楊軼博,丁榮崢,孫少鵬,張順亮
(中國電子科技集團(tuán)公司第58研究所,江蘇 無錫 214035)
恒定加速度試驗(yàn)是考核高可靠集成電路結(jié)構(gòu)強(qiáng)度的重要手段,該項(xiàng)試驗(yàn)可暴露沖擊和振動(dòng)試驗(yàn)不一定能檢測出的機(jī)械結(jié)構(gòu)類型缺陷[1]。其通常用來考察陶瓷封裝封蓋、鍵合引線系統(tǒng)、芯片粘接及外殼結(jié)構(gòu)強(qiáng)度等。
恒加試驗(yàn)失效通常由三類因素所導(dǎo)致:
(1)結(jié)構(gòu)強(qiáng)度、工藝設(shè)計(jì)不合理;(2)封裝工藝缺陷;(3)試驗(yàn)不當(dāng)引起的問題。
采用AutoCAD二維繪圖軟件結(jié)合工程經(jīng)驗(yàn)設(shè)計(jì)陶瓷封裝在國內(nèi)還較普遍,但隨著集成電路多功能、高集成、高性能方向的快速發(fā)展,封裝結(jié)構(gòu)復(fù)雜程度提高(如雙腔、多腔、堆疊封裝等)。設(shè)計(jì)導(dǎo)致結(jié)構(gòu)強(qiáng)度不足的問題往往在考核試驗(yàn)后才能被發(fā)現(xiàn)[2]。
封裝設(shè)計(jì)必須引入模擬仿真手段,這不僅在國際和國內(nèi)高端封裝企業(yè)取得了成功,更是機(jī)械、電力、航空、航天、船舶等高端制造業(yè)普遍采用的設(shè)計(jì)手段。結(jié)合工程實(shí)際的模擬仿真可充分論證封裝設(shè)計(jì)方案,消除早期設(shè)計(jì)存在的各種缺陷;亦可對部分工序進(jìn)行模擬,優(yōu)化工藝參數(shù),降低工藝樣品設(shè)計(jì)-試驗(yàn)-驗(yàn)證分析的成本并縮短研發(fā)周期;還可結(jié)合機(jī)械結(jié)構(gòu)試驗(yàn)和結(jié)構(gòu)失效情況,對封裝電路進(jìn)行失效分析,找出失效原因及失效機(jī)理。
本文針對陶瓷封裝電路CQFP256在20 000 g恒加試驗(yàn)中出現(xiàn)的瓷體開裂情況,利用Ansys Workbench平臺(tái)軟件,模擬電路恒加試驗(yàn)條件,并結(jié)合電路失效情況進(jìn)行仿真結(jié)果分析,找出瓷體開裂的原因并優(yōu)化改進(jìn),解決了該款電路結(jié)構(gòu)失效問題。
試驗(yàn)選5只CQFP256封裝電路,按GJB548B方法2001.1條件D(20 000 g)進(jìn)行試驗(yàn)。夾具材料為聚四氟乙烯,夾具設(shè)計(jì)留出兩個(gè)凹槽,使陶封電路裝入夾具后,瓷體和蓋板受到夾具約束。在恒加試驗(yàn)過程中,夾具為電路提供支撐力,以抵消20 000 g離心作用。電路與夾具裝配情況如圖1所示。
圖1 電路與夾具裝配及恒加試驗(yàn)受力情況
試驗(yàn)后,5只電路均出現(xiàn)瓷體開裂,裂紋位于熱沉四個(gè)頂角中的某一角處的陶瓷上,貫通整個(gè)瓷體。帶熱沉的瓷體面裂紋周圍有白色粉末;帶蓋板的瓷體面裂紋周圍無白色粉末,詳見圖2。
圖2 4只CQFP256瓷體開裂照片(圈出部分為裂紋源)
顯然,裂紋產(chǎn)生是由于20 000 g恒加動(dòng)載荷在陶瓷材料內(nèi)部產(chǎn)生過大的應(yīng)力,超出了陶瓷材料抗拉強(qiáng)度或抗彎強(qiáng)度。
采用Ansys Workbench平臺(tái)軟件進(jìn)行模擬仿真。利用“Geometry”模塊建立CQFP256的三維簡化模型,利用“Static Structural”模塊模擬試驗(yàn)條件進(jìn)行材料加載、網(wǎng)格劃分和求解計(jì)算。
