陳文志 葉智為 張 然 曾百亨 陳 朝 張風(fēng)燕＊,

(1廈門大學(xué)能源學(xué)院光伏薄膜中心實(shí)驗(yàn)室，廈門 361100)

(2臺灣國立中山大學(xué)材料與光電科學(xué)學(xué)系，高雄 800042)

0 引 言

目前光伏太陽能電池已經(jīng)進(jìn)入第三代發(fā)展時(shí)期即薄膜電池發(fā)展時(shí)期，包括銅銦鎵硒(CIGS)、砷化鎵(GaAS)及硅(Si)系等薄膜太陽能電池。由于晶硅系列電池生產(chǎn)成本相對較高且制備過程污染較大，人們開始尋找低成本，制備過程更環(huán)保的薄膜太陽能電池，以漢能為代表的中國薄膜太陽能企業(yè)迅速崛起，其銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能電池效率達(dá)到國際先進(jìn)水平。CIGS薄膜太陽能電池具有其獨(dú)特優(yōu)勢包括：帶隙范圍寬為1.04～1.68 eV，實(shí)驗(yàn)效率高達(dá)20.8%；硫化鎘作為緩沖層和CIGS形成良好的晶格匹配，失配率低于2%；吸收系數(shù)高達(dá)105cm-1；可自身調(diào)節(jié)成P或N型，不會光致衰退，使用壽命長[1]；厚度很小(約 1～2 μm)，耗材少；制備過程具有環(huán)境寬容性，襯底選擇性強(qiáng)；抗輻射能力強(qiáng)。以上優(yōu)點(diǎn)說明CIGS薄膜材料作為吸收層具有非常優(yōu)越條件，CIGS薄膜電池是最有前景的第三代太陽能電池，而根據(jù)研究表明高效CIGS薄膜電池通常采用鈉元素作為提升效率因素之一[2]。Na元素對CIGS薄膜生長及電學(xué)性能的改進(jìn)是公認(rèn)的[3-4]，據(jù)報(bào)道CIGS薄膜太陽能電池中摻入0.1%的Na可以使得太陽能電池電性能提高30～50%[5]，但Na元素對CIGS薄膜結(jié)構(gòu)影響存在爭議，不同摻雜具有不同的效果[6-7]。鈉鈣玻璃中含有鈉元素能促進(jìn)CIGS薄膜生長，提高效率，因此許多研究者采用含鈉元素源材料如NaF和Na2Se的襯底去控制鈉的擴(kuò)散[8]，并且一些關(guān)于從鈉鈣玻璃和鈉源材料的鈉元素?cái)U(kuò)散規(guī)則已經(jīng)被研究[9-10]，而美國NREL通過使用5%(at)的摻鈉鉬靶材，制造了效率16.6%的太陽能電池(整體效率，含抗反射膜)[11]。采用摻鈉鉬靶材濺射鈉鉬薄膜的一大優(yōu)勢在于，它是一種可以有效控制鈉元素?fù)饺肓康姆椒╗12]，鈉元素對CIGS吸收層的影響一般來說呈拋物線式，隨著鈉元素含量的增多，對效率的提升作用先增強(qiáng)后減弱[11]，因此本工作采用疊層鉬和鉬鈉薄膜方式，通過控制MoNa薄膜厚度實(shí)現(xiàn)對Mo電極Na元素的控制。

本工作主要采用直流磁控濺射摻鈉鉬和純鉬靶，通過調(diào)節(jié)摻鈉鉬膜的厚度來控制鈉元素量的擴(kuò)散，在無鈉襯底上制備出不同厚度摻鈉鉬薄膜四層結(jié)構(gòu)作為CIGS薄膜太陽能電池背電極。以制備的摻鈉鉬電極作為背電極，CIGS薄膜太陽能電池采用臺灣國立中山大學(xué)物理系蒸鍍儀器，按銅銦鎵硒元素比例蒸鍍后再硒化處理制備出CIGS電池，研究了摻鈉鉬電極特性及其對CIGS薄膜太陽能電池的性能影響。

