王 睿,陳肖虎,李紀(jì)偉,盧大磊,唐曉寧
(貴州大學(xué) 材料與冶金學(xué)院,貴州 貴陽 550025)
鈦是輕金屬中的高熔點(diǎn)金屬,是優(yōu)異的結(jié)構(gòu)材料,被廣泛應(yīng)用于化工、石油、冶金、醫(yī)療、汽車、航空航天、船舶、海洋工程、體育設(shè)施等領(lǐng)域[1-2]。實(shí)用超導(dǎo)材料(Nb-Ti合金)、形狀記憶合金(Ni-Ti)、儲氫合金(Fe-Ti系)和包覆材料(TiN)等被稱作“太空金屬”、“海洋金屬”和“戰(zhàn)略金屬”[3]。隨著電子產(chǎn)業(yè)和計(jì)算機(jī)產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,在電子材料領(lǐng)域,特別是制作濺射靶材,需要采用高純鈦[4-6]。高純鈦的純度為99.9%~99.999%。高純鈦制備方法主要有熔鹽電解法、電子束熔煉法和鹵化法[7-8]。高純鈦制備過程中對雜質(zhì)元素的控制十分重要。
試驗(yàn)所用原料為普通海綿鈦;鹵化劑主要成分為碘,含有微量其他鹵族元素;基底材料為工業(yè)鈦絲(尺寸為φ4mm×3 000mm)。
表1 試驗(yàn)用海綿鈦化學(xué)成分質(zhì)量分?jǐn)?shù) %
試驗(yàn)采用特殊的鹵化—裂解—電子束精煉工藝制備高純鈦。試驗(yàn)設(shè)備為有較大恒溫區(qū)域(鹵化源區(qū))和高溫裂解區(qū)域(沉積區(qū))的特殊爐體。鹵化法制備高純鈦的原則工藝流程及設(shè)備已申請國家發(fā)明專利(專利申請?zhí)?00710200098.5)。
原料首先通過鹵化反應(yīng)生成相應(yīng)鹵化物,利用鈦鹵化物與雜質(zhì)鹵化物的揮發(fā)性差異實(shí)現(xiàn)兩者有效分離,再利用鈦鹵化物在高溫下會發(fā)生熱裂解特性實(shí)現(xiàn)鈦的提純。反應(yīng)如下:
樣品的GDMS分析結(jié)果與4N5級(鈦質(zhì)量分?jǐn)?shù)99.995%)高純鈦的質(zhì)量對比見表2??梢钥闯觯簶悠分蠧l、B、K、Li、Mg均達(dá)到高純鈦4N5級標(biāo)準(zhǔn),表明本工藝對上述元素脫除效果較好;而Al、Mn、Si超出檢測標(biāo)準(zhǔn),應(yīng)從理論和試驗(yàn)中尋找解決方案。
圖1為鈦截面宏觀形貌照片。圖中中心區(qū)為靠近母絲的初始結(jié)晶區(qū)。沉積區(qū)為結(jié)晶過程中趨于穩(wěn)定的區(qū)域,主要由柱狀晶體組成,晶體之間存在狹縫。檢測結(jié)果表明,雜質(zhì)主要存在于中心區(qū)局部區(qū)域及沉淀區(qū)晶體狹縫之中。
表2 樣品的GDMS分析結(jié)果與4N5級(鈦質(zhì)量分?jǐn)?shù)99.995%)高純鈦的質(zhì)量對比
圖1 高純鈦截面宏觀形貌
圖2是中心區(qū)域的電鏡掃描圖。X射線能譜分析結(jié)果表明,中心區(qū)部分區(qū)域雜質(zhì)鋁的含量比較高。
圖2 中心區(qū)微觀形貌
反應(yīng)物及產(chǎn)物的標(biāo)準(zhǔn)摩爾定壓熱容可表示為
則有
整理式(1)與式(2)得式(3):
將式(3)代入 Van’t Hoff方程并積分,得式(4):
其中積分常數(shù)
因?yàn)?/p>
所以
在鹵化區(qū)內(nèi),鋁與碘的反應(yīng)為:
根據(jù)表3計(jì)算得出:
同理,對于反應(yīng)(b),
表3 相關(guān)物質(zhì)的熱力學(xué)數(shù)據(jù)[11]
表4 Δr,T計(jì)算結(jié)果
表4 Δr,T計(jì)算結(jié)果
images/BZ_117_279_1682_1196_1749.pngAlI3 -253.053?0 -241.065?0 Al2I6 -493.941?0 -445.516?0
碘化鋁的分解反應(yīng)為:
對于反應(yīng)(c),
表示反應(yīng)為吸熱熵增反應(yīng)。根據(jù)Gibbs函數(shù)判據(jù),溫度升高,有可能使TΔS>ΔH,ΔG<0,高溫下反應(yīng)正向進(jìn)行,即產(chǎn)生分解反應(yīng)[9]。反應(yīng)臨界溫度
對于反應(yīng)(d),
反應(yīng)臨界溫度
由上述熱力學(xué)分析可知:在沉積區(qū)域,1 473~1 673K條件下,反應(yīng)(c)、(d)不會發(fā)生,即產(chǎn)品中的雜質(zhì)不是與鈦一起經(jīng)過鹵化反應(yīng)生成的相應(yīng)碘化物,是之后隨TiI4、TiI2一同進(jìn)入沉積區(qū)的。雜質(zhì)鋁產(chǎn)生的原因:一方面可能是基體材料自身污染,在沉積區(qū)高溫條件下,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)及成分發(fā)生變化所致,如可能會出現(xiàn)某些原子的偏聚或局部某些物相的偏析等;另一方面,也有可能是基體材料在高溫下自身參與反應(yīng),使雜質(zhì)元素遷移到產(chǎn)品之中所致。
1)熱力學(xué)分析結(jié)果表明,在鹵化區(qū)可能會生成AlI3和Al2I6,之后隨TiI2、TiI4一起進(jìn)入沉積區(qū),所以,需要嚴(yán)格控制鹵化溫度,防止雜質(zhì)元素鹵化物生成。
2)分析結(jié)果表明:AlI3和Al2I6不會在沉積區(qū)分解,也就不會進(jìn)入鈦產(chǎn)品中影響產(chǎn)品質(zhì)量;但鹵化物的生成會消耗碘,造成生產(chǎn)成本提高,而且雜質(zhì)元素鹵化物的生成會影響系統(tǒng)分壓,從而抑制TiI2、TiI4的生成,使鈦產(chǎn)率下降。
3)產(chǎn)品中雜質(zhì)Al來自于基體材料的自身污染,在沉積區(qū)高溫條件下,基體材料可能會出現(xiàn)某些原子的偏聚或局部某些物相的偏析,或自身參與反應(yīng),所以必須嚴(yán)格控制基體材料中的雜質(zhì)含量,以保證產(chǎn)品質(zhì)量。
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