楊立衡,陳勖
(1.深圳信息職業(yè)技術(shù)學院學報,廣東 深圳 518172;2.深圳信息職業(yè)技術(shù)學院軟件學院,廣東 深圳 518172)
?
無線接收機中雙模窄帶低噪聲放大器設(shè)計
楊立衡1,陳勖2
(1.深圳信息職業(yè)技術(shù)學院學報,廣東 深圳 518172;2.深圳信息職業(yè)技術(shù)學院軟件學院,廣東 深圳 518172)
摘 要:本文采用全差分源級退化電感和共源共柵結(jié)構(gòu)設(shè)計了一款適用于GSM高頻段手持設(shè)備的雙模低噪聲放大器電路。整個電路采用標準0.18μm CMOS工藝設(shè)計,實現(xiàn)了高增益、低增益和旁路三種增益模式。仿真結(jié)果表明:在DCS1800和PCS1900工作模式下,該低噪聲放大器電路的最大電壓增益分別是20.3dB和20.9dB,最小噪聲系數(shù)分別是1.6dB和1.63dB,在1.8V電源電壓下電流為5.5mA。設(shè)計的低噪聲放大器完全滿足DCS1800/PCS1900系統(tǒng)要求。
關(guān)鍵詞:低噪聲放大器; 共源共柵; 噪聲系數(shù);增益控制
當前, 無線通信技術(shù)迅猛發(fā)展,終端產(chǎn)品市場上GSM、CDMA、GPS及Bluetooth等多種無線通信標準并存,但GSM仍然是全球最大的占有市場份額最大的無線通訊制式[1-3]。GSM是一個當前由3GPP開發(fā)的開放標準,目前GSM頻段除了包括大家所熟知的GSM850/ GSM900外,還包括DCS1800 / PCS1900,其中DCS1800主要在歐洲、亞洲等地區(qū)使用,而PCS1900主要在美洲等地區(qū)使用。
在無線通信系統(tǒng)接收機前端,接收天線接收進來的信號通常是比較弱的,因此,在對信號進行解調(diào)之前,需要有一個放大器對信號進行放大,同時,還必須抑制噪聲信號的放大。這就是低噪聲放大器[4]。作為射頻接收前端的第一個模塊,它不僅要具有較寬的接收信號動態(tài)范圍[5-10](一般需要達到100dB左右的范圍),而且它的噪聲系數(shù)決定了整個接收系統(tǒng)的噪聲基底。因此,低噪聲放大器必須努力提高信噪比,避免信號在后續(xù)的混頻器處理中被噪聲湮沒。但是低噪聲放大器的增益也不能太高[11-16],否則對后續(xù)信號處理的混頻器線性提出苛刻而難以達到的要求。另外,較寬的輸入動態(tài)范圍也需要低噪聲放大器具有足夠高的線性[17-22],避免在強干擾信號情況下,放大器出現(xiàn)增益壓縮、減敏、互調(diào)和交調(diào)等非線性行為。同時,還應(yīng)滿足功耗低和占據(jù)芯片面積小,來延長手持設(shè)備電池使用時間及降低制造成本。
本文的目的是為采用低中頻架構(gòu)的GSM高頻段手持設(shè)備射頻芯片設(shè)計一款實用的雙模低噪聲放大器電路,采用高、低和旁路三種增益模式完成對不同強度的射頻信號的放大,同時采用負載開關(guān)電容陣列的方式完成對頻帶的選擇以及工藝偏差的調(diào)節(jié),最終達到系統(tǒng)對性能和頻率覆蓋的要求。
低噪聲放大器的噪聲必須盡可能低。因此,對低噪聲放大器電路主體結(jié)構(gòu)的實現(xiàn)不用像其他射頻電路結(jié)構(gòu)那樣復(fù)雜,一般單個晶體管即可滿足對信號的放大功能。常見的放大器基本結(jié)構(gòu)有共源、共漏和共源共柵三種結(jié)構(gòu),如圖1所示。
圖1 三種常見的基本放大器Fig.1 Three basic amplifiers