1 實(shí)驗(yàn)部分

1.1 濺射摻鈉鉬薄膜電極

本實(shí)驗(yàn)主要采用美國進(jìn)口設(shè)備丹頓磁控濺射儀，型號為Destpro Vaccum，濺射室內(nèi)含有兩個(gè)濺射靶電極，可實(shí)現(xiàn)直流和射頻濺射，磁控濺射設(shè)備結(jié)構(gòu)如圖1所示；濺射時(shí)的磁控濺射儀真空度達(dá)到0.79 mPa的高真空，保證濺射的穩(wěn)定性。靶材主要有鉬鈉(MoNa)靶材和純鉬(Mo)靶材，其中鉬鈉靶材中鈉元素含量為10at%，鉬元素90at%，純度為99.9%，生產(chǎn)公司為美國ACI Alloys公司；純鉬靶材純度99.95%，為江西海特公司提供。純鉬采用直流濺射，而由于摻鈉鉬靶材鈉元素含量不高，也采用直流磁控濺射實(shí)現(xiàn)薄膜沉積。本次實(shí)驗(yàn)先濺射鉬鈉靶材和純鉬靶材對比后，設(shè)計(jì)鉬鈉靶材與純鉬薄膜的交替沉積方式，采用三層結(jié)構(gòu)方式Mo/Mo/MoNa中改變第二層Mo和第三層MoNa厚度進(jìn)行測試分析，第一層純Mo靶材濺射采用功率為180 W，氬氣氛為1 066.96 mPa，濺射時(shí)間6 min；第二層純Mo靶材濺射采用功率為180 W，氬氣氛為399.96 mPa，濺射時(shí)間 35、30、25、20 min；第三層 MoNa 靶材濺射采用功率為100 W，氬氣氛為666.61 mPa，濺射時(shí)間分別為15、30、45，60 min， 制備出 4 種摻鈉鉬薄膜樣品；最后采用四層結(jié)構(gòu)方式為Mo/Mo/MoNa/Mo，第一層純Mo靶材濺射采用功率為180 W，氬氣氛為 1 066.96 mPa，濺射時(shí)間6 min；第二層純Mo靶材濺射采用功率為180 W，氬氣氛為399.96 mPa，濺射時(shí)間35、30、20 min；第三層MoNa靶材濺射采用功率為100 W，氬氣氛為666.61 mPa，濺射時(shí)間分別為15、45，60 min；第四層純Mo靶材濺射采用功率為100 W，氬氣氛為1 066.96 mPa，濺射時(shí)間3 min，沉積3種含有不同的鉬鈉薄膜厚度的鉬鈉電極，制備出的3種摻鈉鉬電極保持總厚度大約在1 000 nm左右。

1.2 鉬鈉薄膜電極上制備CIGS薄膜電池

采用臺灣國立中山大學(xué)CIGS太陽能研究實(shí)驗(yàn)室蒸鍍儀，按照銅銦鎵硒各個(gè)元素比例，利用后硒化法在制備好的摻鈉鉬薄膜電極上制備CIGS薄膜太陽能電池。利用4種不同摻鈉厚度的鉬薄膜作為背電極，分別在4種摻鈉鉬電極上蒸鍍銅銦鎵硒薄膜，之后在550℃下硒化氣氛中進(jìn)行硒化處理作為吸收層厚度為800 nm；采用水浴法在80℃水浴中將樣品放入水溶液中3 min制備2次得硫化鎘(CdS)緩沖層厚度為60 nm；再采用磁控射頻濺射功率為75 W濺射10 min沉積氧化鋅(ZnO)與緩沖層共同形成n型半導(dǎo)體厚度為75 nm；再用磁控濺射儀射頻濺射功率75 W濺射2 h氧化鋅鋁 (ZAO)窗口層厚度為600 nm；最后采用蒸鍍儀蒸鍍10 min后鋁(Al)電極作為負(fù)極，形成CIGS薄膜太陽能電池，并對其進(jìn)行性能測量與表征。

