A拼版,壓合參數(shù)其次,溫升效率越低,對(duì)孔-盤(pán)偏位越有利,同時(shí),Cedal壓機(jī)在控制孔-盤(pán)偏位時(shí)優(yōu)于Burkel壓機(jī)(見(jiàn)圖13所示)。
另外,交互作用分析可以說(shuō)明層壓參數(shù)和壓機(jī)類(lèi)型之間有一定的交互作用,其余因子間的交互作用基本可以忽略。
總之,拼版是最關(guān)鍵因子,其次是壓合參數(shù),壓機(jī)類(lèi)型也起到一定影響作用,因子間的交互作用不大,可以忽略。最佳的參數(shù)組合為:B 拼版設(shè)計(jì) + 1.5 ℃/min 溫升壓合參數(shù) + Cedal 壓機(jī)。
下一步驗(yàn)證試驗(yàn)將會(huì)按此參數(shù)進(jìn)行數(shù)據(jù)確認(rèn)和能力分析。
按照DOE實(shí)驗(yàn)的最佳參數(shù),進(jìn)一步放量生產(chǎn)確認(rèn),激光孔和底盤(pán)的偏位控制能力顯著提升,激光孔偏位的缺陷得到有效改善(見(jiàn)圖14、表5所示)。
(1)提升產(chǎn)品整體的生產(chǎn)效率;
(2)保證了產(chǎn)品整體的交貨進(jìn)度;
(3)降低了客戶端投訴風(fēng)險(xiǎn);
(4)贏得客戶端信任。
(1)撓性板聚酰亞胺層的拼版優(yōu)化設(shè)計(jì)方案確認(rèn),形成設(shè)計(jì)指引規(guī)范;(2)層壓參數(shù)優(yōu)化,確定出最優(yōu)的溫升速率目標(biāo)值;(3)形成了Cedal電壓機(jī)的通用用途規(guī)范。
圖12 孔-盤(pán)間距的數(shù)據(jù)方差分析圖
圖13 孔-盤(pán)間距主效應(yīng)圖
圖14 改善后孔-盤(pán)間距能力分析圖
表5 激光孔偏位改善后狀況
本文是全制程特性化分析思路的完整應(yīng)用。通過(guò)對(duì)某一任意層互聯(lián)剛撓結(jié)合板項(xiàng)目的深入研究,得出撓性PI層變形控制和底盤(pán)尺寸控制是最直接最有效的改善措施,找出影響激光孔和盤(pán)之間錯(cuò)位的關(guān)鍵因子和相應(yīng)措施,并得到了放量性的驗(yàn)證,可供相關(guān)工程師參考。