王 琳 周天微

超結(jié)領域的全球?qū)＠夹g(shù)分析

王 琳 周天微

（國家知識產(chǎn)權(quán)局專利局專利審查協(xié)作天津中心，天津 300304）

超結(jié)結(jié)構(gòu)突破了傳統(tǒng)功率MOS器件的理論極限，被譽為功率MOS器件的里程碑器件。本文對超結(jié)領域全球的相關專利技術(shù)進行分析，從申請趨勢、區(qū)域分布、主要申請人等多個角度進行深入挖掘，梳理超結(jié)技術(shù)的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢。

超結(jié)；專利分析；技術(shù)生命周期

Abstract:Superjunction break through the theoretic limit of the traditional power MOSFET as a new milestone.This article analyzes the patent applications related to superjunction,and researches from different aspects,such as the trend in patent technique development,patent area distribution and applicants distribution,thus to understand the current situation and development direction of superjunction.

Key words:superjunction;patent analysis;technology lifecycle

功率MOSFET主要用作開關器件,其開關功耗相對較小，通態(tài)功耗比較高,而要降低通態(tài)功耗,需要減小導通電阻。因此,功率MOS的發(fā)展方向就是高耐壓、低導通電阻和高開關速度。但是,擊穿電壓和導通電阻始終是一對矛盾。傳統(tǒng)理論器件的導通電阻受擊穿電壓的限制存在一個極限,即“硅極限”，到了20世紀90年代初，功率MOS器件技術(shù)已發(fā)展到一個瓶頸。

1984年,飛利浦公司第一次提出在橫向高壓MOSFET中采用交替排列的PN結(jié)構(gòu)代替?zhèn)鹘y(tǒng)功率器件中的低摻雜漂移層作為電壓支持層；1991年,電子科技大學的陳星弼教授提出在縱向功率器件中用多個PN結(jié)構(gòu)作為漂移層的思想,并把這種結(jié)構(gòu)稱為“復合緩沖層”；1997年,Tatsuhiko等人對這一思想進行了系統(tǒng)總結(jié)，提出了“超結(jié)理論”[1]。

超結(jié)結(jié)構(gòu)突破了傳統(tǒng)功率MOS器件的理論極限，被譽為功率MOS器件的里程碑器件[2]。超結(jié)器件采用交替的PN結(jié)構(gòu)替代傳統(tǒng)低摻雜的漂移層作為電壓維持層，其本質(zhì)是利用在漂移區(qū)中插入P區(qū)（N溝道器件）所產(chǎn)生的電場對N區(qū)進行電荷補償，以提高擊穿電壓并降低擊穿電阻[3]。

截至2017年5月1日，在德溫特世界專利索引數(shù)據(jù)庫（DWPI）中檢索得到超結(jié)的全球?qū)＠暾埞灿? 390項，以此作為本文專利分析的數(shù)據(jù)樣本。

1 全球?qū)＠暾堏厔?/h2>

1998年以前，超結(jié)的申請量非常少，尚處于萌芽狀態(tài)，很多企業(yè)和科研機構(gòu)尚未對這項技術(shù)產(chǎn)生足夠的關注；1999-2009年，專利申請量緩慢波動增長；2009年以后，專利申請量快速增長，2012年最高年申請量達到212項，之后雖然略有下降，但仍然保持較高的申請量，說明隨著超結(jié)技術(shù)的發(fā)展，超結(jié)所具有的獨特優(yōu)勢開始吸引越來越多的業(yè)界目光。

圖1 全球?qū)＠夹g(shù)生命周期

2 專利技術(shù)生命周期

專利技術(shù)生命周期是指在專利技術(shù)發(fā)展的不同階段中，專利申請量和申請人數(shù)量的一般性的周期性規(guī)律。理論上一般存在4個階段：萌芽期，發(fā)展期、成熟期和衰退期。從圖中可以看出，1998年之前為專利技術(shù)萌芽期，專利申請量和申請人數(shù)量較少，這些專利大多數(shù)是基礎專利，由于技術(shù)市場還不明確，只有少數(shù)企業(yè)參與技術(shù)研究和市場開發(fā)；1999年到2009年為緩慢發(fā)展期，專利申請量和申請人數(shù)量均緩慢增加，期間可能存在一些思想和技術(shù)的沖突；2009年到2012年為快速增長期，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，市場擴大，介入的企業(yè)增多，專利申請量和專利申請人激增；2013年到2015年，專利申請量增長速度緩慢，申請人數(shù)量有所波動，但申請量和申請人數(shù)量維持在較高水平，說明該時期的超結(jié)技術(shù)功能發(fā)展成熟，該領域內(nèi)相關企業(yè)可能對當前技術(shù)進行改進，以提高性能。