1.3 性能測試與表征

衍射分析儀(XRD)主要采用荷蘭PANalytical公司型號為X′Pert PRO X射線衍射儀器其主要表征條件為入射狹縫為固定狹縫，設(shè)置接收狹縫和防反射狹縫使得測試精度為0.001°·step-1，采用平行單色器(Hybird)，采用PIXcel模塊作為衍射光路，，測試高壓為20 kV，Xcelerator超能陣列探測器，采用平板樣品臺測試。場發(fā)射高分辨掃描電鏡是德國LEO公司型號為LEO-1530儀器進(jìn)行表面形貌和斷面掃描，四點(diǎn)探針電阻測試儀采用上海虹運(yùn)檢測儀器有限公司型號為SZT-2000，I-V測試儀采用QuickSun高精密模擬器對薄膜電池電性能進(jìn)行測量。

2 結(jié)果與討論

2.1 純鉬與鉬鈉薄膜濺射分析

為了分析摻鈉鉬靶材及純鉬靶材濺射的薄膜性質(zhì)，本實(shí)驗(yàn)在玻璃基底沉積了鉻阻擋層，先使用摻鈉鉬靶材濺射了MoNa膜和純鉬靶材濺射Mo膜，利用X射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)等材料分析手段探究其性質(zhì)。由于鈉元素的摻入，摻鈉鉬靶材內(nèi)部本身相對于純鉬靶材的具有更多缺陷[13]，MoNa薄膜中有鈉元素的存在，導(dǎo)致形成的缺陷也越大，形成薄膜后鈉元素更容易被空氣氧化，因此本實(shí)驗(yàn)采用100 W作為MoNa靶材濺射功率。如圖2所示的a1、a2及b1，a1和a2表示純MoNa靶材濺射50 min后薄膜的掃描電鏡SEM和衍射XRD圖，b1表示純Mo靶材100 W功率下濺射50 min后掃描電鏡SEM圖。從a1和b1平面與截面圖中，Mo薄膜晶粒呈柱狀，表現(xiàn)出較明顯的(110)取向生長，表面為米粒狀，生長較為緊密，晶粒大小很平均；而MoNa膜晶粒呈泡狀生長，截面圖看不出明顯的柱狀結(jié)構(gòu)，晶粒分布相對Mo膜更為稀疏，晶粒大小各異。

從圖中研究發(fā)現(xiàn)a2純MoNa薄膜的XRD衍射圖中，紅色直線為金屬鉬的標(biāo)準(zhǔn)卡片，卡片編號為：00-042-1120，晶系為體心結(jié)構(gòu)，屬于Im3m(229)空間群，圖中MoNa薄膜中沒有與金屬鉬的衍射峰匹配，而2個(gè)主峰與MoO3在(0,2,0)方向和Mo4O11在(2,0,3)方向的2個(gè)峰匹配，分析其主要原因可能為Na元素比較活潑，摻鈉鉬靶材濺射成薄膜后，暴露在空氣中易與氧氣發(fā)生反應(yīng)，導(dǎo)致薄膜中的鉬也被氧化，形成了大量氧化物，改變了鉬鈉膜的成膜機(jī)理。圖譜中沒有鉬的特征峰，說明單質(zhì)金屬鉬在薄膜中存在量已經(jīng)很少，經(jīng)四點(diǎn)探針電阻測試儀測試純Mo薄膜電阻率平均值為6.80×10-5Ω·cm，而MoNa薄膜電阻率薄膜的電阻率平均值為1.14×10-2Ω·cm，電阻率相差兩個(gè)數(shù)量級，說明MoNa靶材濺射薄膜可能已經(jīng)不是鉬鈉膜，不再具有背電極的功效。

圖1 濺射鍍膜設(shè)備的示意圖Fig.1 Sputter coating equipment schematic diagram

圖2 純MoNa與純Mo濺射薄膜SEM及XRD圖Fig.2 SEM images and XRD patterns for pure MoNa and pure Mo sputtering thin films

