陳 波 晁 侃 吳健康
華中科技大學(xué),武漢,430074
電滲流是微機(jī)電系統(tǒng)中最重要的流體驅(qū)動(dòng)技術(shù)之一。利用電滲流機(jī)理形成的電滲流泵具有易于加工和控制、無(wú)需移動(dòng)部件、較高的可重復(fù)性和可靠性等優(yōu)點(diǎn)。1998年,Ramos等[1]在實(shí)驗(yàn)研究過(guò)程中發(fā)現(xiàn)了交流電滲流現(xiàn)象,提出了交流電滲流的概念。利用交流電滲流驅(qū)動(dòng)技術(shù)的低電壓和交變信號(hào),可在實(shí)現(xiàn)溶液混合的同時(shí),極大地抑制電解反應(yīng)的發(fā)生[2-7]??梢?jiàn),研究交流電滲流微泵具有重要的理論意義和應(yīng)用價(jià)值[8-11]。傳統(tǒng)的交流電滲流采用非對(duì)稱(chēng)電極進(jìn)行流體驅(qū)動(dòng),在實(shí)際應(yīng)用中存在流量偏小的問(wèn)題。最近的研究表明,在微通道壁面一系列離散電極上施加等相位差的交變行波電場(chǎng),也能產(chǎn)生定向電滲流量[12-16],一般稱(chēng)之為行波電場(chǎng)電滲流。相對(duì)于傳統(tǒng)的非對(duì)稱(chēng)電極,在不增大交變電場(chǎng)強(qiáng)度的條件下,行波電滲流微泵可以明顯提高微泵的流量[17],而且電極高度對(duì)行波電滲流流量有重要的影響[18]。由于求解完整理論解析解非常困難,在行波電滲流的研究中,一般采用了簡(jiǎn)化的數(shù)學(xué)模型,即忽略雙電層的厚度影響,在電極的壁面上采用滑移速度邊界條件,將電場(chǎng)和流場(chǎng)解耦后進(jìn)行計(jì)算[15-18]。這種方法一般只在雙電層厚度相對(duì)于微通道特征尺度(如深度或?qū)挾龋┍戎禈O小,以及行波驅(qū)動(dòng)電壓小于雙電層特征電壓(25mV)時(shí)才近似成立[18]。但采用該種方法進(jìn)行研究時(shí),需要求解耦合的Poisson-Nernst-Planck(PNP)方程,計(jì)算難度大,國(guó)內(nèi)外鮮見(jiàn)相關(guān)報(bào)道。Pribyl等[19]和 Hrdlicka等[20]成功地將該方法應(yīng)用于交流電滲流的研究,但他們?cè)趯?duì)行波電滲流進(jìn)行研究時(shí),只考察了行波波長(zhǎng)對(duì)電滲流流量的影響,而沒(méi)有考慮通道深度對(duì)流量的影響。此外,Hrdlicka等[20]在研究行波電滲流時(shí),用行波波長(zhǎng)作為衡量雙電層厚度相對(duì)大小的尺度并不準(zhǔn)確,如當(dāng)行波波長(zhǎng)相對(duì)于通道深度較大時(shí),仍然采用行波波長(zhǎng)作為衡量尺度明顯和實(shí)際情況不符。本文采用通道深度作為衡量雙電層厚度相對(duì)大小的尺度,詳細(xì)分析了驅(qū)動(dòng)電壓大小、行波波長(zhǎng)以及雙電層厚度和通道深度對(duì)電滲流微泵流量的影響。研究結(jié)果為行波電滲流微泵的研制提供了理論分析基礎(chǔ)和數(shù)值模擬手段。
行波電滲流微泵由絕緣的基底材料(硅或玻璃)構(gòu)成電滲流微通道,微通道的截面寬度遠(yuǎn)大于通道深度(y方向),其行波電滲流可簡(jiǎn)化為長(zhǎng)度和深度(x-y)的二維流動(dòng)模型。通過(guò)微加工技術(shù)在微通道內(nèi)壁面粘貼一系列與電解質(zhì)絕緣的離散微電極,每個(gè)電極施加振幅和頻率相同,但存在相位差的交變電壓,相鄰電極的相位差角相等,形成行波電場(chǎng)。行波電滲流微泵的結(jié)構(gòu)如圖1所示。行波電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)通道內(nèi)的溶液流動(dòng)時(shí),壁面電位允許近似采用連續(xù)的行波電場(chǎng)表示,即
式中,A為行波電場(chǎng)幅值;ω為圓頻率(物理頻率為f=ω/(2π));k為波數(shù),k=2π/L;L為行波波長(zhǎng)。
由于行波電場(chǎng)電滲流在微通道方向具有周期性,故只需截取一個(gè)行波波長(zhǎng)L的微通道單元進(jìn)行數(shù)值分析,各單元之間由重復(fù)的周期性邊界條件連接。
圖1 行波電滲流微泵的結(jié)構(gòu)
通道壁面采用無(wú)滑移邊界條件,通道進(jìn)出口采用周期性邊界條件。微通道中充滿(mǎn)電解質(zhì)溶液,在行波信號(hào)的驅(qū)動(dòng)下產(chǎn)生電滲流流動(dòng)。不可壓縮流體的連續(xù)方程和Navier-Stokes(NS)方程為
式中,i、j為x和y方向的單位矢量;ρe2ψ為作用于流體的行波電場(chǎng)力;V(u,v)為流體速度矢量;ρ為溶液密度;μ為流體黏度;p為壓強(qiáng);ρe為流體電荷體積密度;ψ為行波電場(chǎng)感應(yīng)的電位勢(shì)。