在三種基本結(jié)構(gòu)中,共源結(jié)構(gòu)具有低功耗特性,而共源共柵結(jié)構(gòu)則因為能夠減小共源結(jié)構(gòu)的密勒效應(yīng)而被人們作為設(shè)計的首選。接下來在源級串聯(lián)一個電感來調(diào)節(jié)實現(xiàn)輸入級的功率匹配,這樣的好處是不會引入額外的噪聲。另外,單端放大器對接地的寄生電感非常靈敏,這樣在設(shè)計和制造時就會因為偏差而使得性能受到限制;而差分放大器利用尾電流虛地,降低了對寄生電感的靈敏度,采用源級退化電感來調(diào)節(jié)等效的輸入電阻,還能夠抑制共模噪聲。當然,差分結(jié)構(gòu)相對于單元而言,需要雙倍的功耗、雙倍的芯片面積,并且需要單端轉(zhuǎn)差分的巴倫來實現(xiàn)和天線的連接。不過仔細研究DCS1800 / PCS1900的標準,差分結(jié)構(gòu)能夠提供雙倍的增益,偶次諧波抑制較好,具有更大的動態(tài)范圍。綜合上述優(yōu)缺點,本次設(shè)計采用全差分源級退化電感的共源共柵結(jié)構(gòu)。
由于設(shè)計的低噪聲放大器用于DCS 1800/ PCS1900雙模接收機系統(tǒng),因此,設(shè)計時盡量使各頻段的負載電感共用,來縮小芯片面積。另外由于低噪聲放大器接收信號動態(tài)范圍大(從幾十微伏到幾百毫伏),為了避免混頻器線性飽和,低噪聲放大器的增益要可變;同時為了補償工藝、溫度和電源電壓變化所帶來的影響,低噪聲放大器應(yīng)該具有自動或半自動補償調(diào)節(jié)的功能。
經(jīng)過論證,GSM雙頻段DCS1800和PCS1900低噪聲放大器共享兩個電感,這樣大大縮小了芯片面積。
根據(jù)輸入信號的大小,低噪聲放大器要實現(xiàn)可變增益控制以滿足混頻器的輸入要求,分別為高增益模式、低增益模式和旁路模式三檔。當接收到的信號非常低,通過高增益模式把其放大;當信號非常大時,通過旁路模式將電路旁路,信號直接進入混頻器;當信號處于中間水平時,通過低增益模式進行適當放大給混頻器。負載LC諧振回路槽的電容以開關(guān)電容陣列實現(xiàn),完成頻帶選擇、工藝偏差的調(diào)節(jié)。兩頻帶的偏置電流部分共用,通過開關(guān)切換到所需工作頻帶。
對于DCS1800和PCS1900來說,除了工作頻率不同及器件稍有不同之外,其電路結(jié)構(gòu)與工作原理完全一樣,兩頻帶的負載開關(guān)電容諧振槽與源級電感共用。因此,僅以PCS1900來闡述低噪聲放大器的電路結(jié)構(gòu)及器件選擇。
2.1核心單元
低噪聲放大器的基本內(nèi)核就是對輸入信號進行放大的部分,這里包括高、低和旁路三種增益模式,如圖2所示。
圖2 低噪聲放大器電路結(jié)構(gòu)Fig.2 the structure of low noise amplifier
晶體管M0~M7、電感L0~L1及LC tank構(gòu)成了差分結(jié)構(gòu)的高低增益模式結(jié)構(gòu),而M8~M9及C0~C1實現(xiàn)信號的旁路。源于差分結(jié)構(gòu)的對稱性,這里以單邊支路來闡述其工作原理。當highgain控制端為高電平,lowgain與bypass控制端為低電平時,晶體管M9與M7關(guān)斷,M5與M3導通,電路工作在高增益模式;當lowgain為高電平,highgain與bypass為低電平時,晶體管M9與M3關(guān)斷,M5與M7導通,電路工作在低增益模式;當bypass為高電平,lowgain與highgain為低電平時,同時偏置電流源關(guān)斷,晶體管M3、M5與M7關(guān)斷,M9導通,電路工作在旁路模式。由此可以看到,通過控制流過負載的電路達到改變增益的目的。