圖3 純MoNa濺射薄膜EDSFig.3 EDS spectrum for pure MoNa sputtering thin films

圖3中為EDS能譜測試圖，發(fā)現(xiàn)濺射后純MoNa薄膜中含有O元素，進(jìn)一步表明濺射后純MoNa薄膜容易被氧化，形成含鈉氧化鉬，而且氧含量相對較多，說明MoNa薄膜確實(shí)活性較高。

2.2 純鉬與鉬鈉三層疊層薄膜濺射

本實(shí)驗(yàn)通過采用疊層鉬和鉬鈉薄膜結(jié)構(gòu)方式，控制MoNa薄膜厚度以實(shí)現(xiàn)對Mo電極中Na元素含量大小的控制，改變MoNa靶材和Mo靶材的濺射時(shí)間，實(shí)現(xiàn)MoNa與Mo厚度的改變，從而保證整體MoNa電極的厚度在一定水平，有利于研究進(jìn)行。

采用三層鉬與鉬鈉疊層薄膜的方式其結(jié)構(gòu)主要為Mo/Mo/MoNa，第一層純Mo靶材濺射采用功率為180W，氬氣氛為1 066.58 mPa，濺射時(shí)間 6 min，厚度為80 nm；第二層純Mo靶材濺射采用功率為180 W，氬氣氛為 399.96 mPa，濺射時(shí)間 35、30、25、20 min，濺射厚度為 830、740、660、550 nm；第三層MoNa靶材濺射采用功率為100 W，氬氣氛為666.61 mPa，濺射時(shí)間分別為 15、30、45，60，厚度為80、160、240、330 nm；通過 MoNa 層不同厚度而調(diào)節(jié)底層純Mo層的厚度，保持總厚度約為1 000 nm，利用SZT-2000四點(diǎn)探針電阻測試儀，分別測試這4種鉬鈉薄膜樣品10個(gè)不同位置點(diǎn)方塊電阻，由公式ρ=RSh計(jì)算出相應(yīng)電阻率取均值，ρ為鉬薄膜的電阻率，RS為方塊電阻，h為薄膜厚度，A樣品電阻率均值為5.86×10-4Ω·cm，B樣品電阻率均值為4.62×10-4Ω·cm，C 樣品電阻率均值為 6.86×10-4Ω·cm，D 樣品電阻率均值為7.13×10-4Ω·cm，說明MoNa薄膜厚度直接影響整個(gè)Mo電極電阻，由于MoNa薄膜在外表層容易被氧化，而導(dǎo)致電阻率極大升高，特別是在MoNa較厚的C、D樣品情況下，被氧化程度更嚴(yán)重，電阻率受到影響更大。為分析三層疊層鉬鈉電極的其它性能，如圖4中所示掃描電鏡SEM表面形貌可以發(fā)現(xiàn)，4組樣品的表面與圖2的a1純MoNa樣品和b1純Mo樣品SEM照片的表面形貌均有不同，A的純鉬厚度較厚晶向比較一致，MoNa厚度較薄沿著純鉬晶向生長，晶粒表現(xiàn)比較突出，形貌與純鉬較為一致；隨著B，C，D純鉬厚度變薄，MoNa厚度增加，MoNa沿著晶向方向生長減弱，表面形貌變得越趨向純MoNa形貌。

圖4 不同鉬與鉬鈉薄膜厚度表面形貌Fig.4 Surface morphology of different thickness of Mo and MoNa thin films

從圖5中的XRD圖研究發(fā)現(xiàn)，四組樣品都出現(xiàn)了在41°左右Mo的(110)衍射峰和在74°左右Mo的(220)衍射峰，說明4組樣品中都出現(xiàn)了柱狀生長的結(jié)構(gòu)。而C樣品(MoNa含量約30%)和D樣品(MoNa含量約50%)的XRD圖，在13°左右出現(xiàn)了鉬的氧化物 MoO3的(020)衍射峰，其中 D樣品(MoNa含量50%)比C樣品(MoNa含量30%)衍射峰強(qiáng)度增強(qiáng)，并且比對于41°和74°的Mo衍射峰的相對強(qiáng)度更強(qiáng)，A樣品(MoNa含量10%)和B(MoNa含量 20%)樣品沒有出現(xiàn)明顯的MoO3的衍射峰，說明在Na含量較少情況下，被氧化較少，或者M(jìn)oO3的含量或Mo受到氧化的程度減少。為了進(jìn)一步研究不同厚度MoNa薄膜即不同含量MoNa對CIGS薄膜影響，在不同厚度的MoNa薄膜上鍍制的一層純Mo薄膜。

