陳漢賓,陳大軍,李忠盛,吳護(hù)林,叢大龍,李 立,張隆平
(中國兵器工業(yè)第五九研究所,重慶 400039)
金屬鉭密度高、熔點高、高溫強度優(yōu)異、加工性能良好,且耐蝕性能優(yōu)良,可滿足多種極端環(huán)境的使用要求,已較多應(yīng)用于化工、航空航天、醫(yī)療衛(wèi)生等領(lǐng)域[1-3]。但金屬鉭為稀有金屬,儲量極少,價格極其昂貴,大大的限制了其在結(jié)構(gòu)件上的應(yīng)用。
已有的研究結(jié)果表明,足夠厚、致密的鉭涂層的耐蝕性可以達(dá)到塊體鉭材的水平[4]。因此,制備出致密的且具有一定厚度的鉭涂層已成為鉭應(yīng)用研究的熱點[5-8]。因鉭不像鉻等金屬那樣可以在水溶液中電沉積,要在高性能鋼鐵構(gòu)件上制備高耐蝕致密厚鉭涂層存在以下問題:一是金屬鉭在溫度超過300 ℃時會快速氧化,耐蝕性能急劇惡化,熱噴涂等溫度高的工藝不適合鉭涂層的制備[9-11]。二是受鋼基體性能要求以及鉭易吸氣的限制,熔鹽電沉積[1,12]、化學(xué)氣相沉積等工藝溫度高[13-15]、時間長和易被鉭吸收的反應(yīng)氣體的工藝也不適用于高性能鋼鐵構(gòu)件。因此,磁控濺射、離子液體電沉積、冷噴涂等低溫工藝是高性能鋼鐵構(gòu)件制備鉭涂層的理想途徑。其中離子液體電沉積工藝不太成熟且制備的鉭涂層薄[15],冷噴涂制備的鉭涂層致密,對粉體、氣源和噴涂壓力要求極其嚴(yán)格[16],因此,磁控濺射制備鉭涂層是比較理想的途徑。
目前,已有部分科研院所開展了磁控濺射鉭相關(guān)研究,但所制備的鉭厚度較薄,屬于鉭薄膜范疇,主要應(yīng)用于電子產(chǎn)品、生物骨材料、裝飾等領(lǐng)域[17-18]。磁控濺射的鉭薄膜一般只有數(shù)百納米到數(shù)微米,沉積速率較低,只有每小時數(shù)微米,甚至更低。如何提高磁控濺射鉭涂層沉積速率是制備厚鉭涂層的關(guān)鍵。本文探索磁控濺射制備厚鉭涂層,主要研究沉積溫度、靶基間距等工藝參數(shù)對鉭涂層沉積速率的影響,并評估厚鉭涂層的組織和性能。
鉭靶選用純度為99.99%的鉭,尺寸為Ф5.04 mm×3 mm。基材選用拋光的304不銹鋼,試樣尺寸20 mm×80 mm,試驗前基體試樣采用酒精清洗,試樣編號依次為S-1至S-5。
本文作者研究了磁控濺射工藝如靶材與基體關(guān)系、靶基間距、基材溫度以及沉積電流等對鉭涂層沉積速率、結(jié)構(gòu)、應(yīng)力和硬度等的影響,其他工藝參數(shù),如沉積電壓、沉積時間、真空度、Ar氣壓力均相同,采用的工藝參數(shù)如表1所示。
表1 磁控濺射鉭涂層工藝參數(shù)
采用JCP-350多功能磁控濺射鍍膜設(shè)備。采用Observer.A1m金相顯微鏡測試鉭涂層厚度及分析截面形貌,測試鉭涂層厚度選定3個點,取平均值。采用QUANTA 200型環(huán)境掃描電子顯微鏡(SEM)對涂層表面形貌進(jìn)行觀察。鉭涂層的結(jié)構(gòu)及表層應(yīng)力分析采用BRUKER D8 DISCOVER X射線衍射儀,輻射源為CuKα,應(yīng)力測試選取0°方向。采用HM-MT1000型顯微硬度儀測量制備的鉭涂層及基體表面顯微硬度,載荷500 g,保載時間5 s。
