許曉威 孫立寧 張玉良 江海兵
1.衢州學(xué)院機(jī)械工程學(xué)院,衢州,324000 2.蘇州大學(xué)機(jī)器人與微系統(tǒng)研究中心,蘇州,215021
近年來,微流控技術(shù)隨著微制作工藝的快速發(fā)展取得了很大的突破。在微流控領(lǐng)域中利用介電濕潤(electrowetting-on-dielectric, EWOD)機(jī)理已經(jīng)成為一種趨勢。目前基于介電濕潤機(jī)理操控液滴的技術(shù)被稱為數(shù)字微流控技術(shù),包括從儲液池中生成液滴、把一個液滴分離成兩個子液滴、把兩個液滴合并成一個液滴以及液滴的運輸四項基本操控[1-4]。數(shù)字微流控技術(shù)不需要微泵、微閥和微管道等復(fù)雜的機(jī)械結(jié)構(gòu),避免了結(jié)構(gòu)復(fù)雜部件的制作和裝配、不同液體的交叉使用所造成的污染、液體堵死等現(xiàn)象。數(shù)字微流控芯片可以操控μL甚至nL級別的單個微液滴,使其在“芯片上實驗室”(lab on a chip)中得到越來越多的應(yīng)用[5-12]。另外,數(shù)字微流控技術(shù)在光學(xué)[13]、芯片降溫[14]、傳感器[15]等領(lǐng)域也得到了廣泛的應(yīng)用。
數(shù)字微流控技術(shù)中液滴在電場的作用下經(jīng)過一系列過程而運動,該過程是多尺度、多階段的??偨Y(jié)相關(guān)文獻(xiàn)發(fā)現(xiàn),研究者針對EWOD芯片上液滴從靜止到運動的過程和機(jī)理提出了各種假設(shè)[16-21],而該機(jī)理至今未見系統(tǒng)的研究。本文在前人研究的基礎(chǔ)上,通過理論分析、數(shù)值仿真和實驗研究,針對液滴從靜止到運動的過程進(jìn)行研究。
數(shù)字微流控技術(shù)中常用的結(jié)構(gòu)為圖1a所示的“三明治”結(jié)構(gòu),液滴位于上下極板之間[1,4],施加驅(qū)動電壓前液滴位于左右驅(qū)動電極之上,由于上下極板表面涂有厭水層,液滴的初始接觸角θ0接近120°,液滴近似為球形。數(shù)字微流控技術(shù)操控液滴運動是通過給介電層下方的驅(qū)動電極通電來實現(xiàn)的。如圖1b所示,液滴由圖1a中的近似球形形狀變成圖1b所示的不規(guī)則形狀,此時右側(cè)驅(qū)動電極通電,液滴的大部分位于左側(cè)不加電驅(qū)動電極之上,位于通電驅(qū)動電極之上的液滴初始接觸角θ0減小,當(dāng)減小量足夠大時,液滴就會向通電驅(qū)動電極的方向運動。按時序分別給陣列驅(qū)動電極通電,液滴就會按照規(guī)劃好的路徑運動。數(shù)字微流控技術(shù)包括液滴的生成、分離、合并和運輸四項基本操控[1-6]。驅(qū)動電壓與接觸角的關(guān)系可由楊-李普曼方程表述:
(1)
式中,θU、θ0分別為液滴在施加驅(qū)動電壓U時的接觸角和不施加驅(qū)動電壓時的初始接觸角;εr、ε0分別為介電濕潤芯片介電層的相對介電常數(shù)和真空介電常數(shù);γlg為“氣-液”表面張力;d為芯片的介電層厚度。
圖1 介電濕潤基本原理示意圖(側(cè)視圖)Fig.1 Schematic diagram of electrowetting-on- dielectric basic principle (side view)
