段雨露，周麗旗，肖 丹，徐國(guó)富，2，3

(1.中南大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院，湖南長(zhǎng)沙 410083; 2.中南大學(xué)粉末冶金國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，湖南長(zhǎng)沙 410083; 3.中南大學(xué)有色金屬材料科學(xué)與工程教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，湖南長(zhǎng)沙 410083)

銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)是一種錫摻雜、高簡(jiǎn)并的n型半導(dǎo)體材料［1～3］，其ITO膜具有導(dǎo)電性好(電阻率10－4Ω·cm)、對(duì)可見(jiàn)光透明(透過(guò)率＞85%)、對(duì)紅外光具有高反射性(反射率＞80%)、對(duì)紫外光具有吸收性(吸收率＞85%)等一系列獨(dú)特的光學(xué)電學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于電子計(jì)算機(jī)、能源、電子、光電、國(guó)防軍事、航天航空、核工業(yè)和現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)等高科技領(lǐng)域，在國(guó)民經(jīng)濟(jì)中的作用日趨重要。而獲得高品質(zhì)的ITO膜關(guān)鍵是要制備高品質(zhì)的ITO粉體和高純度、超高密度的ITO靶材［4～7］。目前制備ITO粉體的方法有:液相沉淀法、水熱法、噴霧熱分解法、共沉淀法、溶膠一凝膠法等［8～12］。其中共沉淀工藝在制備先進(jìn)陶瓷的很多領(lǐng)域已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用，并且這種制備方法過(guò)程簡(jiǎn)單，操作簡(jiǎn)便，條件可控、合成周期短以及不需要昂貴的設(shè)備和儀器［13］。在溶液中采用共沉淀法來(lái)合成ITO納米粉末，其性能受很多方面的影響，如溶液pH、反應(yīng)溫度、表面活性劑的加入、攪拌速度、干燥條件以及煅燒溫度［14］。其中溶液pH和煅燒溫度對(duì)粉末的性能有重要的影響，而其它參數(shù)的影響已經(jīng)研究的很多。在本文中，將通過(guò)共沉淀法來(lái)合成ITO納米顆粒，主要探討了溶液pH和焙燒溫度對(duì)ITO粉末顆粒的形貌和相結(jié)構(gòu)的影響。并且通過(guò)使用X射線衍射(XRD)，掃描電子顯微鏡(SEM)，透射電子顯微鏡(TEM)和紅外光譜(FI－IR)對(duì)所制備的粉末進(jìn)行物相、形貌、粒徑、化學(xué)狀態(tài)以及化學(xué)組分來(lái)進(jìn)行表征，以獲得共沉淀法合成ITO納米顆粒的最優(yōu)化工藝，給工業(yè)生產(chǎn)提供依據(jù)。

1 實(shí)驗(yàn)

稱取10 g的金屬銦粉(其技術(shù)指標(biāo)如表1所示)，加入一定量的36%～38%鹽酸和一定量的自制蒸餾水(兩者體積比為1∶1)溶解，使InCl3溶液的濃度為20 g/mL。按照In2O3/SnO2質(zhì)量比9∶1(按In∶Sn的物質(zhì)量之比為9.77∶1)，稱取 3.13 g的SnCl4·5H2O白色塊狀晶體，然后加入100 mL的蒸餾水，配成SnCl4溶液。將上述銦鹽和錫鹽溶液混合，再加入0.22 g的無(wú)水硅酸鈉作為分散劑，充分?jǐn)嚢枋蛊浠旌暇鶆?。將氨?用水稀釋過(guò)，濃氨水與蒸餾水的體積比為1∶1)和上述混合均勻的溶液按一定的速度滴加到燒杯中，邊滴加邊攪拌，并使反應(yīng)溫度控制在60℃附近。用pH計(jì)測(cè)量懸浮液的pH值，當(dāng)pH達(dá)到設(shè)定的值(pH≈7.0、8.0、9.0)，停止滴加氨水，得到白色的懸濁液;繼續(xù)攪拌，老化1 h，抽濾、水洗5～8次，直到濾液中用AgNO3檢測(cè)無(wú)Cl－為止，再用無(wú)水乙醇洗滌3～5次。得到白色I(xiàn)TO前驅(qū)體、超聲分散30 min，將沉淀在90℃下干燥16 h，再將其放在電阻爐中，在350℃、650℃、750℃、850℃溫度下分別煅燒2 h，隨爐冷卻后，進(jìn)行研磨、篩分，即制得ITO納米粉末。

