萬　穩(wěn)，戴一帆，石　峰，彭小強

(1.國防科技大學 機電工程與自動化學院， 湖南 長沙　410073；

2. 超精密加工技術湖南省重點實驗室， 湖南 長沙　410073)

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提升熔石英抗激光損傷性能的磁流變與HF刻蝕結合方法*

萬穩(wěn)1,2，戴一帆1,2，石峰1,2，彭小強1,2

(1.國防科技大學 機電工程與自動化學院， 湖南 長沙410073；

2. 超精密加工技術湖南省重點實驗室， 湖南 長沙410073)

摘要：為提升紫外熔石英元件抗激光損傷性能，針對傳統(tǒng)加工方法在加工過程中產生的破碎性缺陷和污染性缺陷，提出使用磁流變拋光結合HF酸刻蝕的組合工藝提升紫外熔石英元件抗激光損傷性能的方法。磁流變拋光特有的剪切去除原理能夠有效去除傳統(tǒng)加工過程產生的破碎性缺陷，同時不產生新的破碎性缺陷。HF酸動態(tài)酸刻蝕能夠有效減少加工過程中產生的金屬元素污染。實驗結果表明：經過組合工藝處理的熔石英樣品，在7J/cm2·3ω激光通量輻照下?lián)p傷密度由0.2mm-2降至0.008mm-2，在8J/cm2·3ω激光通量輻照下?lián)p傷密度由1mm-2降至0.1mm-2，其元件抗損傷性能提升顯著。

關鍵詞：熔石英；磁流變拋光；HF酸刻蝕；缺陷；損傷密度

在強光光學系統(tǒng)中，光學元件要承受高功率激光輻照，激光誘導損傷(Laser Induced Damage，LID)是制約強光光學系統(tǒng)能量提升的瓶頸。慣性約束核聚變(Inertial Confinement Fusion，ICF)系統(tǒng)是典型的強光光學系統(tǒng)，它是利用激光驅動器提供的能量輻照氘氚靶丸，通過聚心內爆將聚變燃料壓縮聚焦到高密度，并使之在短于慣性約束時間(即靶丸解體時間)內完成聚變反應。熔石英作為一種寬禁帶的光學材料，在紫外波段的高功率激光器中作為窗口和透鏡元件得到廣泛的應用[1-3]。熔石英材料的本征損傷閾值高達100J/cm2·3ω，但是熔石英元件在加工過程中，由于磨料與工件的機械化學作用會產生缺陷，受到高功率激光輻照時其抗激光損傷性能會大大降低[4-7]。

文獻[8-10]表明：亞表面缺陷(Sub-Surface Damage，SSD)和金屬雜質污染是影響紫外熔石英元件損傷性能的重要因素。在傳統(tǒng)的磨削、研磨和拋光過程中，被加工工件表面受到較大正壓力的作用，不可避免地會在表面產生劃痕以及亞表面產生裂紋，其寬度、深度和分布受機床性能、拋光工具和拋光磨料等因素的影響，拋光工具和磨料是金屬元素污染的主要來源。

熔石英元件經過加工之后在表明形成一層水解層，劃痕和麻點等破碎性缺陷被掩蓋，為了觀察劃痕，通常使用HF酸刻蝕、離子束轟擊等方法去除熔石英材料表面的水解層，從實際操作來看，HF酸刻蝕操作簡單，易于實施，能充分暴露劃痕、麻點等破碎性缺陷。

熔石英元件的缺陷在加工的各個環(huán)節(jié)都可能產生，具體說來可以分為三類：一是破碎性缺陷，主要包括劃痕、裂紋、麻點等物理性損傷；二是污染性缺陷，主要包括金屬雜質元素、有機物、灰塵等；三是結構性缺陷，主要包括氧空位、非橋接氧、色心、自捕獲激子等。研究表明：在低通量(小于10J/cm2·3ω)激光輻照下，熔石英元件的損傷主要是由破碎性缺陷和污染性缺陷誘導產生。

1實驗過程與方法

1.1　樣品制備

三塊熔石英樣品(Heraeus 312)尺寸為100mm×100mm×10mm，分別命名Sample1，Sample2，Sample3。樣品經過粗磨、精磨、粗研、精研、粗拋、精拋工藝處理后，表面粗糙度低于1nm，使用質量分數(shù)為5%的HF酸刻蝕100nm后可見10條左右劃痕。Sample2和Sample3精拋完之后使用實驗室自研磁流變機床KDICF 1000進行拋光，拋光中使用了軟鐵粉磁流變液，目的是保持樣品的粗糙度，拋光輪轉速為180r/min，流量為140L/min，磁場電流為8A，壓深為0.1mm，兩塊樣品使用光柵掃描的方式均勻去除5μm，去除前級加工過程產生的劃痕。Sample2和Sample3經過磁流變加工之后進行超聲和兆聲水洗，頻率范圍是40kHz～1300kHz，目的是去除附著在樣品表面的大顆粒。在此基礎上，Sample3使用質量分數(shù)為2.29%的HF酸溶液進行兆聲酸洗，頻率范圍是430kHz～1300kHz，然后進行超聲兆聲水洗。

