何小鋒
(解放軍91404部隊(duì),秦皇島 066000)
現(xiàn)代無(wú)線電技術(shù)的迅猛發(fā)展,極大地提高了雷達(dá)探測(cè)系統(tǒng)的目標(biāo)搜索、跟蹤能力。傳統(tǒng)的武器平臺(tái)在作戰(zhàn)環(huán)境中所受威脅愈演愈烈,雷達(dá)隱身技術(shù)對(duì)提高武器平臺(tái)系統(tǒng)縱深打擊能力和生存能力意義深遠(yuǎn),實(shí)現(xiàn)武器裝備的隱身化已成為軍事強(qiáng)國(guó)所追求的高新技術(shù)熱點(diǎn)。
現(xiàn)代雷達(dá)隱身技術(shù)主要包括以下兩個(gè)層面:一方面利用外形設(shè)計(jì)、吸波隱身材料和等離子體等隱身技術(shù)來(lái)降低目標(biāo)的平均雷達(dá)截面積。其中,外形設(shè)計(jì)主要實(shí)現(xiàn)目標(biāo)反射波偏離雷達(dá)發(fā)射方向;吸波隱身材料主要實(shí)現(xiàn)電磁能轉(zhuǎn)換成熱耗散消失;等離子體技術(shù)利用高功率微波在武器平臺(tái)的主要散射區(qū)域產(chǎn)生等離子體對(duì)入射的電磁波實(shí)現(xiàn)吸收或衰減。另一方面采用新型雷達(dá)體制來(lái)實(shí)現(xiàn)雷達(dá)隱身的目的,目前主流的隱身雷達(dá)體制包括:無(wú)源雷達(dá)、低截獲概率雷達(dá)和有源隱身技術(shù)[1]。
雷達(dá)實(shí)現(xiàn)目標(biāo)探測(cè)的機(jī)理在于對(duì)目標(biāo)回波進(jìn)行相關(guān)處理,其探測(cè)范圍應(yīng)滿足相應(yīng)的虛警和發(fā)現(xiàn)概率,具有局限性,雷達(dá)隱身的本質(zhì)在于通過(guò)減小其被發(fā)現(xiàn)的探測(cè)距離來(lái)實(shí)現(xiàn)隱身效果的。
雷達(dá)的最大探測(cè)距離Rmax應(yīng)滿足:
式中:tP、Pmin分別為雷達(dá)發(fā)射功率和可檢測(cè)的最小接收功率,Gt、Gr分別為發(fā)射、接收天線的增益,λ為工作波長(zhǎng),δ為目標(biāo)RCS。
由公式可知,雷達(dá)的最大探測(cè)距離Rmax與被探測(cè)目標(biāo)散射截面積的1/4次方成正比,故降低δ是縮減雷達(dá)載體平臺(tái)被探測(cè)距離的有效手段。表1給出了δ與Rmax降低比例間的對(duì)應(yīng)變化關(guān)系。
表1 δ縮減量(dB)與Rmax縮減比例(%)間的關(guān)系
現(xiàn)階段實(shí)現(xiàn)目標(biāo)的雷達(dá)隱身,根本在于減小雷達(dá)的最大探測(cè)距離,技術(shù)途徑在于利用多種手段縮減探測(cè)目標(biāo)散射截面積。目前,國(guó)內(nèi)外縮減探測(cè)目標(biāo)散射截面積主流技術(shù)包括:外形設(shè)計(jì)、吸波隱身材料和等離子體等隱身技術(shù)以及采用相關(guān)電子措施降低目標(biāo)的散射截面積等。
外形隱身設(shè)計(jì)指的是對(duì)載體平臺(tái)的邊緣及表面進(jìn)行相關(guān)設(shè)計(jì),使其強(qiáng)散射方向遠(yuǎn)離雷達(dá)探測(cè)來(lái)波方向?,F(xiàn)階段作為雷達(dá)平臺(tái)的武器裝備,其外形設(shè)計(jì)應(yīng)滿足以下要求[2]:
(a) 避免在裝備邊緣及表面出現(xiàn)易產(chǎn)生角反射器效應(yīng)的棱角邊緣、缺口尖端等不連續(xù)處;
(b) 利用邊緣衍射效應(yīng)代替鏡面反射;
(c) 縮減外形尺寸;
(d) 二維噴管的材質(zhì)選用吸波隱身材料;
(e) 將機(jī)身設(shè)計(jì)為平滑過(guò)渡的曲線流體,減少散射源的個(gè)數(shù)。
雷達(dá)吸波隱身材料的工作機(jī)理由兩種:一種是迅速吸收電磁波并將其轉(zhuǎn)化為系統(tǒng)熱耗;另一種主要利用電磁波的干涉效應(yīng)。雷達(dá)吸波隱身材料的電磁特性在于:大部分入射電磁波進(jìn)入吸波隱身材料后不產(chǎn)生反射,且能被迅速吸收并轉(zhuǎn)化為熱耗。
