韓瑞山，王燕蘭，盧飛朋，張 松，張 方，李 蛟，褚恩義

（陜西應(yīng)用物理化學(xué)研究所， 瞬態(tài)化學(xué)效應(yīng)與控制全國重點實驗室， 陜西 西安 710061）

0 引 言

疊氮化銀（AgN3，簡寫為SA）是疊氮酸的銀鹽，最早在1890 年由Curtius 將疊氮酸（HN3）氣體通入硝酸銀溶液中制得。相較于目前廣泛應(yīng)用的疊氮化鉛（LA）起爆藥，SA 起爆藥在水溶液中的溶解度更小，在制備時易大量、快速析出，不易產(chǎn)生針狀大晶體，故而無自爆風(fēng)險。同時，SA 起爆藥具有更高的熱穩(wěn)定性、安定性，在真空環(huán)境下加熱到400 ℃都不會發(fā)生爆炸［1-3］，且干燥的SA 起爆藥HN3分壓非常低，與金屬銅接觸時基本不會反應(yīng)生成高敏感的疊氮化銅［4］。另外，SA 起爆藥的起爆能力高于LA，具有非常小的臨界起爆尺寸［5-7］，因此特別適合用于MEMS 火工品等小尺寸、低極限藥量火工品裝藥。

SA 起爆藥的制備大多使用AgNO3和NaN3的沉淀反應(yīng)［8-9］，對于沉淀反應(yīng)而言，反應(yīng)溶液混合速度的快慢，對于反應(yīng)過程和結(jié)果都會產(chǎn)生重要影響［10-12］。微流控技術(shù)中的微混合芯片具備通道尺寸微小、反應(yīng)參數(shù)精確可控、高效傳質(zhì)傳熱的特點［13-15］，成為微納米級疊氮化物起爆藥制備的一種有效手段［16-18］。但微混合芯片中，反應(yīng)液體的混合主要依靠通道壁面結(jié)構(gòu)對流體產(chǎn)生折疊、擾動、分散或旋轉(zhuǎn)等作用［19-22］，混合效率受通道幾何結(jié)構(gòu)尺寸的影響極大。因此，設(shè)計優(yōu)化微混合芯片通道結(jié)構(gòu)，對于疊氮化物起爆藥的連續(xù)化、高質(zhì)量制備具有重要意義。

本研究設(shè)計并制作了一種連續(xù)反向旋T 形微混合芯片，采用Ansys Fluent 仿真模擬軟件研究了芯片結(jié)構(gòu)和流動條件等因素對芯片混合效率的影響，獲得了最佳的芯片形狀及其結(jié)構(gòu)參數(shù)。并使用該芯片進(jìn)行了SA 起爆藥的連續(xù)化合成，分析了反應(yīng)物流速、濃度和表面活性劑等因素對SA 起爆藥粒徑調(diào)控的影響，同時采用掃描電子顯微鏡（SEM）、粉末X 射線衍射（PXRD）、差示掃描量熱（DSC）等手段對SA起爆藥產(chǎn)物的形貌、成分、結(jié)構(gòu)和熱性能進(jìn)行了表征和測試。

1 微混合芯片設(shè)計及優(yōu)化

1.1 芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計及仿真

1.1.1 微混合芯片設(shè)計

T 形微混合通道是微混合芯片中研究最多的結(jié)構(gòu)之一，其具有結(jié)構(gòu)簡單、流阻小等特點，但通道內(nèi)流體基本為層流狀態(tài)，混合效果受擴(kuò)散系數(shù)影響較大，混合效率較低。通過將T 形微混合器中與主通道連接的兩個側(cè)通道入口設(shè)計一定的偏移量，使經(jīng)過兩入口流體在主通道內(nèi)匯合時產(chǎn)生相反的速度矢量，呈現(xiàn)出旋渦狀運(yùn)動。隨后在混合區(qū)，設(shè)置多個環(huán)形區(qū)，將混合溶液再次分離為兩股液體，以相反的入口偏移量，重新匯入主通道，形成與上一個混合結(jié)構(gòu)方向相反的渦流，多次重復(fù)以實現(xiàn)液體的高效混合。通道結(jié)構(gòu)如圖1 所示，其中d為通道尺寸，θ為兩相溶液對撞角度，L為混合區(qū)域長度；P1，P2，P3，P4，P5 分別為混合效率計算截面位置，位于混合區(qū)域長度的中心。

