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PONODN中OTDR檢測(cè)能力分析研究

2013-02-28 03:05歐月華
電信科學(xué) 2013年1期
關(guān)鍵詞:獨(dú)立式卡式外置

歐月華,任 艷

(中國(guó)電信股份有限公司廣州研究院 廣州510630)

1 引言

在PON中,如果僅需要定位光纖故障的段落(主干光纖還是分支光纖),可以通過(guò)網(wǎng)管監(jiān)控定位,但要定位光纖故障的精確位置,就必須要引入OTDR(optical time domain reflectometer,光時(shí)域反射)測(cè)試,以實(shí)現(xiàn)快速故障檢測(cè)、定位和修復(fù),提高運(yùn)行維護(hù)和搶修故障的效率。

2 OTDR原理和實(shí)現(xiàn)方式

2.1 OTDR原理

OTDR技術(shù)原理是激光光源發(fā)送信號(hào)到光纖中,檢測(cè)器接收從光纖鏈路中不同元素反射的光。發(fā)送的信號(hào)是一個(gè)短脈沖,攜帶有一定數(shù)量的能量。然后,時(shí)鐘精確計(jì)算出脈沖傳播的時(shí)間,將時(shí)間轉(zhuǎn)換為距離,便可以得知該光纖的屬性。當(dāng)脈沖沿著光纖傳播時(shí),由于連接和光纖自身的反射,小部分脈沖能量會(huì)返回OTDR的檢測(cè)器。當(dāng)脈沖完全返回檢測(cè)器時(shí),發(fā)送第二個(gè)脈沖,直到取樣時(shí)間結(jié)束。因此,OTDR會(huì)立刻執(zhí)行多次取樣并平均化、執(zhí)行信號(hào)處理以提供鏈路元件的清晰特性圖,除了計(jì)算總鏈路長(zhǎng)度、總鏈路損耗和光纖衰減外,還計(jì)算每個(gè)事件的距離、損耗和反射。

2.2 OTDR實(shí)現(xiàn)方式比較

傳統(tǒng)的OTDR主要應(yīng)用在骨干網(wǎng)、城域網(wǎng)中進(jìn)行點(diǎn)到點(diǎn)測(cè)試。對(duì)于PON,OTDR光纖實(shí)現(xiàn)方式主要有外置獨(dú)立式OTDR、板卡式OTDR、光模塊內(nèi)置OTDR 3種,具體介紹如下。

·外置獨(dú)立式OTDR:可以是手持式OTDR或者安裝在局端機(jī)房的OTDR設(shè)備。對(duì)于局端機(jī)房的OTDR設(shè)備,通過(guò)光開(kāi)關(guān)和合波器連接到1個(gè)或多個(gè)PON口下,實(shí)現(xiàn)相關(guān)PON口下的ODN測(cè)試。

·板卡式OTDR:OTDR板卡內(nèi)置于OLT框架的插槽中,光開(kāi)關(guān)和合波器外置將OTDR連至PON口,或者在OTDR板卡內(nèi)集成能夠提供OTDR功能的模塊、光開(kāi)關(guān)和合波器。

·光模塊內(nèi)置OTDR:OTDR功能集成在OLT PON口的光模塊里,可對(duì)每個(gè)PON口下的ODN進(jìn)行檢測(cè)。

目前外置獨(dú)立式OTDR是比較成熟的測(cè)試方案,可以較好地測(cè)試主干以及分支光纖的反射和衰減事件,基本可以判斷分支光纖的故障點(diǎn)位置。板卡式OTDR的實(shí)現(xiàn)原理與外置獨(dú)立式OTDR一樣,它的測(cè)試效果與外置獨(dú)立式OTDR基本相當(dāng)。光模塊內(nèi)置OTDR方式是一種新興的光鏈路檢測(cè)技術(shù),但實(shí)際的技術(shù)指標(biāo)(如動(dòng)態(tài)范圍、盲區(qū)等)都比外置獨(dú)立式OTDR低。

在本文中,外置獨(dú)立式OTDR、板卡式OTDR的性能要求相同,它們的指標(biāo)評(píng)估建議與光模塊內(nèi)置OTDR區(qū)分開(kāi)。

3 PON ODN對(duì)OTDR基本參數(shù)和測(cè)試性能的要求

3.1 OTDR基本參數(shù)的分析建議

OTDR的基本參數(shù)包括光纖類型、測(cè)試波長(zhǎng)、脈沖寬度、峰值功率、折射率、測(cè)試時(shí)間、量程和采樣分辨率等。

(1)光纖類型和折射率

目前PON ODN主干和配線基本使用G.652光纖,入戶使用G.657光纖,因此OTDR必須能夠支持兩種光纖的測(cè)試,同時(shí)為了實(shí)現(xiàn)更準(zhǔn)確的測(cè)試,要求OTDR能夠根據(jù)光纖類型設(shè)置折射率。

(2)測(cè)試波長(zhǎng)

