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Microsemi發(fā)布RF前端模塊突破性技術(shù)平臺(tái)

2012-08-15 00:51:01本刊通訊員
電子與封裝 2012年2期
關(guān)鍵詞:半導(dǎo)體技術(shù)突破性電路板

致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司近日發(fā)布以硅鍺(SiGe)技術(shù)為基礎(chǔ)的4G RF前端模塊(FEM)突破性技術(shù)平臺(tái)。該公司已采用此創(chuàng)新平臺(tái)開(kāi)發(fā)下一代IEEE 802.11ac無(wú)線網(wǎng)絡(luò)(WLAN)前端模塊。IEEE 802.11ac被業(yè)界視為第五代WiFi或5G WiFi。

Microsemi的新平臺(tái)在單一SiGe芯片上集成了多個(gè)濾波器、開(kāi)關(guān)、LNA和功率放大器,能支持多重輸入/輸出(MIMO)功能。高度的集成性能顯著降低成本與減少印刷電路板面積,這是設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)智能手機(jī)與平板電腦等產(chǎn)品時(shí)的重要考慮。

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