圖5 不同鉬與鉬鈉薄膜厚度XRD衍射圖Fig.5 XRD patterns of different thicknesses of Mo and MoNa thin films

2.3 純鉬與鉬鈉薄膜四層疊層濺射與CIGS薄膜電池制備

為了進(jìn)一步研究不同厚度MoNa薄膜即不同MoNa含量對CIGS薄膜影響，在3種不同厚度的MoNa薄膜上鍍制的一層純Mo薄膜，即采用4層結(jié)構(gòu)方式為Mo/Mo/MoNa/Mo，第一層純Mo靶材濺射采用功率為180 W，氬氣氛為1 066.58 mPa，濺射時(shí)間6 min，厚度為80 nm；第二層純Mo靶材濺射采用功率為180W，氬氣氛為399.96 mPa，濺射時(shí)間35、30、20 min， 濺射厚度約為 830、740、550 nm，第三層MoNa靶材濺射采用功率為100 W，氬氣氛為666.61 mPa，濺射時(shí)間分別為 15、45，65 min，厚度約為 80、240、340 nm，分別用(a)，(b)，(c)表示其對應(yīng)鉬鈉薄膜；第四層純Mo靶材濺射采用功率為100W，氬氣氛為1 066.58 mPa，濺射時(shí)間3 min，厚度約為20 nm，并濺射兩層純鉬膜，第一層純Mo靶材濺射采用功率為180 W，氬氣氛為1 066.58 mPa，濺射時(shí)間6 min，厚度為80 nm；第二層純Mo靶材濺射采用功率為180 W，氬氣氛為399.96 mPa，濺射時(shí)間40 min，厚度約為920 nm，(d)表示其對應(yīng)鉬薄膜；保持摻鈉鉬薄膜厚度大約為1 000 nm左右，同樣利用SZT-2000四點(diǎn)探針電阻測試儀，分別測試這3種鉬鈉薄膜樣品方塊電阻和純鉬樣品10個(gè)不同位置點(diǎn)方塊電阻，并計(jì)算出相應(yīng)電阻率，(a)樣品電阻率均值為 2.05×10-4Ω·cm，(b) 樣品電阻率均值為 4.38×10-4Ω·cm，(c) 樣品電阻率均值為 5.60×10-4Ω·cm，(d)樣品電阻率均值為6.53×10-5Ω·cm，說明隨著MoNa薄膜厚度的增加摻鈉Mo電極的電阻由于MoNa薄膜電阻的增加而變大，表面MoNa厚度對整個(gè)Mo電極電阻率具有正比例影響作用，同時(shí)也說明MoNa薄膜在經(jīng)過薄純Mo薄膜覆蓋之后被氧化程度大大降低，薄純Mo層具有保護(hù)作用。

在3種四層疊層鉬鈉薄膜電極和純鉬薄膜電極上蒸鍍銅銦鎵硒預(yù)制層[14-18]，利用臺灣國立中山大學(xué)CIGS太陽能研究實(shí)驗(yàn)室蒸鍍儀，設(shè)定參數(shù)分別進(jìn)行銅、銦、鎵、硒元素蒸鍍，一般情況下利用硒化氫氣體作為硒化源[19-20]，但硒化氫有毒，因此本實(shí)驗(yàn)采用硒單質(zhì)源，蒸鍍后在硒化退火爐中500℃下快速退火5 min[21-22]，自然冷卻，制備出MoNa/CIGS薄膜，如圖6所示，CIGS晶粒呈現(xiàn)大晶粒致密粘結(jié)結(jié)構(gòu)，(a)樣品晶粒生長較大，且缺陷較少，(b)樣品晶粒生長相對較小，且有不同顏色顆粒純在，研究發(fā)現(xiàn)主要是銦的結(jié)構(gòu)存在，(c)樣品晶粒更小而且缺陷較多，致密度不夠，估計(jì)是受MoNa薄膜厚度太大的影響，Na過多嚴(yán)重影響CIGS成膜質(zhì)量。

