趙瑛璇 武愛民 甘甫烷

摘要：面向互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）工藝兼容的硅基光互連體系，研制了包括光波導(dǎo)、光柵耦合器、刻蝕衍射光柵、偏振旋轉(zhuǎn)分束器、光頻梳以及3D互連新器件等的硅光子關(guān)鍵器件，并對相應(yīng)器件的設(shè)計及工藝給出了最新的研究結(jié)果?；谝陨详P(guān)鍵硅光子器件進行了大規(guī)模光子集成，實現(xiàn)了片上集成的微波任意波形發(fā)生器，并集成了300多個光器件，包括高速調(diào)制、延遲線和熱調(diào)等功能。面向數(shù)據(jù)通信研制了八通道偏振不敏感波分復(fù)用（WDM）接收器，解決了集成系統(tǒng)中的偏振敏感問題。

硅光子技術(shù)；硅基光互連；大規(guī)模光子集成

The core components for silicon-based optical interconnection system compatible with complementary metal oxide semiconductor （CMOS） platform is developed， including optical waveguides， grating couplers， etched diffraction gratings， polarization rotator-splitters， optical combs， and new devices for 3D optical interconnections. Based on the key silicon photonic devices， a large-scale photonic integration has been carried out to realize the on-chip integrated microwave arbitrary waveform generator， and more than 300 optical devices， including high-speed modulation， delay line and thermal modulation functions， have been integrated. An 8-channel polarization insensitive wavelength division multiplexing （WDM） receiver for data communication is developed， which solves the polarization sensitivity problem in integrated system.

silicon photonics technology； optical interconnections； large-scale photonics integration

隨著集成電路面臨摩爾定律失效的風險，面向片上光互連的硅光子技術(shù)成為重要的關(guān)鍵平臺性技術(shù)，能夠解決集成電路持續(xù)發(fā)展所面臨的速度、延時和功耗等問題。在未來5G通信中也有明確的用途，基站的數(shù)據(jù)前傳和后傳需求顯著，低成本、大批量的高速光模塊有望成為硅光子的重要產(chǎn)業(yè)出口。硅光子技術(shù)通過微電子和光電子技術(shù)的高度融合，在硅基襯底上實現(xiàn)各種有源和無源器件，并通過大規(guī)模集成工藝實現(xiàn)各種功能，文中我們將介紹基于互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）的硅基光器件的研究和工藝。

1 硅基關(guān)鍵器件與工藝研究

1.1 硅基光波導(dǎo)和制造工藝研究

與先進的超大規(guī)模集成電路工藝兼容是硅光子最本質(zhì)的價值所在。經(jīng)過半個世紀的發(fā)展，集成電路制造工藝水平突飛猛進，量產(chǎn)產(chǎn)品已達到10 nm技術(shù)節(jié)點。本研究小組與先進的大規(guī)模集成電路商用工藝生產(chǎn)線合作，基于0.13 μm CMOS技術(shù)，并且采用了248 nm光刻技術(shù)[1]，建立了一整套硅光子器件加工和集成的工藝。

硅基光波導(dǎo)是硅光子器件和芯片最基本的單元，波導(dǎo)的傳輸損耗是衡量技術(shù)平臺的重要參數(shù)之一。對于光波導(dǎo)來說，傳輸損耗通常主要由材料吸收損耗，襯底泄露損耗，側(cè)壁粗糙導(dǎo)致的散射損耗組成。由于光刻、刻蝕等工藝導(dǎo)致硅基光波導(dǎo)側(cè)壁粗糙，從而使光在波導(dǎo)側(cè)壁處產(chǎn)生散射損耗， 這成為硅基光波導(dǎo)的主要損耗。為降低傳輸損耗，我們進行了如下優(yōu)化：首先減小由于光刻工藝導(dǎo)致的側(cè)壁粗糙，為減小曝光過程中的駐波效應(yīng)，通常在涂光刻膠之前先在襯底上涂敷一層抗反射層，以減小襯底反射。

