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GIS中典型絕緣缺陷模擬及局部放電信號特征分析

2013-09-26 06:03王康寧王天正
電子測試 2013年22期
關(guān)鍵詞:半波絕緣子幅值

王康寧,王天正,閆 杰,金 虎

(1、山西省電力公司電力科學(xué)研究院,山西太原,030001;2、華北電力大學(xué)河北省輸變電設(shè)備安全防御重點實驗室,河北保定,071003)

0 引言

氣體絕緣組合電器(gas insulated switchgear,GIS)以其占地面積小、不受大氣影響、可靠性高等的優(yōu)良性能在電力系統(tǒng)中的使用日益廣泛,然而,GIS內(nèi)部會出現(xiàn)由于絕緣缺陷引起的局部放電(partial discharge,PD),PD長時間發(fā)展會導(dǎo)致GIS絕緣損害,對PD進行檢測顯得尤為重要。文章通過在GIS實驗腔體中設(shè)置典型的絕緣缺陷,采用脈沖電流法和超聲波檢測法對其局部放電信號進行了檢測,得到了典型的信號特征,對GIS局部放電的進一步研究有著一定的參考意義。

1 典型絕緣缺陷模擬

圖1 典型絕緣缺陷模型Fig.1 Typical insulation defect models

高壓導(dǎo)體金屬尖刺,采用直徑2mm鋁絲模擬高壓導(dǎo)體金屬尖刺放電,鋁絲距離GIS外殼6cm。

絕緣子表面金屬顆粒,采用長度為2cm,直徑2mm的鋁絲,用膠帶固定在絕緣子表面;

外殼金屬尖刺,采用直徑1mm的鋁絲,距離高壓導(dǎo)體2cm。

2 放電信號分析

1) 高壓導(dǎo)體金屬尖刺

圖2 實驗信號Fig.2 The experiment signals

從上面的圖中可以看出,放電首先發(fā)生在正半波峰值附近的下降沿,隨著電壓的升高,在負(fù)半波的峰值處開始放電,進一步升高電壓,正半波峰值處開始放電,出現(xiàn)兩個波峰,放電正負(fù)半波不對稱,負(fù)半波放電較小。同時放電量在幾百pC范圍內(nèi),且放電較為密集,成簇狀。放電起始電壓為40kV,擊穿電壓為110kV。

當(dāng)放電量為400pC時,對應(yīng)的超聲波信號幅值為20mV,超聲波信號與50Hz或者100Hz具有相關(guān)性,且正負(fù)半波幅值相差不大,超聲波信號能量集中在低頻段,以30kHz傳感器為例,信號集中在15和20kHz附近,且隨著放電量的增加,頻譜特性沒有明顯的變化。

2) 絕緣子表面金屬顆粒

圖3 實驗信號Fig.3 The experiment signal

放電脈沖清晰,脈沖的幅值、相位、脈沖之間的時間間隔、放電次數(shù)穩(wěn)定、規(guī)律。放電的相位在工頻電壓的上升沿,且正負(fù)半周幅值接近,隨著電壓的升高,放電次數(shù)增加,但是放電幅值變化不大。

當(dāng)放電量為600pC時,對應(yīng)的超聲波信號幅值約為100mV,超聲波信號與100Hz具有相關(guān)性,且負(fù)半周幅值大于正半周。

3) 外殼金屬尖刺

圖4 實驗信號Fig.4 The experiment signal

放電量較小,放電脈沖比較密集,放電首先發(fā)生在正半周,但是隨著電壓的升高直至擊穿,負(fù)半周的放電都很不明顯,放電的相位在工頻電壓的正半波峰值處,隨著電壓的升高,放電次數(shù)增加,放電幅值增大。

當(dāng)放電量為100pC時,對應(yīng)的超聲波信號幅值約為5mV,對應(yīng)的超聲波信號較小,超聲波信號與50Hz具有相關(guān)性,放電集中在正半周峰值處。

3 結(jié)論

通過模擬了高壓導(dǎo)體尖刺、盆式絕緣子表面金屬顆粒和外殼尖刺3種典型的絕緣缺陷,采用脈沖電流法和超聲波檢測法對其產(chǎn)生的局部放電信號進行了檢測,得到了相應(yīng)的信號特性,對現(xiàn)場應(yīng)用起到了一定的指導(dǎo)意義。

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