圖1 旋T 形微混合芯片通道結(jié)構(gòu)示意圖Fig.1 Schematic diagram of the channel structure in the rotating T-shaped micro-mixing chip

1.1.2 混合效率仿真模擬

使用Ansys Fluent 仿真模擬軟件中多組分輸運(yùn)模型，求解各組分在整個微通道中的混合情況［15］。兩相流體材料分別為NaN3和AgNO3的低濃度鹽溶液，其密度都設(shè)為1020 kg·m-3，黏度為9.5×10-4kg·m-1·s-1，質(zhì)量擴(kuò)散系數(shù)為1.837×10-9m2·s-1。其中壁面條件設(shè)置為固定無滑移模式，入口條件設(shè)置為速度入口，速度大小按照實驗時采用的流量數(shù)據(jù)換算后設(shè)置，出口條件設(shè)置為壓力出口，相對壓力為0。為方便觀察和比較，設(shè)置模擬計算中入口處待混合流體質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為1 和0。微混合芯片的混合效率通過提取建立模型中微通道各截面上的溶液質(zhì)量分?jǐn)?shù)進(jìn)行計算，如式（1）所示。

其中，M為混合效率，N為取點的個數(shù)，Xi為第i個點的質(zhì)量分?jǐn)?shù)，Xi-unmix為未混合情況下各點的質(zhì)量分?jǐn)?shù)，Xˉ為完全混合情況下各點質(zhì)量分?jǐn)?shù)的平均值?？梢酝ㄟ^M值的大小來判斷微混合芯片在不同截面處混合效率的高低，當(dāng)溶液完全未混合時M= 0，當(dāng)溶液完全混合時M= 100%。

1.2 仿真結(jié)果與討論

1.2.1 混合通道尺寸對混合結(jié)果影響

為研究混合通道尺寸對旋T 形微混合芯片混合效率的影響，通過Fluent 仿真模擬了通道尺寸d分別為2.0，1.0，0.5 mm 的3 種芯片的混合效果，獲得了流速為2 mL·min-1條件下3 種混合芯片的流線圖及濃度壓力分布云圖。選取通道尺寸1.0 mm 的微混合芯片為代表，分析了增強(qiáng)混合原理，其內(nèi)部兩相溶液的流線圖如圖2 所示?？梢钥闯?，由于微通道交匯處存在一定的高度差，當(dāng)兩相溶液交匯時，產(chǎn)生不對稱碰撞，溶液在主通道中發(fā)生旋流運(yùn)動，促使通道內(nèi)溶液發(fā)生旋轉(zhuǎn)、折疊，從而增大了兩相溶液間接觸面積，縮短分子間擴(kuò)散距離，促進(jìn)了兩相溶液的混合。隨后混合溶液被再次分離為兩股液體，并以相反的高度差重新交匯對撞，使其在主通道中形成與上一個混合結(jié)構(gòu)方向相反的渦流，進(jìn)一步增強(qiáng)混合。

圖2 微混合芯片通道中兩相溶液的流線圖Fig.2 Streamline diagram of the two-phase solution in the micro-mixing chip channel

圖3 為3 種尺寸微混合芯片在不同位置的濃度分布云圖及混合效率，通過提取通道不同位置截面上的濃度分布數(shù)據(jù)，計算了不同位置處的混合效率。從圖3 中可以看出，在相同截面位置處，隨著微混合芯片通道尺寸減小，混合效率明顯提升。這是由于隨著通道尺寸減小，流體擴(kuò)散距離也相應(yīng)縮短，使得流體擴(kuò)散混合速度加快。其中當(dāng)混合芯片通道直徑為2.0 mm 時，混合效率隨截面位置的增加而緩慢增大；當(dāng)混合芯片通道直徑為1.0 mm 時，混合效率隨截面位置的增加先迅速升高，后緩慢升高；而當(dāng)混合芯片通道直徑為0.5 mm 時，混合效率隨截面位置先迅速升高至95%以上，后維持恒定。這是由于相同流量下，隨著通道直徑增大，通道中液體流動速度減小，通道交匯處碰撞作用減弱，流體混合基本依靠分子擴(kuò)散完成，使得大通道直徑中流體混合效率隨截面位置增長緩慢。這說明不同通道尺寸和流速下，流體實現(xiàn)完全混合所需要的混合長度并不相同。