放大管與源級電感的選取主要是偏置、噪聲、增益和線性的折中。一般來說,電流增加,增益增大,噪聲系數(shù)變小,但對噪聲系數(shù)而言,這不一定總是正確的。我們選取電流在一個合理值上,放大管W/L增大,gm增大,線性變差,噪聲逐漸變?yōu)橐詼系涝肼暈橹?,放大管W/L減小,gm減小,線性改善,噪聲逐漸變?yōu)橐詵旁肼暈橹鳌K詫τ诜糯蠊軄碚f,我們必須通過在偏置、噪聲、增益與線性之間折中取一個優(yōu)化值。
從輸入端與輸出端來看,無論高增益還是低增益,輸入阻抗理論上沒有變化,輸出端負載包括寄生在內(nèi)的差別僅在于高增益看到的是M3管導通時的漏級寄生電容,低增益看到的是M3管關(guān)斷時的漏級寄生電容,M3管無論導通還是關(guān)斷,其漏級pn結(jié)都處于反偏狀態(tài),而反偏時的電容是很小的,所以導通和關(guān)斷時的寄生電容差別也應(yīng)該是非常小的,所以高增益和低增益對外部輸入匹配網(wǎng)絡(luò)與輸出寄生電容來說是一樣的。因此,對于以圖2為核心的低噪聲放大器,輸入匹配與輸出調(diào)頻對高增益還是低增益都是比較好滿足的,但是對于旁路模式,其結(jié)構(gòu)與工作狀態(tài)完全不同于高低增益時的情況。因此,需要著重考慮開關(guān)管M9和耦合電容C1的值,以滿足旁路模式的要求,并能兼容高、低增益模式。
2.2開關(guān)電容負載LC諧振槽
圖3是開關(guān)電容負載,用來實現(xiàn)工藝角補償。對電感來說,其上的壓降V=Ldi/dt;對于電容,其上的壓降V=∫idt/C。因此,電感值越大,增益越高,電容的可調(diào)節(jié)范圍就變小,電感的版圖面積也會變大。所以在滿足增益要求的基礎(chǔ)上盡量減小電感值,應(yīng)以減小電感所占據(jù)的版圖面積及增大電容的可調(diào)節(jié)范圍為主要優(yōu)化目標。同時選取射頻電容來減小對襯底的耦合損耗。
圖3 負載開關(guān)電容LC諧振槽Fig.3 The switching capacitor LC resonant tank
偏置控制部分包括頻帶選擇、增益選擇、工藝角補償?shù)倪壿嬁刂撇糠忠约捌秒娏鞯目刂撇糠帧_壿嬰娐分饕峭ㄟ^譯碼電路邏輯實現(xiàn)的;所有的數(shù)字控制信號都通過從數(shù)字電源電壓轉(zhuǎn)到模擬電源電壓,即經(jīng)過兩級反相器,再送到對應(yīng)的開關(guān)管的輸入,控制相關(guān)的數(shù)字控制。偏置電流部分采用MOS基準實現(xiàn),主要有三部分組成,來補償溫度變化帶來的影響,低溫和高溫是恒流源,中間溫度是正溫度系數(shù)的電流源。
表1給出了數(shù)字邏輯控制的關(guān)系。
表1 數(shù)字邏輯控制關(guān)系表Tab.1 The digital logic control relationship
圖4給出了頻帶選擇、增益選擇的邏輯電路。
圖4 頻帶選擇和增益選擇的邏輯電路Fig.4 The logic circuit of band and gain selection
2.3外部輸入匹配網(wǎng)絡(luò)
匹配網(wǎng)絡(luò)是一個阻抗變換網(wǎng)絡(luò),使得天線接收到的功率盡可能多地被低噪聲放大器接收到。同時,它對低噪放也存在一個最優(yōu)噪聲匹配。匹配網(wǎng)絡(luò)選取遵循的原則就是在滿足指標要求的情況下盡可能少用外部器件,及每一外部器件的選取盡可能接近有關(guān)廠商所能提供的器件標稱值。
