摘 要:多晶硅質(zhì)量受多方面因素影響,本文結(jié)合生產(chǎn)實(shí)際,分別從提高原料純度,加強(qiáng)分析手段、控制生產(chǎn)過程中的溫度、合理選擇混合氣配比、保持設(shè)備潔凈、強(qiáng)化精餾效果、提高質(zhì)檢工作人員業(yè)務(wù)素質(zhì)和質(zhì)量意識等方面進(jìn)行了分析,以逐步提高多晶硅質(zhì)量。
關(guān)鍵詞:多晶硅 生產(chǎn)工藝流程 質(zhì)量控制
中圖分類號:O657.63 文獻(xiàn)標(biāo)識碼:A 文章編號:1672-3791(2013)04(b)-0154-01
隨著新能源及光伏產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,多晶硅產(chǎn)業(yè)也得以高速發(fā)展。多晶硅是生產(chǎn)單晶硅的直接原料,是當(dāng)代人工智能、自動(dòng)控制、信息處理、光電轉(zhuǎn)換等半導(dǎo)體器件的電子信息基礎(chǔ)材料,被稱為“微電子大廈的基石”。目前國際上主要采用傳統(tǒng)工藝改良西門子法生產(chǎn)多晶硅,現(xiàn)結(jié)合公司生產(chǎn)實(shí)際,總結(jié)一下改良西門子工藝中多晶硅原料處理過程中質(zhì)量控制措施。
1 多晶硅生產(chǎn)工藝流程簡介
多晶硅是由硅純度較低的冶金級硅提煉而來,目前國際上多晶硅生產(chǎn)主要采用改良西門子法、硅烷法和流化床法等方法,改良西門子法是最主要的方法,采用此方法生產(chǎn)的多晶硅約占多晶硅全球總產(chǎn)量的85%。這種方法節(jié)能降耗作用顯著、成本低、質(zhì)量好,對環(huán)境不產(chǎn)生污染,因而具有明顯的競爭優(yōu)勢。多晶硅生產(chǎn)工藝流程如下:(1)石英砂在電弧爐中冶煉提純到98%并生成工業(yè)硅。(2)進(jìn)一步提純,把工業(yè)硅粉碎并用無水氯化氫與之反應(yīng)在一個(gè)流化床反應(yīng)器中,生成擬溶解的三氯氫硅,同時(shí)形成氣態(tài)混合物(H2,HCl,SiHCl3,SiCl4,Si)。(3)第二步驟中產(chǎn)生的氣態(tài)混合物還需要進(jìn)一步提純,需要分解:過濾硅粉,冷凝SiHCl3,SiC14,而氣態(tài)H2,HCl返回到反應(yīng)中或排放到大氣中。然后分解冷凝物SiHCl3,SiCl4,凈化三氯氫硅(多級精餾)。(4)凈化后的三氯氫硅采用高溫還原工藝,以高純的SiHCl3在H2氣氛中還原沉積而生成多晶硅。
2 多晶硅原料處理過程中質(zhì)量控制措施
2.1 提高原料純度,加強(qiáng)分析手段,提高分析靈敏度
決定產(chǎn)品質(zhì)量的因素很多,其中原料,中間化合物如硅鐵、液氯、氫氣、三氯氫硅等的雜質(zhì)的存在,對產(chǎn)品的質(zhì)量起決定性作用。因此,在制備過程中應(yīng)盡量減少雜質(zhì)的玷污,提高原料的純度,加強(qiáng)化學(xué)、物理的分析檢測,一般采用光普、極普、質(zhì)普和氣相色普等分析手段檢測。太陽能級多晶硅應(yīng)重點(diǎn)加強(qiáng)其對原料三氯氫硅、氫氣等的質(zhì)量控制,控制三氯氫硅質(zhì)量的主要措施有控制粗餾三氯氫硅≥98.5%、B<50 ppbw、P<5 ppbw、Fe<500 ppbw,控制精餾操作中回流比穩(wěn)定在20以上,保證再沸器出口溫度穩(wěn)定,保證三氯氫硅的收率在75%左右。另外氫氣、氮?dú)?、氬氣露點(diǎn)、氧含量、二氧化碳和一氧化碳含量也極大的影響多晶硅質(zhì)量。因此生產(chǎn)過程中要嚴(yán)格控制氫氣、N2和氬氣純度,硅芯加熱前要用充分的置換時(shí)間,把爐內(nèi)空氣和爐壁上的水分趕凈,裝爐前要認(rèn)真對設(shè)備做檢查防止漏水現(xiàn)象。
2.2 控制生產(chǎn)過程中的溫度
實(shí)踐證明在900 ℃~1000 ℃間,SiHCl3以熱分解為主,1080 ℃~1200 ℃間以還原反應(yīng)為主,1200 ℃以上副反應(yīng)、逆反應(yīng)同時(shí)發(fā)生。溫度在1080 ℃以下亦有SiHCl3還原反應(yīng)會發(fā)生,生成的多晶硅質(zhì)量不佳。還原溫度較低時(shí),會形成暗褐色的無定形硅夾層,這種夾層中間常常有許多氣泡和雜質(zhì),在拉單晶前無法用酸腐蝕掉,在拉單晶熔料時(shí),輕者使硅棒液面波動(dòng),重者產(chǎn)生硅跳以至于無法使用。為避免以上現(xiàn)象的出現(xiàn)應(yīng)注意:啟動(dòng)后空燒半小時(shí),溫度在1080 ℃~1100 ℃進(jìn)料,整個(gè)生產(chǎn)過程中溫度也應(yīng)穩(wěn)定控制在1080 ℃。
