周晶晶 ,龐方杰 ,湯天浩
(1.上海海事大學(xué)物流工程學(xué)院電氣自動(dòng)化系,上海 201306;2.英飛凌科技(中國(guó))有限公司,上海201203)
傳統(tǒng)汽車(chē)電源的直流電主要來(lái)自發(fā)電機(jī),具有體積大、重量重、效率低等缺點(diǎn)?,F(xiàn)在電動(dòng)汽車(chē)使用DC-DC變換器直接從高壓電池側(cè)取電。動(dòng)力汽車(chē)中的高電壓、高電流給功率變換器帶來(lái)了很多技術(shù)問(wèn)題:高壓隔離、潛在的電磁干擾、尺寸大、散熱與高成本等[1]。
鑒于上述問(wèn)題,電動(dòng)汽車(chē)中需要具有隔離傳輸、高可靠性、低EMI等特點(diǎn)的DC-DC變換器。ZVS移相全橋DC-DC變換器利用電路寄生元件實(shí)現(xiàn)器件零電壓開(kāi)關(guān)[2],允許高工作頻率,降低開(kāi)關(guān)損耗,實(shí)現(xiàn)高功率密度。同時(shí),由于實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān),降低了電路中功率器件的開(kāi)關(guān)應(yīng)力,提高了系統(tǒng)的可靠性,適合寬電壓以及寬負(fù)載調(diào)節(jié)。
移相全橋變換需要功率MOSFET體二極管先導(dǎo)通,使漏極電壓降到0再開(kāi)通器件來(lái)實(shí)現(xiàn)ZVS。有研究發(fā)現(xiàn),在ZVS過(guò)程中,器件的體二極管反向恢復(fù)特性差可能會(huì)引起器件失效[3];如果采取外加更快速體二極管來(lái)提高反向恢復(fù)能力,但會(huì)增加電路成本和復(fù)雜性,也將引起額外的損耗,降低了系統(tǒng)效率;文獻(xiàn)[4]提出了移相全橋變換器中MOSFET的失效模式,并以超前下管為例,認(rèn)為體二極管在漏源極電壓上升之前,如果沒(méi)有完成反向恢復(fù),可能引起體二極管阻斷失敗,殘余的電荷會(huì)引起dv/dt,觸發(fā)MOSFET內(nèi)部BJT引起器件損壞。然而該文僅作了分析,并沒(méi)有給出實(shí)際失效情況,以及對(duì)具有普通體二極管與快速體二極管的MOSFET進(jìn)行對(duì)比。
本文研究了ZVS移相全橋DC-DC變換器,采用MOSFET作為的主電路開(kāi)關(guān)器件,發(fā)現(xiàn)在移相全橋初級(jí)開(kāi)關(guān)管之間的控制脈沖延時(shí)時(shí)間,可能會(huì)因某個(gè)脈沖微調(diào)參數(shù)丟失引起個(gè)別脈沖導(dǎo)通延遲的現(xiàn)象。如果其開(kāi)關(guān)器件體二極管反向恢復(fù)時(shí),不能及時(shí)清除內(nèi)部載流子,可能造成器件出錯(cuò)損壞,進(jìn)而引起系統(tǒng)工作失效。
本文詳細(xì)分析了MOSFET內(nèi)部體二極管在反向恢復(fù)中可能出現(xiàn)的失效機(jī)理,進(jìn)而比較了體二極管開(kāi)關(guān)速度對(duì)器件延時(shí)導(dǎo)通的影響,發(fā)現(xiàn)快速恢復(fù)二極管能有效克服開(kāi)關(guān)器件的延時(shí)導(dǎo)通。
因而在ZVS移相全橋初級(jí)變換電路中使用CFDA-MOSFET作為開(kāi)關(guān)器件,具有反向恢復(fù)時(shí)間短、反向恢復(fù)電荷小、導(dǎo)通電阻小的特點(diǎn)。實(shí)驗(yàn)表明,在車(chē)用高壓到低壓ZVS移相全橋變換器中使用車(chē)規(guī)認(rèn)證的快恢復(fù)MOSFET,有助于DC-DC變換器系統(tǒng)更加穩(wěn)定可靠且效率更高。
移相全橋ZVS的主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖1所示,由全橋逆變器和輸出整流濾波兩部分組成。圖中Vin為輸入直流電壓,二極管D1-D4分別是S1-S4的內(nèi)部體二極管。電容C1-C4分別是S1-S4的輸出電容。電感L1是變壓器的漏感和外部串聯(lián)諧振電感之和。T為變壓器,SR1-SR4是副邊同步整流的開(kāi)關(guān)管,L2和CR為副邊濾波電感以及濾波電容。LOAD即負(fù)載。 S1、S3為滯后橋臂,S2、S4為超前橋臂。
