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針刺對缺血性腦血管病的分子生物學(xué)調(diào)節(jié)機制的研究進展*

2010-02-10 09:31:59劉曉華沈梅紅李忠仁
針灸臨床雜志 2010年6期
關(guān)鍵詞:腦缺血電針腦組織

劉曉華,沈梅紅,李忠仁

(南京中醫(yī)藥大學(xué)第二臨床醫(yī)學(xué)院,江蘇南京 210046)

缺血性腦血管疾病屬中醫(yī)“中風(fēng)”的范疇,包括短暫性腦缺血發(fā)作、腦血栓形成和腦栓塞,是中老年人常見病,具有發(fā)病率高、致殘率高、死亡率高、治愈率低的特點,嚴(yán)重影響人類的身心健康和生活質(zhì)量。當(dāng)前對該病的防治已成為醫(yī)學(xué)研究的重要課題。許多研究資料從實驗研究方面證實[1]:針刺對缺血性腦血管病的神經(jīng)元的受損具有確切的療效及保護作用,其機制研究目前已從整體水平深入到細胞和分子水平。本文將就近年來針刺對缺血性腦血管病保護作用的分子生物學(xué)調(diào)節(jié)機制作一系統(tǒng)回顧并綜述如下。

1 抑制細胞凋亡

腦缺血后引起的遲發(fā)性神經(jīng)元損傷即凋亡,涉及蛋白質(zhì)合成和復(fù)雜的信號級聯(lián)反應(yīng),是缺血性神經(jīng)元損傷的最延遲環(huán)節(jié)。鄒氏等[2]發(fā)現(xiàn)針刺可抑制腦局部缺血后 c-fos蛋白的表達,進而調(diào)控其后發(fā)的凋亡相關(guān)基因,發(fā)揮抑制細胞凋亡的作用。孔氏等[3]證實電針可通過下調(diào)局灶性腦缺血再灌注海馬 CA1區(qū)促凋亡基因 Fas水平,抑制細胞凋亡,減輕缺血半暗區(qū)神經(jīng)元損害。李氏等[1]報道電針可顯著改善腦紋狀體缺血性神經(jīng)元損傷凋亡細胞的形態(tài),使 Bax蛋白的表達明顯減少,同時上調(diào)抗凋亡基因 bcl-2蛋白的表達,提示電針有抗缺血神經(jīng)元凋亡的作用。其機制與針刺促進 bcl-2基因的表達,使其抑制因缺血、缺氧所引起的自由基生成、谷氨酸增加、細胞內(nèi)鈣超載及神經(jīng)生長因子缺乏等造成的神經(jīng)細胞凋亡有關(guān)。

2 抑制炎性細胞因子

腦組織缺血后,損傷區(qū)炎性細胞聚集增加,炎性細胞因子表達上調(diào),參與腦缺血后炎癥性損傷而加重腦缺血。近年來研究表明,中樞神經(jīng)系統(tǒng)(CNS)可對各種損害產(chǎn)生炎性反應(yīng),如腫瘤壞死因子 α(TNF-α)、白介素和粘附分子在 CNS炎癥反應(yīng)的擴散和持續(xù)方面已被強調(diào)。周氏等[4]發(fā)現(xiàn)電針可顯著改善腦缺血再灌注大鼠神經(jīng)缺損行為體征,同時明顯降低腦組織髓過氧化物酶(MPO)、TNF-α的含量。說明電針對腦缺血再灌注損傷有顯著的保護作用,其機制可能為調(diào)節(jié)腦組織 MPO、TNF-α水平,遏止炎癥反應(yīng),減輕缺血再灌注繼發(fā)性神經(jīng)元損傷。實驗[5]證明頭針可減輕急性腦缺血再灌注后白細胞的浸潤,下調(diào) TNF-α、IL-1β的表達,從而減緩炎性免疫反應(yīng),減輕腦缺血再灌注損傷,實現(xiàn)對腦組織受損神經(jīng)元細胞的保護作用。蘇氏等[6]觀察到腦缺血后細胞黏附分子(ICAM-1)表達增加,針刺可降低 ICAM-1的表達,從而減輕缺血后 ICAM-1導(dǎo)致的缺血性腦損傷。其機制可能與抑制腦內(nèi) ICAM-1的表達,減輕炎癥反應(yīng)有關(guān)。

