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用能量觀點(diǎn)解答電磁感應(yīng)問題

2008-11-04 02:53
關(guān)鍵詞:安培力感應(yīng)電流圓環(huán)

馬 召

在電磁感應(yīng)現(xiàn)象中,導(dǎo)體切割磁感線或磁通量發(fā)生變化而在回路中產(chǎn)生感應(yīng)電流,機(jī)械能或其他形式的能量便轉(zhuǎn)化為電能,感應(yīng)電流在磁場中受到安培力的作用或通過電阻發(fā)熱,又可使電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能或電阻的內(nèi)能等.因此在求解回路中因電磁感應(yīng)產(chǎn)生的焦耳熱問題時(shí),如果直接用Q=I2Rt求解,不是因?yàn)榻獯疠^復(fù)雜,就是因?yàn)殡娏鱅是變化的,時(shí)間是無法確定的,而導(dǎo)致求解困難.若利用能量守恒的知識求解,往往會使問題變得較簡單.

例1如圖1,平行金屬導(dǎo)軌與水平面成θ角,導(dǎo)軌與固定電阻R1和R2相連,勻強(qiáng)磁場垂直穿過導(dǎo)軌平面,有一導(dǎo)體棒ab,質(zhì)量為m,導(dǎo)體棒的電阻與固定電阻R1和R2的阻值均相等,與導(dǎo)軌之間的動摩擦因數(shù)為μ,導(dǎo)體棒ab沿導(dǎo)軌向上滑動,當(dāng)向上滑的速度為v時(shí),受到安培力的大小為F.此時(shí)().

A.電阻R1消耗的熱功率為

B.電阻R2消耗的熱功率為

C.整個(gè)裝置因摩擦而消耗的熱功率為μmgvcosθ

D.整個(gè)裝置消耗的機(jī)械功率為(F+μmgvcosθ)v

解析:對A、B選項(xiàng),請對比解法一和解法二.

解法一:設(shè)導(dǎo)體棒ab和R1、R2的電阻為R0,棒長度為L.

導(dǎo)體棒ab產(chǎn)生的感應(yīng)電動熱為E=BLv;電流為I= ;總電阻為R= .

電阻R1、R2消耗的功率為:

P1=P2= 2R0= ,F(xiàn)=BIL= v.

故P1=P2= .

解法二:根據(jù)功能關(guān)系知,導(dǎo)體棒ab克服安培力做的功等于電磁感應(yīng)過程中產(chǎn)生的電能,電功率等于安培力的功率,則P=Fv.電阻R1、R2的并聯(lián)值為棒ab電阻的一半,則電阻R1、R2的熱功率之和為P1、2= Fv.故電阻R1、R2各自的熱功率為P1=P2= P1、2= Fv.

對比解法一和解法二知,解法二計(jì)算過程簡便省時(shí).

對C:因摩擦而產(chǎn)生的熱功率為P=fv=?滋mgvcosθ.

對D:由功能關(guān)系知,除重力外其他力做的功等于機(jī)械能的變化,所以,整個(gè)裝置消耗的機(jī)械功率為P=Fv+fv=(F+?滋mgcosθ)v.

答案為B、C、D.

例2如圖2,在光滑的水平面上,一質(zhì)量為m,半徑為r,電阻為R的均勻金屬環(huán),以v 的速度向一磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的有界勻強(qiáng)磁場滑去(磁場寬度d>2r).圓環(huán)的一半進(jìn)入磁場歷時(shí)t s,這時(shí)圓環(huán)產(chǎn)生的焦耳熱為Q,則t s末圓環(huán)中感應(yīng)電流的瞬時(shí)功率為().

A. B.

C.D.

解析:在圓環(huán)運(yùn)動過程中,只有克服安培力做功把動能轉(zhuǎn)化為電能,電能又轉(zhuǎn)化為熱能.

由動能定理得W= mv2- mv20,①

又W=Q, ②

E=B2rv,③

t s末圓環(huán)中感應(yīng)電流的瞬時(shí)功率為P= . ④

由①②③④得P= .

答案為B.

例3如圖3,在O點(diǎn)正下方有一個(gè)具有理想邊界的磁場,銅環(huán)由P點(diǎn)靜止釋放,向右擺至最高點(diǎn)Q,不考慮空氣阻力,則下列說法正確的是().

A.P、Q兩點(diǎn)在同一水平面上

B.P點(diǎn)高于Q點(diǎn)

C.P點(diǎn)低于Q點(diǎn)

D.銅環(huán)將做等幅擺動

解析:銅環(huán)進(jìn)入磁場和出磁場時(shí)要克服安培力做功,有部分機(jī)械能轉(zhuǎn)化為電能,由能量守恒的觀點(diǎn)知Q點(diǎn)低于P點(diǎn).答案為B.

注:“本文中所涉及到的圖表、注解、公式等內(nèi)容請以PDF格式閱讀原文。”

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