如圖 7 所示，A、B、C 分別對應(yīng)(a)、(b)、(c)樣品，從衍射圖中研究發(fā)現(xiàn)，A的(112)峰值相對最高，而C(112)峰值相對最低，A對應(yīng)(a)樣品晶粒較大且致密，說明一定厚度的MoNa薄膜中含有適量的鈉元素可以促進(jìn)CIGS薄膜生長[23]，Na元素含量太高時(shí)反而不利CIGS薄膜生長。

圖6 生長在不同鉬與鉬鈉薄膜厚度上的CIGS薄膜形貌Fig.6 CIGS surface morphology growth on different thicknesses of Mo and MoNa thin films

圖7 生長在不同鉬與鉬鈉薄膜厚度的CIGS薄膜XRD衍射圖Fig.7 XRD patterns of CIGS growth on different thicknesses of Mo and MoNa thin films

圖8 不同MoNa/Mo厚度的CIGS太陽能電池特性Fig.8 Photovoltaic properties of CIGS solar cells with different MoNa/Mo thicknesses

將退火后CIGS薄膜，按照glass/Mo/CIGS/CdS/i:ZnO/Al:ZnO/Al步驟制備成CIGS薄膜太陽能電池。利用芬蘭QuicksunIV測試設(shè)備進(jìn)行電性能測試分析，其主要參數(shù)：開路電壓open-circuit voltage(Voc)，填充因子 fill factor(FF)，轉(zhuǎn)換效率 cell efficiency(Eff)；如圖8所示，從圖中發(fā)現(xiàn)在(a)80nm鉬鈉薄膜厚度的鉬電極上制備CIGS電池電性能最好，效率為6.54%、填充因子最高為57.8%，開路電壓也最高為0.48 V，而隨著摻雜鉬鈉厚度的增加((b)240 nm，(c)340 nm)電池性能下降，在純鉬上制備CIGS薄膜電池效率也相對較低僅為5.78%，說明適量的鈉元素對CIGS電池具有性能提升作用[23]，主要是因?yàn)檫m量鈉元素有利于CIGS薄膜的更好生長，減少CIGS缺陷，減少電子空穴對復(fù)合，提高了CIGS薄膜性能。摻鈉Mo薄膜電極中Na元素對CIGS生長促進(jìn)目前為止并沒有給出較為合理的解釋，但是其中比較合理的解釋主要為Na對CIGS太陽能電池影響主要表現(xiàn)在Voc和FF增加，對短路電路影響不大，Na在CIGS形成過程中，通過 Mo擴(kuò)散到CIGS中幫助CIGS薄膜的生長，大大減少CIGS中缺陷形成，從而增加載流子密度使得開路電壓Voc提高。本文制備的電池效率與國際制備16.6%相比，相對較低的主要原因是由于CIGS電池制備工藝程序較為復(fù)雜，受到各種制備工藝的限制導(dǎo)致整體電池效率受影響。

