閆艷燕　王潤(rùn)興　趙　波

河南理工大學(xué),焦作,454000

金剛石飛切單晶硅的切削力模型及試驗(yàn)研究

閆艷燕王潤(rùn)興趙波

河南理工大學(xué),焦作,454000

摘要：首先對(duì)金剛石飛切單晶硅的加工特點(diǎn)進(jìn)行分析，建立了未變形切屑厚度模型及材料去除類型的理論判定條件；然后推導(dǎo)出了適合金剛石飛切加工特點(diǎn)和單晶硅材料特性的數(shù)學(xué)預(yù)測(cè)模型；最后進(jìn)行了切削力正交試驗(yàn)，并通過(guò)切削力試驗(yàn)值與模型計(jì)算值對(duì)比驗(yàn)證了切削力模型的合理性。同時(shí)根據(jù)試驗(yàn)結(jié)果總結(jié)了各主要加工參數(shù)(切深ap、進(jìn)給量f、主軸轉(zhuǎn)速n)及其產(chǎn)生的最大未變形切屑厚度hmax對(duì)切削力的影響規(guī)律。

關(guān)鍵詞：?jiǎn)尉Ч?；金剛石飛切；切削力模型；未變形切屑厚度

0引言

單晶硅具備優(yōu)良的物理化學(xué)特性，不僅是各種微機(jī)電器件的主要襯底材料，而且還是一種十分重要的紅外光學(xué)材料，具有巨大的實(shí)用價(jià)值,對(duì)其進(jìn)行機(jī)械精密超精密加工方面的研究從未中止。程祥等[1]對(duì)單晶硅進(jìn)行了微細(xì)塑性銑削試驗(yàn)，探索了加工環(huán)境和加工參數(shù)對(duì)單晶硅延性域切削的影響。Xie等[2]利用金剛石的磨削作用在單晶硅片上加工出了高質(zhì)量的微槽結(jié)構(gòu)等。利用金剛石飛切技術(shù)對(duì)單晶硅片進(jìn)行線性微槽類結(jié)構(gòu)形貌加工是一種新的探索,金剛石飛切對(duì)于線性槽微結(jié)構(gòu)和由多條相交線組成的微槽結(jié)構(gòu)陣列、重復(fù)性的棱柱矩陣的加工有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)[3-4]。

切削力作為單晶硅超精密切削加工過(guò)程中主要特征參數(shù)之一,具有很重要的研究意義。在對(duì)單晶硅的切削力研究中,程軍等[5-6]發(fā)現(xiàn)了單晶硅微磨削力與未變形切屑厚度、晶格常數(shù)的關(guān)系，并建立了磨削力預(yù)測(cè)模型。Yan等[7]對(duì)單晶硅實(shí)現(xiàn)了超精密金剛石刀具切削，并研究了加工中刀具的磨損規(guī)律以及刀具磨損對(duì)磨削力的影響。郭兵[8]基于微切削理論建立了切削力數(shù)學(xué)模型。劉勇等[9]根據(jù)金剛石飛切加工特點(diǎn)，建立了剪切面、剪切角的變化規(guī)律模型。這些模型較多地關(guān)注金剛石飛切加工的獨(dú)特特點(diǎn)，卻對(duì)材料本身(尤其是脆性材料)的特性對(duì)加工過(guò)程中的影響情況關(guān)注較少，因此有必要結(jié)合金剛石飛切技術(shù)的加工特點(diǎn)，建立適合單硅材料加工特性的切削力模型。

基于以上所述，本文首先對(duì)單晶硅材料切削特性進(jìn)行分析，建立了金剛石飛切特征下未變形切屑厚度模型及材料去除類型的理論判定條件；然后推導(dǎo)出了適合金剛石飛切加工特點(diǎn)和單晶硅材料特性的數(shù)學(xué)預(yù)測(cè)模型;最后進(jìn)行了單晶硅片在金剛石飛切加工下切削力正交試驗(yàn),并通過(guò)實(shí)測(cè)切削力數(shù)據(jù)與模型計(jì)算值對(duì)比,對(duì)切削力模型進(jìn)行了驗(yàn)證,總結(jié)了各主要加工參數(shù)對(duì)單晶硅金剛石飛切過(guò)程中切削力的影響規(guī)律。