在電磁學(xué)領(lǐng)域,在外電場作用下,電介質(zhì)會顯示電性。理想的絕緣介質(zhì)內(nèi)部沒有自由電荷,而實際上,電介質(zhì)內(nèi)部總是存在少量的自由電荷,它們是造成電介質(zhì)漏電的原因。一般情況下,未經(jīng)電場作用的電介質(zhì)內(nèi)部的正負(fù)束縛電荷處處抵消,宏觀上并不顯示電性。而在外電場作用下,束縛電荷的局部移動會導(dǎo)致宏觀上顯示電性,在電介質(zhì)的表面和內(nèi)部非均勻的部分出現(xiàn)電荷,這種現(xiàn)象稱為極化,出現(xiàn)的電荷稱為極化電荷,這些極化電荷會改變原來的電場。因極化而產(chǎn)生的電偶極子稱為“感應(yīng)電偶極子”,其電偶極矩稱為“感應(yīng)電偶極矩”。電極化強(qiáng)度矢量P也稱為電極化矢量,其大小為電介質(zhì)內(nèi)的電偶極矩密度,也就是單位體積的電偶極矩,又稱為電極化密度。該定義所指的電偶極矩包括永久電偶極矩和感應(yīng)電偶極矩。電極化強(qiáng)度P、電場強(qiáng)度E、電位移D這三個矢量的關(guān)系表達(dá)式為
D=ε0E+P=ε0εrE
(2)
對于各向同性、線性電介質(zhì),電極化強(qiáng)度P和電場強(qiáng)度E的比例稱為電極化率χe,有
P=χeε0E
(3)
所以,電位移與電場強(qiáng)度成正比,即
D=ε0(1+χe)E=εE
其中,ε為電容率(介電常數(shù))。相對電容率εr(相對介電常數(shù))與電極化率的關(guān)系為
εr=1+χe
電極化強(qiáng)度P、電場強(qiáng)度E、電位移D三個矢量的方向相同。電磁學(xué)所描述的物理量大部分都是宏觀的平均值,像電場平均值、電極化強(qiáng)度平均值等都是取自一個遠(yuǎn)大于原子尺寸的區(qū)域。當(dāng)研究微觀問題時,對于在電介質(zhì)內(nèi)的單獨粒子,其極化性與電極化率平均值、電極化強(qiáng)度平均值的關(guān)系可用克勞修斯-莫索提方程來表達(dá):
(4)
式中,Nj為分子j的每單位數(shù)量的面積;αj為分子j的分子極化率。
式(4)表達(dá)了分子極化性與介電常數(shù)的關(guān)系。該式在微觀量(極化性)和宏觀量(介電常數(shù))之間建立起了一個連接,是連接微觀世界與宏觀世界的“橋梁”。式(4)有助于在分子層面上進(jìn)一步理解介電濕潤芯片上液滴驅(qū)動的本質(zhì)——固液接觸面在電場下的作用機(jī)理。
圖2 電荷與電偶極子變化情況示意圖(側(cè)視圖)Fig.2 Schematic diagram of the change in charge and electric dipole (side view)
在圖2所示的EWOD芯片中,當(dāng)右側(cè)驅(qū)動電極不導(dǎo)通時(圖2a),液滴中的電偶極子和自由電荷隨機(jī)分布在液滴中。當(dāng)右側(cè)驅(qū)動電極導(dǎo)通時(圖2b),在驅(qū)動電極與零電極之間形成電場,在電場作用下,厭水層表面會聚集大量的正電荷而成為表面束縛電荷,在這些表面束縛電荷的作用下,根據(jù)異性相吸的原理,液滴內(nèi)靠近束縛電荷表面的帶負(fù)電的自由電荷與電偶極子帶負(fù)電的部分會被吸引到該表面。宏觀上,液滴位于導(dǎo)電驅(qū)動電極上方的厭水層表現(xiàn)出親水性,位于該部分之上的液滴接觸角會減小。這一過程液滴受到靜電力作用,靜電力是導(dǎo)致液滴接觸角改變的主要原因。
采用COMSOL Multiphysics 4.4多物理場仿真軟件對圖1b和圖2b中的電場進(jìn)行數(shù)值仿真,相關(guān)模型參數(shù)見表1。
表1 數(shù)值仿真模型相關(guān)參數(shù)
在進(jìn)行數(shù)值仿真時可把液滴近似看作介電體,根據(jù)電荷守恒定律和拉普拉斯方程[9]得到
(σU)=0
(5)
(6)
