李 曉,宋廣平,孫 躍,吳化平,張 林
(1.浙江工業(yè)大學材料學院,杭州 310014;2.哈爾濱工業(yè)大學復合材料與結(jié)構(gòu)研究所,哈爾濱 150001)
高溫合金具有良好的高溫力學性能及優(yōu)異的抗氧化性能,在渦輪盤、渦輪葉片等高溫部件中得到了廣泛應用[1-3]。近年來,隨著金屬熱防護系統(tǒng)的發(fā)展,需要開發(fā)大尺寸的高溫合金箔[4-5]蒙皮材料。然而,由于高溫合金的變形抗力大、可加工溫度范圍窄等原因,傳統(tǒng)工藝還難以制備出大尺寸的高溫合金箔。電子束物理氣相沉積(EB-PVD)工藝具備工藝簡單、箔的成分和微觀結(jié)構(gòu)可控等特點,成為制備大尺寸高溫合金箔的一種新方法[6-8]。
之前,作者所在課題組已經(jīng)對EB-PVD工藝制備 Ni-19.3Cr-20Fe-0.8Al高溫合金箔的力學性能、微觀結(jié)構(gòu)及時效熱處理對它的影響進行了研究報道[9-10]。該合金箔的晶粒小、強度高、塑性變形能力好;此外,它在高溫下的抗氧化性能也是一個重要的性能指標,但目前尚未見到該方面的研究報道。因此,作者對該高溫合金箔在800,900℃的氧化行為進行了研究,并探討了其氧化機制。
采用電子束物理氣相沉積工藝制備0.12mm厚的 Ni-19.3Cr-20Fe-0.8Al高溫合金箔,具體制備工藝及參數(shù)見文獻[9]。采用線切割加工出10mm×10mm×0.12mm的試樣,用800#砂紙打磨后在丙酮、無水酒精里分別進行超聲波清洗;然后將其置于電阻爐中,在800℃和900℃的空氣環(huán)境下進行恒溫氧化試驗,時間均為100h,冷卻方式為空冷。用TG328A型分析天平(精度0.1mg)稱量試樣氧化前后的質(zhì)量;用Rigaku D/max-rB型X射線儀分析試樣的物相,采用銅靶;用FEI-Quanta200型掃描電子顯微鏡(附帶能譜儀)對試樣的顯微組織和成分分布進行分析。
從圖1(a)可見,試樣在800℃氧化100h后,質(zhì)量增加了1.7×10-8g·m-2,平均氧化速率為1.7×10-10g·m-2·h-1;在900℃氧化100h后,質(zhì)量增加了5.2×10-8g·m-2,平均氧化速率為5.2×10-10g·m-2·h-1。據(jù)文獻[11]報道,具有類似成分的GH4169合金在800℃氧化40h后,質(zhì)量增加了8×10-8g·m-2,平均氧化速率為2×10-9g·m-2·h-1;在850℃氧化30h后,質(zhì)量增加了14×10-8g·m-2,平均氧化速率為4.67×10-9g·m-2·h-1。這說明EB-PVD制備的高溫合金箔比傳統(tǒng)工藝制備的GH4169合金具備更加優(yōu)異的抗氧化性能。因為該合金箔中不含鉬元素。如果合金箔中含有鉬元素,它會在800~900℃的氧化過程中形成揮發(fā)性的MoO3,進而破壞表面的氧化物,加速氧化,使合金箔的抗氧化性變差。另外,據(jù)文獻[12]報道,當材料的晶粒為亞微米或納米級時,氧化過程中晶界擴散起主要作用,表面極易形成細小的氧化物,阻礙材料的進一步氧化,使高溫合金的抗氧化性提高;而EB-PVD制備的合金箔晶粒細小,平均尺寸為亞微米級[13],所以其抗氧化性能優(yōu)異。
圖1 試樣在不同溫度下氧化后質(zhì)量增加與時間的關(guān)系Fig.1 The relationships of mass gain(a),square mass gain(b)and cubic mass gains(c)with oxidation time for the samples after oxidation at different temperatures
從圖1(a)中還可以見到,在800℃和900℃條件下氧化后,質(zhì)量增加與時間關(guān)系曲線的變化趨勢存在明顯的差別。因此,繪制了氧化質(zhì)量增加的平方、立方與時間的關(guān)系曲線,并采用最小二乘法進行了線性擬合,結(jié)果如圖1(b)和(c)所示。從中可以發(fā)現(xiàn),在800℃氧化時,氧化質(zhì)量增加的立方與時間擬合得效果好,說明800℃氧化時的動力學曲線遵守三次方規(guī)律,而900℃氧化時,氧化質(zhì)量增加的平方與時間擬合效果好,說明900℃氧化時的氧化動力學曲線符合二次方規(guī)律,即拋物線規(guī)律。
由圖2可見,在800℃氧化后的試樣截面由厚度為3~4μm的雙層結(jié)構(gòu)組成,其中,外層為富鉻的致密層,內(nèi)層為富鋁的準連續(xù)層。由圖3可見,在900℃氧化后的試樣截面由厚度為4~5μm富鉻致密層組成,且內(nèi)部存在少量內(nèi)氧化物。