1用金剛石飛切單晶硅時(shí)切削力模型的建立

(a)金剛石飛切裝置示意圖

(b)金剛石飛切加工運(yùn)動(dòng)示意圖圖1　金剛石飛切加工原理示意圖

金剛石飛切加工裝置及原理示意見(jiàn)圖1。金剛石飛切單晶硅是一種單點(diǎn)微納米級(jí)切削加工方法，類似于特定幾何形狀的單顆粒磨削，加工過(guò)程有摩擦階段、耕犁階段及形成切屑階段三個(gè)階段存在[6，10]。而且由于單晶硅幾乎為完美的胡克材料[1],為簡(jiǎn)化模型，可忽略單晶硅彈性變形即摩擦階段對(duì)切削力造成的影響。所以本文以單晶硅片為受力對(duì)象，研究其耕犁階段和形成切屑階段的受力情況。為方便選擇單晶硅材料的物理機(jī)械參數(shù)，可根據(jù)等效剛度原理，取單晶硅各機(jī)械等效特性，將其簡(jiǎn)化為各向同性材料[11]。同時(shí)需要說(shuō)明的是，本文中切削厚度為納米級(jí)，故必須考慮到切削刃刃口半徑，而實(shí)際參與切削加工的刀體部分為刀尖圓弧切削刃。

1.1單晶硅機(jī)加工特性分析

1.1.1單晶硅晶間、晶內(nèi)破壞應(yīng)力

Cheng等[6]在對(duì)單晶硅的磨削加工試驗(yàn)研究中,提出了晶間斷裂和晶內(nèi)斷裂這兩種不同破壞方式下應(yīng)力的數(shù)學(xué)表達(dá)式:

σ=σch>a0

(1)

σ′=k1σg+k2σch≤a0

(2)

式中,σc為單晶硅晶格間的破壞應(yīng)力;σg為晶內(nèi)破壞應(yīng)力;k1、k2為不同模式下的系數(shù)(詳細(xì)推導(dǎo)及參數(shù)可參見(jiàn)文獻(xiàn)[6,12])；h為未變形切屑厚度；a0為單晶硅晶格常數(shù)。

1.1.2單晶硅延性域臨界切削厚度

通過(guò)文獻(xiàn)[10,13]的理論分析和文獻(xiàn)[1]針對(duì)單晶硅的試驗(yàn)加工結(jié)果，可知單晶硅的臨界延性域切削深度dc可由下式來(lái)表達(dá)：

(3)

式中,ψ為量綱一常數(shù)，數(shù)值約為0.15；E為單晶硅彈性模量；H為單晶硅材料硬度；Kc為單晶硅斷裂韌性。

根據(jù)式(3),試驗(yàn)中所采用的單晶硅臨界延性域切削深度dc經(jīng)計(jì)算約為9nm。根據(jù)金剛石飛切加工的軌跡特點(diǎn)，其切削深度dc并不是飛刀徑向切削深度，而是切削方向上的切削厚度h，對(duì)應(yīng)的臨界切削厚度值在本文中用hc表示，并以此作為界定單晶硅去除模式的理論參考值。

1.2未變形切屑厚度幾何模型與瞬時(shí)單位切削截面積ds的分析

1.2.1未變形切屑厚度幾何模型

由于未變形切屑厚度直接影響著被加工材料的去除類型,且以未變形切屑厚度h值作參考依據(jù),可以合理選擇各個(gè)加工參數(shù)使單晶硅材料進(jìn)行延性域去除,故未變形切屑厚度是選擇加工參數(shù)和決定加工質(zhì)量的重要參考因素之一。

根據(jù)飛刀的切削軌跡給出單晶硅金剛石飛切下的未變形切屑厚度幾何模型如圖2所示。在轉(zhuǎn)角為ωi時(shí),瞬時(shí)未變形切屑厚度hi為圖中虛線圓半徑被陰影部分覆蓋的長(zhǎng)度。

圖2　未變形切屑厚度幾何模型

由于未變形切屑厚度h隨著轉(zhuǎn)角ω的變化而周期性變化,則由未變形切屑厚度與各參數(shù)的幾何關(guān)系可得到未變形切屑厚度與飛刀轉(zhuǎn)角的函數(shù)關(guān)系如下:

(4)

而當(dāng)ωa≤ωi≤arccos[(R-ap)/R]=ωb時(shí),函數(shù)關(guān)系為

(5)