在刻蝕工藝方面，采用等離子增強反應(yīng)離子束刻蝕（ICP-RIE）設(shè)備，以SiN薄膜作為刻蝕掩模。為實現(xiàn)陡直形貌，通常采用干法刻蝕技術(shù)，但是離子轟擊通常會導(dǎo)致側(cè)壁粗糙，因此需要通過選擇合適的氣體組分實現(xiàn)生成聚合物對側(cè)壁進行保護。我們采用HBr/O2作為主要的刻蝕氣體，并通過調(diào)節(jié)HBr/O2的比例，控制聚合物厚度，實現(xiàn)垂直形貌和平滑界面[2]以進一步減小側(cè)壁粗糙[3]，同時采用熱氧化工藝[3]對晶圓進行處理，氧化層厚度為10 nm。

為同時實現(xiàn)條形波導(dǎo)和脊形波導(dǎo)2種波導(dǎo)，將220 nm頂層硅刻蝕分解為2步刻蝕工藝：首先在絕緣襯底上的硅（SOI）晶圓上生長一層氮化硅層，該氮化硅層作為后面硅刻蝕步驟的掩膜層。由于氮化硅層與硅晶圓之間的應(yīng)力系數(shù)不匹配，為緩解氮化硅與硅晶圓之間的應(yīng)力，在生長氮化硅層之前通常先在硅晶圓上生長一薄層SiO2來做為緩沖層；接著再采用248 nm深紫外光刻，在晶圓上定義出硅波導(dǎo)區(qū)域，并采用ICP-RIE將不需要的氮化硅掩膜層去掉，該步的刻蝕工藝采用光刻膠作為刻蝕的掩膜層；然后，為實現(xiàn)脊形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)和條形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，進行第2次光刻，在脊形波導(dǎo)處光刻膠將氮化硅掩膜覆蓋住，而在條形波導(dǎo)處，光刻膠通過顯影方法去掉，然后進行第1次硅刻蝕；再將上一次刻蝕的光刻膠去除后，不經(jīng)過光刻，整個晶圓進行第2次硅刻蝕，經(jīng)過該步刻蝕工藝之后條形波導(dǎo)和脊形波導(dǎo)2種波導(dǎo)結(jié)構(gòu)同時實現(xiàn)。通過濕法腐蝕去除SiN掩模層后，光波導(dǎo)基本結(jié)構(gòu)已經(jīng)實現(xiàn)。

經(jīng)過不斷地設(shè)計和工藝優(yōu)化，在1 550 nm波長處，單模硅納米線光波導(dǎo)對橫電磁波（TE）模式及橫電波（TM）模式傳輸損耗為2.4±0.2 dB/cm和0.59±0.32 dB/cm，脊形光波導(dǎo)的損耗受脊形波導(dǎo)的寬度和淺刻蝕深度影響非常顯著，全球主流的工藝平臺通過設(shè)計優(yōu)化，傳輸損耗通?？梢宰龅? dB/cm。

1.2 CMOS工藝兼容多晶硅柵層的

光柵耦合器

光集成芯片的輸入/輸出（I/O）接口主要涉及集成光波導(dǎo)與光纖之間的銜接與匹配問題，由于硅（n=3.5）與二氧化硅（n=1.5）之間巨大的折射率差，使得硅基納米線波導(dǎo)的尺寸通常在亞微米量級，導(dǎo)致光纖與波導(dǎo)之間存在著巨大的模式失配。我們利用標準CMOS工藝的晶體管中的多晶硅柵層，從而無需對CMOS工藝流程進行改動，實現(xiàn)光柵耦合器[4-5]，大大 地降低了光電單片集成的工藝復(fù)雜程度。

工藝中使用的SOI晶圓頂層硅的厚度為220 nm，埋氧化層的厚度為2 μm。在SOI晶圓上淀積一層SiN做為掩模層，接著采用深紫外曝光技術(shù)及ICP-RIE在晶圓上形成硅光波導(dǎo)及金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）晶體管的有源區(qū)，有源區(qū)之間由隔離區(qū)隔開，然后采用高密度等離子體淀積（PECVD）技術(shù)在隔離區(qū)中填充SiO2，為了后續(xù)的光刻技術(shù)，利用化學機械拋光（CMP）對晶圓進行平坦化處理。上述步驟中淀積的SiN層作為CMP的阻擋層，CMP后采用濕法腐蝕的方法用熱磷酸去除剩余的SiN層；去除SiN層后，在晶圓上采用熱氧化技術(shù)生長一薄層SiO2作為MOS晶體管的柵氧化層，并淀積一層多晶硅層作為晶體管的柵極；之后采用DUV光刻及刻蝕形成晶體管的柵極，此時光柵耦合器也同時形成。在完成晶體管所需要的離子注入、退火等其他工藝后，淀積一層SiO2作為保護層，并進入金屬化等后端工藝流程。如圖1所示為最終加工得到的基于多晶硅的光柵耦合器。