由圖4可見,試樣在800℃氧化后由Cr2O3、Al2O3化合物相和 Ni(Fe,Cr,Al)基體相組成,在900℃氧化后由Cr2O3和 Ni(Fe,Cr,Al)基體相組成。根據(jù)能譜分析和XRD結(jié)果可以認為,試樣在800℃氧化后的富鉻致密外層為Cr2O3,富鋁的內(nèi)層為Al2O3;在900℃氧化后的致密層為Cr2O3,內(nèi)氧化物為Al2O3。
圖2 試樣在800℃氧化100h后的截面形貌和元素分布Fig.2 Cross section morphology(a)and element distribution(b)of the sample after 800 ℃ oxidation for 100h
圖3 試樣在900℃氧化100h后的截面形貌和元素分布Fig.3 Cross section morphology(a)and element distribution(b)of the sample after 900 ℃ oxidation for 100h
圖4 試樣在800,900℃氧化100h后的XRD譜Fig.4 XRD patterns of the samples after 100h oxidation at 800℃ and 900℃
從圖5中可以看出,氧化物均由多面體晶粒組成;在800℃氧化后,試樣表面的晶粒大小較均勻,平均晶粒尺寸約為0.6μm,在900℃氧化后,試樣表面的晶粒大小和分布都不均勻,大部分晶粒尺寸為2~3μm,少量晶粒尺寸為0.2~0.5μm。
圖5 試樣在800,900℃氧化100h后的表面形貌Fig.5 Surface morphology of the samples after 100hoxidation at 800℃and 900℃
從表1可知,鋁、鉻、鐵、鎳的氧化反應自由能依次升高。按照熱力學原則,合金中的鋁應首先氧化形成Al2O3膜。然而,實際上合金中金屬元素的氧化不僅與反應自由能有關(guān),還與元素的含量、氧分壓和晶粒大小有關(guān)。在氧化過程中,雖然鋁的氧化反應自由能最低,但由于它的含量很少,未達到臨界濃度,故而鉻先被氧化,形成連續(xù)致密的Cr2O3膜。氧原子向材料內(nèi)部擴散,在氧化膜與金屬界面處形成低的氧分壓,而元素鎳、鐵氧化需要高的氧分壓,因此它們的氧化受到抑制;而鋁在低的氧分壓條件下可以氧化,因此,在氧化膜與金屬界面處,鋁發(fā)生氧化生成Al2O3。在800℃氧化時,合金基體中的鋁原子向外擴散的速率大于氧原子向基體內(nèi)擴散的速率,故而在Cr2O3與合金界面處形成Al2O3晶核,晶核長大后形成準連續(xù)的Al2O3膜;而900℃氧化時,合金中的氧原子向基體內(nèi)擴散的速率大于鋁原子由基體向外擴散的速率,氧原子擴散到合金基體中發(fā)生內(nèi)氧化,形成內(nèi)氧化物Al2O3。
曾崗等[15]的研究結(jié)果表明,在合金氧化過程中,擴散形式以晶界擴散為主時,恒溫氧化動力學曲線與晶粒生長情況有關(guān),當材料的晶粒生長指數(shù)為n時,氧化動力學曲線遵守1/n次方。理論上,擴散由晶格擴散和晶界擴散兩部分組成,其有效擴散系數(shù) Deff可表達為[16]
表1 試樣中各元素氧化反應自由能與溫度關(guān)系Tab.1 Relationships between free energy of oxidation reaction and temperature for components in samples[14]
式中:DL為晶格擴散系數(shù);DB為晶界擴散系數(shù);f為晶界體積分數(shù)。
假設(shè)晶粒形狀為立方體,則
式中:w 為晶界寬度,1nm[17];d 為晶粒尺寸。
如前所述,試樣在800℃氧化100h后,表面的晶粒尺寸約為0.6μm,計算得到晶界體積分數(shù)為0.33%。根據(jù)文獻[18],800℃時 Cr3+和 O2-的晶界擴散系數(shù)是晶內(nèi)擴散系數(shù)的105~106倍。所以,Deff≈f·DB,即合金箔的氧化過程以晶界擴散為主。因此,可以認為800℃時合金箔的氧化動力曲線符合三次方規(guī)律是由合金在800℃氧化時,氧化物晶粒按指數(shù)1/3生長引起的;而在900℃氧化時,晶粒生長較快,晶內(nèi)擴散作用不能忽視,合金箔氧化符合瓦格納氧化理論,其氧化動力學曲線遵守拋物線規(guī)律。
EB-PVD 制 備 的 Ni-19.3Cr-20Fe-0.8Al合 金箔在800℃氧化100h后,氧化膜由致密的外Cr2O3層和準連續(xù)的內(nèi)Al2O3層組成,恒溫氧化動力學曲線遵守三次方規(guī)律,100h的平均氧化速率為1.7×10-10g·m-2·h-1;在900℃氧化100h后,氧化膜由致密的Cr2O3層組成,并伴有少量內(nèi)氧化物Al2O3,恒溫氧化動力學曲線遵守拋物線規(guī)律,100h后的平均氧化速率為5.2×10-10g·m-2·h-1。
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