圖3 3 種尺寸微混合芯片在不同位置的濃度分布云圖及混合效率Fig.3 Concentration distribution contour and mixing efficiency of micro-mixing chips with three different sizes at various positions

圖4 為不同通道尺寸的壓力云圖，可見隨著通道尺寸的減小，3 種微混合芯片的最大壓力升高值分別為33.5，297，2978 Pa，表明隨著通道尺寸的減小，通道內(nèi)流動阻力顯著增大，但較大的流動阻力需要芯片及其接口具有很高的承壓能力，不利于芯片及其接口的設(shè)計和制造。綜合考慮通道流體阻力和混合效率，選用1.0 mm 通道尺寸的微混合芯片作進(jìn)一步研究。

圖4 3 種尺寸微混合芯片的壓力分布云圖Fig.4 Pressure distribution contour of three sizes of micro-mixing chips

1.2.2 對撞角度對混合結(jié)果影響

為研究兩相溶液對撞角度θ對混合效率的影響，設(shè)計了對撞角度分別為120°和60°的微混合芯片，并在4 mL·min-1流速下，與180°微混合芯片進(jìn)行了對比。3 種對撞角度的微混合芯片在不同截面上的混合效果圖如圖5 所示，可以看出，隨著截面位置的增加，3 種對撞角度的微混合芯片混合效率都發(fā)生了顯著升高，其中180°對撞的微混合芯片具有最高的混合效率。隨著對撞角度的減小，在P1 截面上的混合效率隨著對撞角度的降低而降低。但在P2 截面以后，60°對撞微混合芯片的混合效率反而大于120°微混合芯片。這表明，微混合芯片的混合效率并不隨對撞角度單調(diào)變化，而是存在先降低后升高的過程。

圖5 3 種對撞角度微混合芯片在不同位置的混合效率及濃度分布云圖Fig.5 Concentration distribution contour and mixing efficiency of three types of micro-mixing chips with different collision angles at various positions

1.2.3 反應(yīng)物流速對混合結(jié)果影響

為研究反應(yīng)物流速Q(mào)對混合效果的影響，針對通道直徑1.0 mm 的微混合芯片，模擬計算了在流速分別為1，2，4，8 mL·min-1條件下的混合效果。4 種流速下微混合芯片在不同截面位置的濃度分布云圖及混合效率，如圖6 所示?？梢钥闯?，1 mL·min-1流速下微混合芯片混合效率較差，在經(jīng)過P5 截面時只有70%的混合效率。隨著溶液流速的增加，混合效率迅速升高。在2 mL·min-1流速下，反應(yīng)溶液在流經(jīng)微混合芯片的第3 個截面時就可達(dá)到90%以上的混合效率，流經(jīng)P5 截面時達(dá)到97%以上的混合效率。而當(dāng)流速為4 mL·min-1或8 mL·min-1時，反應(yīng)溶液在流經(jīng)微混合芯片的P3 截面時就可實現(xiàn)近100%的混合。這是由于較高流速容易在通道中形成更明顯的渦旋結(jié)構(gòu)，帶來更大的擾動，促使混合效率升高。同時8 mL·min-1流速下溶液的混合效率與4 mL·min-1時基本相當(dāng)，表明反應(yīng)物流速≥4 mL·min-1時微混合芯片的混合效率已達(dá)到最優(yōu)。

圖6 4 種流速下微混合芯片在不同位置的混合效率及濃度分布云圖Fig.6 Concentration distribution contour and mixing efficiency of micro-mixing chips at different positions under four flow rates

2 實驗部分

2.1 試劑與儀器

試劑：AgNO3，分析純，成都科隆化學(xué)品有限公司；NaN3，分析純，鄭州派尼化學(xué)試劑廠；十二烷基硫酸鈉（SDS），分析純，上海國藥集團(tuán)；十二烷基酚聚氧乙烯醚-10（OP-10），一級試劑，國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司；聚乙烯醇（PVA），PVA-1788，天津科密歐化學(xué)試劑有限公司。

儀器：VEGA TS5136XM 型掃描電子顯微鏡，捷克泰斯肯公司；D8 advance 型X 射線衍射儀，德國布魯克公司；Nicolet 6700 型傅里葉變換紅外光譜儀，美國賽默飛世爾科技公司；DSC204F1 型差示掃描量熱儀，德國耐馳公司；TS-1B恒流泵，中國保定蘭格恒流泵有限公司。旋T形微混合芯片，蘇州汶灝微流控技術(shù)有限公司，有機(jī)玻璃材質(zhì)，芯片通道深度0.5～1 mm，寬度1 mm。