外加電壓在液滴附近產(chǎn)生靜電場,由該電場引起的介電驅(qū)動力分量為
(7)
式中,F(xiàn)i為空間直角坐標(biāo)系中第i個坐標(biāo)的介電驅(qū)動力分量;Tij為麥克斯韋應(yīng)力張量元;sj為第j個坐標(biāo)方向上液滴的表面積;Σ表示積分區(qū)域為液滴表面。
由張量運算規(guī)則可知對于每一個麥克斯韋應(yīng)力張量元,有
(8)
式中,Ei、Ej分別為空間直角坐標(biāo)系中第i和第j個坐標(biāo)方向的電場強(qiáng)度;δij為Kronecker函數(shù)。
由高斯環(huán)路定理可得麥克斯韋應(yīng)力張量為
(9)
ε=εrε0
式中,I為二階單位張量。
把麥克斯韋應(yīng)力張量改寫成矩陣形式如下:
T=
(10)
利用高斯定理求得圖1中液滴在x、y、z三個方向所受介電驅(qū)動力為
(11)
式中,V為液滴的體積。
由于y、z方向的介電驅(qū)動力對液滴運動影響較小,可忽略不計,所以液滴所受介電驅(qū)動力可簡化為液滴在x方向上的受力。
圖3所示為“液滴-驅(qū)動電極-介電層-介質(zhì)”所組成的系統(tǒng)劃分好網(wǎng)格后的三維模型。為簡化運算,本文數(shù)值仿真只選取了左右兩個驅(qū)動電極,選擇空氣作為介質(zhì)。
圖3 液滴三維仿真模型Fig.3 Three-dimensional simulation model of droplet
圖4a為右側(cè)驅(qū)動電極導(dǎo)通時的電勢分布圖,為更直觀地表示驅(qū)動電極導(dǎo)通后的電勢分布情況,此圖后處理過程中選擇切片模式。很明顯,右側(cè)驅(qū)動電極上的電勢接近100 V。圖4b為固液接觸面電場強(qiáng)度分布圖,箭頭的長短表示該箭頭所處位置電場強(qiáng)度的大小,很明顯,液滴截面圓位于右側(cè)驅(qū)動電極之上的電場最強(qiáng),該部分電場集中分布,電場的方向指向零電極。圖4c為固液接觸面上麥克斯韋應(yīng)力張量分布圖,箭頭的長短表示麥克斯韋應(yīng)力張量的大小,很明顯,液滴截面圓位于右側(cè)導(dǎo)電驅(qū)動電極之上的麥克斯韋應(yīng)力張量是最密集和最大的。
根據(jù)麥克斯韋理論,電場是傳遞力的“橋梁”,電荷之間所產(chǎn)生的庫侖力靠電場來進(jìn)行傳遞。驅(qū)動電極導(dǎo)通時會在介電濕潤芯片與液滴所組成的系統(tǒng)中產(chǎn)生電場,計算出總的電場分布之后就可以推導(dǎo)出麥克斯韋應(yīng)力張量。根據(jù)上文液滴所受介電驅(qū)動力(式(11))可知,麥克斯韋應(yīng)力張量是計算EWOD芯片中液滴所受介電驅(qū)動力的一個橋梁,計算出麥克斯韋應(yīng)力張量,就可以算出液滴所受介電驅(qū)動力。同理,圖4c把固液接觸面上液滴受到的麥克斯韋應(yīng)力張量用箭頭直觀地表示出來了,該結(jié)果和前文中液滴受到靜電力的理論分析可以相互印證。
圖4d為驅(qū)動電極表面的極化效應(yīng)數(shù)值仿真圖。在電場的作用下,介電層材料與液滴間會表現(xiàn)出異性電荷相互吸引的趨勢。EWOD芯片系統(tǒng)中介電層材料與液滴的分子原來是沒有電偶極矩的,在外電場作用下,構(gòu)成分子的正負(fù)電荷發(fā)生相對位移,形成電偶極子,具有一定的電矩,其方向沿著外電場的方向,所以在固液接觸面上,分別出現(xiàn)了正負(fù)束縛的表面電荷。圖4d中的箭頭正是把“極化”這一抽象概念形象地表示出來了,圖中較大的箭頭集中于液滴截面圓之內(nèi),這說明在電場的作用下該部分是有“極化效應(yīng)”存在的。首先,位于導(dǎo)電驅(qū)動電極上方的固液接觸面在電場的作用下產(chǎn)生“極化效應(yīng)”,這一過程液滴受到靜電力作用,然后,該部分固液接觸面形成表面束縛電荷后使液滴的表面張力平衡狀態(tài)遭到破壞,不再平衡的表面張力使液滴產(chǎn)生一定量的形變,液滴的形變會使液滴內(nèi)部產(chǎn)生壓力差,而該壓力差即為驅(qū)動液滴運動的力。