考慮到下一代PON使用的通信波長(zhǎng)擴(kuò)展到L段(1 565~1 625 nm)波長(zhǎng)以及濾波器的實(shí)現(xiàn)難度,建議外置獨(dú)立式和板卡式OTDR使用1 650 nm測(cè)試波長(zhǎng);而對(duì)于光模塊內(nèi)置OTDR,則可以選擇3種測(cè)試波長(zhǎng)分別實(shí)現(xiàn),包括上行通信波長(zhǎng)、下行通信波長(zhǎng)和非通信波長(zhǎng)(1 650 nm)。

(3)脈沖寬度測(cè)試時(shí)間和量程

按照PON ODN測(cè)試中不同的動(dòng)態(tài)范圍和精度要求,需要實(shí)現(xiàn)OTDR的脈寬和測(cè)試時(shí)間可調(diào)。同樣,按照測(cè)試光纖長(zhǎng)度的不同,要求OTDR的量程必須可調(diào)。

另外,如果實(shí)現(xiàn)0.5 m的精度,理論上需要5 ns脈寬進(jìn)行測(cè)試,因此最小能夠調(diào)節(jié)的脈寬建議為5 ns。而對(duì)于光模塊內(nèi)置OTDR,由于激光器功耗和體積的影響,晶振受限,最小可調(diào)節(jié)的脈寬建議為10 ns。

(4)峰值功率

對(duì)于外置獨(dú)立式和板卡式OTDR的實(shí)現(xiàn)方式,激光器主要考慮人眼安全,按照≤50 mW進(jìn)行約束,等效為≤17 dBm。

(5)采樣分辨率

如果要達(dá)到0.5 m的精度,采樣分辨率不能超過(guò)0.5 m。對(duì)于光模塊內(nèi)置OTDR,考慮其實(shí)現(xiàn)難度,則建議放寬至1 m。

因此,OTDR的基本參數(shù)建議見(jiàn)表1和表2。

表1 外置獨(dú)立式和板卡式OTDR基本參數(shù)建議

表2 光模塊內(nèi)置OTDR基本參數(shù)建議

3.2 OTDR基本測(cè)試性能分析建議

OTDR的基本測(cè)試性能項(xiàng)包括距離不確定、動(dòng)態(tài)范圍、事件盲區(qū)和衰減盲區(qū)等。

(1)距離不確定度

不考慮光纖折射率引起的差異,OTDR的距離不確定度可以由下式計(jì)算:距離不確定度=固有差異+晶振差異×距離+采樣分辨率。影響距離不確定度的各個(gè)參數(shù)取值見(jiàn)表3。

(2)動(dòng)態(tài)范圍

動(dòng)態(tài)范圍與檢測(cè)脈沖的寬度以及檢測(cè)時(shí)間有關(guān),定義為OTDR端口的后向散射電平和噪聲電平的差值,表達(dá)單向光纖的損耗。在本文中,噪聲電平指定為98%的噪聲電平的高度。由于PON ODN測(cè)試距離較短,需要選擇一個(gè)合適的脈寬以及合適的測(cè)量時(shí)間,充分體現(xiàn)這個(gè)參數(shù)的意義。

(3)事件盲區(qū)和衰減盲區(qū)

事件盲區(qū)(event dead zone,EDZ)是菲涅爾反射后OTDR可在其中檢測(cè)到另一個(gè)事件的最小距離。事件盲區(qū)的規(guī)格,最通用的業(yè)界方法是測(cè)量反射峰的每一側(cè)-1.5 dB處之間的距離或者測(cè)量從事件開(kāi)始直到反射級(jí)別從其峰值下降到-1.5 dB處的距離,如圖1所示。在本文中,采用后者的檢測(cè)方法。

衰減盲區(qū)(atenuation dead zone,ADZ)是菲涅爾反射之后,OTDR能在其中精確測(cè)量連續(xù)事件損耗的最小距離。所需的最小距離是從發(fā)生反射事件時(shí)開(kāi)始,直到反射降低到光纖的背向散射級(jí)別的0.5 dB。

EDZ和ADZ的示意如圖1所示。

PON中一些機(jī)房?jī)?nèi)可能存在一些比較短的光纖跳纖,或者出現(xiàn)相對(duì)距離較短其他反射/衰減事件,如果EDZ和ADZ過(guò)長(zhǎng),一些連接器或故障可能會(huì)被漏掉,技術(shù)人員無(wú)法識(shí)別它們,這使得定位潛在問(wèn)題的工作更加困難,因此實(shí)現(xiàn)OTDR的EDZ和ADZ盡可能短是非常重要的。

另外,由于不同的反射事件、不同的鏈路損耗和不同的脈沖寬度會(huì)測(cè)量出不一樣的EDZ和ADZ,因此必須確定脈沖寬度和激光脈沖經(jīng)過(guò)來(lái)回鏈路散射和某反射事件的菲涅爾反射后返回到OTDR接收機(jī)的損耗,統(tǒng)一檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn),結(jié)合實(shí)際運(yùn)維的需求,給出EDZ和ADZ的建議值。