2.2 SA 起爆藥制備及表征

2.2.1 SA 起爆藥制備

SA 起爆藥的快速沉淀反應(yīng)按以下反應(yīng)方程式進(jìn)行：

微流控技術(shù)合成SA 起爆藥：將一定量AgNO3、NaN3分別溶解于去離子水中，按實驗要求加入不同的表面活性劑，配制出濃度分別為0.01，0.02，0.03 mol·L-1的AgNO3和NaN3溶液。采用多通道恒流泵分別控制反應(yīng)物流速，將兩種溶液輸送到旋T 型微流控芯片中，通過在旋T 形微混合芯片快速混合，反應(yīng)生成AgN3。收集從旋T 型微流控芯片出口流出的沉淀產(chǎn)物，經(jīng)多次離心和洗滌收集沉淀，在水浴烘箱內(nèi)55 ℃干燥。實驗裝置示意圖如圖7 所示。

圖7 旋T 型微流控芯片中SA 起爆藥合成裝置示意圖Fig.7 Schematic representation of the synthesis apparatus for SA primary explosive

常規(guī)批次合成SA 起爆藥：參照文獻(xiàn)［23］的方法，室溫下，配制50 mL 濃度為0.02 mol·L-1的AgNO3溶液作為底液，將相同濃度的NaN3溶液滴加至AgNO3溶液中，攪拌反應(yīng)1 h，將反應(yīng)溶液過濾、洗滌、烘干后，得到產(chǎn)物。

2.2.2 SA 起爆藥的表征測試

采用掃描電子顯微鏡對不同條件制備的SA 起爆藥顆粒形貌進(jìn)行表征，樣品均勻分散在導(dǎo)電膠上，經(jīng)噴金后測試。

SA 起爆藥的粒徑及其分布依據(jù)GJB5891.6-2006方法對掃描電鏡數(shù)據(jù)中晶體顆粒的投影面積逐個測量記錄，以等效圓直徑為粒徑數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計后計算分析得到樣品的粒徑分布［24］。

采用PXRD 分析SA起爆藥顆粒的物相組成，分辨率為0.02°，掃描范圍為5°～70°，掃描速率為10°·min-1。

采用FTIR 對SA 起爆藥顆粒的分子結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征，采用KBr 壓片法，在400～4000 cm-1波數(shù)范圍內(nèi)測試，分辨率為4 cm-1。

采用DSC 進(jìn)行熱量測定試驗，使用銦標(biāo)準(zhǔn)樣品校準(zhǔn)熔融溫度和焓。分別將重量約為0.3 mg 的微流SA和常規(guī)SA 起爆藥粉末樣品放入到鋁坩堝中，在氮氣氛圍中進(jìn)行DSC 分析，氮氣流速50 mL·min-1，樣品測試溫度范圍為25～450 ℃，升溫速率為10 ℃·min-1。

2.3 制備工藝對SA 形貌的影響

2.3.1 反應(yīng)物流速對SA 合成影響

為考察反應(yīng)物溶液在微通道中的流速Q(mào)對沉淀產(chǎn)物粒徑的影響，使用濃度為0.02 mol·L-1的AgNO3及NaN3溶液，通過恒流泵調(diào)整反應(yīng)溶液的流動速度，依據(jù)恒流泵量程，設(shè)置流速分別為8，4，2 mL·min-1。圖8a～8c 為不同流速時制備的SA 起爆藥晶體形貌。可以看出，所制備的SA 起爆藥晶粒呈柱狀或棒狀，晶粒尺寸分布在0.38～2.45 μm 的范圍內(nèi)。隨著流速減小，SA 起爆藥的粒徑及其分布明顯增大。其中當(dāng)反應(yīng)流速為8 mL·min-1時，SA 起爆藥的平均粒徑最小，為0.77 μm（圖8a）；當(dāng)反應(yīng)流速降低為4 mL·min-1時，SA 起爆藥的平均粒徑增大為1.14 μm（圖8b）；當(dāng)流速降為2 mL·min-1時，SA 起爆藥具有最大的平均粒徑，為1.24 μm（圖8c），且粒徑分布也最寬。這是由于旋T 形微混合芯片在較低的流速下混合效率較差，反應(yīng)溶液不能很快地完成混合。