這里由于DCS1800和PCS1900頻段不一樣,故需要分別做匹配電路,不過差別也只是工作頻率,因此外部匹配網(wǎng)絡(luò)的結(jié)構(gòu)可以選擇相同。我們選用L型匹配網(wǎng)絡(luò)。同時設(shè)計時采用的是差分輸入,因此匹配網(wǎng)絡(luò)也做了適當調(diào)整。如圖5所示。這里同時考慮了封裝寄生電容和鍵合線電感的影響。對于DCS1800頻段,匹配網(wǎng)絡(luò)中元件參數(shù)為:Lg=6.4nH,Lp=8.5nH,Cb=8pF。對于PCS1900頻段,Lg=5.8nH,Lp=7.7nH,Cb=8pF。
圖5 外部匹配網(wǎng)絡(luò)Fig.5 The external matching network
整個低噪聲放大器設(shè)計采用TSMC 0.18μm 1P5M的CMOS工藝實現(xiàn)。由于整個低噪聲放大器模塊采用差分輸入輸出工作,在版圖設(shè)計時,主要考慮的就是對稱性,另外還需要考慮版圖盡可能緊湊。整個版圖如圖6所示:
圖6 低噪聲放大器版圖Fig.6 The layout of low noise amplifier
利用Cadence公司的SpectreRF仿真工具對整個低噪聲放大器電路的噪聲系數(shù),電壓增益,輸入匹配和穩(wěn)定性等參數(shù)進行了寄生參數(shù)提取后的仿真分析。
圖7為DCS1800和PCS1900在高增益、低增益和旁路模式下的噪聲系數(shù)。由圖可見,高增益模式下,兩個頻段的噪聲系數(shù)均低于1.8dB,這也完全滿足GSM高頻段指標要求。
圖7 三種增益模式下的噪聲系數(shù)Fig.7 The noise figure under three gain modes
圖8分別給出了DCS1800和PCS1900的電壓增益??梢栽诟咴鲆婺J较拢瑑蓚€頻段內(nèi)的電壓增益都超過了20dB,1dB帶寬分別達到了140MHz和108MHz,完全滿足DCS1800(有效帶寬75MHz)和PCS1900(有效帶寬35MHz)的要求。
圖8 三種模式下的電壓增益Fig.8 The voltage gain under three modes
圖9分別是DCS1800和PCS1900在高增益模式下的輸入反射系數(shù)。從仿真圖形上看,輸入匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計比較合理,在頻帶內(nèi)小于指標所要求的-15dB。當然輸入匹配受輸入端寄生電容影響比較大,因此需要設(shè)計一定的余量。
圖9 高增益下的輸入反射系數(shù)Fig.9 The input reflection coefficient under high gain
另外,圖10是整個低噪聲放大器電路的穩(wěn)定性曲線??梢钥吹皆谡麄€頻帶內(nèi)Kf均大于1,滿足無條件穩(wěn)定的要求。
圖10 低噪聲放大器穩(wěn)定性曲線Fig.10 The stability curve of low noise amplifier
根據(jù)DCS1800和PCS1900系統(tǒng)的指標要求,采用全差分源級退化電感和共源共柵結(jié)構(gòu)設(shè)計了一款適用于DCS1800/PCS1900雙頻段手持設(shè)備的低噪聲放大器電路,通過數(shù)控方式實現(xiàn)了高、低增益和旁路模式和頻段選擇。仿真結(jié)果表明,該低噪聲放大器在DCS1800和PCS1900頻段中,電壓增益最大可以達到20.3dB和20.9dB,噪聲系數(shù)最小可以降到1.6dB和1.63dB,完全適用于全集成的DCS1800/ PCS1900手持式設(shè)備中。
參考文獻(References):
[1] 周建明, 陳向東, 徐洪波. 1.9GHz 0.18μm CMOS低噪聲放大器的設(shè)計[J]. 通信技術(shù), 2010, 43(8):76-78.
