劉 豪
(河南城建學(xué)院電氣與信息工程學(xué)院,河南平頂山467036)
對(duì)于不同媒質(zhì)所組成的區(qū)域,由于在分界面上媒質(zhì)參數(shù)會(huì)發(fā)生突變,而且矢量場也可能會(huì)發(fā)生突變,因此必須采用多種媒質(zhì)所組成的區(qū)域分析。
無論是在含有單一媒質(zhì)的區(qū)域中還是在含有多種煤質(zhì)的區(qū)域中,宏觀時(shí)變電磁場都滿足如下積分形式的麥克斯偉方程組[1~4]
式中,l—區(qū)域中的任意閉曲線;S—區(qū)域中的任意閉曲面;B—磁通密度;D—電位移;t—時(shí)間;q—閉曲面S 所包圍的電荷。
當(dāng)場量在積分區(qū)域中存在連續(xù)偏導(dǎo)數(shù)時(shí),各常量滿足如下微分形式的麥克斯偉方程組[1~4]
式中,JS—區(qū)域內(nèi)外源的電流密度;JE—導(dǎo)電媒質(zhì)中的渦流密度;JD—位移電流密度;ρ—區(qū)域內(nèi)自由電荷的等效體密度。
設(shè)兩種媒質(zhì)的介電常數(shù)分別為ε1、ε2,磁導(dǎo)率分別為μ1、μ2,如圖1、圖2 所示。
圖1 跨兩種媒質(zhì)的分界面
圖2 跨兩種媒質(zhì)的分界面
圖3 跨分界面的任意曲面
圖4 跨分界面的任意曲面
利用多區(qū)域高斯公式可得
本文從不同角度研究電磁場邊界條件。從研究的過程來看:第一種方法要根據(jù)很多定理以及右手定則,推導(dǎo)起來要綜合多方面的知識(shí);第二種方法應(yīng)用高斯公式、斯托克斯公式以及麥克斯偉方程組即可推出。因此第二種方法比第一種方法簡單。從應(yīng)用來看,對(duì)于多種媒質(zhì)采用第二種方法比第一種方法較易于掌握,但二者都滿足電磁場的邊界條件。不管是第一種方法還是第二種方法,從研究的公式來看,旋度源可能引起場的切向分量突變,散度場可能引起場的法向分量突變。如果沒有偶極矩,無散場的法向分量一定連續(xù),無旋場的切向分量一定連續(xù),對(duì)于調(diào)和場這種突變都不存在。
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