感應(yīng)電位勢(shì)ψ滿(mǎn)足如下Poisson方程[21]:
式中,c+、c-為溶液正負(fù)離子摩爾濃度;ε為溶液介電常數(shù);F為法拉第常數(shù)。
電極表面的行波電位勢(shì)為
微通道上壁面為絕緣邊界條件,n·2ψ=0,其中,n為壁面法向矢量。
離子輸運(yùn)的Nernst-Planck方程為
式中,D為離子擴(kuò)散系數(shù);R為摩爾氣體常數(shù);T為絕對(duì)溫度。
忽略法拉第電流的影響,壁面邊界條件為n·Jj=0。
行波電壓很小時(shí),可忽略雙電層的厚度影響,用簡(jiǎn)化的邊界滑移模型求解行波電場(chǎng)電滲流[9-11]。由等效電路模型原理可知,若把雙電層內(nèi)被極化的流體區(qū)域當(dāng)作電容,則雙電層之外呈現(xiàn)電中性部分的流體則被視作電阻;電極表面采用電滲流Helmholtz-Smoluchowski速度為邊界滑移速度,直接計(jì)算微通道內(nèi)部電滲流。這等價(jià)于把雙電層影響近似為壁面滑移速度,避開(kāi)了雙電層電場(chǎng)計(jì)算,其數(shù)值解得到大大簡(jiǎn)化。我們將上述的數(shù)值解稱(chēng)之為滑移邊界近似解。對(duì)于圖1所示的物理模型,電極上所施加的電位勢(shì)在泵腔內(nèi)的分布滿(mǎn)足Laplace方程[11]:
若把電極表面雙電層內(nèi)的擴(kuò)散層看成一個(gè)電容,則相應(yīng)的電位勢(shì)邊界條件[11]為
式中,Cd為雙電層電容;σ為溶液電導(dǎo)率。
電極上的行波電位勢(shì)為
壁面絕緣層滿(mǎn)足絕緣邊界條件,通道進(jìn)出口為周期性邊界條件。
不可壓縮Navier-Storks方程可簡(jiǎn)化為
微通道進(jìn)出口為周期性條件,壁面絕緣層為無(wú)滑移速度邊界條件。電極表面采用速度滑移邊界條件:
式中,t為電極表面切矢量。
圖2 泵流平均流速與行波頻率關(guān)系≈1≈0.01)
圖3 泵流平均流速與行波頻率關(guān)系≈10≈0.01)
圖4 泵流平均流速與行波頻率關(guān)系≈1≈0.1)
圖5 泵流平均流速與行波頻率關(guān)系≈10≈0.1)
將行波電滲流微泵的尺寸參數(shù)等比例縮小至原參數(shù)的1/10(H=1μm=λ/H=0.1),平均流速與行波頻率的關(guān)系如圖4、圖5所示。由于通道深度變小,邊界滑移解往往會(huì)大于電滲流平均流速。在某些條件下,邊界滑移解的平均流速甚至?xí)笥谛胁úㄋ伲?0],表明邊界滑移解明顯有誤。對(duì)較淺的微通道(較小的值),必須采用耦合PNP方程和NS方程求解。在壁面高電位≈10)、淺通道≈0.1)的情況下,邊界滑移解誤差會(huì)更大(圖5)。
圖6所示為泵流平均流速最大值與雙電層厚度的關(guān)系,圖6結(jié)果表明,由于忽略了雙電層厚度的影響,邊界滑移解的電滲流平均流速被高估。雙電層厚度相對(duì)于通道深度比值越大,誤差越明顯。當(dāng)雙電層厚度比通道深度小很多時(shí),邊界滑移解與PNP解一致。
圖6 泵流平均流速最大值與雙電層厚度關(guān)系≈1)
為了研究行波波長(zhǎng)對(duì)電滲流平均流速的影響,保持微泵深度不變(H=10μm),波長(zhǎng)深度比L/H 分別為2、4、6、10,電滲流平均流速與行波頻率的關(guān)系如圖7所示,圖中≈0.01(相對(duì)深通道),溶液摩爾濃度c0=10mol/dm3)。由圖7可以看出,電滲流速度隨波長(zhǎng)增加而降低,速度峰值頻率隨著波長(zhǎng)的增加而向低頻轉(zhuǎn)移。
圖7 泵流平均流速與行波頻率關(guān)系≈1≈0.01)
在圖8所示的泵流平均流速與行波頻率關(guān)系中,令溶液摩爾濃度c0=0.1mol/dm3,由Debye長(zhǎng)度的定義可知≈0.1(相對(duì)淺微通道,λ =1μm)。由圖8可以看出,電滲流速度隨著波長(zhǎng)的增加而降低,速度峰值頻率亦隨著波長(zhǎng)的增加而向低頻轉(zhuǎn)移。
圖8 泵流平均流速與行波頻率關(guān)系≈1≈0.1)
采用滑移邊界近似解,允許將電場(chǎng)和流場(chǎng)分開(kāi)求解,雖可以簡(jiǎn)化數(shù)值解,但只能在雙電層厚度相對(duì)于微通道深度和壁面極化電壓都很小的條件下近似成立;對(duì)極化電壓較高或雙電層厚度相對(duì)于通道深度比值較大時(shí),邊界滑移解的實(shí)際電滲流速度會(huì)被高估。此前提下,耦合的PNP方程和NS方程是包含電滲流雙電層的精確描述,能更加準(zhǔn)確地對(duì)行波電滲流微泵進(jìn)行研究。研究表明,當(dāng)行波電場(chǎng)周期接近微通道雙電層充電時(shí)間時(shí),電滲流平均速度達(dá)到最大值。增大行波電場(chǎng)幅值,可以提高電滲流平均流速。當(dāng)雙電層厚度相對(duì)于通道深度比值和行波波長(zhǎng)增大時(shí),電滲流平均流速減小。
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