根據(jù)式(4)、式(5),未變形切屑厚度h可由切削半徑R、每轉(zhuǎn)進(jìn)給量f′及切削深度ap三個(gè)參數(shù)決定,即以其函數(shù)關(guān)系為依據(jù)，可通過(guò)改變這三個(gè)參數(shù)值來(lái)控制h值大小,且當(dāng)每個(gè)周期內(nèi)最大的未變形切屑厚度hmax小于臨界切削厚度hc時(shí),理論上可實(shí)現(xiàn)對(duì)單晶硅材料的延性域去除。

1.2.2瞬時(shí)單元切削截面積ds

由金剛石飛切的運(yùn)動(dòng)特點(diǎn)可知,不同的轉(zhuǎn)角ω下,瞬時(shí)切削深度api(api=R-(R-ap)/cosωi)及未變形切屑厚度hi都不同。在某一固定轉(zhuǎn)角ωi下,金剛石飛切下切削面積幾何模型如圖3所示。由其幾何關(guān)系可知：

ds=4r2cos2αidαi

(6)

式中，r為刀尖圓弧半徑；αi為切削刃弧度角。

圖3　瞬時(shí)切削截面積幾何模型

1.3瞬時(shí)切削力與平均切削力的推導(dǎo)

由于金剛石飛切加工采用的切削量為微納米級(jí)，故必須考慮切削刃鈍圓的影響，根據(jù)其加工特點(diǎn)，建立如圖4所示的單晶硅金剛石飛切過(guò)程中瞬時(shí)切削力幾何模型。

圖4　瞬時(shí)切削力幾何模型

1.3.1瞬時(shí)工作前角分析

(7)

式中,r′為切削刃鈍圓半徑。

1.3.2瞬時(shí)切削力函數(shù)的建立

根據(jù)Park等[14]對(duì)被加工材料被塑性去除時(shí)切削力的討論,可由式(4)～式(7)推導(dǎo)出單晶硅在金剛石飛切下塑性切削時(shí)的瞬時(shí)切削力公式如下：

(8)

式中,βi為瞬時(shí)摩擦角;γi為瞬時(shí)前角；τs為單晶硅片的剪切強(qiáng)度。

當(dāng)被加工材料處于耕犁階段時(shí),可分兩種情況,當(dāng)hi>a0時(shí),基于式(1),推導(dǎo)得到單晶硅在金剛石飛切下的瞬時(shí)切削力分力為

(9)

當(dāng)hi≤a0時(shí),基于式(2)推導(dǎo)出瞬時(shí)切削力公式為

(10)

式中,μ為耕犁摩擦因數(shù)。

根據(jù)式(8)～式(10)可計(jì)算出飛刀瞬時(shí)轉(zhuǎn)角為ωi時(shí)的瞬時(shí)切削力,而不能描述整個(gè)周期的切削力,故仍需要計(jì)算整個(gè)周期的平均切削力。

1.3.3平均切削力數(shù)學(xué)模型

(11)

通過(guò)MATLAB軟件對(duì)式(4)～式(11)進(jìn)行程序編輯,則只需輸入?yún)?shù)值,即可得到不同參數(shù)組合下切削力的計(jì)算值。

2單晶硅飛切試驗(yàn)及討論

2.1試驗(yàn)條件及方案

單晶硅切削力測(cè)試試驗(yàn)系統(tǒng)原理如圖5a所示。試驗(yàn)加工設(shè)備主軸轉(zhuǎn)速可達(dá)到10 kr/min,工作臺(tái)進(jìn)給精度可達(dá)到1 mm/min,可實(shí)現(xiàn)每轉(zhuǎn)亞微米級(jí)進(jìn)給；測(cè)力儀器為9256C2的KISTLER三向測(cè)力儀,可測(cè)誤差小于0.001 N的力;工件為單晶硅：直徑為(50±0.3)mm、厚度為(2±0.001) mm、N型、晶向<111>;金剛石刀具參數(shù)為：前端角55°,前角0°,后角7°,刀尖鈍圓半徑0.01 mm,切削刃刃口半徑10 nm左右;切削方式為:仿形法、逆切、干切。試驗(yàn)加工現(xiàn)場(chǎng)如圖5b所示。試驗(yàn)方案如表1所示。