圖8 不同流速下制備的SA 起爆藥SEM 照片及粒徑分布圖Fig.8 SEM and particle size distribution images of SA primary prepared under different flow rates

2.3.2 反應(yīng)物濃度對SA 合成影響

為考察反應(yīng)物溶液濃度c對沉淀產(chǎn)物形貌的影響，分別配制了濃度為0.01，0.02，0.03 mol·L-1的AgNO3、NaN3溶液，使用4 mL·min-1反應(yīng)流速進(jìn)行了SA 起爆藥的制備，其產(chǎn)物SEM 照片和粒徑分布分別如圖9a～9c所示?？梢钥闯?，當(dāng)反應(yīng)物濃度為0.01 mol·L-1時，沉淀產(chǎn)物為塊狀顆粒，粒徑分布范圍為0.68～2.14 μm，平均粒徑為1.24 μm（圖9a）；反應(yīng)物濃度為0.02 mol·L-1時，粒徑分布范圍為0.39～1.71 μm，平均粒徑為0.79 μm（圖9b）；反應(yīng)物濃度為0.03 mol·L-1時，粒徑分布范圍為0.22～1.26 μm，平均粒徑為0.52 μm（圖9c）。表明隨著反應(yīng)物濃度的增大，反應(yīng)產(chǎn)物的粒徑逐漸減小，且粒度分布范圍也相應(yīng)變窄。其原因是在一定的過飽和度條件下，晶核只有大于臨界尺寸時才能穩(wěn)定的存在，進(jìn)而自發(fā)生長。隨著反應(yīng)物濃度增大，其結(jié)晶驅(qū)動力增大，臨界成核半徑減小，使得反應(yīng)能夠生成更多的晶核，致使產(chǎn)物粒徑減小。

圖9 反應(yīng)物濃度對SA 起爆藥粒徑的影響Fig.9 Influence of reactant concentration on the particle size of SA primary explosive

2.3.3 表面活性劑對SA 合成影響

表面活性劑也會對沉淀結(jié)晶過程產(chǎn)生影響。為研究不同類型表面活性劑對SA 結(jié)晶過程的影響規(guī)律，選用實驗室中常見的非離子型（OP-10）、聚合物型（PVA）和 陰 離 子 型（SDS）表 面 活 性 劑，添 加 于0.03 mol·L-1的NaN3溶液中，使用8 mL·min-1反應(yīng)流速進(jìn)行了SA 起爆藥的制備，考察了表面活性劑對SA起爆藥合成的影響。圖10a～10d 分別為NaN3溶液中未添加表面活性劑和加入1%的OP-10、PVA、SDS 獲得的SA 起爆藥晶體SEM 照片和粒徑分布圖?？梢钥闯?，未加入表面活性劑的SA 起爆藥顆?；緸榱庵位蚯蛐危骄綖?.36 μm，粒徑分布范圍為0.14～0.60 μm（圖10a）。而加入OP-10 和SDS 后，SA起爆藥顆粒形貌呈片狀形態(tài)，且產(chǎn)物粒徑及分布范圍顯著增大，其中加入OP-10 的平均粒徑為0.60 μm（圖10b），加入SDS 的平均粒徑為0.40 μm（圖10d），這是由于OP-10 和SDS 改變了晶體上各個晶面上的相對生長速度，從而調(diào)控了結(jié)晶形態(tài)和粒徑。需要特別說明的是，加入PVA 的SA 起爆藥顆粒仍為六棱柱形或球形，平均粒徑為0.07 μm，分布范圍為0.03～0.21 μm（圖10c），獲得了比未填加表面活性劑時更小的顆粒尺寸和分布，這可能是由于PVA 降低了SA 晶核的形成能量，使得反應(yīng)溶液能夠快速生成大量的晶核，并生長為SA 晶粒。但由于PVA 為高分子型表面活性劑，在產(chǎn)物中不易去除且殘留較多，因此后續(xù)SA制備過程中不進(jìn)行表面活性劑的添加。

圖10 表面活性劑對SA 起爆藥粒徑及其分布的影響Fig.10 Influence of surfactants on the particle size of SA primary explosive