表1 原料銦粉的技術(shù)指標(biāo)

利用德國(guó)NETZSCH生產(chǎn)的型號(hào)為STA449C的綜合熱分析儀來(lái)對(duì)ITO前驅(qū)體進(jìn)行熱分析，以確定前驅(qū)體煅燒溫度。利用型號(hào)為Rigaku D/MAX2500的X射線衍射儀(采用Cu－Kα射線，入射波長(zhǎng)為λ =0.154 051 nm，加速電壓為40 kV，電流250 mA，掃描速率為8(°)/min，步進(jìn)寬度為0.02°，掃描范圍從10°到80°)對(duì)不同樣品進(jìn)行物相分析。利用美國(guó)康塔公司生產(chǎn)的型號(hào)規(guī)格為Monosorb Autosorb的比表面積測(cè)定儀來(lái)對(duì)所制的粉末進(jìn)行SBET測(cè)定。采用美國(guó)FEI公司生產(chǎn)的Sirion200場(chǎng)發(fā)射高分辨掃描電鏡對(duì)不同條件下制得的粉末的形貌和成分進(jìn)行分析。采用日本JEOL公司生產(chǎn)的JEM－2100F型場(chǎng)發(fā)射高分辨透射電子顯微鏡對(duì)樣品進(jìn)行形貌觀察分析、選區(qū)電子衍射(SAED)分析及微觀結(jié)構(gòu)的HRTEM觀察分析。利用型號(hào)為NICOLET6700的傅里葉紅外光譜儀對(duì)不同條件下制得的ITO納米粉末進(jìn)行紅外光譜分析。

2 結(jié)果與討論

2.1 綜合熱分析

在以10℃/min的升溫速度以及氬氣作為保護(hù)氣氛的條件下，對(duì)在不同pH條件下制得的ITO粉末前驅(qū)體來(lái)進(jìn)行綜合熱分析。pH為7的ITO前驅(qū)體的TG－DSC曲線圖如圖1所示。經(jīng)過(guò)分析，發(fā)現(xiàn)不同樣品的TG－DSC曲線都非常類似。從圖1中可以看出，pH為7的前驅(qū)體的TG曲線上也出現(xiàn)了四個(gè)較明顯的失重臺(tái)階，其DSC曲線上對(duì)應(yīng)的有三個(gè)明顯的吸熱峰，分別位于77.72℃、147.12℃和273.29℃。

從圖1中可以了解到，pH為7的前驅(qū)體因?yàn)樵谶@個(gè)溫度范圍內(nèi)ITO前驅(qū)體中的吸附水和游離水被脫附，所以在Ⅰ階段(30～127.7℃)才會(huì)有明顯的失重。因?yàn)槲皆阢熷a氫氧化物表面的羥基也被脫掉，所以在Ⅱ階段(127.7～322.9℃)的失重也較明顯。因?yàn)樵阢熷a氧化物形成的時(shí)候，氫氧化物會(huì)發(fā)生分解脫水，并且在DSC曲線上對(duì)應(yīng)的有一個(gè)明顯的吸熱峰(273.29℃)。而因?yàn)镮TO前驅(qū)體的熱分解已經(jīng)十分徹底，熱重曲線之所以會(huì)在在Ⅲ階段(322.9～850℃)開(kāi)始逐漸變得平緩，說(shuō)明ITO的物相已經(jīng)完全形成。