(a)切削力測(cè)試系統(tǒng)原理圖

(b)加工現(xiàn)場(chǎng)圖5　切削力測(cè)量系統(tǒng)原理及加工現(xiàn)場(chǎng)

水平因子切深ap(μm)進(jìn)給量f(mm/min)主軸轉(zhuǎn)速n(kr/min)111422263338444955510

2.2試驗(yàn)結(jié)果及分析

由于試驗(yàn)中切削力非常小,機(jī)床振動(dòng)等因素干擾會(huì)“淹沒(méi)”切削力,故試驗(yàn)數(shù)據(jù)必須經(jīng)過(guò)測(cè)力儀軟件自帶的濾波功能進(jìn)行修正處理。通過(guò)正交試驗(yàn)共得到25組試驗(yàn)數(shù)據(jù),每組試驗(yàn)重復(fù)5次，并將每組試驗(yàn)結(jié)果的平均值作為該組試驗(yàn)值，以保證試驗(yàn)數(shù)據(jù)的可靠性。

2.2.1模型驗(yàn)證

由于所建切削力模型只適合于材料在延性域去除模式下的情況,所以將厚度值hmax是否小于hc作為模型適用的判定條件。

為驗(yàn)證此判定條件,對(duì)加工后微槽進(jìn)行了超景深顯微鏡觀測(cè)，圖6a為第3組(n=4000r/min,f=3mm/min,ap=3μm)和第4組(n=4000r/min,f=4mm/min,ap=4μm)試驗(yàn)微槽形貌,兩組的hmax分別為9.0nm、12.56nm，很顯然后者大部分都為脆性去除；進(jìn)一步觀察第3組的SEM照片(圖6b)發(fā)現(xiàn)，該微槽幾乎沒(méi)有邊緣崩裂現(xiàn)象,槽底有微量的破碎,總體上是以塑性去除為主。而且其他微槽的情況與這兩種類型基本相似。所以以理論未變形厚度hc為本模型的判定條件是基本合理的。

(a)微槽形貌(b)第3組微槽SEM照片圖6　加工效果對(duì)比

為了直觀地對(duì)試驗(yàn)值和計(jì)算值(共20組)進(jìn)行分析，分別作出了fx、fy兩分力的對(duì)比直方圖，如圖7所示。

(a)fx的分布直方圖

(b)fy的分布直方圖圖7　切削力試驗(yàn)值與計(jì)算值對(duì)比直方圖

由圖7可知，模型計(jì)算值和試驗(yàn)值的大小變化趨勢(shì)是一致的，而且從數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)中得到兩者平均誤差分別為9.9%和14.1%，不超過(guò)20%。雖然存在一定的誤差,但總體說(shuō)明所建模型具有一定的合理性，對(duì)單晶硅片在金剛石飛切下加工參數(shù)的合理選擇及塑性去除切削力產(chǎn)生機(jī)理的分析都具有一定的指導(dǎo)意義。

2.2.2加工參數(shù)對(duì)切削力影響規(guī)律

試驗(yàn)中,分別統(tǒng)計(jì)了每個(gè)參數(shù)在其同一水平下的5組切削力的期望值,并將其近似作為此參數(shù)該水平下的切削力，結(jié)果如圖8所示,分別給出切削力與三個(gè)主要加工參數(shù)(n,f,ap)以及每組試驗(yàn)參數(shù)對(duì)應(yīng)的最大未變形切屑厚度值hmax的關(guān)系曲線。

從圖8a可觀察到切削力隨著主軸轉(zhuǎn)速n的增大而減小，但同時(shí)切削力的減小率也逐漸降低；從圖8b可看出切削力隨進(jìn)給量f的增大而增大,同時(shí)增長(zhǎng)率有增長(zhǎng)的趨勢(shì)；從圖8c的觀察可以看出,切削深度ap對(duì)切削力的影響規(guī)律與進(jìn)給量f對(duì)切削力的影響相類似,但可看出其值過(guò)小時(shí)對(duì)切削力的影響并不明顯;從圖8d可知,切削力隨著未變形切屑厚度的增大而不斷增大,同時(shí)發(fā)現(xiàn)hmax從9nm附近開(kāi)始，切削力相較之前迅速增大,這跟材料加工機(jī)理從延性域去除轉(zhuǎn)變到脆性破壞去除有關(guān)。