經(jīng)過測試，對于周期為0.58 μm、多晶硅寬度為0.25 μm的光柵耦合器，峰值耦合效率位于1 550 nm波長處，其耦合效率約為39%，3 dB帶寬大于60 nm，如圖2所示。其對應(yīng)的仿真耦合效率峰值耦合效率大約在1 580 nm 處，約為45%。為進一步提高耦合效率，可以在光波導(dǎo)層引入全刻蝕的深槽，由于全刻蝕的深槽可以與光波導(dǎo)及晶體管的隔離區(qū)（STI）同時形成，因此制造工藝流程并不發(fā)生改變。通過合理設(shè)計光柵周期，從全刻蝕深槽向上衍射的光與從多晶硅向上衍射的光發(fā)生干涉相漲，而向下衍射的兩束光發(fā)生干涉相消，從而使光柵耦合器的向上衍射效率得到提高，最終改善耦合效率。

1.3 CMOS兼容的熱調(diào)諧平面硅蝕

刻衍射光柵

光互連的一大優(yōu)勢是可以采用信息復(fù)用技術(shù)提高通信帶寬密度，增加通信容量。目前主要的信息復(fù)用技術(shù)有波分復(fù)用（WDM）、偏振復(fù)用（PDM）和模分復(fù)用（MDM）等。其中WDM是應(yīng)用最廣泛的復(fù)用技術(shù)，它是將不同波長攜帶的不同信號加載到同一根光纖中提高光纖傳輸帶寬。波分復(fù)用器在超高速、大容量波分復(fù)用系統(tǒng)中起著關(guān)鍵作用。其中硅蝕刻衍射光柵（EDG）器件具有面積小、齒面數(shù)量多、間距小、單邊輸入輸出等特點，具有高密度集成、高質(zhì)量成像、高精度通道頻譜等優(yōu)點。

我們進行了刻蝕衍射光柵頻譜平坦化設(shè)計?？紤]到工藝容差和性能方面的要求，在設(shè)計中我們通過改變輸入波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的方法來實現(xiàn)EDG通道頻譜平坦化，在入射波導(dǎo)端引入級聯(lián)的梯形絕熱波導(dǎo)和多模干涉結(jié)構(gòu)（MMI）。在本次的優(yōu)化設(shè)計中，取MMI長度為中心波長1×2自成像長度，L MMI=3Lπ/8，通過優(yōu)化輸入/輸出波導(dǎo)寬度、MMI寬度來實現(xiàn)頻譜平坦化設(shè)計[6]。

通過參數(shù)優(yōu)化后仿真結(jié)果顯示：中心通道1 dB 帶寬為12 nm，插入損耗約為5 dB，通道串擾約為40 dB，如圖3所示。

對于EDG器件，工藝方面的影響主要表現(xiàn)在光刻精度、側(cè)壁垂直度和頂層硅厚度變化等方面。光刻精度變化是由于掩膜板像素精度有限，在彎曲波導(dǎo)和光柵面處會有起伏，從而導(dǎo)致器件側(cè)壁粗糙和圓角效應(yīng)，進而增加彎曲波導(dǎo)的傳輸損耗和光柵的反射效率。而EDG最重要的部分閃耀光柵具有相當數(shù)量的光柵面和尖角，因此光刻精度對器件性能起著至關(guān)重要的影響。側(cè)壁垂直度變化是由工藝制作過程中的橫向刻蝕導(dǎo)致，一般采用干法刻蝕可以保證很好的垂直度，但矩形光波導(dǎo)需要對芯層進行全刻蝕，這種刻蝕對工藝要求非常高，難以保證精確的垂直度。由于工藝偏差的存在，光柵面通常不會精確刻蝕成垂直面，會有一定的傾斜度進而引入部分損耗。對于SOI晶圓，頂層硅厚度會有少許起伏，而且這種起伏在晶圓表面呈不均勻分布，因此對于每一個EDG器件，隨著晶圓上位置的不同，頂層硅厚度會有不同的變化，進而對器件性能產(chǎn)生不確定的影響。為了減小這種影響，對設(shè)計的EDG進行了容差分析，并做了相應(yīng)的熱光調(diào)制分析和設(shè)計。熱光調(diào)制利用的是硅的熱光效應(yīng)，即硅材料的折射率會隨著溫度的變化而變化。我們首先設(shè)計在工藝上可行的熱光調(diào)制模型，電極通過電流產(chǎn)熱對下方波導(dǎo)進行加熱，隨著波導(dǎo)溫度的升高，硅折射率增大，波導(dǎo)有效折射率增大，進而對器件進行熱光調(diào)制。根據(jù)硅的熱光效應(yīng)我們可以計算出硅折射率和平板傳輸區(qū)。有效折射率隨溫度變化的相應(yīng)值，可仿真EDG對應(yīng)的通道偏移量，得到硅層溫度每上升50 K，通道波長偏移約為3.2 nm。