圖1 pH為7的ITO前驅(qū)體的TG－DSC曲線圖

根據(jù)TG－DSC曲線和文獻(xiàn)報(bào)道，在氧化氣氛下煅燒溫度必須高于330℃。這說(shuō)明實(shí)驗(yàn)選擇在氧化氣氛和350℃、650℃、750℃、850℃的溫度下煅燒2 h的煅燒機(jī)制是比較合理的。

2.2 XRD分析

用化學(xué)共沉淀法制得的前驅(qū)體是膠狀白色沉淀物，經(jīng)烘干后，用X射線衍射分析，圖2為pH為8的ITO前驅(qū)體的XRD圖譜。用Jade6.0軟件對(duì)其進(jìn)行分析，發(fā)現(xiàn)樣品中主晶相為立方結(jié)構(gòu)的In(OH)3，還含有少量的InOOH和Sn3O2(OH)2。由此可知未經(jīng)熱處理的粉體主要為銦錫的氫氧化物，接近立方晶格的氫氧化銦。根據(jù)ITO前驅(qū)體氫氧化銦的結(jié)構(gòu)可知，氫氧化銦本身晶胞中就有較大空間［15，16］，很利于摻雜，Sn4+可以很好地?fù)饺氲?In2O3中形成 ITO材料。

圖2 ITO前驅(qū)體XRD分析

圖3為不同pH值和煅燒溫度為650℃下制得的ITO粉末的XRD圖譜。用Jade6.0軟件來(lái)進(jìn)行分析，可以發(fā)現(xiàn)各衍射峰與卡片號(hào)為71－2195#或71－2194#的PDF標(biāo)準(zhǔn)卡片上立方結(jié)構(gòu)In2O3的數(shù)據(jù)基本一致，呈顯著的單相結(jié)構(gòu)。根據(jù)Scherrer方程求的粉體的平均晶粒尺寸，其變化規(guī)律如表2所示。在煅燒溫度為650℃時(shí)，從表2中可以看出，粉體平均晶粒尺寸的變化規(guī)律先是逐漸減小后又逐漸增大;平均晶粒尺寸最小為13.2 nm，其反應(yīng)終點(diǎn)pH值為8左右。這表明在形成ITO前驅(qū)體的過(guò)程中，反應(yīng)pH值對(duì)形成前驅(qū)體的晶粒大小是有影響的。

圖3 不同pH值和煅燒溫度為650℃下所得到的ITO粉體的XRD圖

反應(yīng)終點(diǎn)pH值對(duì)ITO粉體粒度的影響，是由于在膠體懸浮液中，存在一種由表面電荷或ξ電勢(shì)引起的作用力。通過(guò)顆粒表面附近的離子型物質(zhì)的非化學(xué)計(jì)量吸附/解吸作用或者通過(guò)表面與水溶性介質(zhì)的反應(yīng)在顆粒表面產(chǎn)生表面電荷，膠體表面的電荷存在會(huì)增加膠體團(tuán)聚，從而影響粉體的粒徑?？梢酝ㄟ^(guò)調(diào)節(jié)溶液的pH值來(lái)控制表面電勢(shì)的形成，這樣由表面電荷引起的膠體間因相互吸引進(jìn)而引起的團(tuán)聚就可以消除。但是，另外當(dāng)反應(yīng)的終點(diǎn)pH值過(guò)低時(shí)，沉淀反應(yīng)又不完全，比較浪費(fèi)資源，因此反應(yīng)終點(diǎn)比較好的pH值為8左右。

圖4為pH值為8，不同煅燒溫度所制的ITO粉體的XRD圖，從圖4可知，在所研究的煅燒溫度范圍內(nèi)，在350℃煅燒后得到的粉末，晶化不完全，衍射峰出現(xiàn)寬化(結(jié)晶度為86.98%)，隨著溫度的提高，衍射峰逐漸銳化，然后，隨著溫度的進(jìn)一步提高，衍射峰的半高寬慢慢窄化，表明在煅燒溫度升高的情況下，ITO納米粉末的晶粒在長(zhǎng)大，結(jié)晶更完整。這在表2中可以得到證實(shí)，當(dāng)pH值一定，平均晶粒尺寸隨溫度上升而增大。

