連程杰

摘要 隨著照明和顯示行業(yè)的快速發(fā)展，膠體量子點(diǎn)作為發(fā)光材料的優(yōu)勢(shì)逐漸被發(fā)掘，并被予以應(yīng)用。與傳統(tǒng)的發(fā)光材料相比，量子點(diǎn)擁有更多優(yōu)良特征，比如，激發(fā)光譜寬，發(fā)射光譜窄且對(duì)稱，顏色可調(diào)，光化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，熒光壽命長(zhǎng)等。而且以量子點(diǎn)為發(fā)光體的LED（ QLED）可以達(dá)到接近連續(xù)光譜、高演色性的特性，這是LED和螢光燈無(wú)法比擬的，并且QLED具有能效高和穩(wěn)定性強(qiáng)的特性。這里主要討論QLED的優(yōu)點(diǎn)，類型和發(fā)光機(jī)制，并簡(jiǎn)單介紹典型的QLED。QLED商業(yè)化還存在一些技術(shù)難題需要攻克，本文中提出了一些建設(shè)性意見。

【關(guān)鍵詞】量子點(diǎn) QLED 發(fā)光機(jī)制

近幾年，由于量子限域效應(yīng)引起的獨(dú)特光學(xué)特性，半導(dǎo)體納米材料尤其是Ⅱ -Ⅵ族納米材料，受到了越來(lái)越多研究人員的青睞。對(duì)于納米材料的研究主要集中在獲得可調(diào)節(jié)的帶間激發(fā)和提高半導(dǎo)體的發(fā)光效率上，這一研究成果主要運(yùn)用于光學(xué)器件上，例如，發(fā)光二極管，激光二極管和光電探測(cè)器等。而最近，對(duì)于納米半導(dǎo)體的運(yùn)用已經(jīng)延伸到了生物醫(yī)學(xué)和環(huán)境領(lǐng)域，例如發(fā)光細(xì)胞標(biāo)記，藥物輸運(yùn)和化學(xué)傳感器等。自從2012年起，隨著光電行業(yè)的快速發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)量子點(diǎn)產(chǎn)品的需求日益增加。但是各種對(duì)于基礎(chǔ)和應(yīng)用的研究還處于起步階段，一些機(jī)構(gòu)以及公司紛紛加入到探究量子點(diǎn)奧秘的隊(duì)伍中。采用膠體量子點(diǎn)作為發(fā)光體的QLED，因?yàn)閾碛袃?yōu)異的性能，受到業(yè)界的青睞，一些國(guó)際知名企業(yè)正在嘗試開發(fā)QLED產(chǎn)品，例如QD視覺(jué)公司、納米系統(tǒng)公司、三星、飛利浦照明公司等。這里主要介紹QLED的高色純度和高能效的潛能。QLED最大的優(yōu)勢(shì)是具有量子點(diǎn)尺寸效應(yīng)，其帶隙具有可調(diào)節(jié)性，而量子點(diǎn)的尺寸改變可以簡(jiǎn)單地通過(guò)改變量子點(diǎn)的化學(xué)成分和化學(xué)計(jì)量數(shù)實(shí)現(xiàn)。

1 膠體量子點(diǎn)

膠體量子點(diǎn)是通過(guò)凝膠溶膠的化學(xué)方法合成的。這種方法制備的量子點(diǎn)具備很多優(yōu)異的特點(diǎn)，例如，電致發(fā)光外量子產(chǎn)率高、大小和形狀隨意且精準(zhǔn)可調(diào)性，單分散性好，光純度高。膠體量子點(diǎn)的合成成本相對(duì)較低，簡(jiǎn)單，溶液合成方法制備的量子點(diǎn)幾乎無(wú)缺陷，純度也遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)其他方法合成的量子點(diǎn)。

1.1 膠體量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，材料性質(zhì)