1.4 偏振旋轉(zhuǎn)分束器

SOI波導(dǎo)材料有著比普通集成光波導(dǎo)更大的折射率差，使得波導(dǎo)的TE和TM模式有效折射率差別很大，造成器件具有偏振敏感特性；而光纖中光的偏振態(tài)是隨機的，因此必須妥善解決硅光子器件的偏振敏感問題，否則硅光子學將無法實現(xiàn)傳統(tǒng)集成光學那樣復(fù)雜的光學回路或網(wǎng)絡(luò)，更加無法實現(xiàn)光互連替代電互連的目標。目前最有前景的解決方案是偏振分集機制[7]，其中的核心器件是偏振旋轉(zhuǎn)分束器。為了滿足工程應(yīng)用需求，我們使用雙層模式轉(zhuǎn)換器和反向錐形耦合器實現(xiàn)CMOS工藝兼容的超大帶寬和大工藝容差偏振旋轉(zhuǎn)分束器（PSR）[8]。相應(yīng)的機構(gòu)圖如圖4所示。

我們選擇頂層硅厚220 nm、淺刻蝕130 nm標準硅光子工藝平臺。為了方便與其他矩形波導(dǎo)集成，采用雙刻蝕波導(dǎo)以打破橫截面對稱性，并設(shè)計雙層錐形模式轉(zhuǎn)換器實現(xiàn)TM0到TE1模式間的轉(zhuǎn)換。同時，為了實現(xiàn)用于光纖到戶（FTTH）系統(tǒng)的大帶寬模式轉(zhuǎn)換器，我們分別在1 310 nm以及1 550 nm雙波長下對器件參數(shù)進行設(shè)計優(yōu)化。利用模式轉(zhuǎn)換器將TM0模式轉(zhuǎn)換成TE1模式后，采用定向耦合器將TE1模式與TE0模式分離，同時將TE1模式轉(zhuǎn)換成TE0模式，達到最終的偏振分束與旋轉(zhuǎn)功能。其中，定向耦合器基于干涉原理工作，并需要滿足嚴格的相位匹配條件，這與波長和器件尺寸均有關(guān)，這就導(dǎo)致其工作帶寬和制作容差相對較小。為了提高器件工作帶寬和制作容差，可以采用反向錐形耦合器，它主要基于模式衍化原理工作[9]。當波長或波導(dǎo)寬度發(fā)生小范圍的變化時，有效折射率交叉點只會發(fā)生偏移，不會消失，模式耦合將會正常進行，對器件性能影響不大。因此，該結(jié)構(gòu)具有大工作帶寬和工藝容差的優(yōu)點，但這是以犧牲器件長度為代價。本文中我們所設(shè)計的偏振旋轉(zhuǎn)分束器總長約為273 μm。

圖5為測試結(jié)果，受測試條件限制，僅在1 550 nm波段內(nèi)進行測試。測試結(jié)果顯示：該器件具有大帶寬的工作特性，可在1 470～1 580 nm范圍內(nèi)工作，在TE/TM模式輸入的條件下，插入損耗分別為0.7 dB/0.73 dB，串擾分別為-12.1 dB/-14.7 dB，具有低損耗、低串擾特性。