圖4 pH值為8，不同煅燒溫度下所得到的ITO粉體的XRD圖

表2 不同pH值和煅燒溫度與所制得的ITO納米粉末晶粒的關(guān)系

2.3 ITO納米粉體的比表面積的測(cè)定

實(shí)驗(yàn)采用了吸附法來(lái)測(cè)試粉體的比表面積。得到比表面積后再利用以下?lián)Q算公式計(jì)算［17］:

其中dBET是比表面積等效粒徑;ρ是密度(在此取In2O3的密度，為7.2 g/cm3);SBET是納米粉末所測(cè)得的比表面積。

根據(jù)團(tuán)聚系數(shù)公式:

式中CF是納米粉末的團(tuán)聚系數(shù);dBET是納米粉末的比表面積等效粒徑;d0是利用Jade6.0軟件算得的平均晶粒粒徑。

通過(guò)公式(1)和(2)，可得到納米粉末的比表面積等效粒徑dBET和團(tuán)聚系數(shù)CF，所得結(jié)果如表2所示。

從表2可以看出，在不同的終點(diǎn)pH值下所得到的納米ITO粉末的用Jade 6.0軟件算出的平均晶粒尺寸最小為13.2 nm?？梢岳斫鉃?，在反應(yīng)過(guò)程中反應(yīng)終點(diǎn)pH值比較低時(shí)，由于膠粒表面帶有H+會(huì)產(chǎn)生水化膜并且穩(wěn)定存在，當(dāng) pH值升高時(shí)，隨著［OH－］濃度升高，產(chǎn)生的水化膜就會(huì)被破壞，促使晶粒尺寸開(kāi)始變大，當(dāng)?shù)揭欢ǔ潭葧r(shí)，膠粒會(huì)由于整體帶負(fù)電而達(dá)到一種穩(wěn)定的狀態(tài)，晶粒很難繼續(xù)凝聚長(zhǎng)大。另外，pH值偏高時(shí)，水解速度過(guò)快又不利于控制粒子的粒徑，而pH值偏低又會(huì)使水解不完全造成產(chǎn)物收率下降。因此，反應(yīng)終點(diǎn)pH值不能過(guò)高也不能過(guò)低。綜合實(shí)驗(yàn)結(jié)果，pH值應(yīng)該選擇在8附近。

在反應(yīng)終點(diǎn)pH為8時(shí)，從表2中可以看出，在溫度為750℃時(shí)所得到的ITO粉末的平均晶粒尺寸比較小，比表面積很大，而團(tuán)聚系數(shù)卻是最小的。因此，既要保證粉體能夠完全晶化，又要保證粉體有好的分散性能，煅燒溫度做好選擇750℃左右。

2.4 SEM/TEM分析

圖5為pH=7、8、9，不同煅燒溫度所制的ITO粉末的SEM照片。從這組照片中，很清楚地看到，當(dāng)燒結(jié)溫度一定時(shí)，ITO粉末的形貌隨著pH值的增加，從近球形組經(jīng)變?yōu)殚L(zhǎng)條狀。并且可以看出，所制得的ITO納米粉整體上來(lái)說(shuō)，在pH=7和8條件下所得的ITO納米粉顆粒度均勻性要好，且形貌為近球形;而在pH值為9的ITO粉雖然顆粒分布狀態(tài)也較均勻，但是粒子的形貌卻變成了長(zhǎng)條狀。所以要得到形貌為近球形的ITO納米粉，pH值為9就不需再考慮。