(1)為使入射波能最大限度的進(jìn)入材料的內(nèi)部而不產(chǎn)生反射,需滿足以下阻抗匹配條件:
式中:ε',ε'',μ',μ''為關(guān)于真空的相對(duì)值,c為光速,ω為角速度,ε0=8.854 F/m,σ為電導(dǎo)率。
(2)入射電磁波需滿足電磁波的衰減條件以實(shí)現(xiàn)吸收涂層的吸收作用,該吸收率由式(3)表征:
其中,α和a分別用于表征吸波隱身材料的吸收率和衰減常數(shù),d為吸波隱身材料的涂層厚度。
現(xiàn)階段已投入使用和正在研制的吸波隱身材料主要分為以下幾類:
(1)納米材料
特征尺寸為0.1~100nm的納米材料具有極好的吸波特性,具有厚度薄、質(zhì)量小、頻帶寬等特點(diǎn),是目前極具發(fā)展前途的吸波隱身材料。
(2)手性吸波隱身材料
手性材料吸波主要利用旋波作用效應(yīng),通過(guò)調(diào)節(jié)ε、μ和手型材料ξ三個(gè)手性參數(shù)可實(shí)現(xiàn)吸波隱身材料的特性,對(duì)吸波隱身材料的電磁波衰減可提高20dB以上。目前對(duì)于手性材料的研究尚在起步階段,還沒(méi)有實(shí)際工程應(yīng)用[3]。
(3)智能材料
智能材料指的是具備傳感、驅(qū)動(dòng)和控制功能的特殊材料,可根據(jù)外界電磁環(huán)境變價(jià)主動(dòng)調(diào)節(jié)自身結(jié)構(gòu)性能。現(xiàn)階段該結(jié)構(gòu)已廣泛應(yīng)用于航天、軍事等領(lǐng)域。
(1)無(wú)源雷達(dá)技術(shù)
無(wú)源雷達(dá)根據(jù)目標(biāo)回波來(lái)源不同可分為以下兩類:一類是依靠目標(biāo)輻射的電磁波實(shí)現(xiàn)探測(cè)跟蹤,這類探測(cè)目標(biāo)一般是雷達(dá),通信、干擾設(shè)備,探測(cè)目標(biāo)本身有較大功率的輻射源;另一類是利用照射源發(fā)射電磁波,這類探測(cè)目標(biāo)本身不輻射大功率電磁波,而是利用外部照射源(包括照射雷達(dá)、外部廣播信號(hào)燈),以合作或非合作式的工作方式實(shí)現(xiàn)目標(biāo)探測(cè)。無(wú)源雷達(dá)具有優(yōu)異的雷達(dá)隱身效能,其特征在于:
(a)無(wú)源雷達(dá)本質(zhì)上是雙(多)基地雷達(dá)。無(wú)源雷達(dá)自身不輻射大功率電磁波,故具有較好的隱蔽性和“四抗”能力;
(b)無(wú)源雷達(dá)不向空間輻射電磁波,故無(wú)需頻譜分配,也不會(huì)造成電磁污染,由于沒(méi)有能量覆蓋的問(wèn)題,理論上不存在探測(cè)盲區(qū);
(c)無(wú)源雷達(dá)本身無(wú)發(fā)射機(jī),只有接收系統(tǒng),故可實(shí)現(xiàn)低成本、便攜式設(shè)計(jì);
(d)系統(tǒng)所采用的外輻射源,包括VHF-UHF頻段的無(wú)線電和電視廣播信號(hào),可實(shí)現(xiàn)低空目標(biāo)探測(cè),利用這些信號(hào),還省去了修建大功率發(fā)射站的成本。
(2)自適應(yīng)技術(shù)
自適應(yīng)技術(shù)主要利用開槽縫、對(duì)流槽等手段在雷達(dá)載體平臺(tái)的金屬表面附加集中或分布參數(shù),當(dāng)表面受到雷達(dá)探測(cè)波照射時(shí),經(jīng)自適應(yīng)處理過(guò)的雷達(dá)表面可產(chǎn)生一個(gè)與回波信號(hào)同頻率、同極化、等幅反相的電磁波與雷達(dá)回波進(jìn)行對(duì)消,從而實(shí)現(xiàn)雷達(dá)載體平臺(tái)的隱身效能[4]。
(3)LPI雷達(dá)
LPI(低截獲概率)雷達(dá)綜合采用多種電子措施降低雷達(dá)的被探測(cè)概率。LPI雷達(dá)的發(fā)射功率必須是可控的,以適應(yīng)雷達(dá)對(duì)不同探測(cè)目標(biāo)的最小發(fā)射功率值要求,故在實(shí)現(xiàn)目標(biāo)跟蹤時(shí),發(fā)射機(jī)的功率電平控制隨目標(biāo)距離變化自適應(yīng)變化;其發(fā)射波形采用模糊函數(shù)為圖釘型的寬度高占空比信號(hào),將發(fā)射功率能量以類噪聲信號(hào)的形式在寬帶范圍內(nèi)輻射出去;接收端采用長(zhǎng)時(shí)間周期的相參積累方式;輻射器天線采用超低副瓣天線。