量子點(diǎn)是準(zhǔn)零維納米材料，由少量原子構(gòu)成，換句話說(shuō)，量子點(diǎn)是三個(gè)維度的尺寸均小于1OOnm，且其內(nèi)部電子在各方向上的運(yùn)動(dòng)均受到限制，因此量子限域效應(yīng)尤其顯著。量子限域效應(yīng)是由于量子點(diǎn)中，電子的運(yùn)動(dòng)范圍被局限在納米空間，輸運(yùn)過(guò)程受到限制并且平均自由程比較短，致使電子的局域性和相干性加強(qiáng)。對(duì)于量子點(diǎn)，當(dāng)粒徑與Wanmer激子Bohr半徑相當(dāng)或更小時(shí)，限域效應(yīng)更加明顯。明顯的限域效應(yīng)使其物理性質(zhì)相對(duì)于相同組分的宏觀體材料有了很大的改觀，這些改善后的新特性正為研究人員所研究。

對(duì)于量子點(diǎn)而言，當(dāng)尺寸變小時(shí)，電子各能級(jí)之間間距變寬，使得能級(jí)結(jié)構(gòu)由體材料的準(zhǔn)連續(xù)狀態(tài)分裂為分立狀態(tài)，且導(dǎo)帶與價(jià)帶之間的間隙變寬，由此會(huì)引起激發(fā)光譜的藍(lán)移。這種現(xiàn)象可以用一個(gè)簡(jiǎn)單的“量子阱”模型解釋。設(shè)球形量子點(diǎn)的半徑是R，半導(dǎo)體的禁帶寬度正比于1/R2，如公式（1）所示。

苴中meh=memh/（memh），me和mh分別表示電子和空穴的有效質(zhì)量，Eg（QD）和Eg，0表示量子點(diǎn)和其相應(yīng)體材料的帶隙。尺寸減小時(shí)，由于量子點(diǎn)的限域效應(yīng)，電子的能級(jí)結(jié)構(gòu)由體材料的準(zhǔn)連續(xù)性變?yōu)榉至⒌碾娮幽芗?jí)，可以用像類似原子的標(biāo)記方法（1S，1P，1D等）表示，如圖1所示。因?yàn)槟芗?jí)的分立性與原子的電子軌道能級(jí)很相似，因此量子點(diǎn)被看做是原子過(guò)渡到體材料的中間狀態(tài)，這也是人們稱量子點(diǎn)為“人造原子”的緣由。

能帶的分立也導(dǎo)致了量子點(diǎn)的吸收光譜的不連續(xù)，有別于體材料的吸收光譜，如圖2所示。量子點(diǎn)的能級(jí)是分立的不連續(xù)的，能級(jí)間的能量差是一個(gè)定值，因而電子躍遷時(shí)只能吸收一定量的光子，所以出現(xiàn)的是吸收線，而體材料中，能級(jí)是連續(xù)的，因而吸收也表現(xiàn)為連續(xù)的吸收帶

1.2 膠體量子點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)

較大的表面體積比和類原子的電子能帶結(jié)構(gòu)使量子點(diǎn)熒光具有尺寸依賴性和可調(diào)節(jié)性。一般物質(zhì)的熒光來(lái)自于電子由高能級(jí)向低能級(jí)的躍遷過(guò)程，而熒光可由原子發(fā)光、分子發(fā)光以及固體發(fā)光產(chǎn)生的，從構(gòu)成電子能級(jí)占據(jù)態(tài)軌道來(lái)看，分別對(duì)應(yīng)著原子電子軌道能級(jí)，分子電子軌道能級(jí)以及品格中電子能帶。而量子點(diǎn)的發(fā)光原理可以從半導(dǎo)體物理學(xué)的角度來(lái)解釋，當(dāng)激發(fā)能不小于帶隙時(shí)，量子點(diǎn)便會(huì)吸收光子使電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶。