3 結(jié) 論

以上結(jié)果表明通過改變鉬鈉薄膜在鉬電極上厚度可以有效實(shí)現(xiàn)對鈉元素含量的控制，從而研究MoNa薄膜特性及其對CIGS薄膜電池的性能影響。主要結(jié)論有：第一、通過純鉬鈉薄膜和純鉬薄膜的特性表明純鉬鈉薄膜電阻率太大，平均值達(dá)到1.14×10-2Ω·cm，是純鉬薄膜電阻率的3個(gè)量子級倍數(shù)，且鉬鈉容易被氧化導(dǎo)致薄膜形成MoO3，表面致密度降低，顆粒大小不均；第二、濺射三層疊層不同MoNa/Mo厚度的Mo/Mo/MoNa薄膜，MoNa薄膜在薄膜表面容易被氧化，MoNa薄膜較薄時(shí)，MoNa沿著純鉬晶向生長，晶粒表現(xiàn)比較突出，形貌與純鉬較為一致。隨著純鉬厚度變薄，MoNa厚度增加，MoNa沿著晶向方向生長減弱，表面形貌變得越趨向純MoNa形貌，MoO3增多，電阻率增大；第三、濺射四層疊層不同MoNa/Mo厚度的Mo/Mo/MoNa/Mo薄膜，有效降低Mo薄膜電阻率，同時(shí)有效阻止MoNa被氧化程度，不同MoNa/Mo厚度電極上制備CIGS薄膜電池，80 nm MoNa厚度上的CIGS薄膜晶粒生長較大，且缺陷較少，電池效率最高，達(dá)到6.54%，主要原因是Na元素通過Mo擴(kuò)散到CIGS中，促進(jìn)CIGS生長同時(shí)減少缺陷生成，而隨著MoNa厚度增加晶粒生長減小且缺陷增多，電池電性能下降。

[1]Powalla M,Dimmler B.Thin Solid Films,2000,361-362:540-546

[2]Rockett A.Thin Solid Films,2005,480-481:2-7

[3]Lammer M,Klemm U,Powalla M.Thin Solid Films,2001,387(1/2):33-36

[4]Granath K,Bodeg?rd M,Stolt L.Sol.Energy Mater.Sol.Cells,2000,60(3):279-293

[5]Kessler F,Rudmann D.Sol.Energy,2004,77(6):685-695

[6]Vasekar P S,Dhere N G.Sol.Energy Mater.Sol.Cells,2009,93:69-73

[7]Pudmam D,Bilger G,Kaelin M,et al.Thin Solid Films,2003,431:37-40

[8]Rudmann D,Bilger G,Kaelin M,et al.Thin Solid Films,2003,32:34-38

[9]Kronik L,Cahen D,Shock H W.Adv.Mater.,1998,10:29-33

[10]Ingrid R,Miguel A C,Brian E,et al.Prog.Photovoltaics Res.Appl.2008,16:235-239

[11]Lorelle M M,Ingrid L R,Stephen G,et al.37thIEEE Photovoltaic Specialists Conference.2011.

[12]JIANG Wei long(姜偉龍),ZHANG Li(張力),HE Qing(何青),et al.J.Optoelectron Laser(光電子·激光),2010,21(5):222-226

[13]Jae H Y,Ki Hwan K,Min Sik K et al.Thin Solid Films,2007,515:5876-5879

[14]Ramanathan K,Contreras M A,Perkins C L,et al.Prog.Photovoltaics,2003,11:221-226

[15]Rockett A,Britt J S,Gillespie T,et al.Thin Solid Films,2000,372:210-214

[16]Kimura R,Nakada T,Fons P,et al.Sol.Energy Mater.Sol.Cells,2001,67:285-290

[17]Shafarman W N,Zhu J.Thin Solid Films,2000,361-362:473-477

[18]Adrian C,Stephan B,Fabian P,et al.Nature Mater.Lett.,2011,18:857-861

[19]Singh U P,Shafarman W N,Birkmire R W.Sol.Energy Mater.Sol.Cells,2006,90:623-630

[20]LIAO Cheng(廖成),HAN Jun-Feng(韓峻峰),JIANG Tao(江濤),et al.Chinese J.Inorg.Chem.(無機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào)),2011,27(1):1-5

[21]Kaelin M,Rudmann D,Kurdesau F,et al.Thin Solid Films,2006,431-432:58-62

[22]Caballero R,Guillen C.Thin Solid Films,2002,403-404:107-111

[23]Bodegard M,Granath K,Stolt L.Thin Solid Films,2000,9:361-362