1.5 光頻梳

光頻梳是指一束有很多頻率的光，而這些光的頻率間距是一樣的，它的重要應(yīng)用包括可以利用一個泵浦光源產(chǎn)生多個頻率的激光輸出。如果光頻梳的頻率間距跟光通信中的通道間距一致，比如說100 GHz，那么光頻梳就可以作為光通信中的波分復(fù)用光源。目前的關(guān)鍵技術(shù)難點是：芯片上的光頻梳需要厚的氮化硅膜，這是因為光頻梳的產(chǎn)生需要有反常色散，而這一般需要800 nm厚的氮化硅膜。正常色散也可以產(chǎn)生光頻梳，但也需要600 nm厚的氮化硅膜，在工藝上很難實現(xiàn)，因為一般CMOS代工廠只能生長300 nm厚的氮化硅薄膜，因此傳統(tǒng)的芯片上的光頻梳器件不能在CMOS代工廠制備，也不具備量產(chǎn)化的可能。我們在世界上首創(chuàng)了基于模式耦合的色散調(diào)控，Q值高達1.5×106，在300 nm厚的氮化硅薄膜上產(chǎn)生了光頻梳[10]，并觀測到了類似于光學孤立子的鎖模短脈沖。我們采用了雙跑道型的氮化硅波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，利用模式之間的耦合實現(xiàn)了反常色散，這樣就避免了厚膜氮化硅工藝過程中的應(yīng)力和可靠性問題。通過這種原理創(chuàng)新能夠大幅度地改進了工藝難度，提供了片上波分復(fù)用光源的一系列新的機理，并且具備了在CMOS代工廠量產(chǎn)的可行性。相應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖以及相關(guān)的實驗結(jié)果如圖6所示。

1.6 3D互連新器件

根據(jù)業(yè)內(nèi)預(yù)測，片上服務(wù)器技術(shù)將在2020年之前成為現(xiàn)實。片上服務(wù)器的每個組件將逐漸小型化，并提供比現(xiàn)有的性能更高的性能。電子系統(tǒng)組件的趨勢是通過利用三維封裝來縮小其占用空間。一個新型的方案是雙層結(jié)構(gòu)3D光互連方案，該方案采用IC+Photonics的設(shè)計，分為處理器層和SOI光互連層，兩層之間通過硅通孔（TSV）互連。SOI光互連層可以進一步分為2層，分別為有源器件層和無源器件層，這2層的集成度很高，傳統(tǒng)的TSV由于尺寸過大不能用作這2層間互連。所以，我們需要一種新型的小尺寸結(jié)構(gòu)，形成光鏈路來連接有源器件層、層間部分和無源器件層，我們提出了一種高度集成的硅柱子納米天線陣列，具體如圖7所示。

面內(nèi)入射光進入圓柱陣列后，均等地耦合進入兩排導(dǎo)波圓柱鏈中傳輸，并且在缺陷位置產(chǎn)生垂直芯片的遠場光輻射。天線陣列僅有亞波長尺度，產(chǎn)生的垂直光束直徑僅為幾微米，具有高發(fā)射效率、良好的光束垂直度和尺寸可控性，通過優(yōu)化設(shè)計垂直耦合的總效率[11]理論上可高達92%，為3D光學互連提供了一個全新的技術(shù)路線。

2 高集成度光子集成芯片

研究

2.1 微波光子的高頻超寬帶微波任意

波形產(chǎn)生

為解決傳統(tǒng)利用分立器件搭建的微波光子系統(tǒng)體積大、功耗高，以及受外界環(huán)境影響大等缺點，我們提出了利用硅基集成光子學技術(shù)實現(xiàn)單片集成微波任意波形發(fā)生功能的核心思想。與傳統(tǒng)方案相比，采用硅基集成光子學方案實現(xiàn)片上集成微波光子系統(tǒng)具有體積小、重量輕、攜帶使用方便等諸多優(yōu)點。通過對通道化技術(shù)進行研究，在片上利用多通道微環(huán)諧振結(jié)構(gòu)需要從飛秒激光脈沖中提取頻率分量，對每個頻率分量進行獨立的幅度和相位調(diào)節(jié)，再利用微環(huán)陣列構(gòu)建可調(diào)延遲線，實現(xiàn)頻域時域映射，最后經(jīng)高速探測器完成光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生超寬帶微波任意波形。片上集成高速電光調(diào)制器利用電光調(diào)制實現(xiàn)波形高速重構(gòu)[12]。在實驗上，我們利用CMOS工藝在硅襯底上的設(shè)計實現(xiàn)了高速電光調(diào)制器與八通道微環(huán)諧振濾波結(jié)構(gòu)集成。該芯片最終演示了40 GHz（圖8 a）、b））和30 GHz（圖8 e）、f））的射頻（RF）脈沖以及30～50 GHz的變頻信號（圖8 h）、g））；通過高速光電調(diào)制器，實現(xiàn)了快速幅度調(diào)制的40 GHz RF脈沖（圖8 c）、d））。