受量子限域效應(yīng)的影響，量子點(diǎn)的發(fā)光機(jī)制如圖3所示。當(dāng)光束照射到量子點(diǎn)上，光子被量子點(diǎn)吸收之后，其價(jià)帶的電子躍遷到導(dǎo)帶成為高能電子，高能電子不穩(wěn)定再次躍回價(jià)帶成為低能價(jià)帶電子，能量差則以光子的形式輻射出來(lái)。電子從高能態(tài)的導(dǎo)帶向低能態(tài)的價(jià)帶的躍遷過(guò)程又可以表示為導(dǎo)帶電子和價(jià)帶空穴的復(fù)合過(guò)程;高能電子也可能躍遷到量子點(diǎn)的雜質(zhì)與缺陷能級(jí)上發(fā)生復(fù)合發(fā)光（ED、EA、ET分別代表了施主型缺陷能級(jí)、受主型缺陷能級(jí)以及深能級(jí)陷阱）。但一些電子如若落入較深的缺陷能級(jí)上，多數(shù)會(huì)以非輻射的形式而猝滅，只有極少數(shù)會(huì)以光子的方式躍遷回價(jià)帶或者吸收一定能量后再次躍遷到導(dǎo)帶。由于量子點(diǎn)的電子態(tài)比較多，因此單一波長(zhǎng)的光可以同時(shí)激發(fā)多種不同波長(zhǎng)的光。

2 膠體量子點(diǎn)LED

LED經(jīng)過(guò)幾十年技術(shù)改良，發(fā)現(xiàn)膠體量子點(diǎn)作為發(fā)光材料更有前景。量子點(diǎn)相對(duì)于LED最大的優(yōu)勢(shì)是具有量子點(diǎn)尺寸效應(yīng)，且其帶隙具有可調(diào)節(jié)性，而量子點(diǎn)的尺寸改變可以簡(jiǎn)單地通過(guò)改變合成條件及成分。

2.1 QLED的發(fā)光機(jī)制

QLED發(fā)光的關(guān)鍵是在發(fā)光層產(chǎn)生激子，但是結(jié)構(gòu)和所用材料不同，產(chǎn)生激子的機(jī)制也不同。外量子效率（EQE）是衡量QLED性能的重要尺度。外量子效率是指LED中發(fā)射的光量子數(shù)與吸收的電子數(shù)的比，可以通過(guò)公式（2）得出：

EQE=ηrXηPLηoc （2）

其中ηr是指注入的電荷在量子點(diǎn)內(nèi)形成的激子數(shù)，x是指處于躍遷中的激子數(shù)，ηPL是指量子點(diǎn)中熒光量子效率，ηoc是指與器件耦合的發(fā)射的光子數(shù)。一般在量子點(diǎn)中產(chǎn)生激子有四種途徑，如圖4所示：（a）光激發(fā)，量子點(diǎn)吸收一個(gè)高能的光子產(chǎn)生一個(gè)激子;（b）電荷注入，電子和空穴分別從臨近的電子傳輸層和空穴傳輸層注入在量子點(diǎn)中形成激子.（c）能量轉(zhuǎn)移，量子點(diǎn)通過(guò)臨近的施能分子把激子能量通過(guò)福斯特共振能量（FRET）轉(zhuǎn)移給附近的量子點(diǎn)，在這種機(jī)制中，先在發(fā)光材料上形成激子，然后激子的能量通過(guò)偶極耦合以非輻射的形式轉(zhuǎn)移到量子點(diǎn)上; （d）離子化，在大電場(chǎng)的作用下量子點(diǎn)電離產(chǎn)生一個(gè)電子和空穴，電子進(jìn)入另一個(gè)量子點(diǎn)，當(dāng)發(fā)光層薄膜上的電子和空穴聚集足夠多時(shí)，電子和空穴就會(huì)在同一個(gè)量子點(diǎn)內(nèi)相遇并形成激子。