2.4 SA 起爆藥的測試結(jié)果分析

2.4.1 結(jié)構(gòu)表征

為獲得最優(yōu)條件下微混合芯片制備的SA 起爆藥的成分和晶體結(jié)構(gòu)信息，使用溴化鉀壓片的方法進(jìn)行了微流SA 的紅外吸收測試，譜圖如圖11a 所示?？梢钥闯?，在2000～2200 cm-1處存在一個較強(qiáng)的吸收峰，這是基團(tuán)中N＝N＝N 累積雙鍵的伸縮振動峰，為疊氮化物起爆藥的特征峰。1636 cm-1處的吸收峰是N＝N（疊氮基）雙鍵的伸縮振動峰，故而兩者同時存在。而在3000～3600 cm-1處存在一個小的鼓包，這是由于樣品中含有水造成的。同時在3355 cm-1和3298 cm-1兩處存在尖銳吸收峰，推測是由于疊氮基團(tuán)與樣品中的水相互作用形成了H…N 氫鍵所引起的。

圖11 微流SA 的FTIR 和PXRD 譜圖Fig.11 FTIR and PXRD spectra of microfluidic SA

為進(jìn)一步表征產(chǎn)物晶體結(jié)構(gòu)，使用PXRD 對制備的SA 起爆藥進(jìn)行了測試，譜圖如圖11b 所示。可以看出，在21.84° ，30.23° ，31.90° ，37.19° ，42.93° ，44.49°，48.99°，51.22°，54.47°，58.37°和60.37°處有明顯的衍射峰，分別對應(yīng)SA 起爆藥的（110），（020），（200），（112），（022），（202），（130），（310），（222），（123）和（312）晶面，制備的SA 起爆藥主要成分都為正交晶系的AgN3晶體，晶面擇優(yōu)取向為（110）和（112）晶面。

2.4.2 熱性能測試

為比較采用微流控方法制備的微流SA 起爆藥，與常規(guī)批次反應(yīng)法獲得SA 起爆藥之間的熱性能差異，在10 ℃·min-1升溫速率下分別對微流SA 起爆藥和常規(guī)批次SA 起爆藥進(jìn)行了DSC 測試，譜圖如圖12 所示。由圖12 可見，兩種樣品在306.5 ℃左右存在一個明顯的吸熱峰，這是由于SA 起爆藥獨特的物理化學(xué)性質(zhì)所造成的，其在受熱時存在先融化后分解的過程。與常規(guī)批次制備的SA 起爆藥相比，微流SA 起爆藥的放熱峰溫度由365.2 ℃降低到了358.2 ℃，降低了7 ℃，且放 熱 量 由851.6 kJ·kg-1升 高 至976.7 kJ·kg-1，提 升 了14.7%，這表明使用微流控方法制備的SA 起爆藥具有更高的反應(yīng)活性和能量。

圖12 微流SA 和常規(guī)批次SA 的DSC 曲線Fig.12 DSC curves of microfluidic SA and batch SA

3 結(jié) 論

設(shè)計并制作了一種連續(xù)反向旋T 形微混合芯片，研究了芯片結(jié)構(gòu)及反應(yīng)物流速對芯片混合效率的影響規(guī)律，并使用該芯片進(jìn)行了SA 起爆藥的連續(xù)化合成，探究了反應(yīng)物流速、濃度和表面活性劑等因素對SA 起爆藥粒徑的影響，使用SEM、PXRD、DSC 等手段測試了樣品的形貌、成分、結(jié)構(gòu)和熱性能，得到結(jié)論如下：

（1）旋T 形微混合芯片的混合效率與反應(yīng)物流速密切相關(guān)。微混合芯片在通道尺寸為1 mm，對撞角度90°、流速4 mL·min-1以上時，可獲得接近100%的混合效率；

（2）反應(yīng)流速8 mL·min-1、濃度0.03 mol·L-1制備條件下可以獲得形貌均勻、粒徑分布較窄的類球形SA起爆藥顆粒（平均粒徑0.36 μm），且通過控制旋T 型微流混合芯片內(nèi)反應(yīng)物流速、反應(yīng)物濃度、添加表面活性劑等條件，可實現(xiàn)對SA 起爆藥晶形及粒度分布的有效調(diào)控；

（3）微流控方法制備的SA 起爆藥相較常規(guī)批次SA 起爆藥，放熱峰溫度提前了7 ℃（358.2 ℃ vs 365.2 ℃），放 熱 量 升 高 了14.7%（851.6 kJ·kg-1vs 976.7 kJ·kg-1），說明其具有更高的反應(yīng)活性和能量。