我們利用硅光子集成技術(shù)研究了微波光子的高頻超寬帶微波任意波形產(chǎn)生，方案原理如圖9所示。本工作利用多通道微環(huán)諧振結(jié)構(gòu)從飛秒激光脈沖中提取頻率分量，通過集成的可調(diào)延遲線對每個頻率分量在片上進行獨立的幅度和相位調(diào)節(jié)，實現(xiàn)頻域時域映射，經(jīng)高速探測器完成光電轉(zhuǎn)換，產(chǎn)生超寬帶微波任意波形；進一步通過與高速電光調(diào)制器的片上集成，利用電光調(diào)制實現(xiàn)了波形高速重構(gòu)。

2.2 八通道偏振不敏感波分復(fù)用接收

芯片設(shè)計

集成系統(tǒng)中光學器件普遍具有偏振敏感問題，為解決該問題，可以在系統(tǒng)中設(shè)計偏振不敏感波導(dǎo)。該波導(dǎo)往往需要特定的結(jié)構(gòu)，例如：方形波導(dǎo)，但此方案需要精確控制尺寸，在工藝上很難實現(xiàn)。另外一種解決方案是針對每種器件專門設(shè)計偏振不敏感的結(jié)構(gòu)，但是在偏振不敏感優(yōu)化尺寸下的器件往往不能達到性能最佳，且器件往往需要特殊的器件結(jié)構(gòu)及復(fù)雜的工藝。為解決此問題，我們選擇偏振旋轉(zhuǎn)分束器。將偏振旋轉(zhuǎn)分束器與硅基陣列波導(dǎo)光柵和鍺探測器集成，設(shè)計了一個八通道偏振不敏感波分復(fù)用接收芯片[13]。相應(yīng)的芯片設(shè)計以及具體的顯微鏡圖片見圖10。

該系統(tǒng)的工作原理如下：當任意偏振態(tài)的光入射到芯片中時，任意偏振態(tài)的光被分成TE和TM2種正交模式。其中TE模式的光不經(jīng)過任何變化，在PSR的下端口輸出進入到下方的AWG中，TM模式入射的光轉(zhuǎn)換為TE模式，在PSR的上端口輸出進入到上方的陣列波導(dǎo)光柵中，最后，相同波長的兩種模式的光信號從相反方向進入到相同的鍺光電探測器中。

通過圖11測試結(jié)果可以看出：系統(tǒng)具有偏振不敏感特性，偏振相關(guān)損耗低于1.21 dB。同時系統(tǒng)的串擾低于-15 dB，并且系統(tǒng)具有高速特性，可以在10 Gbit/s的條件下得到清晰的眼圖（見圖12）。這一優(yōu)化的偏振控制器件和分集機制能夠同樣應(yīng)用于更高速率的WDM系統(tǒng)，在5G中實現(xiàn)廣泛應(yīng)用。

3 結(jié)束語

本文中，我們圍繞基于CMOS平臺的硅光子關(guān)鍵器件與工藝進行了系列的研究，給出了一些無源器件和集成芯片的研究成果。這些研究結(jié)果距離實用化還有相當?shù)木嚯x，但是采用CMOS工藝實現(xiàn)硅光子功能集成芯片已經(jīng)成為業(yè)界共識。未來我們會將硅光子器件的研究推向?qū)嵱没?，并將基于CMOS平臺追逐更前沿的超大規(guī)模光子集成和光電集成等方向，充分發(fā)揮出硅光子技術(shù)的價值。