2.2 QLED的類型

自從1994 QLED出現(xiàn)以后，其性能有很大地改善。到目前為止，QLED按照結(jié)構(gòu)組成，大致可以為四類。第一類，聚合物作為電荷傳輸層的QLED。這類是最早的QLED，與聚合物L(fēng)ED具有類似的結(jié)構(gòu)。此類器件發(fā)光材料是CdSe量子點(diǎn)，有兩種類型，均是“三明治”結(jié)構(gòu)，如圖5 （a）所示，類型a是電極之間包含量子點(diǎn)和聚合物兩層，類型b電極之間只有一層量子點(diǎn)和聚合物混合層。這類型的QLED的發(fā)光機(jī)制是電荷注入（如圖4（b）），能量轉(zhuǎn)移（如圖4 （c）），或者兩種機(jī)制同時(shí)參與。此類QLED雖然實(shí)現(xiàn)了量子點(diǎn)的電致發(fā)光（EL），但其發(fā)光效率很低，在亮度為1OOcd/m2時(shí)EQE小于O.O1%，主要是裸核C，dSe量子點(diǎn)的熒光效率很低，其次絕緣量子點(diǎn)作為發(fā)光層和電荷傳輸層，器件的電流密度較低，致使發(fā)光強(qiáng)度低。隨著量子技術(shù)的發(fā)展，CdS包裹著CdSe的核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)被應(yīng)用于a類型結(jié)構(gòu)，器件的熒光發(fā)光效率提高，外量子效率也增加到0.22%。

第二類，有機(jī)小分子作為電荷傳輸層的QLED，這類QLED發(fā)光多是依靠激子的能量轉(zhuǎn)移，創(chuàng)造了新的記錄，其外量子效率高達(dá)0.5%。器件效率的增加主要由于只用了單層的量子點(diǎn)如圖5（b），這使得發(fā)光過(guò)程和電荷的傳輸過(guò)程分離開來(lái)。量子點(diǎn)層和有機(jī)層保持納米級(jí)的間距，避免電場(chǎng)穿透量子點(diǎn)給量子點(diǎn)充電，否則會(huì)因?yàn)闊晒庑实慕档?，?dǎo)致外量子效率的下降。雖然這種結(jié)構(gòu)的器件擁有了OLED的全部?jī)?yōu)點(diǎn)，且光的調(diào)節(jié)性，色彩純度均優(yōu)于OLED，效率也大大提高了，但是由于傳輸層為有機(jī)物，當(dāng)暴露在空中時(shí)器件的性能就不穩(wěn)定。所以這類QLED要像OLED一樣需要額外的保護(hù)性封裝工藝，這樣即增加了生產(chǎn)成本，也限制了應(yīng)用范圍。除此之外，有機(jī)材料的相對(duì)絕緣性限制了QLED的電荷密度，從而降低了器件的發(fā)光亮度。

第三類，無(wú)機(jī)材料作為電荷傳輸層的QLED，如圖5（c）所示。無(wú)機(jī)物作為電荷傳輸層大大提高了器件在空氣中的穩(wěn)定性，且增加了器件的電流密度。此類QLED需要較大的開啟電壓，這就導(dǎo)致量子點(diǎn)被大電場(chǎng)離化產(chǎn)生自由載體。早期，器件的電子和空穴傳輸層分別是n型GaN和p型GaN，兩者均是由分子束外延生長(zhǎng)的，雖然器件中發(fā)光層產(chǎn)生了電致發(fā)光的現(xiàn)象，但是EQE很低，小于0.01%。而且分子束外延技術(shù)條件要求苛刻，所以要實(shí)現(xiàn)大規(guī)模化生產(chǎn)是很困難的，尋求新的途徑生長(zhǎng)電荷傳輸層是刻不容緩的。磁控濺射生長(zhǎng)金屬氧化物作為電荷傳輸層就是一種選擇，像有機(jī)材料一樣，按不同比例混合金屬氧化物和硫化物并在室溫下通過(guò)濺射沉積形成薄膜。兩者不同比例的混合使所得薄膜的能帶具有可調(diào)性，這恰巧符合QLED優(yōu)化要求。除此之外，金屬氧化物的傳導(dǎo)性比有機(jī)物的更強(qiáng)，而且傳導(dǎo)性還可以通過(guò)生長(zhǎng)時(shí)的氧壓比進(jìn)行調(diào)節(jié)。正如預(yù)期的一樣，器件雖能夠承受更大的電荷密度，但外量子產(chǎn)率卻小于O.1%。主要是由于在濺射生長(zhǎng)氧化物層時(shí)量子點(diǎn)被破壞，使得電子傳輸層和量子點(diǎn)之間有一個(gè)較大的勢(shì)壘致使電荷注入不平衡，而且傳輸層對(duì)量子點(diǎn)也產(chǎn)生了熒光猝滅。