電路采用CQFP256封裝形式,芯片與熱沉互連采用高溫導(dǎo)電膠粘接形式,并用引線鍵合方式與陶瓷完成互連,熱沉嵌入陶瓷外殼中,蓋板用金錫合金熔封于陶瓷外殼上。電路整體采用氣密性封裝形式。封裝裝配結(jié)構(gòu)如圖3所示。
圖3 CQFP256封裝裝配結(jié)構(gòu)示意圖
3.2.1 電路仿真建模
為了后續(xù)仿真過程減小網(wǎng)格劃分和仿真計(jì)算量,對電路進(jìn)行簡化,簡化依據(jù)和結(jié)果如下:
(1)Φ30 μm鍵合絲和0.15 mm/0.22 mm外引腳(本身已受到夾具支撐)相對于蓋板、熱沉和瓷體的質(zhì)量,可忽略不計(jì),故對瓷體開裂幾乎無貢獻(xiàn)作用,省略不建模;
(2)芯片與外殼是緊密結(jié)合的整體,試驗(yàn)中也未分離,將芯片和導(dǎo)熱膠的質(zhì)量合并至熱沉上,而不獨(dú)立建模。
CQFP256恒加試驗(yàn)簡化的電路模型如圖4所示。模型中包含柯伐蓋板、陶瓷外殼和加入芯片和導(dǎo)電膠質(zhì)量的等效熱沉。
圖4 CQFP256電路簡化模型
3.2.2 電路與夾具裝配建模
理想試驗(yàn)條件下,電路放入夾具后,瓷體、蓋板分別與夾具完全貼合。盡管在試驗(yàn)過程中,陶瓷外殼與聚四氟乙烯夾具由于材料彈性模量不同,產(chǎn)生變形量有差異,導(dǎo)致部分緊貼部分分離,但仿真軟件的求解器會(huì)根據(jù)所設(shè)置條件在計(jì)算過程中體現(xiàn)出這一物理過程,因此不必人為干預(yù)。
瓷體尺寸略小于夾具內(nèi)腔尺寸,因此在平面方向上無約束(電路可在腔體中晃動(dòng)),夾具僅為電路提供反向支持力。為減小網(wǎng)格劃分和仿真的計(jì)算量,對夾具進(jìn)行簡化,僅保留與瓷體和蓋板接觸的部分,電路-夾具裝配簡化模型如圖5所示。
圖5 電路-夾具裝配簡化模型
3.2.3 仿真設(shè)置
建立仿真分析流程[3],再將建立的模型數(shù)據(jù)導(dǎo)入仿真模塊“Static Structural”。建模和仿真流程如圖6所示。
圖6 電路恒加仿真流程
(1)材料參數(shù)賦值
賦予各組件材料參數(shù)。各組件材料參數(shù)如表1。
表1 各組件材料參數(shù)
(2)網(wǎng)格劃分
對所有組件進(jìn)行網(wǎng)格劃分,采用四面體網(wǎng)格劃分方式,對失效區(qū)域附近進(jìn)行網(wǎng)格加密,以增加計(jì)算結(jié)果精度。圖7為隱去夾具只顯示電路的網(wǎng)格劃分結(jié)果。
(3)離心載荷和支撐約束加載
20000g離心載荷及夾具對電路的支撐約束力加載后的情況如圖8所示。
(4)仿真結(jié)果分析
完成以上設(shè)置后,Ansys Workbench自動(dòng)進(jìn)行計(jì)算,并給出結(jié)果。
陶瓷為脆性材料,因此需用最大主應(yīng)力理論作失效判據(jù)[4]。只查看陶瓷區(qū)域的最大主應(yīng)力,其最大值出現(xiàn)在熱沉一面的陶瓷區(qū)域,約為80 MPa(如圖9)。
圖7 網(wǎng)格劃分結(jié)果
圖8 離心載荷和支撐約束力加載
圖9 理想試驗(yàn)條件下陶瓷上最大主應(yīng)力分布(帶熱沉一面)
CQFP256陶瓷材料抗拉強(qiáng)度約為150 MPa,抗彎強(qiáng)度約350 MPa[5],遠(yuǎn)大于80 MPa的計(jì)算結(jié)果。對比圖1與圖9,可以看出最大主應(yīng)力出現(xiàn)的位置與失效開裂位置不符。因此認(rèn)為,在理想試驗(yàn)條件下,即夾具與電路完全貼合接觸的情況下,瓷體不會(huì)開裂失效。