1.2　暗場成像檢測

Sample1和Sample2使用質量分數(shù)為5%的HF腐蝕去除100nm，目的是去除加工過程產生的水解層，在暗場下觀察表面疵病，對樣品進行全口徑掃描，掃描之后的圖像進行拼接，觀察樣品表面劃痕分布情況。

1.3　金屬雜質元素檢測

表面飛行時間二次離子質譜儀(Time-Of-Flight Secondary Ion Mass Spectrome-try，TOF-SIMS)是用來檢測雜質元素的有效工具，其原理是用一次離子激發(fā)樣品表面打出極其微量的二次離子，根據(jù)二次離子因不同的質量而飛行到探測器的時間不同來測定離子質量，從而確定元素的種類。三塊樣品分別使用TOF-SIMS進行金屬雜質元素檢測。

1.4　損傷密度測試

損傷閾值是熔石英元件在通光口徑范圍內不引發(fā)損傷的最大激光能量密度。激光通量輻照低于損傷閾值時，熔石英元件不發(fā)生損傷；激光通量輻照高于損傷閾值時，熔石英元件發(fā)生損傷。損傷閾值常用的測試方法是R-on-1，它是指對元件上的測試點使用激光輻照，不斷提高激光輻照的能量，統(tǒng)計測試點發(fā)生破壞時的激光能量。R-on-1的測試方法通常是在元件表面選擇若干點進行測試來表征元件的整體水平。

損傷密度是指特定能量密度激光輻照元件后，表面輻照區(qū)域形成的單位面積內損傷點數(shù)量，它是反映工藝水平的重要指標。

樣件在實際使用中也是全口徑覆蓋，所有的區(qū)域都要受到激光輻照。綜合考慮，采用光柵掃描的方式對熔石英樣品進行損傷密度測試，測試原理如圖1所示。

圖1　損傷密度測試原理圖Fig.1　Schematic diagram of laser damage test

2結果與討論

2.1　磁流變拋光去除破碎性缺陷能力分析

當激光輻照熔石英材料時，熔石英元件表面和亞表面的劃痕會引起局部電場增強，同時，劃痕處極易隱藏吸收性的污染顆粒，從而加強對激光的熱吸收作用。因此，應減少甚至消除熔石英材料表面和亞表面劃痕。

磁流變拋光作為一種新型的加工方法，與傳統(tǒng)加工方法磨、研、拋最大的區(qū)別在于其剪切去除機理，在去除材料原有劃痕和麻點等破碎性缺陷的同時不會產生新的破碎性缺陷。在實際的加工過程中，磨粒與熔石英材料的作用變形區(qū)間可以分為彈性域、彈塑性域和塑性域[11]。磁流變拋光去除劃痕的過程主要是在彈塑性域完成材料的去除。

磁流變拋光前后暗場成像對比如圖2所示。磁流變拋光前，樣品在暗場下使用強光觀察可見明顯劃痕(在圖2中已標示出)。磁流變拋光后，在暗場下觀察熔石英材料的表面疵病，可以看出，表面疵病被完全去除，從而證明磁流變是去除熔石英材料亞表面劃痕的一種有效手段。

圖2　磁流變加工前后暗場成像對比Fig.2　Dark field image before and after magnetorheological finishing

2.2　HF酸兆聲酸洗減少污染性缺陷分析

Sample1和Sample2主要成分是SiO2，HF酸能夠與其發(fā)生化學反應，表達式如式(1)所示：

SiO2+6HF→H2SiF6+2H2O

(1)

HF酸腐蝕熔石英材料的同時與熔石英元件表面和亞表面的金屬雜質元素發(fā)生化學反應，達到去除熔石英元件表面和亞表面雜質的目的。

三塊樣品使用TOF-SIMS進行元素檢測后的定量分析結果如表1所示。

表1　三塊熔石英樣品金屬元素含量對比

加工后的熔石英材料表面不可避免地會產生金屬污染物，激光輻照熔石英材料表面時，金屬污染性顆粒處會產生很強的吸收，使局部區(qū)域形成一個溫度梯度。當金屬污染性顆粒附近的溫度高于某個臨界溫度時，熔石英材料就會發(fā)生損傷。對于熔石英材料而言，溫度超過2000K時，其對355nm激光的吸收特性會發(fā)生突變，持續(xù)的激光輻照會造成材料的破壞，通常認為2000K是熔石英材料的熱力學損傷閾值。

Neauport等的研究[12-13]表明，某些金屬微粒的存在和損傷密度有密切聯(lián)系，熔石英材料拋光過程中，CeO2是使用最廣泛的一種磨料，下文將以Ce元素為例進行分析。Ce元素的含量越高，對應的損傷密度就越高。