第四類，有機(jī).無(wú)機(jī)物做電荷傳輸層的QLED。這類QLED相較于第二類，中間的量子點(diǎn)發(fā)光層比較厚，所以其工作原理更傾向于電子注入而并非能量轉(zhuǎn)移。考慮到第二類和第三類QLED的優(yōu)缺點(diǎn)，研究員把目光放在了有機(jī)無(wú)機(jī)傳輸層混合結(jié)構(gòu)上，如圖5 （d）所示，一層是典型的n型半導(dǎo)體，通常是金屬氧化物，另一層是有機(jī)半導(dǎo)體。盡管這不是新的結(jié)構(gòu)類型，但是因?yàn)槠渚哂休^高的外量子效率和亮度得到了廣泛的關(guān)注。據(jù)有關(guān)文章報(bào)道，這種結(jié)構(gòu)的QLED外量子效率高達(dá)18%。此類QLED也可選用膠體金屬氧化物的納米顆粒作為電子傳輸層。Qian等人制備了發(fā)紅，綠和藍(lán)光的QLED，其外量子效率分別可達(dá)1.7%，1.8%，0.22%，最大亮度分別為31000cd/m-2，68000cd/m-2，4200cd/m-2.

2.3 QLED的制備工藝步驟

現(xiàn)在QLED器件的制備過(guò)程中多采用第四類結(jié)構(gòu)如圖5 （d），在生長(zhǎng)電子和空穴傳輸層多采用磁控濺射的方式，隨著量子點(diǎn)技術(shù)的發(fā)展，也為了避免在生長(zhǎng)傳輸層時(shí)，磁控濺射過(guò)程中對(duì)發(fā)光層量子點(diǎn)的破壞，現(xiàn)在傳輸層多采用旋涂的方法，這樣操作既簡(jiǎn)單，也大大降低了生產(chǎn)成本。器件的結(jié)構(gòu)如圖6（a）所示，依次由以下幾層組成：基底，多采用ITO玻璃;空穴傳輸層，多為無(wú)機(jī)層;發(fā)光層，為量子點(diǎn);電子傳輸層，為有機(jī)層;正負(fù)電極，用磁控濺射生長(zhǎng)的Ag層。圖6（b）為器件各層的能級(jí)示意圖。這個(gè)結(jié)構(gòu)的QLED器件中包含兩種發(fā)光機(jī)制，電子注入和能量轉(zhuǎn)移，但是由于量子點(diǎn)發(fā)光層旋涂的比較厚，發(fā)光多依賴于電子注入。

現(xiàn)在一些大學(xué)研究所已經(jīng)制備出多層旋涂QLED器件，如圖7（a）所示，這種器件的性能高而且操作簡(jiǎn)便，可調(diào)性強(qiáng)，大大降低了成產(chǎn)成本。此器件一共六層，均采用旋涂的方式。值得強(qiáng)調(diào)的是在這個(gè)器件中PMMA在這里作為一層絕緣層，目的是為了促進(jìn)器件的電荷平衡，維持量子點(diǎn)優(yōu)異的發(fā)光特性。Zn0量子點(diǎn)在這里作為空穴傳輸層，理想情況下，由于禁帶寬度較大，Zn0量子點(diǎn)是絕緣體。但實(shí)際上由于其存在很多缺陷，而鋅間隙（Zni）和氧空位（vo）是施主型缺陷，而且在缺陷形成的過(guò)程中，形成氧空位所需要的能量較小，所以室溫下Zn0量子點(diǎn)材料中氧空位的數(shù)量比較多，導(dǎo)致其呈N型導(dǎo)電。發(fā)光材料是化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定的核殼結(jié)構(gòu)CdSe- CdS量子點(diǎn)。此QLED是發(fā)紅光，性能較高，主要表現(xiàn)在：開啟電壓較低為1.7V，外量子效率高達(dá)20.5%，光衰小，壽命大于lOOOOOh/cdm-2。這個(gè)研究成果為以后的相關(guān)研究提供很有價(jià)值的參考，也有利于下一代顯示照明技術(shù)的發(fā)展。