3 抗自由基損傷及脂質(zhì)過氧化反應(yīng)

腦缺血時,由于大量氧自由基消耗了超氧化物歧化酶(SOD),使 SOD清除自由基能力下降,過剩的自由基與腦組織生物膜不飽和脂肪酸發(fā)生過氧化連鎖反應(yīng),產(chǎn)生大量脂質(zhì)過氧化物丙二醛(MDA),使腦組織生物膜結(jié)構(gòu)與功能受損,從而引起細胞損傷直至死亡。李氏等[7]觀察到電針或預(yù)防性電針缺血再灌注大鼠“百會”、“大椎”兩穴,可使模型大鼠血清 、海馬、大腦皮層、紋狀體等腦組織及核團谷胱甘肽過氧化物酶(GSH-Px)和皮質(zhì)及紋狀體區(qū) CAT的低活性狀態(tài)得到顯著增高,高 MDA含量顯著降低,推測電針具有預(yù)防及逆轉(zhuǎn)腦缺血再灌注所造成的脂質(zhì)過氧化及自由基連鎖反應(yīng),具有良好抗氧應(yīng)激和腦保護作用。任氏等[8]報道,大鼠在腦缺血后 MDA含量明顯增高并持續(xù)上升,說明局灶性腦缺血形成后組織的破壞呈進行性發(fā)展,而經(jīng)電針處理的大鼠,MDA含量相對降低,SOD的活性明顯增高,表明針刺具有內(nèi)源性調(diào)節(jié)作用,在某種程度上抑制自由基的產(chǎn)生及連鎖反應(yīng)的發(fā)生,促進神經(jīng)細胞結(jié)構(gòu)及功能恢復(fù),延緩神經(jīng)細胞的缺血性壞死,從而對局灶性缺血腦組織起到保護作用,這可能是針刺治療缺血性腦血管疾病的另一原理。

4 調(diào)節(jié)一氧化氮及一氧化氮酶

NO是在一氧化氮合成酶(NOS)催化下,由 L-精氨酸氧化產(chǎn)生,具有強烈的舒張血管作用。在缺血性腦損傷中的作用是雙重的,依賴于 NO的起源,源于iNOS和神經(jīng)原性一氧化氮合成酶(nNOS)過度表達所形成者,具有神經(jīng)毒性;源于 cNOS的 NO有神經(jīng)保護作用。因而針刺可通過對不同來源 NO的調(diào)節(jié)而起到對神經(jīng)元的保護作用。許氏等[9]發(fā)現(xiàn)大鼠局灶性腦缺血后,缺血區(qū)腦組織 NO含量升高和 NOS活性增強,給予電針治療后,NO含量和 NOS活性均顯著下降。提示電針可抑制缺血后腦內(nèi) NO含量和 NOS的活性,從而保護腦缺血后繼發(fā)神經(jīng)元的損傷。林氏等[10]探討電針對腦缺血大鼠可能的抗氧化治療機理及血清 NO、NOS的濃度變化。發(fā)現(xiàn)電針可使模型大鼠血清中高 NO、NOS含量顯著降低,可見電針對腦缺血造成的自由基損傷、腦神經(jīng)細胞及細胞器的過氧化,可能有預(yù)防及逆轉(zhuǎn)作用。李氏等[11]利用電針患側(cè)“百會 ”、“曲池”、“環(huán)跳”、“足三里 ”穴,手術(shù)后 12 h處死并檢測大腦皮層患側(cè)單胺類神經(jīng)遞質(zhì)和血清一氧化氮。發(fā)現(xiàn)和模型組相比,缺血前期電針組大腦皮層 NE明顯升高,血清中 NO的水平提升。說明缺血前期電針通過對單胺類神經(jīng)遞質(zhì)的調(diào)節(jié),血管活性物質(zhì)的改善等,在不同的環(huán)節(jié)阻斷腦缺血再灌注后的瀑布性損害反應(yīng),具有防治缺血性中風(fēng)及保護腦缺血再灌注損傷的作用,臨床早期電針防治中風(fēng)具有積極意義。但以上關(guān)于電針(針刺)對 NO含量調(diào)節(jié)的報道,結(jié)果并不盡相同甚至相反,其原因筆者分析一方面可能與采用的模型、模型制作、操作標(biāo)準(zhǔn)、治療方法不同等有關(guān);另一方面由于 NO的“雙刃劍”作用。今后研究可從分子生物學(xué)角度出發(fā),進一步觀察 NO的起源,是通過抑制 iNOS和 nNOS,還是促進 cNOS從而影響 NO含量,進而發(fā)揮電針的調(diào)節(jié) NO及 NOS作用,這也是我們下一步進行研究的主要方向。