圖4 電場數(shù)值仿真結(jié)果Fig.4 Numerical simulation results of electrical field
圖5a中,液滴恢復(fù)部分和前進(jìn)部分的曲率半徑分別為[17]
(12)
(13)
式中,θ0、θU分別為液滴恢復(fù)部分和前進(jìn)部分的接觸角,即初始接觸角和施加驅(qū)動電壓U時的接觸角;θt為液滴與上極板接觸時的接觸角;h為上下極板間的間距。
根據(jù)拉普拉斯方程,位于液滴恢復(fù)部分與前進(jìn)部分的兩個隨機(jī)點1和2處的壓力p1和p2分別為
(14)
(15)
式中,R1、R2分別為液滴恢復(fù)部分和前進(jìn)部分的半徑;pg為空氣介質(zhì)壓力。
那么可以推導(dǎo)出液滴內(nèi)部1和2兩個隨機(jī)點處流體靜壓力差計算式為
(16)
由圖5a可知,液滴恢復(fù)部分曲率半徑小于前進(jìn)部分曲率半徑,即γ1<γ2;液滴恢復(fù)部分半徑小于前進(jìn)部分半徑,即R1
pi≈p1-p2
此壓力差計算式忽略液滴的接觸角滯后和液滴周圍介質(zhì)對液滴的黏性阻力,是一個理想狀態(tài)下的估算數(shù)學(xué)模型。
圖5b為液滴內(nèi)部壓力最大區(qū)域隨驅(qū)動時間在液滴內(nèi)部轉(zhuǎn)移示意圖,1~4號四個虛線圓分別表示在不同時刻液滴內(nèi)部壓力最大區(qū)域。圓面積的大小表示壓力最大區(qū)域的大小。如前所述,隨著驅(qū)動時間的延長,液滴內(nèi)部壓力最大區(qū)域會依次從1~4四個位置進(jìn)行不間斷的轉(zhuǎn)移,同時其面積也會不斷增大。當(dāng)液滴內(nèi)部壓力最大區(qū)域移動到4號圓所在區(qū)域時不會再繼續(xù)移動,而是保持在此位置并呈現(xiàn)出面積擴(kuò)大的趨勢,此時液滴內(nèi)部產(chǎn)生流體靜壓力差Δp,當(dāng)Δp足夠大時就可以驅(qū)動液滴向壓力較小的方向運動。
圖5 壓力最大區(qū)域變化示意圖(側(cè)視圖)Fig.5 Schematic diagram of maximum pressure area changes (side view)
根據(jù)文獻(xiàn)[19]中自由體表示法可以得到液滴在x方向所受“氣-液”表面張力分量大小:Fx=γlgcosθU,綜合以上分析,液滴在x方向所受介電驅(qū)動力、表面張力和流體靜壓力差近似相等,即其大小有如下關(guān)系:
Fx≈γlgcosθv≈Δp
(18)
在電場作用下,液滴從靜止到運動的過程中其內(nèi)部的自由電荷和電偶極子與芯片厭水層中的表面束縛電荷相互吸引,此過程中出現(xiàn)的一個明顯變化是芯片的厭水層由厭水性變?yōu)橛H水性,隨著厭水層濕潤性增強(qiáng),液滴的相應(yīng)部分會攤開,攤開部分的接觸角減小,該攤開部分即為前進(jìn)部分,這一過程中靜電力占主導(dǎo)作用,液滴所受力即為介電驅(qū)動力Fx;然后,液滴前進(jìn)部分和恢復(fù)部分不同的表面形狀會使液滴產(chǎn)生形變,該形變會打破液滴原有的表面張力平衡狀態(tài),此時液滴恢復(fù)部分的接觸角變化很小,可以忽略,表面張力占主導(dǎo)作用,液滴受到的表面張力大小為Fx。隨后,液滴恢復(fù)部分的流體靜壓力大于前進(jìn)部分的流體靜壓力,不平衡的表面張力會破壞液滴內(nèi)部的壓力平衡狀態(tài),因此,液滴內(nèi)部會產(chǎn)生流體靜壓力差Δp,當(dāng)Δp足夠大時液滴就能夠被成功驅(qū)動。