3 QLED商業(yè)化面臨的挑戰(zhàn)

雖然量子點(diǎn)技術(shù)發(fā)展的很迅速，而且各大高校的研究進(jìn)行得如火如荼，但是從實(shí)驗(yàn)室走向應(yīng)用的初級(jí)階段，成本還是很高的。量子點(diǎn)用于照明還只能處于試驗(yàn)階段，因?yàn)榱孔狱c(diǎn)的價(jià)格仍然很昂貴，是熒光粉的很多倍。QLED在應(yīng)用過(guò)程中，還有一些問(wèn)題亟待研究者們?nèi)ソ鉀Q。

（1）以量子點(diǎn)作為發(fā)光材料的器件在應(yīng)用過(guò)程中熒光猝滅現(xiàn)象比較嚴(yán)重，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如GaN基的LED;

（2）正如前面所說(shuō)，QLED發(fā)光機(jī)理比較復(fù)雜，真正的發(fā)光原理還不是太清楚，這就阻礙了量子點(diǎn)在一些新興領(lǐng)域的開發(fā)應(yīng)用，因而還需要做進(jìn)一步的探究;

（3）目前的非鎘系量子點(diǎn)產(chǎn)品雖然無(wú)毒環(huán)保，但是其發(fā)光效率與鎘系量子點(diǎn)產(chǎn)品還有很大差距，是其無(wú)法企及的;

（4）對(duì)量子點(diǎn)電致發(fā)光性能的研究還不夠，應(yīng)加速這反面的研究，這對(duì)于今后的照明和顯示行業(yè)有非常重要的作用。

4 結(jié)束語(yǔ)

雖然QLED還有很多問(wèn)題亟待我們解決，但是量子點(diǎn)優(yōu)異的性能，仍然激勵(lì)我們?nèi)ダ^續(xù)研究和解決這些問(wèn)題。無(wú)論是QLED的基礎(chǔ)性問(wèn)題還是現(xiàn)存的商業(yè)化問(wèn)題，都希望能夠吸引更多的人去做更深入更廣泛的研究，因?yàn)镼LED能夠普遍為我們所用才是我們最終的目的。

參考文獻(xiàn)

[1] Lee，M.K.，et al.， Surface plasmonresonance （SPR） electron and energytransfer in noble metal-zine oxidecomposite nanocrystals. Journal ofPhysical Chemistry C，2008. 112 （27）：p.10079-10082.

[2] Mahanti，M. and D.Basak， Highly enhancedUV emission due to surface plasmonresonance in Ag-Zno nanorods.Chemical Physics Letters， 2012. 542：p.110-116.

[3] Okamoto，K.，et

al.， Surface-plasmon-enhanced light emitters basedon InGaN quantum wells. NatureMaterials，2004.3（09）：601-605.

[4] Biju，V.，et al.， Semiconductor quantumdots and metal nanoparticles：syntheses， optical properties， andbiological applications. Analyticaland Bioanalytical Chemistry， 2008.391（07）： 2469-2495.

[5]Oliver，J. Quantum dots： global

marketgrowth and future commercialprospects.BCC Research paper NAN027C（2011）.

[6] Shirasaki，Y.，et al.， Emergence ofcolloidal quantum-dot light-emittingtechnologies. Nature Photonics，2013.7 （01）：13-2 3.

[7] Supran，G.J.，et al.， QLEDs for displaysand solid-state lighting.MrsBulletin， 2013. 38 （09）： 703-711.

[8]Hu，L.，et al.， Designable Luminescencewith Quantum Dot-Silver PlasmonCoupler. Small， 2014. 10 （15）： 3099-3109.

[9] Son，D.H.，et al.， Cation exchangereactions-in ionic nanocrystals. Science， 2004. 306 （5698）： 1009-1012.

[10] Liang，X.Y.，et al.， Synthesis ofUnstable Colloidal InorganicNanocrystals through the Introductionof a Protecting Ligand. Nano Letters，2014.14 （06）： 3117-3123.

[11]胡煉.II-VI族半導(dǎo)體量子點(diǎn)的發(fā)光特性調(diào)控[D]，浙江大學(xué)，2013， 14-17.