CeO2顆粒吸收激光能量后，在較短的時間內快速升溫，形成高溫高能量的金屬熔融物或等離子體。高溫金屬熔融物和等離子體以傳導、對流和輻射的方法向外輻射能量。輻射出的能量被周圍的熔石英吸收，容易形成色心，對后續(xù)的脈沖激光有更強的吸收，從而造成大量的能量沉積在熔石英表面，引起表面溫度分布不均勻，產生不均的應力場分布。當表面應力超過樣片表面的抗張強度時，就會引起熔石英表面的破壞。

熔石英樣片的熱負載主要來源于CeO2顆粒對激光的強烈吸收，假設CeO2顆粒的吸收系數(shù)為α，則CeO2顆粒吸收的激光能量可以表示為：

(2)

式中：I為激光功率密度，單位為W/m2；r為激光光斑半徑，單位為m；R為表面反射率。吸收系數(shù)α與其含量密切相關，因此，為了降低金屬元素吸收的能量，必須減少熔石英元件表面和亞表面金屬元素含量。從表1可以看出，前級加工樣品經過磁流變加工后，對熔石英元件抗激光損傷性能影響顯著的Ce元素的含量顯著降低，但Fe元素的含量卻顯著提高(提升一個數(shù)量級)；HF酸刻蝕處理后各種金屬元素含量減半，相同條件下金屬元素吸收的激光能量少，發(fā)生損傷的概率降低。

2.3　損傷密度測試

三塊熔石英樣品的損傷密度曲線如圖3所示。由圖可以看出，經過磁流變加工后的樣品，相同激光通量輻照下其損傷密度與前級加工樣品相當，這是因為磁流變拋光在去除熔石英材料破碎性缺陷的同時，由于磁流變液中存在大量的羥基鐵粉，引入了鐵元素污染。磁流變加工后的樣品經過酸洗之后，相同通量激光輻照下?lián)p傷密度大幅降低，在7J/cm2·3ω激光通量輻照下?lián)p傷密度由0.2mm-2降至0.008mm-2，在8J/cm2·3ω激光通量輻照下?lián)p傷密度由1mm-2降至0.1mm-2，這是因為兆聲動態(tài)酸洗過程減少了金屬元素污染，對熔石英抗損傷性能提升顯著。

圖3　損傷密度測試結果Fig.3　Results of laser damage density test

3結論

提升熔石英元件的抗激光損傷閾值行之有效的方法是減少其破碎性缺陷和污染性缺陷，實驗研究了磁流變拋光結合HF酸刻蝕提升熔石英元件抗激光損傷性能的可行性，得出結論如下：

1)磁流變拋光能夠有效去除熔石英元件表面破碎性缺陷，但同時也帶來了大量的金屬Fe元素污染，從而制約熔石英元件抗激光損傷性能的提升；

2) HF酸動態(tài)酸刻蝕能夠有效減少熔石英元件表面金屬雜質元素含量，降低熔石英元件在受到激光輻照時所吸收的熱量，從而提升其抗激光損傷性能；

3)經過組合工藝處理后的熔石英元件，在7J/cm2·3ω激光通量輻照下?lián)p傷密度由0.2mm-2降至0.008mm-2，在8J/cm2·3ω激光通量輻照下?lián)p傷密度由1mm-2降至0.1mm-2，證明了組合工藝的有效性。

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http://journal.nudt.edu.cn

Improving the laser damage performance of fused silica by combining magnetorheological finishing with HF acid etching

WANWen1,2,DAIYifan1,2,SHIFeng1,2,PENGXiaoqiang1,2

(1. College of Mechatronics Engineering and Automation, National University of Defense Technology, Changsha 410073, China；

2. Hunan Key Laboratory of Ultra-precision Machining Technology, Changsha 410073, China)

Abstract：In order to improve the laser damage performance of ultraviolet fused silica, a method which combines magneto-rheological finishing (MRF) with HF acid etching process was proposed to reduce crack and contamination defects in the machining process of traditional processing method. MRF can effectively remove the crack defects with its unique shear and removal principle in traditional machining process while not produce new crack defect. HF acid etching process can effectively reduce metal elements contamination. The experimental results show that fused silica sample using the combined process has a better anti-damage performance. Damage density reduced from 0.2mm-2to 0.008mm-2under the laser flux irradiation of 7J/cm2·3ω and from 1mm-2to 0.1mm-2at the irradiation of 8J/cm2·3ω.

Key words：fused silica; magnetorheological finishing; HF acid etching; defects; damage density

中圖分類號：TJ580.692

文獻標志碼：A

文章編號：1001-2486(2015)06-008-04

作者簡介：萬穩(wěn)(1988—)，男，湖北隨州人，博士研究生，E-mail：wan653234903@126.com；戴一帆(通信作者)，男，教授，博士，博士生導師，E-mail：dyf@nudt.edu.cn

基金項目：國家自然科學基金資助項目(5127552，91323302)

收稿日期：*2015-06-06

doi:10.11887/j.cn.201506002