(a)主軸轉(zhuǎn)速n對(duì)切削力的影響(b)進(jìn)給量f對(duì)切削力的影響

(c)切深ap對(duì)切削力的影響(d)未變形切屑厚度hmax對(duì)切削力的影響圖8　加工參數(shù)對(duì)切削力的影響曲線

此外,在分析加工參數(shù)對(duì)切削力的影響程度時(shí),試驗(yàn)結(jié)果顯示:在主軸轉(zhuǎn)速、進(jìn)給量和切深分別以1kr/min、1μm和1mm/min參數(shù)增大或減小作為變化量的前提下,進(jìn)給量對(duì)切削力的變化影響最大,主軸轉(zhuǎn)速次之，切深最小。

3結(jié)語(yǔ)

本文基于對(duì)未變形切屑厚度以及金剛石飛切技術(shù)加工特點(diǎn)的分析,建立了適合單晶硅材料特性的切削力預(yù)測(cè)模型。經(jīng)試驗(yàn)驗(yàn)證,該模型具有一定的合理性,可作為對(duì)單晶硅在該加工手段下塑性去除切削力的預(yù)估和分析控制的重要理論依據(jù)。

單晶硅金剛石飛切切削力試驗(yàn)結(jié)果表明：?jiǎn)尉Ч杷芮邢髁﹄S著主軸轉(zhuǎn)速n的增大、進(jìn)給量f與切削深度ap的減小而不斷減小，變化率也在不同程度地減??；當(dāng)hmax大于hc時(shí),切削力會(huì)迅速增大；同時(shí)各切削對(duì)切削力的影響程度從大到小為:進(jìn)給量f,主軸轉(zhuǎn)速n,切深ap。

另外,在切削力模型計(jì)算過(guò)程中發(fā)現(xiàn),當(dāng)未變形切屑厚度h接近晶格常數(shù)a0時(shí),切削力計(jì)算值有不減反增的數(shù)值現(xiàn)象。但由于在本文加工條件下，每周期中最大未變形切屑厚度hmax最小只能達(dá)到1.25nm，遠(yuǎn)大于a0,而瞬時(shí)未變形切屑厚度hi小于a0時(shí)的瞬時(shí)切削力不能從測(cè)量試驗(yàn)數(shù)據(jù)中準(zhǔn)確地獲得其對(duì)應(yīng)值，即無(wú)法進(jìn)行試驗(yàn)驗(yàn)證,所以在金剛石飛切加工技術(shù)下的晶內(nèi)破壞理論還亟待進(jìn)一步試驗(yàn)研究。

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(編輯王艷麗)

CuttingForceModelandExperimentsofSingleCrystalSiliconunderDiamondFly-cutting

YanYanyanWangRunxingZhaoBo

HenanPolytechnicUniversity,Jiaozuo,Henan,454000

Abstract:The processing characteristics of single crystal silicon under diamond fly-cutting were analyzed herein,and the mathematical model for the undeformed chip thickness and the theoretical determinant criteria which may distinguish the types of materials removal were built separately,then the mathematical prediction model of the cutting force was established, which befits both the traits of diamond fly-cutting technology and the material properties of single crystal silicon, finally the cutting forces were measured through the cutting orthogonal experiments of the silicon wafer under the diamond fly-cutting.As a result, the rationality of cutting force model was proved by comparing the calculated values and the experimental measured values of cutting force, meanwhile, the influence rules of the largest undeformed chip thickness hmaxand the main working parameters on cutting forces were summarized based on the experimental results.

Key words:single crystal silicon;diamond fly-cutting;cutting force model;undeformed chip thickness

收稿日期：2015-02-16

基金項(xiàng)目：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51205112)

中圖分類號(hào)：TG501.3

DOI：10.3969/j.issn.1004-132X.2016.04.015

作者簡(jiǎn)介：閆艷燕,女,1979年生。河南理工大學(xué)機(jī)械與動(dòng)力工程學(xué)院副教授。研究方向?yàn)橛泊嗖牧暇艹芗庸ぁ＋@國(guó)家發(fā)明專利3項(xiàng)。發(fā)表論文20余篇。王潤(rùn)興，男，1988年生。河南理工大學(xué)精密與特種加工技術(shù)與裝備實(shí)驗(yàn)室碩士研究生。趙波，男，1956年生。河南理工大學(xué)機(jī)械與動(dòng)力工程學(xué)院教授、博士研究生導(dǎo)師。