為驗證液滴從靜止到運動的機(jī)理,本文設(shè)計制作了介電濕潤芯片。選用ITO玻璃作為芯片的基底,通過濕法刻蝕技術(shù)在ITO玻璃上制作出驅(qū)動電極。陣列驅(qū)動電極上驅(qū)動電極數(shù)為5,驅(qū)動電極尺寸為1 mm×1 mm,驅(qū)動電極間的間距為20 μm。選用SU-8光刻膠作為芯片的介電層,芯片介電層厚度為2 μm,其介電常數(shù)為3.2。使用雙面膠帶固定芯片上下極板,上下極板間距為300 μm,實驗過程中使用微量注射器把1 μL去離子水液滴置于芯片上。實驗室溫度為24 ℃,忽略液滴蒸發(fā)的影響,芯片具體制作工藝及實驗平臺搭建詳見文獻(xiàn)[10,22]。由于ITO玻璃具有較好的透光性,同時SU-8光刻膠烘干后變得透明,圖6a中用虛線表示的芯片中的驅(qū)動電極可見。圖6中,去離子水液滴前進(jìn)部分位于導(dǎo)電驅(qū)動電極之上;液滴恢復(fù)部分位于非導(dǎo)電驅(qū)動電極之上,同時,該部分形狀保持原狀。這個過程中,液滴前進(jìn)部分與恢復(fù)部分的表面強(qiáng)力非對稱的改變使得液滴產(chǎn)生一定程度的形變,此時,液滴非對稱的形變會在液滴內(nèi)部產(chǎn)生流體靜壓力差。當(dāng)液滴內(nèi)部的流體靜壓力差足夠大時,液滴就能夠成功地由靜止?fàn)顟B(tài)被驅(qū)動,當(dāng)依次給陣列驅(qū)動電極施加一定量的驅(qū)動電壓時,液滴就能夠沿著陣列電極進(jìn)行連續(xù)運動。
圖6 1 μL去離子水液滴運動視頻截圖(俯視圖)Fig.6 Video frame images of the 1 μL deionized droplet motion (top view)
綜上所述,介電濕潤芯片上液滴從靜止到運動需要依次經(jīng)歷以下4個過程:
(1)把“EWOD芯片-液滴”看作是一個電容系統(tǒng)。當(dāng)驅(qū)動電極導(dǎo)通時,位于導(dǎo)電驅(qū)動電極上方的液滴初始接觸角減小。
(2)接觸角減小會改變液滴的表面張力,而驅(qū)動電極不導(dǎo)通,則電極上方液滴的初始接觸角保持不變,其表面張力也保持不變。
(3)液滴前進(jìn)部分與恢復(fù)部分的表面張力非對稱改變會使液滴發(fā)生一定量的形變。
(4)一定量的液滴形變會在液滴內(nèi)部產(chǎn)生流體靜力壓力差,當(dāng)流體靜力壓力差足夠大時就可成功驅(qū)動液滴。
本文研究了介電濕潤芯片上固液接觸面表面束縛電荷作用機(jī)理;數(shù)值仿真了“EWOD芯片-液滴”系統(tǒng)中的電場,數(shù)值仿真結(jié)果和討論表明電場形成后在固液接觸面上的正負(fù)離子、分子相互吸引產(chǎn)生靜電力,該靜電力使液滴表面張力發(fā)生改變;而左右兩側(cè)非對稱的表面張力會使液滴產(chǎn)生形變,一定量的液滴形變會在其內(nèi)部產(chǎn)生流體靜力壓力差,而足夠大的流體靜力壓力差會成功驅(qū)動液滴從靜止到運動;最后,通過1 μL去離子水液滴運動實驗對液滴從靜止到運動的過程和機(jī)理進(jìn)行了驗證。為簡化模型和降低運算量,本文在進(jìn)行數(shù)值仿真時忽略了液滴的蒸發(fā)及接觸角滯后與飽和效應(yīng)對介電驅(qū)動力的影響。本文從本質(zhì)上解釋了液滴從靜止到運動的過程,分析了液滴被成功驅(qū)動的機(jī)理,為更好地理解和利用數(shù)字微流控技術(shù)奠定了一定的理論基礎(chǔ)。