邊鋼 王衡 胡金喜 李嵬
引言
基于IGBT的大功率開(kāi)關(guān)放大電路運(yùn)行時(shí),功率大、電壓高,經(jīng)常受到容性或感性負(fù)載的沖擊,承受過(guò)負(fù)荷,器件的運(yùn)行區(qū)超出所給定的安全工作區(qū),同時(shí),由于IGBT的耐電應(yīng)力沖擊能力差,易導(dǎo)致器件損毀。
電子產(chǎn)品世界2013年7期
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