5 阻抑細胞內(nèi)鈣的超載

鈣離子參與細胞生物電反應(yīng)和胞內(nèi)生物化學(xué)反應(yīng)過程。神經(jīng)細胞發(fā)揮正常功能中 Ca2+起著重要調(diào)節(jié)作用。正常生理條件下依賴鈣泵的作用胞內(nèi)鈣濃度遠低于胞外,在腦缺血缺氧時由于能量供應(yīng)不足,鈣通道開放,鈣外排障礙等,造成細胞內(nèi)鈣超載。細胞內(nèi)鈣超載一方面可使血管收縮,進一步加重腦缺血缺氧;另外還可引起細胞代謝障礙甚至導(dǎo)致細胞死亡。霍氏等[12]觀察到針刺不同穴組均能降低腦缺血再灌注大鼠腦組織異常升高的 Ca2+的含量,均對腦缺血損傷具有保護作用。說明針刺治療中風(fēng)的作用機理與維持細胞內(nèi)外離子穩(wěn)態(tài)有關(guān)。許氏等[13]利用激光共聚焦掃描顯微鏡觀察缺血區(qū)腦片中腦細胞內(nèi) Ca2+的變化,發(fā)現(xiàn)電針可降低缺血后皮質(zhì)部和紋狀體細胞內(nèi) Ca2+含量,抑制胞內(nèi) Ca2+超載,從而保護腦缺血后繼發(fā)神經(jīng)元的損傷。

6 拮抗興奮性氨基酸釋放

腦組織中的興奮性氨基酸(EAAs)主要包括谷氨酸(Glu)和天門冬氨酸(Asp)。在生理狀態(tài)下細胞外的興奮性氨基酸濃度受酶降解、神經(jīng)細胞和膠質(zhì)細胞重攝取等機制調(diào)控,不會對神經(jīng)元產(chǎn)生興奮毒性,當(dāng)腦缺血時三磷酸腺苷(ATP)合成不足,EAAs重攝取發(fā)生障礙且因鈣內(nèi)流而釋放加速,造成病灶局部腦組織間隙 EAAs過量積聚,引起對突觸后膜受體的過度刺激而介導(dǎo)細胞滲透性腫脹和相關(guān)損傷,此即所謂的興奮毒性。侯氏等[14]建立高脂血癥復(fù)合高糖血癥動物模型,觀察大鼠血 Glu變化,探討針刺干預(yù)此復(fù)合模型致缺血性腦血管病的腦保護機制。發(fā)現(xiàn)針刺可明顯下調(diào)血 Glu含量,維護和保持血管內(nèi)皮的完整性,從而保護腦組織。這可能是針刺干預(yù)高脂血癥復(fù)合高糖血癥發(fā)生缺血性腦血管病的機制之一。陳氏等[15]報道電針可下調(diào)腦缺血后海馬興奮性氨基酸受體(NMDA受體)水平,從而抑制興奮性氨基酸毒性釋放,減輕缺血性腦損傷。表明針刺可抑制細胞外興奮性氨基酸的過量堆積,從而抑制興奮性毒性而發(fā)揮保護作用。