ZHOU Jianming, CHEN Xiangdong, XU Hongbo. Design of 1.9GHz 0.18um CMOS Low-Noise Amplifier[J]. Communications Technology, 2010, 43(8): 76-78(inChinese).
[2] 孟海成,宋家友,趙丹丹. 基于GSM的寬帶LNA電路設(shè)計[J]. 電子技術(shù), 2010, 5:57-59.
MENG Haicheng, SONG Jiayou, ZHAO Dandan. Design of the Broadband LNA Based on GSM[J]. Electronic Technology, 2010, 5: 57-59(in Chinese).
[3] 詹海挺. 小數(shù)分頻器的研究與設(shè)計[D]. 杭州: 杭州電子科技大學, 2012.
ZHAN Haiting.Research and Design of Fractional Divider [D]. Hangzhou: Hangzhou Dianzi University, 2012(in Chinese).
[4] BEHZAD Razavi. Design of Analog CMOS Integrated Circuits[M]. Europe: McGraw-Hill Education, 2000
[5] Bryerton E W,Morgan M,Pospieszalski M W. Ultra low noise cryogenic amplifiers for radio astronomy[J]. Radioand Wireless Symposium,Austin,USA,2013. 358-360
[6] Lu, Yang,Yeo, Kiat Seng,Cabuk, et.al. A novel CMOS lownoise amplifier design for 3.1- to 10.6-GHz ultra-wideband wireless receivers[J]. IEEE Transactions on Circuits and Systems I. 2006, 31-33
[7] Liao, Chih-Fan,Liu, Shen-Iuan.A broadband noisecanceling CMOS LNA for 3.1-10.6-GHz UWB receivers[J]. IEEE Journal of Solid State Circuits . 2007 829-842
[8] Chen F H,Lin S Y,Li L Y,et al.4.2-4.8 GHz CMOS Variable Gain LNA for Chinese UWB Application. Microwave and Millimeter Wave Technology(ICMMT),2010 IEEE International Conference on . 2010
[9] Hung W H,Lin K T,Hsieh J Y,et al.A 2-6GHz Broadband CMOS Low-noise Amplifier with Current Reuse Topology Utilizing a Noise-shaping Technique. Circuits and Systems (ISCAS),2011 IEEE International Symposium on . 2011
[10] 徐國明. 基于0.18 μ m 工藝CMOS 超寬帶低噪聲放大器設(shè)計[J]. 電子與封裝,2011 ,(4)31-33
XU Guoming. Design of a 0.18μm CMOS Ultra-Wideband Low Noise Amplifier[J]. electronics and packaging. 2011,(4)31-33.(in Chinese)
[11] Sheaffer D K,Lee T H.A 1.5V,1.5GHz CMOS lownoise amplifier[J].IEEE Journal of Solid-state Circuits,1997,32(5) :745-759.
[12] Reinhold Ludwig,Panel Bretchko.RF Circuit DesignTheory and pplications[M].Publishing House ofE1ectronics,2004.