從圖5(b)和5(e)中可以得出pH值為7和8，煅燒溫度為750℃的ITO納米粉末的分散性能很好，團(tuán)聚少，顆粒尺寸大概都在30～50 nm范圍內(nèi)。雖然這與XRD算出的只相差很大，但是這是正常的。這是因?yàn)橐话銖腟EM照片上看到的是顆粒的尺寸，而用Scherrer方程計(jì)算得到的卻是“晶?！背叽纾w粒與晶粒是有區(qū)別的。

圖5 不同條件下所制的ITO納米粉的SEM照片(a)pH=7，T=650℃;(b)pH=7，T=750℃;(c)pH=7，T=850℃; (d)pH=8，T=650℃;(e)pH=8，T=750℃;(f)pH=8，T=850℃; (g)pH=9，T=650℃;(h)pH=9，T=750℃。

為了證明Sn確實(shí)摻入到In2O3晶格中，對(duì)不同條件下制得的ITO粉體進(jìn)行EDS分析。圖6為不同條件下制得的樣品進(jìn)行能譜分析所獲得的圖譜，表明Sn元素的存在在且摻雜完全。而在XRD圖譜中未出現(xiàn)SnO2的衍射峰，進(jìn)一步說(shuō)明所制得的ITO納米粉末是一種In2O3的固溶體。(圖中第一、四個(gè)峰分別為C和Pt)

對(duì)各樣品中各元素的含量進(jìn)行EDS分析，從中可知各個(gè)樣品中In∶Sn的質(zhì)量比，表3為煅燒溫度為750℃，pH值為7和8下所制的納米粉中元素的含量。由于實(shí)驗(yàn)是按照In2O3∶SnO2的質(zhì)量比為9∶1來(lái)預(yù)計(jì)的，故而換算成In/Sn的質(zhì)量比應(yīng)該大約為9.45∶1。從整個(gè)EDS分析數(shù)據(jù)來(lái)看，煅燒溫度為750℃時(shí)的，In/Sn的質(zhì)量比分別為9.52∶1和9.5∶1，相比其它煅燒溫度，在750℃時(shí)，與理論值9.45∶1最接近，這也說(shuō)明選擇750℃是最好的，這與前面的結(jié)果一致。因此，為了能讓Sn更好地?fù)诫s使Sn4+取代In2O3晶格中的In3+，化學(xué)共沉淀的反應(yīng)終點(diǎn)pH值應(yīng)該選在8左右，煅燒的溫度應(yīng)該選擇750℃左右。

圖6 不同條件下制得的ITO納米粉的EDS譜圖(a)pH=7，T=750℃;(b)pH=8，T=750℃

表3 不同實(shí)驗(yàn)條件下制的ITO納米粉的各元素含量 %

圖7為pH值為8，在750℃下煅燒2 h所得到的ITO納米粉末試樣的TEM結(jié)果。從圖7中可以看出所得的ITO納米粉形貌為近球形，顆粒粒徑分布較窄，約在30～60 nm范圍內(nèi)單分散性要好很多且團(tuán)聚少。

圖7(b)為pH=8、在750℃下煅燒2 h所制得的ITO粉末的選區(qū)電子衍射(SAED)圖譜，從圖中可以發(fā)現(xiàn)SAED圖譜都是一系列的同心圓環(huán)，這說(shuō)明所制得的ITO納米粉末顆粒為多晶結(jié)構(gòu)。對(duì)圖7 (b)中的衍射環(huán)運(yùn)用DigitalMicrograph軟件進(jìn)行分析處理，測(cè)量各個(gè)衍射環(huán)的半徑值為別為:2.420 nm， 3.421 nm，3.953 nm，5.589 nm，6.552 nm(從內(nèi)到外)，換算成晶面間距分別為:0.413 22 nm，0.292 28 nm，0.252 97 nm，0.178 92 nm，0.152 63 nm。