仿真結(jié)果與實(shí)際電路失效情況完全不符,因此我們須考察非理想試驗(yàn)條件下的應(yīng)力分布情況。
實(shí)際夾具與外殼接觸部分目測有內(nèi)腔銑刀痕跡,邊角處也未完全銑掉。
用激光測量顯微鏡測量其平整度等尺寸,發(fā)現(xiàn)留給蓋板的夾具腔體較淺,與蓋板接觸的夾具部分(圖11中黑色區(qū)域)將蓋板頂起,導(dǎo)致瓷體懸空,如圖10所示。恒加試驗(yàn)夾具實(shí)物如圖11所示。
圖10 實(shí)際電路-夾具裝配示意圖
圖11 實(shí)際夾具照片
在理想試驗(yàn)條件的模型基礎(chǔ)上進(jìn)行修改,刪除與瓷體貼合的夾具部分,即刪去圖5中夾具約束瓷體的部分。其余不變。
仿真流程與3.2節(jié)中內(nèi)容相同。采用相同的仿真流程,完成材料參數(shù)賦值、網(wǎng)格劃分、離心載荷和支撐約束力加載,進(jìn)行仿真計(jì)算。
計(jì)算完畢,查看瓷體最大主應(yīng)力情況,發(fā)現(xiàn)其最大值位于熱沉四角附近的陶瓷上,與實(shí)際瓷體開裂情況一致。此外,最大主應(yīng)力值約為770 MPa,遠(yuǎn)大于陶瓷的抗拉強(qiáng)度(150 MPa)和抗彎強(qiáng)度(350 MPa)。這表明,在蓋板受約束而瓷體懸空的非理想情況下(實(shí)際試驗(yàn)情況),陶瓷必然發(fā)生開裂,如圖12所示。
根據(jù)仿真結(jié)果暴露的問題,針對性地對試驗(yàn)條件進(jìn)行改進(jìn)。在夾具表面預(yù)先鋪一層塑性物質(zhì),而后將電路放入夾具中。恒加試驗(yàn)過程中,瓷體懸空部分和夾具腔體之間的空隙被塑性材料填滿,整個(gè)電路幾乎完全受到支撐力作用,接近3.2節(jié)所述的理想試驗(yàn)條件。改進(jìn)后,4只CQFP256封裝電路重新進(jìn)行了20 000 g恒加試驗(yàn),全部通過考核驗(yàn)證,未出現(xiàn)任何機(jī)械結(jié)構(gòu)失效問題。
圖12 非理想試驗(yàn)條件下瓷體最大主應(yīng)力分布(帶熱沉一面)
利用Ansys Workbench專業(yè)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)仿真軟件,對陶瓷封裝電路恒定加速度試驗(yàn)中結(jié)構(gòu)失效進(jìn)行了模擬和仿真分析,準(zhǔn)確分析出熱沉四角附近瓷體開裂的原因,從理論上詳細(xì)闡明了結(jié)構(gòu)失效的機(jī)理。并根據(jù)仿真分析結(jié)果,提出了問題解決的措施,節(jié)約了成本,縮短了產(chǎn)品改進(jìn)周期。陶封電路恒加試驗(yàn)失效分析、仿真分析與設(shè)計(jì)優(yōu)化,可對電路封裝結(jié)構(gòu)失效分析產(chǎn)生普遍的理論指導(dǎo)意義。
[1] 微電子器件試驗(yàn)方法和程序[M]. 2005.
[2] 劉勇,梁利華. 微電子器件及封裝的建模與仿真[M]. 北京:科學(xué)出版社,2010.
[3] 姜濤. Ansys Workbench培訓(xùn)手冊[Z]. 2011.
[4] S P Timoshenko. 彈性理論[M]. 北京:清華大學(xué)出版社,2007.
[5] IWASAKI, AICHI. NTK HTCC Package General Design Guide [Z]. 2008.