[12] Klimov，V.I.，Nanocrys tal quantumdots. 2010：CRC Press.

[13]Nozik，A.J.，Spectroscopyand hot electron relaxationdynamics in semiconductorquantum wells and quantum dots.Annual Review of PhysicalChemistry，2001.52：p.193-231.

[14] Cooney，R.R.，et al.， Unified pictureof electron and hole relaxationpathways in semiconductor quantumdots. Physical Review B，2007. 75 （24）.

[15]劉恩科，朱秉升，羅晉生.半導(dǎo)體物理學(xué)[M].電子工業(yè)出版社，2009.

[16] Ba ldo，M.A.&Forrest;，S.R.Highlyefficient phosphorescent emissionfrom organic electroluminescentdevices. Nature 395， 151-154 （1998）.

[17]宋凌云，有機(jī)/無(wú)機(jī)復(fù)合結(jié)構(gòu)CdSe量子點(diǎn)發(fā)光器件的研究[D].浙江大學(xué)，2013.

[18] Colvin，V.L.，M.C.Schlamp， andA. P. Alivisatos， Ligh t-Emit ting-Diodes Made from Cadmium SelenideNanocrystals and a SemiconductingPolymer. Nature， 1994. 370 （6488） ： p.354-357.

[19]Dabbousi，B.O.，et al.Electroluminescence from CdseQuantum-Dot Polymer Composites.Applied Physics Letters，1995.66 （11） ：1316-1318.

[20] Schlamp， M. C. ， X. G. Peng， and A. P.Alivisatos， Improved efficienciesin light emitting diodes madewith CdSe （CdS） core/shell typenanocrystals and a semiconductingpolymer.Journal of Applied Physics，1997. 82 （11）： 5837-5842.

[21] Anikeeva， P. 0. ， et al. ， Electronic andexcitonic processes in light-emittingdevices based on organic materialsand colloidal quantum dots.PhysicalReview B， 2008. 78 （08）.

[22] Caruge， J. M. ， et al. ， Colloidalquantum-dot light-emitting diodeswith metal-oxide charge transportlayers. Na ture

Photonics， 2008. 2 （04） ：p. 247-250.

[23] Popovic， Z. D. and H.

Aziz， Reliabilityand degradation of small molecule-based organic light-emitting devices（OLEDs）. Ieee Journal of SelectedTopics in Quantum Electronics，2002.8（02）： p. 362-371.

[24] Wood， V.， et al.， Selec t ion of MetalOxide Charge Transport Layers forColloidal Quantum Dot LEDs.Acs Nano，2009. 3（11）： p. 3581-3586.

[25] Dang， C.， et al. ， Stimulated Emissionin Red， Green，and Blue from ColloidalQuantum Dot Films by Single ExcitonOptical Gain. 2012 Ieee Photonics

Conference （Ipc）， 2012： p. 50-51.

[26]Kwak，J.，et al.，Bright and EfficientFull-Color Colloidal Quantum DotLight-Emitting Diodes Using anInverted Device Structure. NanoLetters， 2012. 12 （05） ： 2362-2366.

[27] Qian， L.， et al. ， Stable and efficientquantum-dot light-emitting diodesbased on solution-processedmultilayer structures NaturePhotonics， 2011. 5 （09）： 543-548.

[28] Geng， J. ， et al. ， Fast One-StepSynthesis of Biocompatible Zn0/Au Nanocomposites with HollowDoughnut-Like and Other ControlledMorphologies.The Journal of PhysicalChemis try C，2012. 116 （07） ： 4517-452 5.

[29] Tang， H. X. ， et al. ， Gas sens ingbehavior of polyvinylpyrrolidone-modified Zno nanoparticles fortrimethylamine. Sensors and ActuatorsB-Chemical， 2006. 113 （01） ： 324-328.

[30] Wang， Z. L. and J. H. Song，Piezoelectric nanogenerators basedon zinc oxide nanowire arrays.Science， 2006. 312 （5771） ： 242-2 4 6.

[31] Dai， X. L. ， et al. ， Solution-processed，high-performance light-emit t ingdiodes based on quantum dots.Nature，2014. 515 （7525）： 96.