圖7 pH值為8，煅燒溫度為750℃時(shí)ITO納米粉末的TEM和SAED分析照片

理論上，In2O3的各個(gè)晶面間距(PDF卡片:卡片號(hào)為 71－2195#中面間距)分別是(211)晶面0.413 02 nm，(222)晶面0.292 05 nm，(400)晶面0.252 92 nm，(440)晶面0.178 85 nm，(622)晶面0.152 52 nm。通過(guò)將實(shí)測(cè)的值與理論值比較可知，發(fā)現(xiàn)實(shí)測(cè)值比理論值都略大。這是因?yàn)椋肐TO納米粉是Sn摻雜的In2O3的固溶體，其晶格參數(shù)比In2O3的要大，故而SAED得出的晶面間距比理論值要大。

對(duì)對(duì)應(yīng)粉末的XRD圖譜進(jìn)行晶格擬合計(jì)算，其平均晶胞參數(shù)為a=1.012 311 nm，而根據(jù)公式:(由于In2O3為立方結(jié)構(gòu))

可以計(jì)算出，(211)晶面0.413 27 nm，(222)晶面0.292 23 nm，(400)晶面0.253 08 nm，(440)晶面0.178 95 nm，(622)晶面0.152 61 nm。。將算出的值與測(cè)出的值對(duì)比可以發(fā)現(xiàn)，兩者基本相符。

綜上所述，采用反應(yīng)條件為pH值為8、煅燒溫度為750℃制備的ITO納米粉末，不僅在宏觀和微觀上形貌均勻，為近球形，顆粒均勻，粒徑小，粒徑分布窄，尺寸約在30～60 nm范圍內(nèi)，團(tuán)聚少;而且結(jié)晶較好，物相單一，Sn的摻入只是會(huì)使晶格發(fā)生畸變而形成固溶體。

2.5 紅外光譜分析

ITO納米粉末的一個(gè)重要特性就是對(duì)紅外光有很強(qiáng)的反射性。為了了解所獲得的粉末的這種特性，對(duì)其進(jìn)行紅外光譜分析，圖8為在750℃煅燒2 h、不同pH條件下所得到的ITO納米粉的IR譜。

圖8中3 456 cm－1左右處的吸收帶主要是因?yàn)镺－H鍵造成的，位于500 cm－1左右處主要是有In－O鍵造成的，為In2O3的特征譜帶。在波數(shù)為840～3 164 cm－1時(shí)，所制的ITO粉末有非常強(qiáng)的反射紅外光的能力。在煅燒溫度為750℃時(shí)，pH值為8的ITO納米粉末對(duì)紅外光的反射率范圍最寬，約為66%～94%，可以知道其對(duì)紅外光有很強(qiáng)烈的反射能力。

圖8 ITO納米粉末的紅外光譜圖

另外，將ITO粉末的IR譜與In2O3的標(biāo)準(zhǔn)IR譜進(jìn)行比對(duì)，發(fā)現(xiàn)其與In2O3的IR譜是基本相同的，但是在對(duì)紅外光的反射程度方面ITO卻明顯高于In2O3。

3 結(jié)論

1.ITO粉體的前驅(qū)體主要是In(OH)3，含有少量的非晶相;要想使Sn很好地?fù)诫s而獲得ITO納米粉，則煅燒前驅(qū)體的溫度要高于330℃;所制得的ITO納米粉的XRD圖譜中沒(méi)有SnO2相的出現(xiàn)，只有In2O3的衍射峰，呈顯著的單相結(jié)構(gòu)，形成了具有立方結(jié)構(gòu)的In2O3固溶體。

2.當(dāng)pH值為7和8時(shí)，所得到的ITO納米粉末形貌為近球形，而當(dāng)pH值增大到9時(shí)，ITO納米粉末開(kāi)始變?yōu)殚L(zhǎng)短不一的長(zhǎng)條狀;在溫度為750℃時(shí)，Sn的摻雜量很接近理論值(In∶Sn的質(zhì)量比為9.45∶1)。