圖1為通過光學(xué)顯微鏡觀察到的磁控濺射制備的不同厚度鉭涂層的截面形貌。磁控濺射的鉭涂層,致密、均勻,無明顯的貫穿裂紋及孔隙,與基體表面結(jié)合良好。表2為采用光鏡法測量的鉭涂層的厚度。制備的五種鉭涂層的基體溫度、靶間距、靶與基體關(guān)系以及沉積電源功率不同?;w加熱是為了提高鉭涂層與基體結(jié)合強度和改變鉭涂層的晶體結(jié)構(gòu),對涂層沉積速率無影響。因此,影響鉭涂層沉積速率的主要因素為靶間距、靶與基體關(guān)系以及沉積電源參數(shù)。
S-1基體與靶的間距較大,且沉積過程中基體旋轉(zhuǎn),因此,沉積速率最低,制備的鉭涂層較薄,只有3 μm。而將靶基間距由25 mm降低5 mm后,S-2基體上鉭涂層厚度增加到6 μm。基體與靶材正對后,靶基間距降低到20 mm,S-3至S-5上的鉭涂層厚度達(dá)到17~20 μm,沉積效率最低17 μm/h,最高達(dá)到20 μm/h,顯著高于鉭薄膜的沉積速率,滿足制備厚鉭涂層的技術(shù)要求。而沉積電流由0.53A提高到0.70 A時,鉭涂層的厚度略有增加。
表2 鉭涂層厚度
磁控濺射沉積鉭涂層過程中降低靶基間距,將二者之間的間距由25 mm降低到20 mm時濺射的鉭顆??梢愿嗟娘w濺到基體上,提高了單位時間內(nèi)收得量,有利于沉積速率的提高?;男D(zhuǎn)時,從靶材飛濺出的鉭顆粒只有二者正對時才能大量沉積到基材上,所以沉積速率較低。當(dāng)靶基正對時飛濺到基材上的鉭靶材顆粒明顯增多,所以沉積速率顯著提高。當(dāng)基材不旋轉(zhuǎn),且二者間距為20 mm時,基材接收到更多的鉭靶材飛濺顆粒,沉積速率大幅度提高。因此,在滿足磁控濺射最低靶基間距要求下,靶基間距越小,且靶與基體正對時沉積速率會大幅度增加,最高達(dá)到20 μm/h,達(dá)到制備厚鉭涂層的水平。
采用SEM對各基體上磁控濺射的鉭涂層的表面形貌進(jìn)行了分析,如圖2所示。S-1和S-2上鉭涂層較薄,涂層表面較平整、致密、光滑,可見少量的鉭靶材顆粒,但顆粒均較小。而S-3至S-5上的鉭涂層較厚,涂層表面出現(xiàn)大量的大小不一的鉭靶材顆粒,且大顆粒與涂層結(jié)合邊緣處出現(xiàn)明顯的裂紋,如圖3((f),(h))、((g),(h))所示。而S-5上濺射的鉭涂層表面形貌較平整,幾乎看不到鉭靶材顆粒,但表面有較大尺寸的開裂區(qū)域,放大后可見其中分布大量的微裂紋,如圖3(j)所示。總體而言,磁控濺射制備的鉭涂層較薄時,涂層表面較平整、致密,靶材顆粒較少且小,而鉭涂層增厚后,涂層表面變粗糙,有大量的粒徑較大的靶材顆粒,且出現(xiàn)大的靶材顆粒邊緣和內(nèi)部出現(xiàn)較大的微裂紋,進(jìn)一步高濺射電流時,制備的厚鉭涂層表面平整,但出現(xiàn)較大微裂紋區(qū)域。