[13] Jack J B,James G B,Samuel M P,et al. Cryogenic,Xbandand Ka-band InP HEMT based LNAs for the deepspace network[J]. IEEE Proceedings Aerospace Conference,2001, 829-842
[14] Pospieszalski M W,Weinreb S,Norrod R D,et al. FET'sand HEMT's at cryogenic temperatures - their propertiesand use in low-noise amplifiers[J]. IEEE Transactionson Microwave Theory and Techniques,1988,36 ( 3 ) :552-560
[15] Weinreb S,F(xiàn)enstermaacher D L,Harris R W. Ultra lownoise 1. 2 to 1. 7 GHz cooled GaAs FET amplifier[J]. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,1982,30( 6) : 849-853[
[16] Engen G F,Hoer C A. Thru-reflect-line: an improvedtechnique for calibrating the dual six-port automatic network analyzer[J]. IEEE Trans Microwave Theory and Techniques,1979,27( 12) : 987-993
[17] Berroth M,Bosch R. Broad-band determination of the FET small-signal equivalent circuit[J]. IEEE Transactions on microwave theory and techniques,1990,38( 7) :891-895
[18] Pospieszalski M W. Modeling of noise parameters of MESFET's and MODFET's and their frequency and temperature dependence[J]. IEEE Microwave Magazine,1989,37( 9) : 1340-1350
[19] Roschier L,Hakonen P. Design of cryogenic 700MHz amplifier[J]. Cryogenics,2004,40: 783-788[9]Schleeh J,Wadefalk N,Nilsson P A,et al. Cryogenic 0. 5 ~ 13GHz low noise amplifier with 3K mid-band noise temperature[A]. IEEE Microwave Symposium Digest[C],Montreal,Canada,2012. 1-3
[20] 陳烈強,顧穎言. 利用ADS 仿真設(shè)計射頻寬帶低噪聲放大器[J]. 微波學報,2010,26( S1) : 288-291
CHEN Lieqiang,GU Yinyan. Design and simulation of the RF wide-band low noise amplifier using ADS[J]. Journal of Microwaves,2010, 26( S1) : 288-291(in Chinese)
[21] Agilent Technology. Fundamentals of RF and microwave noise figure measurements[OL]. http: / /www. agilent.com / find /noisefigure,Application Note 57-1,2006
[22] 張士剛,李斌,朱香芹,等. 極低噪聲測試系統(tǒng)的方法研究[J]. 低溫與超導,2010,38( 1) ,76-79
ZHANG Shigang,LI Bin,ZHU Xiangqin,et al. Research of the methods for the ultra-low-noise testsystem[J]. Cryogenics and Superconductivity,2010,38(1) ,76-79(in Chinese)
【責任編輯:高潮】
【信息技術(shù)應(yīng)用研究】
Design of a dual-mode narrow-band Low-noise amplifier for wireless receivers
YANG Liheng1, CHEN Xu2
(1. Journal Editorial Department, Shenzhen Institute of Information Technology, Shenzhen 518172, China;2. Software Institute, Shenzhen Institute of Information Technology, Shenzhen 518172, China)
Abstract:This paper introduces a dual-mode low-noise amplifier suitable for GSM high-frequency band handset RFIC with fully differential Source degeneration inductor and the structure of cascade. It uses standard 0.18μm CMOS technology and realizes three operation modes: high-gain, low-gain, and by-pass. The simulation results show that the maximum gain are 20.3dB, 20.9dB, the minimum noise figure are 1.6dB, 1.63dB in mode DCS1800 and PCS1900. The circuit dissipates 5.5mA from a 1.8V supply. It will satisfy the requirements of DCS1800/PCS1900 application.
Key words:low noise amplifier; cascode; noise factor; gain control
中圖分類號:TN752
文獻標識碼:A
文章編號:1672-6332(2016)01-0033-06
[收稿日期]2015-12-13
[基金項目]深圳市科技計劃項目(JCYJ20140418100633642)
[作者簡介]楊立衡(1978 - ),男(漢),貴州貴陽人,碩士,工程師,主要研究方向:射頻集成電路設(shè)計。E-mail:yanglh@sziit.com.cn