3.在液相中加入硅酸鈉，反應(yīng)溫度為60℃，反應(yīng)終點(diǎn)pH值為8，老化制度為60 min，煅燒制度為750℃/2 h的工藝條件下，所制得的ITO納米粉是具有立方結(jié)構(gòu)的In2O3固溶體，且呈顯著的單項(xiàng)結(jié)構(gòu)，不含SnO2相，粉體粒徑在30～60 nm之間，比表面積為34.26 m2/g，形貌為近球形，顆粒均勻，且分散性能良好，在波數(shù)840～3 164 cm－1范圍內(nèi)對(duì)紅外光的反射率高達(dá)66%～94%。

［1］ T.Kayukawa，H.Shigetani，M.Senna.Preparation of high-density ITO ceramics by an insitu precipitation method［J］.Journal of Materials Science Letters，1995，14:252－255.

［2］ N.C.Pramanik，S.Das，P.K.Biswas.The effects of Sn(IV)on transformation of co-precipitated hydrated In(III)and Sn(IV)hydroxides to indiumtin oxide(1TO)powders［J］.Materials Letters，2002，56:67l－679.

［3］ 劉世友.銦錫氧化物薄膜的生產(chǎn)現(xiàn)狀及應(yīng)用［J］.材料科學(xué)與工程，1999，17(2):98－100.

［4］ 鐘毅，王達(dá)健，劉榮佩.銦錫氧化物靶材的應(yīng)用及管材的爆炸成型［J］.稀有金屬材料與工程，1997，26(4):60－63.

［5］ 紀(jì)安妮，孫書(shū)農(nóng)，柳兆洪，等.室溫射頻磁控濺射沉積ITO薄膜的研究［J］.廈門(mén)大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)，1997，36(2):221－224.

［6］ 高愈尊，李永洪，張?zhí)┧?銦錫氧化物納米粉的顯微結(jié)構(gòu)［J］.中國(guó)有色金屬學(xué)報(bào)，1998，8(2):278－281.

［7］ 文友.銦錫氧化物薄膜的生產(chǎn)、應(yīng)用與開(kāi)發(fā)［J］.稀有金屬與硬質(zhì)合金，1997，9:56－59.

［8］ LIMMER S J，TAKAHASHI K，CAO Guo-zhong.Electrochromic and transparent conducting oxide nanorods［C］.Proc SPIE，2003.

［9］ Sujatha D P，Chatterjee M，Ganguli D.Indium tin oxide nano-particles through and emulsion technique［J］.Mater Lett，2002，55(4): 205－210.

［10］ YU Da-bin，WANG De-bao，YU Wei-chao，et al.Synthesis of ITO nanowires and nanorods with corundum structure by a co-precipitation-anneal method［J］.Mater Lett，2003，58(1－2):84－87.

［11］ KIM K Y，PARK S B.Preparation and property control of nanosized indium tin oxide particle［J］.Mater Chem Phys，2004，86 (1):210－221.

［12］ CHEN Shu-guang，LI Chen-hui，XIONG Wei-hao，et al.Preparation of indium-tin oxide(ITO)aciculae by a novel concentrationprecipitation and post-calcination method［J］.Mater Lett，2004，58 (3－4):294－298.

［13］ LI Shi-tao，QIAO Xue-liang，CHEN Jian-guo，et al.Effects of temperature on indium tin oxide particles synthesized by co-precipitation［J］.Journal of Crystal Growth，2006，289(1):151－156.

［14］ DAI L，CHEN X L，JIAN J K，et al.Fabrication and characterization of In2O3nanowires［J］.Appl Phys A，2002，75(6):687－689.

［15］ ZHU Hong-liang，WANG Yong.Hydrothermal synthesis of indium hydroxide nanocubes［J］.Materials Letters，2004，58(21):2 631－2 634.

［16］ 張維佳，王天民.ITO前驅(qū)物氫氧化銦In(OH)3理論研究［J］.物理學(xué)報(bào)，2004，53(6):1 923－1 929.

［17］ DUAN Xue-chen，ZHU Xie-bin.Effects of heat treatment on nano-size ITO powder during its preparation［J］.Nanoscience＆Technology，2005，5:39－43.