7 對 cGMP、cAMP信使的調(diào)節(jié)

cGMP、cAMP作為第二信使分子,參與細胞信息的傳遞。王氏等[16]報道電針可使急性腦梗塞大鼠血漿中過度降低的 cAMP含量明顯升高而趨于常值,使升高的cGMP含量有下降的趨勢,使 cAMPcGMP值升高而趨于正常。說明針刺可通過調(diào)節(jié) cAMP、cGMP含量及二者比值,改善梗塞區(qū)腦組織供血,從而起到治療作用。吳氏等[17]頭穴透刺急性腦梗塞大鼠,結(jié)果發(fā)現(xiàn)血漿中cAMP含量顯著升高,cGMP含量逐漸下降,病理性減少的 cAMPcGMP比值增大,并均趨于正常水平。提示針刺可能通過調(diào)節(jié)機體血漿和缺血腦組織中 cAMP、cGMP的含量及二者的比值從而介導(dǎo)血管平滑肌的松弛反應(yīng),改善局部供血,繼而取得了臨床治療效果。

8 調(diào)節(jié)能量代謝

穆氏等[18]探討電針對局灶性腦缺血再灌注大鼠紋狀體線粒體 ATP酶的影響,發(fā)現(xiàn)模型組 Na+-K+-ATP酶、Ca2+-ATP酶、Mg2+-ATP酶活性較對照組顯著下降;電針組各種 ATP酶活性與對照組比較無明顯差異,與模型組比較顯著升高。認(rèn)為電針可提高紋狀體神經(jīng)元細胞的能量代謝能力,從而發(fā)揮對缺血再灌注紋狀體損傷的保護作用。陸氏等[19]發(fā)現(xiàn)全腦缺血再灌注大鼠經(jīng)針刺治療后下降的 GSH-px活性復(fù)又升高,說明針刺可減輕腦組織 GSH-px代謝障礙,改善腦能量代謝,對腦缺血神經(jīng)元起保護作用。沈氏等[20]證實電針使缺血再灌注大鼠大腦皮層、紋狀體細胞中 ERK表達陽性細胞數(shù)明顯增多,具有上調(diào)腦缺血再灌注大鼠細胞外信號調(diào)節(jié)蛋白激酶(ERK)的蛋白表達作用。推測電針上調(diào) ERK蛋白表達是電針抗氧應(yīng)激針對缺氧刺激啟動修復(fù)過程而促進細胞存活,對經(jīng)歷缺血再灌注損傷的神經(jīng)元具有顯著的保護作用。

9 結(jié)語

綜上所述,缺血性腦血管病是一個復(fù)雜的病理過程,針刺對其防治機制也是多部位、多靶點的調(diào)節(jié),包括維持離子穩(wěn)態(tài)、調(diào)控第二信使分子含量、降低細胞興奮性氨基酸含量、抑制細胞凋亡、調(diào)節(jié)能量代、抑制炎性因子、清除自由基、調(diào)節(jié) NO含量。但隨著科學(xué)技術(shù)的進步,缺血性腦血管病發(fā)生發(fā)展機制仍處在不斷深入探索中,有關(guān)針刺治療本病的分子生物學(xué)機制研究仍需進一步商榷,如許多實驗研究往往僅觀察針刺對某些指標(biāo)的影響,未把針刺治療該病機制作一統(tǒng)一整體來考慮,仍處于各自孤立狀態(tài),同時研究中也未見有關(guān)針刺對缺血性腦血管病分子生物學(xué)水平互相調(diào)節(jié)的機理研究。目前,大多數(shù)研究者均集中于發(fā)病后治療,并未體現(xiàn)中醫(yī)的“未病先防”的思想。為此,今后研究中應(yīng)利用針刺自身特點,應(yīng)用循證醫(yī)學(xué)方法及隨機對照可比的方法,找準(zhǔn)契合點,充分發(fā)揮傳統(tǒng)醫(yī)學(xué)的特長,在科研工作中,創(chuàng)立新模式,從系統(tǒng)觀、整體觀等角度出發(fā)多指標(biāo)、多學(xué)科、多靶點等研究,以達到更廣泛地闡明其綜合作用機理,尤其是細胞的信號轉(zhuǎn)導(dǎo)和分子生物學(xué)等方面作用的原理。筆者相信,隨著近代醫(yī)學(xué)科學(xué)的發(fā)展和進步,通過不懈努力,針刺療效作用的分子生物學(xué)機制及信號調(diào)節(jié)機制一定會有更加驚人的突破。

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