圖1 移相全橋主電路拓?fù)?/p>
通過(guò)控制原邊四個(gè)開(kāi)關(guān)管S1-S4的導(dǎo)通,在AB點(diǎn)得到一個(gè)幅值為Vin的交流方波電壓。經(jīng)過(guò)變壓器變比轉(zhuǎn)換,在變壓器的副邊得到一個(gè)幅值為Vin/K的交流方波,其中K=N:1,再經(jīng)過(guò)SR1-SR4的整流在CD點(diǎn)得到一個(gè)脈寬為T(mén)on直流方波,其幅值同樣為Vin/K,經(jīng)過(guò)L2和CR的濾波,最后在輸出負(fù)載LOAD上得到一個(gè)平滑的直流電壓。其幅值為×D,其中占空比,T為開(kāi)關(guān)周期[5]。
ZVS移相全橋電路的工作波形時(shí)序如圖2所示,一共有12個(gè)階段,兩種狀態(tài):主動(dòng)狀態(tài):對(duì)角開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通,如S1+S4或S2+S3;被動(dòng)狀態(tài):母線同側(cè)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通,如S1+S2或S3+S4。前六個(gè)階段和后六個(gè)階段類(lèi)似,能量在主動(dòng)狀態(tài)下傳輸[6]。
在移相全橋拓?fù)潆娐分校汶妷洪_(kāi)通是通過(guò)變壓器的漏感或者串聯(lián)電感與開(kāi)關(guān)器件的輸出電容諧振實(shí)現(xiàn)的。根據(jù)移相全橋的基本特性可知,滯后橋臂相對(duì)超前橋臂比較難實(shí)現(xiàn)ZVS[7]。
圖2 移相全橋電路工作時(shí)序
滯后橋臂S1、S3實(shí)現(xiàn)ZVS的條件是:
式中:Ip1為 S1,S3開(kāi)通關(guān)斷時(shí)的原邊電流;L1為原邊漏感和外串電感之和;Ctr為變壓器繞組電容。
超前橋臂S2、S4實(shí)現(xiàn)ZVS的條件是:
其中,Ip為 S2,S4開(kāi)通關(guān)斷時(shí)的原邊電流;L2p為副邊濾波漏感反射到原邊的電感。
在移相全橋的運(yùn)行過(guò)程中,若ZVS條件能夠滿(mǎn)足,則開(kāi)關(guān)管可實(shí)現(xiàn)零電壓軟開(kāi)關(guān)。即先有漏極電壓降為0,然后才有柵極電壓開(kāi)始上升,波形如圖3(a)所示。若負(fù)載較小,ZVS條件不能滿(mǎn)足,則開(kāi)關(guān)管工作在硬開(kāi)關(guān)或者部分軟開(kāi)關(guān)狀態(tài),即有柵極電壓在經(jīng)歷米勒平臺(tái)后,接下來(lái)有漏極電壓開(kāi)始下降,波形如圖 3(b)所示。
實(shí)際系統(tǒng)中,采用原邊電流形成閉環(huán)并作為延時(shí)時(shí)間的微調(diào)參數(shù),可能會(huì)由于電流傳感器以及采樣電路器件的原因引起某個(gè)脈沖的延時(shí)時(shí)間中微調(diào)參數(shù)的丟失,從而導(dǎo)致單個(gè)脈沖的導(dǎo)通延遲現(xiàn)象,比如 S1,S3的延時(shí)參數(shù)為 TAB[8]。
圖3 滯后橋臂開(kāi)關(guān)管正常波形
其中,RAB,KA均為常數(shù),CS是電流傳感器感應(yīng)過(guò)來(lái)經(jīng)過(guò)轉(zhuǎn)換后的電壓,作為實(shí)時(shí)的延時(shí)微調(diào)參數(shù)。如果在某個(gè)脈沖的時(shí)候,CS丟失為0,則會(huì)引起TAB的增加,即個(gè)別脈沖導(dǎo)通延遲現(xiàn)象。如圖4(a)黑圈所示,圖4(b)為黑圈的放大部分。
