閆劍利

3月23日從山西省科技廳傳來消息，山西省4H-SiC單晶制備技術(shù)取得重大突破并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，至此突破了國外對我國SiC單晶襯底技術(shù)多年的限制，為我國高性能核心電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了有力保障。

4H-SiC單晶是目前高性能核心電子元器件研制必需的襯底材料。多年來，中國電子科技集團公司第二研究所（山西）通過不斷努力創(chuàng)新，解決了4英寸SiC單晶生長設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)計、密閉性設(shè)計等關(guān)鍵技術(shù)，獲得自主知識產(chǎn)權(quán)的SiC單晶生長設(shè)備制造技術(shù)，實現(xiàn)了SiC單晶生長設(shè)備國產(chǎn)化；通過新型石墨坩堝結(jié)構(gòu)設(shè)計、SiC單晶生長SiC籽晶新型固定工藝等技術(shù)創(chuàng)新，突破了低微管密度控制技術(shù)、低應(yīng)力控制、晶型控制技術(shù)、SiC單晶表面加工等關(guān)鍵技術(shù)；將SiC單晶生長工藝與設(shè)備結(jié)合，獲得了SiC單晶生長工藝一致性、高純粉料自主合成等產(chǎn)業(yè)化解決方案。在產(chǎn)業(yè)化方面，中國電子科技集團公司第二研究所通過產(chǎn)業(yè)化平臺建設(shè)，新增SiC單晶生產(chǎn)設(shè)備40臺套，建立了SiC單晶襯底加工生產(chǎn)線和檢測線，實現(xiàn)了年產(chǎn)SiC單晶襯底10000片的能力。4H-SiC單晶技術(shù)的成功產(chǎn)業(yè)化，突破了國外對我國SiC單晶襯底技術(shù)的限制，為我國高性能核心電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了有力的保障。

中國電子科技集團公司第二研究所是專業(yè)從事電子專用設(shè)備研發(fā)制造的國家級研究所，致力于國家軍事電子和信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，有多項產(chǎn)品列入國家重點新產(chǎn)品計劃和國家火炬計劃。以微組裝設(shè)備、液晶顯示生產(chǎn)設(shè)備、真空焊接設(shè)備為代表的產(chǎn)品行業(yè)地位突出，影響深遠(yuǎn)，甚至外銷日本、美國等國家和地區(qū)。