鉭涂層的結(jié)構(gòu)影響涂層性能。α相硬度與鍍鉻層相當(dāng),但β相硬度很高,脆性大。本文選取基材沉積溫度為室溫和200℃的試樣分析沉積溫度對鉭涂層結(jié)構(gòu)的影響。結(jié)果如圖3所示的S-2和S-3的XRD圖譜。S-2的基體溫度為室溫,而S-3的基體溫度為200 ℃。試驗結(jié)果表明S-2上濺射的鉭涂層為α和β雙相結(jié)構(gòu),且各衍射峰強度較弱,結(jié)晶程度較低,而S-3上濺射的鉭涂層表現(xiàn)為單一的α相結(jié)構(gòu),且(110)晶面衍射峰強度大,出現(xiàn)明顯的晶粒取向。
磁控濺射時基體的溫度是影響鉭涂層相組成的主要因素。磁控濺射基體溫度低時,易生成β相,且缺乏向α相轉(zhuǎn)變的能量。提高沉積時基體溫度有利于α相的形成,且有利于β相向α相的轉(zhuǎn)變。此外,基體提供的能量可使α相較充足晶化。
選取3種較厚的鉭涂層測試其表層應(yīng)力,結(jié)果如圖4所示。從圖4可知,磁控濺射的鉭涂層內(nèi)部均為壓應(yīng)力,且應(yīng)力較高,最大達(dá)到621±96.3 MPa。因S-3上的鉭涂層較其他兩個試樣的略薄,故應(yīng)力較S-4和S-5的低,只有534.8±113.2 MPa。
磁控濺射出的鉭粒子具有較高的能量和溫度,當(dāng)沉積到較低溫度的基體上時,快速冷卻收縮,在涂層內(nèi)部形成壓應(yīng)力。S-4和S-5濺射鉭涂層的工藝除電源功率不同外,其他都相同,但S-5表面磁控濺射的鉭涂層內(nèi)部的應(yīng)力低于S-4的,主要原因是S-5上磁控濺射的厚鉭涂層有大量的微裂紋,抵消了部分應(yīng)力。
表3為磁控濺射厚鉭涂層的顯微硬度。不銹鋼基體的顯微硬度為223HV0.05,而磁控濺射的厚鉭涂層的硬度不低于898 HV0.05,最高達(dá)到928 HV0.05,是基體的4倍。
純鉭退火態(tài)的硬度較不銹鋼略低,接近200HV0.05,而濺射厚鉭涂層的硬度數(shù)倍增加。可能的原因主要有以下幾點,一是磁控濺射的厚鉭涂層的晶粒細(xì)小,細(xì)晶強化效果明顯;二是可能含有少量的β相,雖然XRD未檢測出厚鉭涂層中的β相,但只通過提高沉積時基體溫度,而不進(jìn)行熱處理,不能獲得完全的α相;三是厚鉭涂層的應(yīng)力較高,較高的壓應(yīng)力有利于提高壓頭附近材料的堆積,使壓深增大,接觸面積減小,從而提高了測量的硬度值[19]。
表3 不銹鋼基體及厚鉭涂層的顯微硬度
1) 磁控濺射鉭涂層的沉積速率受靶與基體的關(guān)系以及靶間距影響大。靶和基體正對,且靶間距越小,沉積速率高,最大沉積速率可達(dá)20 μm/h,可以制備出20 μm厚鉭涂層。
2) 磁控濺射鉭涂層的晶體結(jié)構(gòu)受沉積溫度的影響,溫度低時會形成a相和β相組成的雙相結(jié)構(gòu),溫度高有利的a相結(jié)構(gòu)形成。
3) 磁控濺射沉積的鉭涂層內(nèi)部為壓應(yīng)力,最大應(yīng)力達(dá)到621 MPa。增大磁控濺射電源功率,沉積的厚鉭涂層出現(xiàn)大量的微裂紋,釋放了部分應(yīng)力。
4) 磁控濺射20 μm厚鉭涂層具有較高的硬度,達(dá)到不銹鋼基體硬度的4倍。