可以發(fā)現(xiàn)除了圈中S3的漏源極電壓降到零,管子仍然沒(méi)有開(kāi)通之外,其余的脈沖都正常實(shí)現(xiàn)ZVS開(kāi)通。這種現(xiàn)象對(duì)本身就難以實(shí)現(xiàn)ZVS的滯后橋臂影響更大,在諧振谷開(kāi)通可以實(shí)現(xiàn)ZVS,但是延遲滯后,就使滯后管直接工作硬開(kāi)關(guān)狀態(tài)下,更加考驗(yàn)器件體二極管的反向恢復(fù)能力。
結(jié)合上述實(shí)際工作波形,圖5給出了軟開(kāi)關(guān)條件下,開(kāi)關(guān)管延時(shí)開(kāi)通時(shí)的電路的工作模態(tài)。T是變壓器,副邊簡(jiǎn)略未畫(huà)。其中虛線為S1出錯(cuò)的內(nèi)部電流走向。首先S1,S2導(dǎo)通,也就是圖5中(1)表示的路線,iDS1正向流, 回路為 S1、T、S2; 然后 S1關(guān)斷,C1開(kāi)始充電,C3放電,iD1由正向開(kāi)始下降,當(dāng)iDS1下降到0的時(shí)候,S3仍然沒(méi)有開(kāi)通,電流變負(fù)經(jīng)過(guò)S1的體二極管 D1并使其導(dǎo)通,回路為 S2、T、D1,也就是圖5 中(2);iDS1電流負(fù)向,這時(shí)候打開(kāi) S3,有反向電壓加在D1上,強(qiáng)制對(duì)D1的電流進(jìn)行換向,如圖5中(3)。
圖4 滯后橋臂開(kāi)關(guān)管脈沖延遲現(xiàn)象
體二極管上的反向電壓會(huì)在清除二極管中的剩余載流子的同時(shí),產(chǎn)生反向恢復(fù)電流尖峰,并造成電壓電流的振蕩。
圖5 開(kāi)關(guān)管延時(shí)開(kāi)通下的模態(tài)分析
通過(guò)上述分析,體二極管影響器件的失效主要和器件體二極管的dv/dt耐用性及剩余載流子數(shù)量,即器件的反向恢復(fù)特性(Irrm,trr),換流有關(guān)。
現(xiàn)如今有很多辦法去改善體二極管的問(wèn)題[3,9],比如遏制MOSFET本身體二極管的導(dǎo)通,而并聯(lián)更快的快恢復(fù)二極管或者增加其他器件來(lái)縮短反向恢復(fù)的時(shí)間。不過(guò)這些方法增加了成本的同時(shí),也使得系統(tǒng)結(jié)構(gòu)變的復(fù)雜,而且增加的器件也會(huì)引起額外的消耗,降低整個(gè)系統(tǒng)的效率。
所以,系統(tǒng)中改善體二極管引起損壞的有效途徑是:器件本身體二極管的反向恢復(fù)時(shí)間短,反向恢復(fù)電流尖峰和電壓尖峰都比較小,而且換流耐用性高、內(nèi)阻低等。
英飛凌650V COOLMOS CFDA是高壓功率MOSFET創(chuàng)新性的技術(shù),其設(shè)計(jì)基于超級(jí)結(jié)(SJ)原理[10]。它包含了SJ MOSFET所有的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)具有極快速體二極管。擁有非常低的開(kāi)關(guān)損耗,換向損耗以及導(dǎo)通損耗,穩(wěn)定性高,具有自限制dv/dt及di/dt能力,并通過(guò)汽車(chē)行業(yè)的AEC-Q101認(rèn)證。這些特點(diǎn)使COOMOS在諧振開(kāi)關(guān)應(yīng)用中更加可靠、高效、輕便并且散熱更好。
現(xiàn)采用英飛凌IPW65R080CFDA作為ZVS移相全橋變換器原邊的開(kāi)關(guān)器件,設(shè)計(jì)一款用于電動(dòng)汽車(chē)高壓到低壓的DC-DC變換器,系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖如圖6所示。變換器的系統(tǒng)參數(shù)如表1。
整個(gè)系統(tǒng)保證在800 W的時(shí)候,滯后橋臂能實(shí)現(xiàn)ZVS。據(jù)上述分析,滯后橋臂的下管比較難實(shí)現(xiàn)ZVS,尤其在輕載條件下更難實(shí)現(xiàn)ZVS,負(fù)載越大越容易實(shí)現(xiàn)ZVS,所以為保證輕載條件實(shí)現(xiàn)ZVS,往往在變壓器原邊串聯(lián)一個(gè)諧振電感用于存儲(chǔ)能量使輕載時(shí)能夠有足夠能量完成零電壓開(kāi)關(guān)。