(4)準(zhǔn)連續(xù)波雷達(dá)
收/發(fā)分置的雙(多)基地準(zhǔn)連續(xù)雷達(dá),發(fā)射時(shí)將常規(guī)連續(xù)波信號(hào)利用通信的編碼技術(shù)改造為編碼噪聲信號(hào),經(jīng)擴(kuò)頻處理分布在寬頻帶上,此時(shí)的發(fā)射信號(hào)具有超低的功率譜密度,可隱藏在接收機(jī)的噪聲電平以下;在接收過(guò)程中,對(duì)回波經(jīng)過(guò)脈壓相關(guān)、解擴(kuò)解碼處理,并利用DBF技術(shù)形成多波束,此類連續(xù)被雷達(dá)具備相當(dāng)高的低截獲特性,可對(duì)抗諸如反輻射導(dǎo)彈、電磁干擾機(jī)等威脅。近年來(lái),準(zhǔn)連續(xù)被雷達(dá)技術(shù)日益成熟,已應(yīng)用于很多產(chǎn)品裝備。
新近投入使用的等離子隱身技術(shù)的作用機(jī)理在于:利用等離子體發(fā)生器、放射性同位素等在載體表面形成等離子云,利用等離子云特征參數(shù)(包括其電離度、能量、振蕩頻率等)的改變,使入射電磁波與等離子體的帶電粒子發(fā)生作用而被吸收,從而實(shí)現(xiàn)雷達(dá)隱身的目的。
等離子技術(shù)的特征在于無(wú)需改變載體平臺(tái)的外形結(jié)構(gòu),與現(xiàn)有的外形設(shè)計(jì)及相關(guān)材料隱身技術(shù)相比,其優(yōu)勢(shì)在于:吸收率高、吸波頻帶寬、隱身效果好、低成本,不影響載體平臺(tái)的機(jī)械性能;由于載體平臺(tái)表面沒(méi)有相關(guān)涂層,大幅降低了系統(tǒng)維護(hù)成本[7-8]。
本文主要對(duì)現(xiàn)代雷達(dá)的主要隱身技術(shù)進(jìn)行了相關(guān)闡述,雷達(dá)隱身技術(shù)主要包括兩個(gè)層面:一方面利用外形設(shè)計(jì)、吸波隱身材料和等離子體等隱身技術(shù)來(lái)降低目標(biāo)的平均雷達(dá)截面積;另一方面采用新型雷達(dá)體制來(lái)實(shí)現(xiàn)雷達(dá)隱身的目的,目前主流的隱身雷達(dá)體制包括:無(wú)源雷達(dá)、低截獲概率雷達(dá)和有源隱身技術(shù)。其中,外形設(shè)計(jì)是將目標(biāo)反射波偏離雷達(dá)發(fā)射方向,吸波隱身材料是將電磁能轉(zhuǎn)換成熱能而耗散或消失;等離子體是用高功率微波在飛機(jī)的主要散射區(qū)域產(chǎn)生等離子體以吸收或衰減入射的電磁波。隱身雷達(dá)體制主要包括:無(wú)源雷達(dá)、低截獲概率雷達(dá)和有源隱身技術(shù)等,雷達(dá)隱身是一項(xiàng)綜合性很高的技術(shù),為獲得理想的雷達(dá)隱身效能,必須綜合運(yùn)用諸如外形設(shè)計(jì)、吸波隱身材料和等離子體等隱身技術(shù),我國(guó)開展綜合性雷達(dá)隱身技術(shù)的研究任重而道遠(yuǎn)。
[1]匡興華,鐘華.隱身技術(shù)與隱身對(duì)抗[J].國(guó)防科技參考,1996:31-48.
[2]王春蘭.實(shí)現(xiàn)有源隱身的途徑[J].國(guó)防科技要聞,1998:1-3.
[3]葛副鼎,朱靜,陳利民.手性吸波材料理論及設(shè)計(jì)[J].目標(biāo)特征信號(hào)控制技術(shù),1995:24-36.
[4]王昭群,朱長(zhǎng)江,陳作如等.毫米波無(wú)源干擾技術(shù)進(jìn)展及途徑分析[J].南京理工大學(xué)學(xué)報(bào),1998:22-25.
[5]張德文.反雷達(dá)的電子隱身技術(shù)[J].航天電子對(duì)抗,1996 :30-39.
[6]曲長(zhǎng)文.反雷達(dá)隱身和雷達(dá)反隱身技術(shù)[J].電子工程,1997:6-11.
[7]黃培康,殷紅成,許小劍.雷達(dá)目標(biāo)特性[M].北京:電子工業(yè)出版社,2005:265-269.
[8]丁建江.防空雷達(dá)目標(biāo)識(shí)別技術(shù)[M].北京:國(guó)防工業(yè)出版社,2008.