因此,OTDR的基本測(cè)試性能建議見(jiàn)表4和表5。

表3 距離不確定度影響參數(shù)取值建議

圖1 EDZ和ADZ示意

表4 外置獨(dú)立式和板卡式OTDR基本測(cè)試性能建議

表5 光模塊內(nèi)置OTDR基本測(cè)試性能建議

4 典型ODN場(chǎng)景下OTDR的檢測(cè)能力分析和建議

4.1 典型PON ODN故障發(fā)生場(chǎng)景

為了方便評(píng)估OTDR的檢測(cè)能力,選擇常見(jiàn)ODN場(chǎng)景進(jìn)行評(píng)估(二級(jí)分光方式,分光比為1∶64,即兩個(gè)1∶8光分路器級(jí)聯(lián))。以下為該場(chǎng)景中不同位置出現(xiàn)光纖斷纖、光纖彎曲等反射或衰減事件的幾種情況,分別如圖2~圖4所示。

4.2 OTDR反射衰減能力分析建議

要滿足一定的運(yùn)維要求,外置獨(dú)立式、板卡式和光模塊內(nèi)置OTDR應(yīng)能支持以下反射事件的檢測(cè)。

·回波損耗為60 dB反射事件(95%以上斷纖),OTDR與該反射事件之間的ODN衰減為10 dB。OTDR檢測(cè)該事件的能力,相當(dāng)于OTDR基本上能夠檢測(cè)主干上距離OLT 20 km以內(nèi)95%以上的斷纖故障以及連接器等的反射事件,如圖2所示。

·回波損耗為41 dB(50%斷纖)和51 dB反射事件(90%斷纖),OTDR與該反射事件之間的ODN衰減21 dB。OTDR檢測(cè)回波損耗51 dB的反射事件的能力,相當(dāng)于OTDR基本上能夠檢測(cè)1∶8分光后一級(jí)分支上距離OLT 20 km以內(nèi)90%以上的斷纖故障,如圖3所示。其中51 dB和41 dB的反射事件的檢測(cè)對(duì)應(yīng)不同的事件分辨率的需求。

·回波損耗為15dB反射事件(UPC端面反射),OTDR與該反射事件之間的ODN衰減32 dB。OTDR檢測(cè)該事件的能力,相當(dāng)于OTDR基本上能夠檢測(cè)1∶64分光后二級(jí)分支上距離OLT 20 km以內(nèi)光纖活動(dòng)連接器開(kāi)路的UPC端面反射事件,如圖4所示。

圖2 主干上反射/衰減事件

圖3 一級(jí)分支上反射/衰減事件

圖4 二級(jí)分支上反射/衰減事件

表6和表7給出不同場(chǎng)景中,OTDR檢測(cè)距離OLT 20 km內(nèi)的的反射事件的相關(guān)指標(biāo)要求建議,包括最小的動(dòng)態(tài)范圍、最大的測(cè)試時(shí)間和反射事件分辨率。

表8和表9給出不同場(chǎng)景中,OTDR檢測(cè)距離OLT 20 km內(nèi)的衰減事件相關(guān)指標(biāo)要求建議,包括最小的動(dòng)態(tài)范圍、最大的測(cè)試時(shí)間和衰減事件分辨率。

表6 外置獨(dú)立式和板卡式OTDR對(duì)反射事件檢測(cè)能力建議

表7 光模塊內(nèi)置OTDR對(duì)反射事件檢測(cè)能力建議

表8 外置獨(dú)立式和板卡式OTDR對(duì)衰減事件檢測(cè)能力建議

表9 光模塊內(nèi)置OTDR對(duì)衰減事件檢測(cè)能力建議

其中,對(duì)主干檢測(cè)兩個(gè)0.3 dB的衰減事件,為避免反射事件引起的衰減盲區(qū)的影響,事件分辨率建議5 m;對(duì)1∶8分光后的分支檢測(cè)大于或等于3 dB的衰減事件;而對(duì)1∶64分光后分支的衰減事件對(duì)應(yīng)在OTDR檢測(cè)曲線上的損耗不足0.1 dB,目前所有OTDR實(shí)現(xiàn)方式都無(wú)法檢測(cè)。

5 結(jié)束語(yǔ)

PON ODN結(jié)構(gòu)和所處環(huán)境復(fù)雜多樣且存在多種無(wú)源器件,只有結(jié)合PON ODN下的具體場(chǎng)景和滿足相關(guān)需求,OTDR才能夠有效地實(shí)現(xiàn)PON光鏈路的檢測(cè),成為PON ODN運(yùn)營(yíng)維護(hù)、故障檢測(cè)的一種重要手段,實(shí)現(xiàn)主動(dòng)運(yùn)維,大大提高了網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量和服務(wù)效率。

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