圖6 車(chē)用移相全橋DC-DC變換器系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖
表1 系統(tǒng)參數(shù)
Inverter模塊中使用器件的反向恢復(fù)電荷越低,反向恢復(fù)清除內(nèi)部載流子的速度也越快,反向恢復(fù)電流尖峰越小,反向恢復(fù)時(shí)間也越短,即減小了反向恢復(fù)過(guò)程,同時(shí)降低體二極管帶來(lái)的損耗,從而提高整個(gè)系統(tǒng)的效率[11]。CFDA具有極低的反向恢復(fù)電荷,下面用實(shí)驗(yàn)說(shuō)明帶有快速體二極管的CFDA在系統(tǒng)中可靠性方面的優(yōu)勢(shì)。
如前分析,移相全橋電路中出現(xiàn)滯后橋臂脈沖延遲開(kāi)通的情況下,器件體二極管的性能直接影響器件的出錯(cuò)甚至損壞,從而可能造成整個(gè)系統(tǒng)的崩潰。下面在移相全橋中分別使用新型帶有快速體二極管的CFDA與帶普通體二極管的C3,驗(yàn)證帶有快速體二極管的CFDA在移相全橋中的優(yōu)勢(shì)。
實(shí)驗(yàn)分別在移相全橋負(fù)載為400 W,800 W,1 200 W下對(duì)比兩種器件在異常情況下體二極管的反向恢復(fù)特性。圖7為400 W下波形,其中(a)為C3波形,(b)為CFDA的波形。圖8為800 W下波形,其中(a)為C3波形,(b)為 CFDA的波形。 圖9為 1 200 W 下波形,其中(a)為 C3 波形,(b)為 CF-DA的波形。
圖7 400W脈沖延遲時(shí)的波形
圖8 800W脈沖延遲時(shí)的波形
圖9 1 200W脈沖延遲時(shí)的波形
根據(jù)實(shí)驗(yàn)波形,可以得到CFDA與C3不同功率下尖峰電流的測(cè)量值,如表2。
表2 不同功率下CFDA與C3的尖峰電流
在400 W與800 W負(fù)載情況下遇到異常波形時(shí),C3反向恢復(fù)的尖峰電流明顯比CFDA的要大,當(dāng)負(fù)載加到1 200 W的時(shí)候,同樣的平臺(tái)條件下,CFDA可以正常工作,而C3在這時(shí)候,由于體二極管中的載流子沒(méi)有及時(shí)清除,產(chǎn)生很多的振蕩波形,從而觸發(fā)了器件內(nèi)部BJT致使器件最終損壞,系統(tǒng)工作失效。
由上述實(shí)驗(yàn)可知,CFDA的快速體二極管在反向恢復(fù)特性方面相對(duì)C3的優(yōu)勢(shì)。尤其在較高負(fù)載下出現(xiàn)脈沖延遲現(xiàn)象的時(shí)候,帶有快速體二極管的CFDA在較高負(fù)載下仍然可以正常工作,而帶有普通體二極管的C3卻不能穿越這種故障,CFDA甚至在2 kW的負(fù)載下也正常工作。可見(jiàn)CFDA在移相全橋中能夠穿越故障并減小器件失效幾率,提高了整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。
本文闡述了ZVS移相全橋拓?fù)湓陔妱?dòng)汽車(chē)高壓到低壓DC-DC變換器中的的優(yōu)勢(shì),結(jié)合拓?fù)渲赋隽艘葡嗳珮虺跫?jí)功率器件在出現(xiàn)開(kāi)通延遲現(xiàn)象時(shí)由于體二極管性能差可能引起的一些失效機(jī)理,并且分析了失效機(jī)理和MOSFET體二極管的反向恢復(fù)時(shí)間,反向恢復(fù)電流尖峰,以及器件的換流耐用性的關(guān)系。實(shí)驗(yàn)表明,英飛凌新型COOLMOS CFDA系列的高壓功率器件內(nèi)部體二極管反向恢復(fù)時(shí)間短,導(dǎo)通電阻小,而且換流耐用性強(qiáng),可靠性高并且易于使用,變換器在使用了該功率器件后,可以在寬負(fù)載范圍內(nèi)降低改善器件失效情況,提高系統(tǒng)的可靠性。
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