2.3 合理選擇混合氣配比
在氫還原SiHCl3的過程中,用化學(xué)當(dāng)量值進(jìn)行氫還原時(shí),產(chǎn)品是褐色粉末狀非晶形硅析出,收率低。當(dāng)氫氣與三氯氫硅為1∶1或1∶2時(shí),除氣固相反應(yīng)外,還會發(fā)生氣相反應(yīng),反應(yīng)產(chǎn)物硅氣相聚合后呈粉狀飄落在爐膛內(nèi)污染整個(gè)爐膛。選擇合適的配比既有利于提高硅的變化率,又有利于抑制B、P的析出。目前國內(nèi)生產(chǎn)多采用氫氣比三氯氫硅為10∶1或7.5∶1。一般選擇配比5∶1較為經(jīng)濟(jì),小于5∶1時(shí),生長速度放慢,轉(zhuǎn)化率降低。
2.4 保持設(shè)備潔凈
多晶硅生產(chǎn)過程中,工藝衛(wèi)生是不容忽視的重要環(huán)節(jié),在生產(chǎn)實(shí)踐中要樹立“超純”觀念,養(yǎng)成嚴(yán)格的工藝衛(wèi)生操作習(xí)慣,注意操作者、操作環(huán)境及設(shè)備材料等方面對產(chǎn)品的污染和影響,多晶硅生產(chǎn)對設(shè)備潔凈度要求很高,油、氯離子、氧化物或粉塵的介入將嚴(yán)重影響多晶硅的質(zhì)量,造成其反應(yīng)速度減慢,產(chǎn)量降低,甚至硅反應(yīng)停止。水和其他溶液在設(shè)備表面殘留的氯離子、氧化物、灰塵其他雜質(zhì)、污垢的存在,也會影響多晶硅的生產(chǎn)。因此多晶硅設(shè)備要嚴(yán)格做好脫脂、酸洗、純水沖洗和干燥等工作。此外,生產(chǎn)過程中,設(shè)備材質(zhì)缺陷或運(yùn)行維護(hù)失當(dāng),易造成設(shè)備腐蝕或滲漏,期間也會引入大量的重金屬雜質(zhì)或油脂,引起二次污染,因此有必要加強(qiáng)設(shè)備運(yùn)行維護(hù)和管理。
2.5 強(qiáng)化精餾效果
在工業(yè)生產(chǎn)中,原料的提純是提高產(chǎn)品純度的關(guān)鍵手段,精餾法是化學(xué)提純領(lǐng)域的重點(diǎn),如何提高精餾效果和改進(jìn)精餾設(shè)備,是精餾提純需要深入研究的問題,加壓精餾、固體吸附等化學(xué)提純方法是近年來產(chǎn)生的新方式。在改進(jìn)精餾設(shè)備方面,為強(qiáng)化汽、液傳熱、傳質(zhì)的效果,可以采用高效率的塔板結(jié)構(gòu)如浮動(dòng)塔板,柱孔式塔板的精餾塔等。為了減少設(shè)備材質(zhì)對產(chǎn)品的玷污,可采用含鉬低磷不銹鋼塔內(nèi)壁噴涂或內(nèi)襯F4~6及氟塑料材質(zhì),可以提高產(chǎn)品質(zhì)量。
2.6 提高質(zhì)檢工作人員業(yè)務(wù)素質(zhì)和質(zhì)量意識,嚴(yán)把質(zhì)量關(guān)
新形勢下的生產(chǎn)對質(zhì)檢工作提出了更為嚴(yán)格的要求,因此應(yīng)樹立質(zhì)量意識,摒棄傳統(tǒng)的事后檢驗(yàn)?zāi)J剑瑥脑牧先胧?,注重生產(chǎn)過程的質(zhì)量控制,找出可能導(dǎo)致不良品的諸多因素進(jìn)行監(jiān)督和處理,健全組織機(jī)構(gòu),擴(kuò)大質(zhì)量控制范圍,加強(qiáng)生產(chǎn)現(xiàn)場的質(zhì)量控制。質(zhì)量監(jiān)督人員要深入現(xiàn)場,嚴(yán)把質(zhì)量關(guān),對生產(chǎn)全過程進(jìn)行全方位的超前質(zhì)量控制。另外加強(qiáng)質(zhì)量教育和培訓(xùn)工作,切實(shí)提高生產(chǎn)和質(zhì)量人員的業(yè)務(wù)素質(zhì),從思想轉(zhuǎn)變?nèi)胧?,狠抓質(zhì)量宣傳,提高全員質(zhì)量意識,激發(fā)員工的工作積極性和主動(dòng)性。
多晶硅產(chǎn)品質(zhì)量的高低直接影響企業(yè)的競爭力,提高改良西門子法生產(chǎn)多晶硅產(chǎn)品的質(zhì)量,是這個(gè)行業(yè)共同關(guān)注的焦點(diǎn)問題。多晶硅生產(chǎn)是一個(gè)系統(tǒng)工程,因此應(yīng)從生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)入手,分析質(zhì)量影響的關(guān)鍵因素,嚴(yán)格規(guī)范作業(yè),從而提高多晶硅生產(chǎn)水平和質(zhì)量。
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