圖2 來源國及目標國/區(qū)域比例圖

3 專利申請區(qū)域分布

圖2為來源國及目標國/區(qū)域比例圖。從左圖中可以看出，中國、日本在超結(jié)領域的專利產(chǎn)出量較高，分別占據(jù)總申請量的46%和22%，說明兩國在超結(jié)領域的研發(fā)投入力度非常大。1991年，中國電子科技大學的陳星弼院士提出超結(jié)，但隨后幾年申請量一直不多，直到2009年，國內(nèi)與超結(jié)VDMOS的制造工藝相關的發(fā)明專利申請量明顯增多。日本擁有東芝、富士電機等公司，美國擁有萬國半導體、威世、飛兆半導體等公司，在超結(jié)領域都擁有較強的競爭力。英飛凌公司作為國外申請人的領軍人物，在超結(jié)領域具有較強的控制力。

從右圖中可以看出，專利申請目標市場排名前三位的是中國、美國和日本。中國作為目標市場的第一位，說明各國均很重視中國市場。美國和日本同樣也是各國關注的市場，這與其在超結(jié)領域的國際地位也是密不可分的。

4 全球申請人排名

圖3 全球主要申請人的專利布局

從申請人國別構(gòu)成來看，中國申請人有7家，占47%，包括4家公司、2所大學和1家個人申請；總的來看，中國申請人占有很大比例，這說明中國的企業(yè)和大學均意識到了超結(jié)技術(shù)的潛在市場價值，對超結(jié)技術(shù)的研究投入了較多關注。從國外申請人的構(gòu)成來看，有3家美國公司，4家日本公司，1家奧地利公司，說明美日企業(yè)在超結(jié)領域的巨大優(yōu)勢和控制力。從申請量來看，該領域申請量最多的是中國的華虹宏力公司，為164項，自2009年加入到超結(jié)的研發(fā)之中，隨后申請量快速增長；排名第二的是奧地利的英飛凌公司，在初期就已經(jīng)投入到超結(jié)的研發(fā)之中，并一直致力于超結(jié)器件和工藝的改進，掌握多項核心技術(shù)；排名第三、第四的是日本的東芝和富士電機。

5 全球主要申請人的專利布局

從圖中可以看出，中國、德國、美國和日本仍然是主要布局國家。大部分公司優(yōu)先布局本土，尤其是中國公司和大學，幾乎所有申請都在國內(nèi)，缺乏對海外市場的專利布局。日本公司專利布局的重要市場是美國和中國，顯示了日本公司對美國和中國市場的重視；英飛凌公司布局集中在德國、中國和美國，在日本布局較少。

6 結(jié)語

本文對超結(jié)領域的專利分析，發(fā)現(xiàn)超結(jié)全球?qū)＠暾埩砍掷m(xù)增長，中國初期申請量較少，但后續(xù)對超結(jié)技術(shù)的研發(fā)高度重視，投入較大，在保持追趕的同時縮小了和國外的差距，總申請量排名全球第一；中國申請人以企業(yè)和大學為主，研究力量較強，同時美日企業(yè)在超結(jié)領域也擁有巨大的優(yōu)勢和控制力；且超結(jié)技術(shù)專利布局特點鮮明，中、美、日三國為各方專利布局的主要區(qū)域。

[1]Fujihira T.Theory of semiconductor superjunction devices[J].Jpn JAppl Phys，1997，36:6254–6262.

[2]陳星弼.超結(jié)器件電力電子技術(shù)[J]，電力電子技術(shù)，2008，42(12):2-7.

[3]張波.功率超結(jié)器件的理論與優(yōu)化[J].中國科學:物理學力學天文學，2016，46(10):107302-1：107302-18.

Patent Application Situation Analysis in Superjunction

Wang Lin Zhou Tianwei
(Patent Examination Cooperation Tianjin Center of The Patent Office,SIPO,Tianjin,300304,China)

O471

A

1003-5168(2017)08-0049-03

2017-5-23

王琳（1983-），男，本科，五級審查員，研究方向：半導體；周天微（1986—），女，博士，研究方向:半導體（等同于第一作者）。